✖


Jump to content

Список модемов Qualcomm Snapdragon

Модемы Qualcomm Snapdragon представляют собой серию 4G LTE , LTE Advanced , LTE Advanced Pro и 5G NR модемов , которые используются во многих телефонах, планшетах, ноутбуках, часах и даже автомобилях.

Qualcomm Гоби

[ редактировать ]

Серия Qualcomm Gobi была их торговой маркой модемов до того, как они перешли на серию X. [1] [2]

Класс модема 3G 3G+/4G 4G ЛТЕ LTE.5G
Пиковая скорость передачи данных (Мбит/с) 3.6 14.4 28.8 42 84 100 150
Модемы МДМ6270 МДМ6200

МДМ6600

МДМ8200А МДМ8215

МДМ8220

МДМ8225 МДМ9200

МДМ9215

МДМ9600

МДМ9615

МДМ9225

МДМ9625

Qualcomm 4G серии X

[ редактировать ]

Модемы Qualcomm Snapdragon серии X — это текущая линейка модемов 4G LTE. [3]

Snapdragon X5 LTE

[ редактировать ]
  • Технология LTE: LTE FDD, сотовая технология: WCDMA (3C-HSDPA, DC-HSUPA), WCDMA (DC-HSDPA, HSUPA), WCDMA (DC-HSDPA, DC-HSUPA), TD-SCDMA, CDMA 1x, EV-DO , GSM/EDGE
  • Нисходящий канал LTE: Категория LTE 4 (150 Мбит/с). Агрегация несущих 2x20 МГц. До 64-КАМ
  • Восходящий канал LTE: LTE категории 4 (50 Мбит/с). Агрегация несущих 1x20 МГц. До 16-КАМ
  • Чипсеты: модем Snapdragon X5 LTE, процессор Snapdragon 616, процессор Snapdragon 415, процессор Snapdragon 412 и процессор Snapdragon 212.

Snapdragon X6 LTE

[ редактировать ]
  • Технология LTE: LTE FDD, LTE TDD, вещание LTE [4]
  • Сотовая технология: WCDMA (DC-HSDPA, DC-HSUPA), TD-SCDMA, CDMA 1x, EV-DO, GSM/EDGE.
  • Нисходящий канал LTE: Категория LTE 4 (150 Мбит/с). Агрегация несущих 2x20 МГц. До 64-КАМ
  • Восходящий канал LTE: Категория LTE 5 (75 Мбит/с). Агрегация несущих 1x20 МГц. До 64-КАМ
  • Чипсеты: процессор Snapdragon 430, мобильная платформа Snapdragon 429 и мобильная платформа Snapdragon 439.

Snapdragon X7 LTE

[ редактировать ]
  • Технология LTE: LTE FDD, LTE TDD, вещание LTE [5]
  • Сотовая технология: WCDMA (3C-HSDPA, DC-HSUPA), WCDMA (DC-HSDPA, HSUPA), WCDMA (DC-HSDPA, DC-HSUPA), TD-SCDMA, CDMA 1x, EV-DO, GSM/EDGE
  • Нисходящий канал LTE: Категория LTE 6 (300 Мбит/с). Агрегация несущих 2x20 МГц. До 64-КАМ
  • Восходящий канал LTE: LTE категории 4 (50 Мбит/с). Агрегация несущих 1x20 МГц. До 16-КАМ
  • Чипсеты: Модем Snapdragon X7 LTE

Первый модем Qualcomm с PCIe . межчиповым каналом [6]

Snapdragon X8 LTE

[ редактировать ]
  • Технология LTE: LTE FDD, LTE TDD, вещание LTE [7]
  • Сотовая технология: WCDMA (DB-DC-HSDPA, DC-HSUPA), TD-SCDMA, CDMA 1x, EV-DO, GSM/EDGE.
  • Нисходящий канал LTE: Категория LTE 6 (300 Мбит/с). Агрегация несущих 2x20 МГц. До 64-КАМ
  • Восходящий канал LTE: Категория LTE 6 (100 Мбит/с). Агрегация несущих 2x20 МГц. До 16-КАМ
  • Чипсеты: процессор Snapdragon 617, процессор Snapdragon 650 и процессор Snapdragon 652.

