Октябрь Емельяненко
Octiabr' V. Emelianenko | |
---|---|
Рожденный | Октябрь Васильевич Емельяненко 7 ноября 1926 г. Ленинград , ![]() |
Умер | 25 мая 2012 г. Санкт-Петербург , ![]() | (85 лет)
Альма-матер | Санкт-Петербургский государственный университет |
Научная карьера | |
Поля | Физика |
Учреждения | Ленинградский физико-технический институт |
Октябрь В. Емельяненко (7 ноября 1926, Ленинград — 27 мая 2012, Санкт-Петербург) — советский физик, доктор физико-математических наук. кандидат физико-математических наук. Он выполнил фундаментальные работы в области физики III-V соединений полупроводников и внес значительный вклад, проложивший путь к созданию первого полупроводникового лазера , оптоэлектроники , светодиодов , солнечных элементов , инфракрасных детекторов и других полупроводниковых приборов.
Биография
[ редактировать ]В 1945 году его призвали на военную службу в семнадцатилетнем возрасте. Служба локации – Восточный фронт. После Второй мировой войны пришлось повторно вступить в армию. Во время службы в армии заочно получил среднее и высшее образование. Окончил физический факультет Санкт-Петербургского государственного университета , поступил в аспирантуру. С 1955 по 1989 год работал в лаборатории полупроводников Д.Наследова ( Физико-технический институт им. Иоффе РАН).
Научная работа
[ редактировать ]Исследования соединений III–V в Советском Союзе были начаты в начале 1950-х годов в Физико-техническом институте АН СССР. В 1950 году Н. Горюнова и А. Регель открыли полупроводниковые свойства соединений III-V на примере антимонида индия.
только лаборатория профессора Генриха Велькера В 1950-е годы исследованиями соединений AIIIBV занимались в Германии и лаборатория Д.Н. Наследова в Физико-техническом институте имени Иоффе АН СССР. Все ученые в области полупроводников сосредоточились почти исключительно на германии и кремнии . Казалось, что эти элементарные полупроводники, выведшие электронику на новый уровень, не могут быть превзойдены ни одним составным полупроводником.
Первый значительный доклад об исследованиях полупроводников AIIIBV (InSb, InAs) в Физико-техническом институте был сделан Наследовым на Первой Всесоюзной конференции по полупроводникам (Ленинград, 1956 г.). ни электропроводность, ни эффект Холла Он отметил (среди других явлений), что в новых соединениях AIIIBV не зависят от температуры. Многие учёные посчитали это наблюдение странным и даже случайным. Однако вскоре было обнаружено, что указанная температурная независимость является следствием глубокого вырождения электронного газа, характерного для сильнолегированных (тогда просто «нечистых») кристаллов AIIIBV. Принципиально новые явления в этих кристаллах породили новое направление физики полупроводников, в частности физику сильнолегированных полупроводников. Данные исследования проводила группа под руководством О. Емельяненко в лаборатории Д. Наследова.
Коллектив под руководством О. Емельяненко продолжил фундаментальные исследования явлений переноса в широком классе соединений III-V (твердых растворов и структур). Наиболее интересными оказались: исследование примесной полосы; [ 1 ] [ 2 ] Позднее открытие гигантского магнитосопротивления при движении транспортных средств по примесям; [ 3 ] исследование перехода металл–полупроводник в соединениях различных материалов III–V, а также установление природы отрицательного (квантового) магнитосопротивления (открытого коллективом Емельяненко еще раньше, в 1958 г.). [ 4 ]
Результаты, полученные О. Емельяненко и его командой, вошли в современное понимание полупроводниковых свойств соединений III-V.
Ссылки
[ редактировать ]- ^ O. V. Emel’yanenko, T. S. Lagunova, D. N. Nasledov, and G. N. Talalakin, Fiz. Tverd. Tela (Leningrad) 7, 1315 (1965) [Sov. Phys. Solid State 7, 1063 (1965)].
- ^ F. P. Kesamanly, É. É. Klotyn’sh, T. S. Lagunova, and D. Nasledov, Fiz. Tverd. Tela (Leningrad) 6, 958 (1964) [Sov. Phys. Solid State 6, 741 (1964)].
- ^ O. V. Emelianenko, T. S. Lagunova, D. N. Nasledov, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (Leningrad) 7, 1919 (1973) [Sov.Phys. Semicond. 7, 1280 (1973)].
- ^ T. I. Voronina, O. V. Emelianenko, T. S. Lagunova, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (Leningrad) 17, 1841 (1983) [Sov.Phys. Semicond. 17, 1174 (1983)].
Ссылки
[ редактировать ]- https://books.google.com/books?id=r-WzXVaKctIC&dq=GaAs++Nasledov+Emel%E2%80%99yanenko&pg=PA468
- http://dn.nasledov.com/nasledov.pdf
- http://library.eltech.ru/cgi-bin/irbis64r_11/cgiirbis_64.exe?LNG=&P21DBN=GK&I21DBN=GK_PRINT&S21FMT=fullw_print&C21COM=F&Z21MFN=27457
- http://www.dissercat.com/content/osobennosti-rezistivnykh-i-galvanomagnitnykh-yavlenii-v-anizotropnykh-poluprovodnikakh
- http://www.issp.ac.ru/ebooks/disser/Sergeev_G_S.pdf
- http://www.dissercat.com/content/vliyanie-neravnovesnykh-sostoyanii-medi-na-fotoprovodimost-fosfida-galliya
- http://www.dissercat.com/content/vliyanie-elektricheskogo-polya-na-magnitosoprotivlenie-germaniya-i-armenida-galliya