Jump to content

МДП-конденсатор

МДП-структура (Металл/SiO 2 / p -Si) в вертикальном МДП-конденсаторе

МДП -конденсатор представляет собой конденсатор, образованный из слоя металла , слоя изолирующего материала и слоя полупроводникового материала. Свое название он получил от названия структуры металл-изолятор-полупроводник (МДП). МОП Как и в случае со структурой полевого -транзистора , по историческим причинам этот слой также часто называют МОП-конденсатором, но конкретно это относится к оксидному изоляционному материалу.

Максимальная емкость C MIS(max) рассчитывается аналогично пластинчатому конденсатору:

где :

Способ производства зависит от используемых материалов (возможно даже, что полимеры могут использоваться как в качестве изолятора, так и в качестве полупроводниковых слоев). [1] ). Мы рассмотрим пример неорганического МОП-конденсатора на основе кремния и диоксида кремния . На полупроводниковую подложку наносится тонкий слой оксида (диоксида кремния) (например, термическим окислением или химическим осаждением из паровой фазы ), а затем покрывается металлом.

Эта структура и, следовательно, конденсатор этого типа присутствуют в каждом полевом МДП-транзисторе, таком как МОП-транзисторы . Для постепенного уменьшения размеров структур в микроэлектронике требуются все более тонкие слои изоляции (чтобы сохранить ту же емкость на меньшей площади). Однако при толщине оксида ниже ~ 5 нм возникают паразитные утечки из-за туннельного эффекта. использование так называемых диэлектриков с высоким κ По этой причине исследуется в качестве изоляционного материала.

В исследованиях и разработках МОП-транзисторов МДП-конденсаторы широко используются в качестве относительно простого испытательного стенда, например, для изучения процесса изготовления и свойств новых изоляционных материалов, для измерения токов утечки и заряда до пробоя, для получения значения плотности ловушки, для определения проверьте различные модели для перевозки грузов. Кроме того, конденсаторы часто включаются в учебные курсы, особенно для обсуждения их состояний заряда (инверсия, истощение , накопление), которые также встречаются в более сложных транзисторных системах.

  1. ^ Манда, Прашант Кумар; Карунакаран, Логеш; Тирумала, Сандип; Чакраворти, Анджан; Дутта, Сумья (2019). «Моделирование органического металлоизолятора-полупроводникового конденсатора» . Транзакции IEEE на электронных устройствах . 66 (9): 3967–3972. arXiv : 1810.12120 . Бибкод : 2019ITED...66.3967M . дои : 10.1109/TED.2019.2927535 . S2CID   119353022 .
Arc.Ask3.Ru: конец переведенного документа.
Arc.Ask3.Ru
Номер скриншота №: 7a95618843a1bcf8c2d59bb3b7d2dacf__1694453400
URL1:https://arc.ask3.ru/arc/aa/7a/cf/7a95618843a1bcf8c2d59bb3b7d2dacf.html
Заголовок, (Title) документа по адресу, URL1:
MIS capacitor - Wikipedia
Данный printscreen веб страницы (снимок веб страницы, скриншот веб страницы), визуально-программная копия документа расположенного по адресу URL1 и сохраненная в файл, имеет: квалифицированную, усовершенствованную (подтверждены: метки времени, валидность сертификата), открепленную ЭЦП (приложена к данному файлу), что может быть использовано для подтверждения содержания и факта существования документа в этот момент времени. Права на данный скриншот принадлежат администрации Ask3.ru, использование в качестве доказательства только с письменного разрешения правообладателя скриншота. Администрация Ask3.ru не несет ответственности за информацию размещенную на данном скриншоте. Права на прочие зарегистрированные элементы любого права, изображенные на снимках принадлежат их владельцам. Качество перевода предоставляется как есть. Любые претензии, иски не могут быть предъявлены. Если вы не согласны с любым пунктом перечисленным выше, вы не можете использовать данный сайт и информация размещенную на нем (сайте/странице), немедленно покиньте данный сайт. В случае нарушения любого пункта перечисленного выше, штраф 55! (Пятьдесят пять факториал, Денежную единицу (имеющую самостоятельную стоимость) можете выбрать самостоятельно, выплаичвается товарами в течение 7 дней с момента нарушения.)