Snapdragon X9 LTE

[ редактировать ]
  • Технология LTE: LTE FDD, LTE TDD, вещание LTE [8]
  • Сотовая технология: WCDMA (DB-DC-HSDPA, DC-HSUPA), TD-SCDMA, CDMA 1x, EV-DO, GSM/EDGE.
  • Нисходящий канал LTE: Категория LTE 7 (300 Мбит/с). Агрегация несущих 2x20 МГц. До 64-КАМ
  • Восходящий канал LTE: Категория LTE 13 (150 Мбит/с). Агрегация несущих 2x20 МГц. До 64-КАМ
  • Чипсеты: процессор Snapdragon 625, процессор Snapdragon 626, процессор Snapdragon 435, процессор Snapdragon 427, мобильная платформа Snapdragon 450 и мобильная платформа Snapdragon 653.

Snapdragon X10 LTE

[ редактировать ]
  • Технология LTE: LTE FDD, LTE TDD, вещание LTE [9]
  • Сотовая технология: WCDMA (DB-DC-HSDPA, DC-HSUPA), TD-SCDMA, CDMA 1x, EV-DO, GSM/EDGE.
  • Нисходящий канал LTE: Категория LTE 9 (450 Мбит/с). Агрегация несущих 3x20 МГц. До 64-КАМ
  • Восходящий канал LTE: LTE категории 4 (50 Мбит/с). Агрегация несущих 1x20 МГц. До 16-КАМ
  • Чипсеты: процессор Snapdragon 810 и процессор Snapdragon 808.

Snapdragon X12 LTE

[ редактировать ]
  • Технология LTE: LTE FDD, LTE TDD, LTE-U, LWA, вещание LTE [10]
  • Сотовая технология: WCDMA (DB-DC-HSDPA, DC-HSUPA), TD-SCDMA, CDMA 1x, EV-DO, GSM/EDGE.
  • Нисходящий канал LTE: Категория LTE 12 (600 Мбит/с). Агрегация несущих 3x20 МГц. Максимум 6 пространственных потоков. До 256-КАМ. До 4x4 MIMO на одном операторе связи
  • Восходящий канал LTE: Категория LTE 13 (150 Мбит/с). Агрегация несущих 2x20 МГц. До 64-КАМ
  • Процесс Samsung 14 нм LPP
  • Чипсеты: модем Snapdragon X12 LTE, процессор Snapdragon 820/821, мобильная платформа Snapdragon 660, мобильная платформа Snapdragon 630, мобильная платформа Snapdragon 636, мобильная платформа Snapdragon 670, мобильная платформа Snapdragon 675, мобильная платформа Snapdragon 665, мобильная платформа Snapdragon 678

Snapdragon X15 LTE

[ редактировать ]
  • Технология LTE: LTE FDD, LTE TDD, LAA, вещание LTE
  • Сотовая технология: WCDMA (DB-DC-HSDPA, DC-HSUPA), TD-SCDMA, CDMA 1x, EV-DO, GSM/EDGE.
  • Нисходящий канал LTE: Категория LTE 15 (800 Мбит/с). Агрегация несущих 3x20 МГц. До 256-КАМ. До 4x4 MIMO на двух операторах связи
  • Восходящий канал LTE: Категория LTE 13 (150 Мбит/с). Агрегация несущих 2x20 МГц. До 64-КАМ
  • Чипсеты: модем Snapdragon X15 LTE, Snapdragon 732G, Snapdragon 730(G), Snapdragon 720G, Snapdragon 712, Snapdragon 710.

Snapdragon X16 LTE

[ редактировать ]
  • Технология LTE: LTE FDD, LTE TDD, LAA, вещание LTE [11]
  • Сотовая технология: WCDMA (DB-DC-HSDPA, DC-HSUPA), TD-SCDMA, CDMA 1x, EV-DO, GSM/EDGE.
  • Нисходящий канал LTE: Категория LTE 16 (1000 Мбит/с). Агрегация несущих 4x20 МГц. Максимум 10 пространственных потоков. До 256-КАМ. До 4x4 MIMO на двух операторах связи
  • Восходящий канал LTE: Категория LTE 13 (150 Мбит/с). Агрегация несущих 2x20 МГц. До 64-КАМ
  • Чипсеты: модем Snapdragon X16 LTE, процессор Snapdragon 835.

