Эффект короткого канала
В электронике , эффекты короткого канала возникают в МОП-транзисторах в которых длина канала сравнима с шириной обедненного слоя истокового и стокового переходов. Эти эффекты включают, в частности, снижение барьера, вызванное стоком , насыщение скорости , квантовое ограничение и деградацию горячих носителей . [1] [2]
См. также
[ редактировать ]Ссылки
[ редактировать ]- ^ Ф. Д'Агостино, Д. Керсия. «Короткоканальные эффекты в МОП-транзисторах» (PDF) .
- ^ Принципы полупроводниковых приборов. 7.7. Расширенные проблемы MOSFET
 | Эта статья, посвященная электронике, незавершена . Вы можете помочь Википедии, расширив ее . |