Джон Даллес

Джон М. Даллессасс
Джон М. Даллессасс
Рожденный	13 ноября 1963 г. (60 лет)
Национальность	Американский
Заголовок	Профессор лаборатории Холоньяка по электротехнике и вычислительной технике
Награды	Член IEEE ; Член Оптического общества ; Член Общества электронных устройств IEEE Совета управляющих
Академическое образование
Образование	Бакалавр электротехники и вычислительной техники (1985) ; Магистр электротехники и вычислительной техники (1987) ; Доктор философии по электротехнике и вычислительной технике (1991 г.)
Альма-матер	Университет Иллинойса
Докторантура	Ник Холоньяк
Академическая работа
Учреждения	Университет Иллинойса

Джон Майкл Даллессасс — профессор электротехники и вычислительной техники в Университете Иллинойса в Урбана-Шампейн , где его исследования сосредоточены на кремниевых фотонных интегральных схемах (PIC), нанофотонике , полупроводниковых лазерах / транзисторных лазерах. ^{[ 1 ]} и фотоника – интеграция электроники . Имеет более 60 публикаций и презентаций, имеет 29 выданных патентов. ^{[ 2 ]}

В 2010 году Даллессасс стал соучредителем Skorpios Technologies Inc., компании по производству кремниевых фотонных интегральных схем и литейного производства. ^{[ 3 ]} при поддержке Ericsson , Nokia Networks и венчурного капитала , где он был техническим директором и вице-президентом . ^{[ 4 ]} Он является советником и консультантом многочисленных фотонных компаний и стартапов .

Даллессасс был назван членом Оптического общества (OSA) в 2012 году. ^{[ 5 ]} член Института инженеров по электротехнике и электронике (IEEE) в 2015 г. ^{[ 6 ]} и был избран в Общества электронных устройств IEEE в 2020 году. Совет управляющих ^{[ 7 ]}

Образование

Даллессасс получил степень бакалавра , магистра и доктора философии в области электротехники и вычислительной техники в Университете Иллинойса в 1985, 1987 и 1991 годах соответственно под руководством Ника Холоньяка . открыл полупроводников III-V технологию окислительной обработки В 1989 году Даллессасс вместе с Ником Холоньяком для формирования высококачественных оксидных слоев для производства фотонных устройств. Сегодня это широко используется в промышленности и сделало лазеры поверхностного излучения с вертикальным резонатором практичными для многих приложений, включая оптические каналы передачи данных в корпоративных сетях и центрах обработки данных. ^{[ 8 ]}

Карьера

Специалист в области оптоэлектроники , профессор Даллессасс имеет более чем 20-летний опыт работы в отрасли и занимал широкий спектр должностей в области разработки и управления технологиями, в том числе вице-президента MicroLink Devices, старшего директора по проектированию и технологиям подразделения оптоволокна EMCORE и Технический директор и вице-президент Skorpios Technologies. ^{[ 9 ]}

В EMCORE компания Dallesasse разработала и выпустила на рынок первый 10 Gigabit Ethernet (10GBASE-LX4) оптический приемопередатчик . ^{[ 10 ]}^{[ 11 ]}

Ссылки

^ «Даллессасс возглавляет проект стоимостью 2,5 миллиона долларов, в котором транзисторный лазер используется в качестве строительного блока для фотонной интеграции на уровне чипа» . Университет Иллинойса. 21 сентября 2016 г.
^ «Джон Майкл Даллессасс» . Университет Иллинойса.
^ «Производитель микросхем для кремниевой фотоники Skorpios приобретает Novati» . Оптика.org. 09.10.2017.
^ «Ericsson и NSN инвестируют в запуск оптического чипа» . ЭЭ Таймс. 16 сентября 2011 г.
^ «Даллессасс назван членом Оптического общества» . Университет Иллинойса. 18 декабря 2012 г.
^ «Стипендиаты IEEE 2015» . Коммуникационное общество IEEE . Проверено 31 декабря 2019 г.
^ «Профессор лаборатории Холоньяка избран главой совета управляющих EDS» . Коммуникационное общество IEEE. 25 февраля 2020 г.
^ «IEEE выбирает Даллессасса своим научным сотрудником» . www.ece.illinois.edu . 04.12.2014.
^ «Джон Майкл Даллессасс, Холоньякская лаборатория микро и нанотехнологий» . Университет Иллинойса.
^ «10GBASE-LX4 расширяет возможности многомодового волокна» . ЭЭ Таймс. 14 апреля 2005 г.
^ «EMCORE заявляет о выпуске первого на рынке 10-гигабитного модуля LRM SFP+» . Световая волна. 29 марта 2007 г.

[1] «Даллессасс возглавляет проект стоимостью 2,5 миллиона долларов, в котором транзисторный лазер используется в качестве строительного блока для фотонной интеграции на уровне чипа» . Университет Иллинойса. 21 сентября 2016 г.

[2] «Джон Майкл Даллессасс» . Университет Иллинойса.

[3] «Производитель микросхем для кремниевой фотоники Skorpios приобретает Novati» . Оптика.org. 09.10.2017.

[4] «Ericsson и NSN инвестируют в запуск оптического чипа» . ЭЭ Таймс. 16 сентября 2011 г.

[5] «Даллессасс назван членом Оптического общества» . Университет Иллинойса. 18 декабря 2012 г.

[6] «Стипендиаты IEEE 2015» . Коммуникационное общество IEEE . Проверено 31 декабря 2019 г.

[7] «Профессор лаборатории Холоньяка избран главой совета управляющих EDS» . Коммуникационное общество IEEE. 25 февраля 2020 г.

[iEEelection-8] «IEEE выбирает Даллессасса своим научным сотрудником» . www.ece.illinois.edu . 04.12.2014.

[9] «Джон Майкл Даллессасс, Холоньякская лаборатория микро и нанотехнологий» . Университет Иллинойса.

[10] «10GBASE-LX4 расширяет возможности многомодового волокна» . ЭЭ Таймс. 14 апреля 2005 г.

[11] «EMCORE заявляет о выпуске первого на рынке 10-гигабитного модуля LRM SFP+» . Световая волна. 29 марта 2007 г.

[ 1 ]

[ 2 ]

[ 3 ]

[ 4 ]

[ 5 ]

[ 6 ]

[ 7 ]

[ 8 ]

[ 9 ]

[ 10 ]

[ 11 ]