Инд 2
Инд-2 представляет собой источник синхротронного излучения с номинальной энергией электронов 2,5 ГэВ и критической длиной волны около 1,98 ангстрем. Это один из наиболее важных проектов, реализуемых в Центре передовых технологий Раджи Раманны . Он предназначен для удовлетворения потребностей пользователей рентгеновских аппаратов, ученых-материаловедов и исследователей. Инд-1 известен тем, что является первым синхротронным генератором в Индии с накопителем на 450 Мэв. Инд-2 является усовершенствованием Инд-1.
Решетка Инд-2 спроектирована таким образом, чтобы обеспечить низкий эмиттанс луча и высокую яркость. Решетка представляет собой акромат двойного изгиба с нулевой дисперсионной функцией на длинном прямом участке. Он имеет восемь суперпериодов, каждый из которых имеет два дипольных изгибающих магнита, четыре фокусирующих и пять дефокусирующих квадруполей и шесть секступолей. Из восьми длинных прямых участков три будут использоваться для инжекционных и радиочастотных полостей соответственно. Остальные пять будут использоваться для вставных устройств.
Радиационный источник Инд-2 находится на завершающей стадии строительства недалеко от Индаура , штат Мадхья-Прадеш .
Операция
[ редактировать ]Им круглосуточно управляет команда преданных своему делу ученых и инженеров.
Техническая спецификация
[ редактировать ]Имея критическую длину волны 1,98 ангстрем, создаваемую изгибающими магнитами, он был разработан с учетом потребностей пользователей рентгеновских аппаратов. В кольце предусмотрена возможность установки вигглеров с сильным полем для получения излучения с более короткими длинами волн. Планируется построить сверхпроводящий вигглер мощностью 5 Тесла для обеспечения излучения с критической длиной волны 1А. Кроме того, планируется выпуск мультивигглера мощностью 1,8 Тесла.
Накопитель «Инд-2» состоит из восьми отдельных ячеек, каждая из которых представляет собой прямой участок длиной 4,5 м. Элементарная ячейка имеет два магнита с поворотом на 22,5 градуса, тройку квадруполей для контроля дисперсии в ахроматной секции, две квадрупольные тройки для регулировки размеров луча в длинных прямых секциях и четыре секступоля в ахроматной секции для коррекции цветности. Дополнительным преимуществом такой решетки является то, что два длинных зазора между фокусирующим и дефокусирующим квадруполями в ахроматной секции обеспечивают много места для размещения лучевой диагностики и вакуумных приборов. Динамическая апертура с секступолями коррекции ахроматичности составляет более 30 мм в горизонтальной плоскости и 20 мм в вертикальной плоскости.
Энергия инжекции для Инда-2 составляет 700 МэВ, и электроны с этой энергией будут инжектироваться в него из синхротрона на 700 МэВ, который также является инжектором для Инда-1. Время жизни пучка при энергии 700 МэВ составит около 30 минут, что достаточно для хранения тока силой 300 мА. После инжекции энергия пучка за несколько минут увеличится до 2,5 ГэВ. Ожидается, что период полураспада пучка при энергии 2,5 ГэВ составит около 24 часов. Это будет достигнуто с помощью шести ВЧ-резонаторов, работающих на общее напряжение 1,5 МВ на частоте 505,812 МГц. Одна из прямых секций будет использоваться для инжекции пучка, две — для радиочастотных резонаторов, а оставшиеся пять — для вводных устройств, включающих в себя два вигглера.
В качестве источника рентгеновского излучения «Инд-2» предусматривается обеспечивать излучение от изгибающих магнитов и вигглеров. Магнитное поле силой 1,502 тесла в изгибающих магнитах будет генерировать излучение с критической длиной волны 2 ангстрема. Один вигглер с 11-полюсным электромагнитом (1,8 тесла) обеспечит излучение с критической длиной волны 1,66 ангстрем. Другой вигглер со сверхпроводящими магнитами с 5 полюсами и пиковым полем 5 тесла будет обеспечивать излучение с интенсивностью 0,6 ангстрем. Инд-2 можно будет эксплуатировать при любой энергии от 700 МэВ до 2,5 ГэВ. Он рассчитан на более чем 15 линий луча для различных исследований, включая EXAFS, XANES, рентгеновскую дифракцию, рентгеновские изображения, XRF и фотоэмиссию, мягкую и глубокую рентгеновскую литографию и т. д.