Snapdragon X20 LTE

[ редактировать ]
  • Технология LTE: LTE FDD, LTE TDD, включая поддержку CBRS, LAA, вещание LTE [12]
  • Сотовая технология: WCDMA (DB-DC-HSDPA, DC-HSUPA), TD-SCDMA, CDMA 1x, EV-DO, GSM/EDGE.
  • Нисходящий канал LTE: Категория LTE 18 (1200 Мбит/с). Агрегация несущих 5x20 МГц. Максимум 12 пространственных потоков. До 256-КАМ. До 4x4 MIMO на трех операторах связи
  • Восходящий канал LTE: Категория LTE 13 (150 Мбит/с). Агрегация несущих 2x20 МГц. До 64-КАМ
  • Процесс Samsung 10 нм LPE
  • Чипсеты: модем Snapdragon X20 LTE, мобильная платформа Snapdragon 845.

Snapdragon X24 LTE

[ редактировать ]
  • Технология LTE: LTE FDD, LTE TDD, включая поддержку CBRS, LAA, вещание LTE [13]
  • Сотовая технология: WCDMA (DB-DC-HSDPA, DC-HSUPA), TD-SCDMA, CDMA 1x, EV-DO, GSM/EDGE.
  • Нисходящий канал LTE: Категория LTE 20 (2000 Мбит/с). Агрегация несущих 7x20 МГц. Максимум 20 пространственных потоков. До 256-КАМ. До 4x4 MIMO на пяти несущих, полноразмерный MIMO (FD-MIMO)
  • Восходящий канал LTE: Категория LTE 13 (316 Мбит/с). Агрегация несущих 3x20 МГц. До 256-КАМ
  • Процесс FinFET 7 нм TSMC
  • Чипсеты: модем Snapdragon X24 LTE, мобильная платформа Snapdragon 855, Snapdragon 8cx.

Таблица модемов Snapdragon 4G X-серии

[ редактировать ]
Класс модема Х5 Х6 Х7 х8 Х9 х10 Х11 х12 х15 Х16 х20 Х24 [14]
Категория LTE (вниз/вверх) 4 4 / 5 6 7 7 / 13 9 13 12 / 13 15 / 13 16 / 13 18 / 13 20
Пиковая скорость LTE снижается (Мбит/с)

Пиковое увеличение скорости LTE (Мбит/с)

150 300 450 390 600 800 1000 1200 2000
50 75 50 100 150 50 150 316
LTE-класс ЛТЕ (4G) LTE расширенный (4G+) LTE Advanced Pro (4,5G)
Процессоры Snapdragon 210, 212, 215, 410, 412, 415, 610, 615, 616 425, 429, 430, 439 - 617, 650, 652 (встроенный) 427, [15] 435, 450, 625, 626, 632, 653 (встроенный) 808, 810 (встроенный) 460, 662, 680, 685 (встроенный) 630, 636, [16] 660, 665, 670, 675, 678, 820, 821 [17] (интегрированный) 710, 712, 720G, 730(G), 732G, 7c, 7c Gen 2 (встроенный) 835 (интегрированный) 845, 850 (встроенный) 855/855+/860, 8c, 8cx, 8cx Gen 2, SQ1, SQ2 (встроенный)
Модемы МДМ96 2 8

МДМ96 2 5

МДМ93 2 0

МДМ92 2 5

- МДМ96 3 5М

МДМ92 3 5М

МДМ96 3 0

МДМ93 3 0

МДМ92 3 0

- МДМ96 4 5

МДМ96 4 0

МДМ93 4 0

МДМ92 4 5

МДМ92 4 0

МДМ92 5 0 МДМ9x 5 5 МДМ9x 6 5 SDX24

Qualcomm 5G серии X

[ редактировать ]

Snapdragon X50 5G

[ редактировать ]
  • Технология 5G: 5G NR АНБ [18]
  • Спектр 5G: миллиметровые волны, ниже 6 ГГц
  • Режимы 5G: TDD, NSA (автономный)
  • Характеристики 5G mmWave: полоса пропускания 800 МГц, 8 несущих, 2x2 MIMO
  • Характеристики 5G ниже 6 ГГц: полоса пропускания 100 МГц, 4x4 MIMO
  • Характеристики mmWave: двухслойная поляризация в нисходящей и восходящей линии связи, формирование луча, управление лучом, отслеживание луча.
  • Пиковая скорость загрузки 5G: 5000 Мбит/с.
  • Процесс Samsung FinFET 10 нм
  • Чипсеты: модем Snapdragon X50 5G

