Джагдиш Нараян

Чтобы узнать о политике, см. Джагдиш Нараян (политик) .

Джагдиш Нараян
Рожденный	Канпур , Индия
Национальность	Индийский
Другие имена	Джей Нараян
Гражданство	Соединенные Штаты
Занятие	Профессор
Работодатель	Государственный университет Северной Каролины
Известный	Q-углерод, Эпитаксия совмещения доменов, Лазерный отжиг
Дети	1

Джагдиш Нараян — американский инженер индийского происхождения. С 2001 года он является заслуженным профессором кафедры материаловедения и инженерии семьи Джона Си Фэна в Университете штата Северная Каролина . Нараян является соавтором более 500 публикаций и числится соавтором более 40 патентов США и других стран. Он проводил исследования по неравновесной лазерной обработке новых наноматериалов, включая Q-углерод , Q-BN, алмаз и материалы, связанные с c-BN.

Ранняя жизнь и образование

Нараян переехал в США в 1969 году из Индии. После получения степени бакалавра (с отличием и отличием) в ИИТ Канпур , Индия, он присоединился к Калифорнийскому университету в Беркли в 1969 году и защитил степени магистра (1970) и доктора философии (1971) в области материаловедения и инженерии.

Профессиональная карьера

После защиты докторской диссертации Нараян работал металлургом-исследователем в Национальной лаборатории Лоуренса в Беркли. с 1971 по 1972 год. Позже он присоединился к Окриджской национальной лаборатории , где вышел на пенсию в качестве старшего научного сотрудника и руководителя группы тонких пленок и электронной микроскопии (1972–84). В 1984 году он поступил в Государственный университет Северной Каролины в качестве профессора микроэлектроники Северной Каролины и директора Центра микроэлектроники Северной Каролины. В 1989 году он был назначен заслуженным профессором университета. В 2001 году он был назначен заслуженным профессором кафедры Джона К. Фэна. Он также был директором Отдела исследований материалов (DMR) Национального фонда США (1990–92). Он получил награду NSF за выдающиеся заслуги.

Исследовать

Он проводил исследования в области наносекундного лазерного отжига, взаимодействия лазера с твердым телом, нестационарной термической обработки наноматериалов и тонких эпитаксиальных пленок. Он внес вклад в области импульсного лазерного осаждения и эпитаксиального выращивания тонких пленок. Он внес свой вклад в механизмы эпитаксиального роста пленок с несогласованной решеткой.

Его исследовательская группа в штате Северная Каролина занимается контролируемым изготовлением и обработкой новых наноматериалов с использованием импульсного лазерного осаждения с использованием установок PLD и Laser MBE, термической обработки материалов с использованием наносекундного лазерного отжига и создания новых эпитаксиальных гетероструктур в масштабе несоответствия с использованием эпитаксии с согласованием доменов. .

Почести и награды

• Национальная инженерная академия , 2017 г.
• Стипендиат Национальной академии изобретателей , 2014 г.
• Научная премия Северной Каролины , 2014 г.
• Премия О. Макса Гарднера , 2014 г.
• Золотая медаль Общества минералов, металлов и материалов РФ имени Меля , 2014 г.
• Золотая медаль журнала «Материалы», 2011 г.
• Премия Р. Дж. Рейнольдса, 2011 г.
• Медаль Александра Куорлза Холладея , 2012 г.
• Золотая медаль АСМ, 1999 г.

Внешние ссылки

• Стенограмма устного интервью с Джагдишем Нараяном от 17 марта 2021 г. , Американский институт физики, Библиотека и архив Нильса Бора.