Jump to content

Транзистор со сплавом

(Перенаправлено из транзистора из сплава )
Крупный план внутренней части транзистора RCA 2N140 PNP из германиевого сплава, около 1953 года.
Крупный план внутренней части транзистора General Electric 2N1307 PNP из германиевого сплава, 1960-е годы.

германиевого Транзистор с переходом из сплава , или транзистор из сплава , был ранним типом транзистора с биполярным переходом , разработанным компаниями General Electric и RCA в 1951 году как улучшение по сравнению с более ранним транзистором с выращенным переходом .

Обычная конструкция транзистора со сплавным переходом представляет собой кристалл германия , образующий основу, с шариками эмиттера и коллектора из сплава, сплавленными на противоположных сторонах. Индий и сурьма обычно использовались для формирования спаев сплава на стержне германия N-типа. Таблетка коллекторного перехода будет иметь диаметр около 50 мил (тысячных долей дюйма), а таблетка эмиттера - около 20 мил. Толщина базовой области будет порядка 1 мила (0,001 дюйма, 25 мкм). [1] За годы их производства было разработано несколько типов улучшенных транзисторов со сплавным переходом.

Все типы транзисторов со сплавным переходом устарели в начале 1960-х годов с появлением планарных транзисторов , которые можно было легко производить массово, в то время как транзисторы со сплавным переходом приходилось изготавливать индивидуально. Первые германиевые планарные транзисторы имели гораздо худшие характеристики, чем германиевые транзисторы того периода со сплавным переходом, но они стоили намного дешевле, а характеристики планарных транзисторов улучшались очень быстро, быстро превосходя характеристики всех более ранних германиевых транзисторов.

Транзистор из микросплава

[ редактировать ]

Транзистор из микросплава ( MAT ) был разработан Philco как улучшенный тип транзистора со сплавным переходом, он предлагал гораздо более высокую скорость.

Он состоит из полупроводникового кристалла, образующего основу, в котором на противоположных сторонах выгравированы пары лунок (аналогично более раннему транзистору Philco с поверхностным барьером ), а затем сплавляются шарики из сплава эмиттера и коллектора в лунки.

Диффузионный транзистор из микросплава

[ редактировать ]

Транзистор с диффузией из микросплава ( MADT ), или транзистор с диффузной базой из микросплава , был разработан компанией Philco как улучшенный тип транзистора из микросплава; он предлагал еще более высокую скорость. Это тип транзистора с диффузной базой .

Перед использованием электрохимических методов и травлением углублений в основном полупроводниковом кристаллическом материале поверх всего внутреннего полупроводникового основного кристалла создается нагретый диффузионный газообразный фосфор, создавая градуированный базовый полупроводниковый материал N-типа. Эмиттерная яма очень неглубоко вытравлена ​​в этом диффузном базовом слое.

Для высокоскоростной работы коллекторная яма протравливается насквозь через диффузный базовый слой и большую часть собственной базовой полупроводниковой области, образуя чрезвычайно тонкую базовую область. [2] [3] времени носителей прохождения В диффузном базовом слое было создано легированное электрическое поле для уменьшения заряда по базе (аналогично дрейфовому полевому транзистору ).

Диффузионный транзистор после сплава

[ редактировать ]

Транзистор с диффузной базой после сплава ( PADT ), или транзистор с диффузной базой после сплава , был разработан Philips (но GE и RCA подали заявки на патент, а Жак Панкове из RCA получил патент на него) как усовершенствование перехода из германиевого сплава. транзистор, он предлагал еще более высокую скорость. Это тип транзистора с диффузной базой .

Диффузионный транзистор Philco из микросплава имел механическую слабость, которая в конечном итоге ограничивала его скорость; тонкий рассеянный базовый слой сломался бы, если бы его сделали слишком тонким, но для достижения высокой скорости он должен был быть как можно более тонким. Также было очень сложно контролировать легирование с обеих сторон такого тонкого слоя.

Диффузионный транзистор после сплава решил эту проблему, сделав коллектором (вместо базы) массивный полупроводниковый кристалл, который мог быть настолько толстым, насколько это необходимо для механической прочности. Поверх этого был создан диффузный базовый слой. Затем два шарика сплава, один P-типа и один N-типа, были наплавлены поверх диффузионного базового слоя. Шарик, имеющий тот же тип, что и базовая присадка, затем становился частью основы, а шарик, имеющий тип, противоположный базовой примеси, становился эмиттером.

времени носителей прохождения В диффузном базовом слое было создано легированное электрическое поле для уменьшения заряда по базе (аналогично дрейфовому полевому транзистору ).

[ редактировать ]


См. также

[ редактировать ]
  1. ^ Ллойд П. Хантер (редактор), Справочник по полупроводниковой электронике , Mc Graw Hill, 1956, стр. 7–18, 7–19.
  2. ^ Анализ высокочастотных транзисторов Джеймса К. Кейнера, 1956 г.
  3. Wall Street Journal, статья: «Philco заявляет, что производит транзистор нового типа», 9 октября 1957 г., стр. 19.
[ редактировать ]
Arc.Ask3.Ru: конец переведенного документа.
Arc.Ask3.Ru
Номер скриншота №: 2a6e1c7bb35467a4c1659af985125fcf__1722384240
URL1:https://arc.ask3.ru/arc/aa/2a/cf/2a6e1c7bb35467a4c1659af985125fcf.html
Заголовок, (Title) документа по адресу, URL1:
Alloy-junction transistor - Wikipedia
Данный printscreen веб страницы (снимок веб страницы, скриншот веб страницы), визуально-программная копия документа расположенного по адресу URL1 и сохраненная в файл, имеет: квалифицированную, усовершенствованную (подтверждены: метки времени, валидность сертификата), открепленную ЭЦП (приложена к данному файлу), что может быть использовано для подтверждения содержания и факта существования документа в этот момент времени. Права на данный скриншот принадлежат администрации Ask3.ru, использование в качестве доказательства только с письменного разрешения правообладателя скриншота. Администрация Ask3.ru не несет ответственности за информацию размещенную на данном скриншоте. Права на прочие зарегистрированные элементы любого права, изображенные на снимках принадлежат их владельцам. Качество перевода предоставляется как есть. Любые претензии, иски не могут быть предъявлены. Если вы не согласны с любым пунктом перечисленным выше, вы не можете использовать данный сайт и информация размещенную на нем (сайте/странице), немедленно покиньте данный сайт. В случае нарушения любого пункта перечисленного выше, штраф 55! (Пятьдесят пять факториал, Денежную единицу (имеющую самостоятельную стоимость) можете выбрать самостоятельно, выплаичвается товарами в течение 7 дней с момента нарушения.)