Snapdragon X55 5G

[ редактировать ]
  • Технология 5G: 5G NR FDD, 5G NR TDD, SA, NSA [19]
  • Спектр 5G: миллиметровые волны, частота ниже 6 ГГц, совместное использование спектра 5G/4G
  • Режимы 5G: FDD, TDD, SA (автономный), NSA (автономный)
  • Характеристики 5G mmWave: полоса пропускания 800 МГц, 8 несущих, 2x2 MIMO
  • Характеристики 5G ниже 6 ГГц: полоса пропускания 200 МГц, 4x4 MIMO
  • Пиковая скорость загрузки 5G: 7500 Мбит/с.
  • Пиковая скорость загрузки 5G: 3000 Мбит/с.
  • 5G RF: отслеживание огибающей 100 МГц, адаптивная настройка антенны
  • Технологии повышения производительности: Qualcomm 5G PowerSave, Qualcomm Signal Boost, технология Qualcomm Smart Transmit, Qualcomm RF Gaming Mode Boost, Qualcomm Wideband Envelope Tracking
  • Технология LTE: LTE FDD, LTE TDD, включая поддержку CBRS, LAA, вещание LTE
  • Сотовая технология: WCDMA (DB-DC-HSDPA, DC-HSUPA), TD-SCDMA, CDMA 1x, EV-DO, GSM/EDGE.
  • Нисходящий канал LTE: Категория LTE 22 (2500 Мбит/с). Агрегация несущих 7x20 МГц. Максимум 24 пространственных потока. До 1024 — QAM. До 4x4 MIMO на пяти несущих, полноразмерный MIMO (FD-MIMO)
  • Восходящий канал LTE: Категория LTE 13 (316 Мбит/с). Агрегация несущих 3x20 МГц. До 256-КАМ
  • Процесс FinFET 7 нм TSMC
  • Чипсеты: Модем Snapdragon X55 5G

Snapdragon X60 5G

[ редактировать ]
  • Технология 5G: 5G NR [20] TDD, FDD, SA, АНБ
  • Спектр 5G: агрегация несущих mmWave-sub6, агрегация несущих sub-6 (FDD-TDD, FDD-FDD, TDD-TDD), динамическое разделение спектра (DSS), mmWave, sub-6 ГГц
  • Режимы 5G: FDD, TDD, SA (автономный), NSA (автономный)
  • Характеристики 5G mmWave: полоса пропускания 800 МГц, 8 несущих, 2x2 MIMO
  • Характеристики 5G ниже 6 ГГц: полоса пропускания 200 МГц, 4x4 MIMO
  • Пиковая скорость загрузки 5G: 7,5 Гбит/с.
  • Пиковая скорость загрузки 5G: 3 Гбит/с
  • Технологии повышения производительности: Qualcomm 5G PowerSave, Qualcomm Signal Boost, технология Qualcomm Smart Transmit, Qualcomm RF Gaming Mode Boost, Qualcomm Wideband Envelope Tracking
  • SIM-карта 5G: поддержка двух SIM-карт 5G
  • Сотовая технология: 5G NR, LTE, WCDMA (DB-DC-HSDPA, DC-HSUPA), TD-SCDMA, CDMA 1x, EV-DO, GSM/EDGE
  • Технология LTE: LTE FDD, LTE TDD, включая поддержку CBRS, LAA, вещание LTE
  • Процесс Samsung 5 нм FinFET (5LPE) [21]

