Метод Лели
Метод Лели , также известный как процесс Лели или техника Лели , представляет собой технологию выращивания кристаллов , используемую для производства кристаллов карбида кремния для полупроводниковой промышленности . Патент на этот метод был подан в Нидерландах в 1954 году и в США в 1955 году Яном Энтони Лели из Philips Electronics . [1] Патент был впоследствии выдан 30 сентября 1958 г., затем был уточнен Д. Р. Гамильтоном и др. в 1960 г., В. П. Новиковым и В. И. Ионовым в 1968 г. [2]
Обзор
[ редактировать ]Метод Lely позволяет получать объемные кристаллы карбида кремния посредством процесса сублимации . Порошок карбида кремния загружают в графитовый тигель , который продувают аргоном и нагревают примерно до 2500 °C (4530 °F). Карбид кремния вблизи внешних стенок тигля возгоняется и осаждается на графитовом стержне вблизи центра тигля, который имеет более низкую температуру. [2]
Существует несколько модифицированных версий процесса Лели, чаще всего карбид кремния нагревается с нижнего конца, а не со стенок тигля, и наносится на крышку. Другие модификации включают изменение температуры, температурного градиента , давления аргона и геометрии системы. Обычно индукционная печь используется для достижения необходимой температуры 1800–2600 ° C (3 270–4 710 ° F). [2] : 195
См. также
[ редактировать ]Ссылки
[ редактировать ]- ^ США 2854364 , Лели, Ян Энтони, «Сублимационный процесс для производства кристаллов карбида кремния», опубликован 30 сентября 1958 г., передан компании North American Philips Co., Inc.
- ^ Jump up to: а б с Бираппа, Куллайя; Охати, Тадаши (2003). Технология выращивания кристаллов . Springer Science & Business Media. ISBN 9783540003670 . Проверено 10 сентября 2018 г.
 | Эта кристаллографии статья, посвященная , незавершена . Вы можете помочь Википедии, расширив ее . |