Jump to content

Центр передовых полупроводниковых технологий

Центр передовых полупроводниковых технологий
Формирование 21 декабря 2022 г .; 20 месяцев назад ( 21 декабря 2022 г. )
Штаб-квартира Тиёда , Токио
Председатель
Тетсуро Хигаси
Академический лидер
Макото Гоноками
Веб-сайт https://www.lstc.jp/index.html

Центр передовых полупроводниковых технологий — научно-исследовательский институт полупроводников, расположенный в Японии . Он финансируется Министерством экономики, торговли и промышленности и был создан в декабре 2022 года. [ 1 ]

Основной целью организации с 2024 года является создание отечественной экосистемы полупроводниковой промышленности путем разработки технологий проектирования, устройств, производства и оборудования/материалов для реализации продукции в сотрудничестве с отечественными и международными учреждениями с использованием технологии производства узлов технологического процесса 2 нм и пилотной линии. в разработке с коротким сроком выполнения работ. [ 2 ] В феврале 2024 года было объявлено, что организация получит дополнительный исследовательский грант в размере 45 миллиардов иен от Министерства экономики, торговли и промышленности. [ 3 ]

Членские организации [ 4 ]

[ редактировать ]
  1. ^ «Путь к возрождению полупроводниковой промышленности, которое начало набирать обороты — Стратегия развития полупроводников следующего поколения — Кейзай Сангё Синпоша» (на японском языке) . Проверено 05.06.2024 .
  2. ^ «Центр передовых полупроводниковых технологий Ассоциации технологических исследований» www.lstc.jp Проверено 5 июня 2024 г.
  3. ^ «Министерство экономики, торговли и промышленности увеличивает финансирование Rapidus на 45 миллиардов иен для разработки передовых полупроводников за пределами 2 нм» EE Times Japan (на японском языке) , дата обращения 5 июня 2024 г.
  4. ^ «Центр передовых полупроводниковых технологий Ассоциации технологических исследований» www.lstc.jp Проверено 5 июня 2024 г.
[ редактировать ]
  • LSTC (на японском языке)

Arc.Ask3.Ru: конец переведенного документа.
Arc.Ask3.Ru
Номер скриншота №: 14a470532ecd65226a0b643aa75c78a6__1719409380
URL1:https://arc.ask3.ru/arc/aa/14/a6/14a470532ecd65226a0b643aa75c78a6.html
Заголовок, (Title) документа по адресу, URL1:
Leading-edge Semiconductor Technology Center - Wikipedia
Данный printscreen веб страницы (снимок веб страницы, скриншот веб страницы), визуально-программная копия документа расположенного по адресу URL1 и сохраненная в файл, имеет: квалифицированную, усовершенствованную (подтверждены: метки времени, валидность сертификата), открепленную ЭЦП (приложена к данному файлу), что может быть использовано для подтверждения содержания и факта существования документа в этот момент времени. Права на данный скриншот принадлежат администрации Ask3.ru, использование в качестве доказательства только с письменного разрешения правообладателя скриншота. Администрация Ask3.ru не несет ответственности за информацию размещенную на данном скриншоте. Права на прочие зарегистрированные элементы любого права, изображенные на снимках принадлежат их владельцам. Качество перевода предоставляется как есть. Любые претензии, иски не могут быть предъявлены. Если вы не согласны с любым пунктом перечисленным выше, вы не можете использовать данный сайт и информация размещенную на нем (сайте/странице), немедленно покиньте данный сайт. В случае нарушения любого пункта перечисленного выше, штраф 55! (Пятьдесят пять факториал, Денежную единицу (имеющую самостоятельную стоимость) можете выбрать самостоятельно, выплаичвается товарами в течение 7 дней с момента нарушения.)