Snapdragon X65 5G

[ редактировать ]
  • Технология 5G: 5G NR [22] TDD, FDD, SA, АНБ
  • Сотовая технология: 5G NR, LTE, LAA, WCDMA (DB-DC-HSDPA), TD-SCDMA, CDMA 1x, GSM/EDGE, CBRS
  • Спектр 5G: агрегация mmWave-sub6, агрегация несущих sub-6 (FDD-TDD, FDD-FDD, TDD-TDD), поддержка FDD-TDD для восходящей линии связи-CA, динамическое совместное использование спектра (DSS)
  • Режимы 5G: FDD, TDD, SA (автономный), NSA (автономный)
  • Характеристики 5G mmWave: полоса пропускания 1000 МГц, 10 несущих, 2x2 MIMO
  • Характеристики 5G ниже 6 ГГц: полоса пропускания 300 МГц, 256-QAM, 4x4 MIMO
  • Пиковая скорость загрузки 5G: 10 Гбит/с.
  • Глобальная поддержка нескольких SIM-карт 5G
  • Глобальная поддержка диапазонов 5G, включая новые диапазоны n259 (41 ГГц), n70 и n53.
  • Процесс Samsung 4 нм FintFET (4LPE) или процесс TSMC 4 нм.

Snapdragon X70 5G

[ редактировать ]
  • Технология 5G: 5G NR [23] TDD, FDD, SA, АНБ
  • Сотовая технология: 5G NR, LTE, LAA, WCDMA, TD-SCDMA, GSM/Edge, CBRS, динамическое разделение спектра (DSS), EN-DC, NR-DC, mmWave, суб-6 ГГц
  • Спектр 5G: агрегация mmWave-sub6, агрегация несущих sub-6 (FDD-TDD, FDD-FDD, TDD-TDD), поддержка FDD-TDD для восходящей линии связи-CA, динамическое совместное использование спектра (DSS)
  • Режимы 5G: FDD, TDD, SA (автономный), NSA (автономный)
  • Характеристики 5G mmWave: полоса пропускания 800 МГц, 8 несущих
  • Характеристики 5G ниже 6 ГГц: полоса пропускания 300 МГц, 4 несущих
  • Пиковая скорость загрузки 5G: 10 Гбит/с.
  • Пиковая скорость загрузки 5G: 3,5 Гбит/с.
  • 5G Global Multi-SIM, включая поддержку Dual-SIM Dual-Active (Qualcomm DSDA Gen 1)

Snapdragon X72 5G

[ редактировать ]
  • Технология 5G: 5G NR [24] TDD, FDD, SA, АНБ
  • Сотовая технология: 5G NR, LTE, LAA, WCDMA, TD-SCDMA, GSM/Edge, CBRS, динамическое разделение спектра (DSS), EN-DC, NR-DC, mmWave, суб-6 ГГц
  • Спектр 5G: агрегация mmWave-sub6, агрегация несущих sub-6 (FDD-TDD, FDD-FDD, TDD-TDD), поддержка FDD-TDD для восходящей линии связи-CA, динамическое совместное использование спектра (DSS)
  • Характеристики 5G mmWave: полоса пропускания 400 МГц
  • Характеристики 5G ниже 6 ГГц: полоса пропускания 200 МГц
  • Пиковая скорость загрузки: 4,4 Гбит/с.
  • Пиковая скорость загрузки: 3,5 Гбит/с.
  • 5G Global Multi-SIM, включая поддержку Dual-SIM Dual-Active Gen 2 (Qualcomm DSDA Gen 2)
  • Процессор Qualcomm 5G AI Gen 2 со специальным тензорным ускорителем, Qualcomm 5G AI Suite Gen 2

Snapdragon X75 5G

[ редактировать ]
  • Технология 5G: 5G NR [25] TDD, FDD, SA, АНБ
  • Сотовая технология: 5G NR, LTE, LAA, WCDMA, TD-SCDMA, GSM/Edge, CBRS, динамическое разделение спектра (DSS), EN-DC, NR-DC, mmWave, суб-6 ГГц
  • Спектр 5G: агрегация mmWave-sub6, агрегация несущих sub-6

(FDD-TDD, FDD-FDD, TDD-TDD), поддержка FDD-TDD для восходящего канала-CA, Динамическое совместное использование спектра (DSS)

  • Режимы 5G: FDD, TDD, SA (автономный), NSA (автономный)
  • Характеристики 5G mmWave: полоса пропускания 1000 МГц, 10 несущих.
  • Характеристики 5G ниже 6 ГГц: полоса пропускания 300 МГц, 5 несущих
  • Пиковая скорость загрузки 5G: 10 Гбит/с.
  • Пиковая скорость загрузки 5G: 3,5 Гбит/с.
  • 5G Global Multi-SIM, включая поддержку Dual-SIM Dual-Active Gen 2 (Qualcomm DSDA Gen 2)
  • Процессор Qualcomm 5G AI Gen 2 со специальным тензорным ускорителем, Qualcomm 5G AI Suite Gen 2

Таблица модемов Snapdragon 5G X-серии

[ редактировать ]
Модем х50 [26] Х51 [27] Х52 [28] х53 [29] Х55 [30] Х60 [31] [32] х62 [33] X65 [34] Х70 [35] х35 [36] х72 [37] х75 [38] х80 [39]
Год введения 2018 2020 2019 2021 2019 2020 2021 2022 2023 2024
LTE-класс Н/Д LTE Advanced Pro (4,5G)
Категория LTE (вниз/вверх) 22 4 22
Пиковая скорость LTE снижается (Гбит/с) 0.8 1.2 2.5 1.2 2.5
Пиковое увеличение скорости LTE (Гбит/с) 0.21 0.316 0.21 0.316
класс 5G 5G НЕТ 5G NR-свет 5G Продвинутый
Режимы 5G АНБ, ТДД ФЗД, АНБ, СА, ТДД
версии 5G Поддержка 15 16 17 18
Пиковое снижение скорости 5G (Гбит/с) 5 2.5 3.7 7.5 4.4 10 0.22 4.4 10
Пиковое ускорение 5G (Гбит/с) 0.316 0.9 1.6 2.9 3 1.6 3 3.5 0.10 3.5
Процессоры Snapdragon 855, 855+, 860 480, 480+, 4 Gen 1, 690, 695 750Г, 765, 765Г, 768Г 778G, 778G+, 780G, 782G, 7c+ Gen 3 865, 865+, 870, 8c, 8cx, 8cx Gen 2, 8cx Gen 3 888, 888+ 6 поколение 1, 7 поколение 1, 7+ поколение 2, 8cx поколение 3 8 поколение 1, 8+ поколение 1, 8cx поколение 3 8 Gen 2 8 Gen 3
Модемы SDX50 SDX55 SDX60 SDX62 SDX65 SDX70 SDX35 SDX72 SDX75 SDX80

Другие модемы Qualcomm

[ редактировать ]

9205 ЛТЕ

[ редактировать ]
  • Процессор: ARM Cortex-A7 до 0,8 ГГц [40]
  • Технология LTE: Версия 14 LTE Cat-M1, Версия 14 LTE Cat-NB2.
  • Сотовая технология: Выпуск 12 EGPRS MSC12
  • Нисходящий канал LTE: 0,588 Мбит/с (Rel.14 Cat-M1), 0,127 Мбит/с (Rel.14 Cat-NB2)
  • Uplink LTE: 1,119 Мбит/с (Rel.14 Cat-M1), 0,1585 Мбит/с (Rel.14 Cat-NB2)

MDM9206 Интернет вещей

[ редактировать ]
  • Процессор: ARM Cortex-A7 до 1,3 ГГц [41]
  • Технология LTE: LTE HD-FDD, LTE TDD (Rel.13 LTE Cat-M1, Rel.13 LTE Cat-NB1) [42] [43]
  • Сотовая технология: E-GPRS
  • Нисходящий канал LTE: 0,300 Мбит/с (Rel.13 Cat-M1), 0,020 Мбит/с (Rel.13 Cat-NB1)
  • Восходящий канал LTE: 0,375 Мбит/с (Rel.13 Cat-M1), 0,060 Мбит/с (Rel.13 Cat-NB1)

MDM9207-1 Интернет вещей

[ редактировать ]
  • Процессор: ARM Cortex-A7 до 1,3 ГГц [44]
  • Технология LTE: LTE FDD, LTE TDD
  • Сотовая технология: DC-HSPA, TD-SCDMA, GSM
  • Нисходящий канал LTE: 10 Мбит/с
  • Восходящий канал LTE: 5 Мбит/с

ФСМ100хх 5G

[ редактировать ]
  • Технология 5G: 5G NR [45]
  • Спектр 5G: миллиметровые волны, ниже 6 ГГц
  • 10-нм процесс
[ редактировать ]

Похожие платформы

[ редактировать ]

Ссылки

[ редактировать ]
  1. ^ «Характеристики модема Gobi | Qualcomm» . 06 мая 2014 г. Проверено 10 сентября 2016 г.
  2. ^ «Характеристики продукции Gobi | Qualcomm» . 29 августа 2013 г. Проверено 10 сентября 2016 г.
  3. ^ «Скоростные модемы Snapdragon 4G LTE и 5G | Модемы беспроводного Интернета | Qualcomm» . 18 февраля 2015 г. Проверено 10 сентября 2016 г.
  4. ^ «Мобильная платформа Snapdragon 439» . Квалкомм . 02.10.2018 . Проверено 11 мая 2019 г.
  5. ^ «Модем Snapdragon X7 LTE» . Квалкомм . 02.10.2018 . Проверено 11 мая 2019 г.
  6. ^ «Использование PCIe® в мобильных устройствах» (PDF) . PCI-SIG .
  7. ^ «Мобильная платформа Snapdragon 652» . Квалкомм . 02.10.2018 . Проверено 11 мая 2019 г.
  8. ^ «Мобильная платформа Snapdragon 632» . Квалкомм . 02.10.2018 . Проверено 11 мая 2019 г.
  9. ^ «Процессор Snapdragon 810» . Квалкомм . 02.10.2018 . Проверено 11 мая 2019 г.
  10. ^ «Модем Snapdragon X12 LTE» . Квалкомм . 02.10.2018 . Проверено 11 мая 2019 г.
  11. ^ «Модем Snapdragon X16 LTE» . Квалкомм . 02.10.2018 . Проверено 11 мая 2019 г.
  12. ^ «Модем Snapdragon X20 LTE» . Квалкомм . 02.10.2018 . Проверено 11 мая 2019 г.
  13. ^ «Модем Snapdragon X24 LTE» . Квалкомм . 02.10.2018 . Проверено 11 мая 2019 г.
  14. ^ «Модем Snapdragon X24 с гигабитным классом LTE категории 20 | Qualcomm» . Квалкомм . Проверено 18 августа 2018 г.
  15. ^ «Процессоры Snapdragon 435 со спецификациями и подробностями X9 LTE ​​| Qualcomm» . Квалкомм . Проверено 11 июня 2017 г.
  16. ^ «Мобильная платформа Snapdragon 636 | Qualcomm» .
  17. ^ «Сравнение модемов Snapdragon | Qualcomm» .
  18. ^ «Малая сотовая связь 5G | Развитие сети 5G» . Квалкомм . 02.10.2018 . Проверено 11 мая 2019 г.
  19. ^ «Модем Snapdragon X55 5G» . Квалкомм . 01.02.2019 . Проверено 11 мая 2019 г.
  20. ^ «РЧ-система модема Snapdragon X60 5G» . Квалкомм . 22 января 2020 г. Проверено 18 апреля 2020 г.
  21. ^ «Эксклюзив: Samsung выигрывает контракт на 5-нанометровые модемные чипы у Qualcomm – источники» . Рейтер . 18 февраля 2020 г. Проверено 18 апреля 2020 г.
  22. ^ «РЧ-система модема Snapdragon X65 5G» . Квалкомм . 05.11.2023 . Проверено 5 ноября 2023 г.
  23. ^ «РЧ-система модема Snapdragon X70 5G» . Квалкомм . 05.11.2023 . Проверено 5 ноября 2023 г.
  24. ^ «РЧ-модем Snapdragon X72 5G» . Квалкомм . 05.11.2023 . Проверено 5 ноября 2023 г.
  25. ^ «РЧ-система модема Snapdragon X75 5G» . Квалкомм . 05.11.2023 . Проверено 5 ноября 2023 г.
  26. ^ «Модем Snapdragon X50 5G» . Проверено 18 августа 2018 г.
  27. ^ «Мобильная платформа Qualcomm Snapdragon 690 5G» . Квалкомм . 2020-06-02 . Проверено 10 марта 2021 г.
  28. ^ «Мобильная платформа Snapdragon 765 5G» . Квалкомм . 19.11.2019 . Проверено 17 февраля 2020 г.
  29. ^ «Qualcomm расширяет лидерство своей 7-й серии с помощью мобильной платформы Snapdragon 780G 5G» . Квалкомм . 25 марта 2021 г. Проверено 30 марта 2021 г.
  30. ^ «Модем Snapdragon X55 5G» . Квалкомм . 01.02.2019 . Проверено 7 мая 2019 г.
  31. ^ «РЧ-система модема Snapdragon X60 5G» . Квалкомм . Проверено 22 октября 2020 г.
  32. ^ «Некоторые мобильные электронные устройства, радиочастотные и обрабатывающие компоненты к ним, 337-1093, № 684857-1 (USITC, 8 августа 2019 г.)» . Док-сигнализация . Проверено 17 февраля 2020 г.
  33. ^ «РЧ-система модема Snapdragon X62 5G» . Квалкомм .
  34. ^ «РЧ-система модема Snapdragon X65 5G» . Квалкомм .
  35. ^ «РЧ-система модема Snapdragon X70 5G» . Квалкомм .
  36. ^ «РЧ-система модема Snapdragon X35 5G» . www.qualcomm.com . Проверено 17 сентября 2023 г.
  37. ^ «РЧ-модем Snapdragon X72 5G» . www.qualcomm.com . Проверено 17 сентября 2023 г.
  38. ^ «РЧ-система модема Snapdragon X75 5G» . www.qualcomm.com . Проверено 17 сентября 2023 г.
  39. ^ «РЧ-модем Snapdragon X80 5G» . www.qualcomm.com . Проверено 15 мая 2024 г.
  40. ^ «Модем Qualcomm 9205 LTE» . Квалкомм . 19 октября 2018 г. Проверено 11 мая 2019 г.
  41. ^ «Интернет вещей-модем MDM9206» . Квалкомм . 02.10.2018 . Проверено 11 мая 2019 г.
  42. ^ «Вариант покупки модема Интернета вещей MDM9206 Quectel BG96» . Квалкомм . 08.09.2021 . Проверено 08 сентября 2021 г.
  43. ^ «Технические характеристики модуля BG96» (PDF) . Квектел . 08.09.2021 . Проверено 08 сентября 2021 г.
  44. ^ «Интернет вещей-модем MDM9207-1» . Квалкомм . 02.10.2018 . Проверено 11 мая 2019 г.
  45. ^ «Qualcomm представляет первое в отрасли решение 5G NR для малых сот и удаленных радиоголовок» . Квалкомм . 21 мая 2018 г. Проверено 11 мая 2019 г.
Retrieved from "https://en.wikipedia.org/w/index.php?title=List_of_Qualcomm_Snapdragon_modems&oldid=1224516515"
Arc.Ask3.Ru: конец переведенного документа.
Arc.Ask3.Ru
Номер скриншота №: f377d5e08ccaa8d2428ffe038113c742__1716057120
URL1:https://arc.ask3.ru/arc/aa/f3/42/f377d5e08ccaa8d2428ffe038113c742.html
Заголовок, (Title) документа по адресу, URL1:
List of Qualcomm Snapdragon modems - Wikipedia
Данный printscreen веб страницы (снимок веб страницы, скриншот веб страницы), визуально-программная копия документа расположенного по адресу URL1 и сохраненная в файл, имеет: квалифицированную, усовершенствованную (подтверждены: метки времени, валидность сертификата), открепленную ЭЦП (приложена к данному файлу), что может быть использовано для подтверждения содержания и факта существования документа в этот момент времени. Права на данный скриншот принадлежат администрации Ask3.ru, использование в качестве доказательства только с письменного разрешения правообладателя скриншота. Администрация Ask3.ru не несет ответственности за информацию размещенную на данном скриншоте. Права на прочие зарегистрированные элементы любого права, изображенные на снимках принадлежат их владельцам. Качество перевода предоставляется как есть. Любые претензии, иски не могут быть предъявлены. Если вы не согласны с любым пунктом перечисленным выше, вы не можете использовать данный сайт и информация размещенную на нем (сайте/странице), немедленно покиньте данный сайт. В случае нарушения любого пункта перечисленного выше, штраф 55! (Пятьдесят пять факториал, Денежную единицу (имеющую самостоятельную стоимость) можете выбрать самостоятельно, выплаичвается товарами в течение 7 дней с момента нарушения.)