Jump to content

Транзисторная матрица

Транзисторная матрица B342D ( HFO ) — 4 NPN транзистора (здесь в кассетном магнитофоне).
Транзисторная массив ULN2803APG ( Toshiba ) — 8 пар Дарлингтона.
Микросхема транзисторной матрицы, содержащая два биполярных транзистора.

Транзисторные матрицы состоят из двух или более транзисторов на общей подложке . В отличие от более высокоинтегрированных схем , транзисторы можно использовать индивидуально, как дискретные транзисторы. То есть транзисторы в массиве не связаны друг с другом для реализации определенной функции. Транзисторные матрицы могут состоять из транзисторов с биполярным переходом или полевых транзисторов . Есть три основные мотивации объединения нескольких транзисторов на одной микросхеме и в одном корпусе: [1]

  • для экономии места на печатной плате и снижения себестоимости производства платы (нужно установить только один компонент вместо нескольких)
  • обеспечить точное соответствие параметров между транзисторами (что практически гарантировано, когда транзисторы на одном кристалле производятся одновременно и с одинаковыми вариациями производственного процесса)
  • обеспечить точное согласование теплового дрейфа параметров между транзисторами (что достигается за счет расположения транзисторов в очень непосредственной близости)

Параметры согласования и тепловой дрейф имеют решающее значение для различных аналоговых схем, таких как дифференциальные усилители , токовые зеркала и логарифмические усилители .

Уменьшение площади платы особенно существенно для цифровых схем, в которых несколько переключающих транзисторов объединены в один корпус. Часто транзисторы здесь представляют собой пары Дарлингтона с общим эмиттером и обратноходовыми диодами , например ULN2003A . Хотя это несколько расширяет приведенное выше определение транзисторной матрицы, этот термин по-прежнему широко применяется.

Особенностью транзисторных матриц является то, что подложка часто доступна в виде отдельного вывода (обозначается «подложка» , «объем» или «земля» ). При подключении подложки требуется осторожность, чтобы сохранить изоляцию между транзисторами в массиве, поскольку изоляция p – n-перехода обычно используется . Например, для массива NPN-транзисторов подложка должна быть подключена к самому отрицательному напряжению в цепи. [1]

  1. ^ Jump up to: а б Дитер Юнг (30 июня 1985 г.). Транзисторные матрицы [ Транзисторные матрицы ] (PDF) (на немецком языке). Франкфуртский (Одерский) завод полупроводников . OCLC   315025453 .
Arc.Ask3.Ru: конец переведенного документа.
Arc.Ask3.Ru
Номер скриншота №: 43d29e8360ff9fc154ac8b46df971336__1673549040
URL1:https://arc.ask3.ru/arc/aa/43/36/43d29e8360ff9fc154ac8b46df971336.html
Заголовок, (Title) документа по адресу, URL1:
Transistor array - Wikipedia
Данный printscreen веб страницы (снимок веб страницы, скриншот веб страницы), визуально-программная копия документа расположенного по адресу URL1 и сохраненная в файл, имеет: квалифицированную, усовершенствованную (подтверждены: метки времени, валидность сертификата), открепленную ЭЦП (приложена к данному файлу), что может быть использовано для подтверждения содержания и факта существования документа в этот момент времени. Права на данный скриншот принадлежат администрации Ask3.ru, использование в качестве доказательства только с письменного разрешения правообладателя скриншота. Администрация Ask3.ru не несет ответственности за информацию размещенную на данном скриншоте. Права на прочие зарегистрированные элементы любого права, изображенные на снимках принадлежат их владельцам. Качество перевода предоставляется как есть. Любые претензии, иски не могут быть предъявлены. Если вы не согласны с любым пунктом перечисленным выше, вы не можете использовать данный сайт и информация размещенную на нем (сайте/странице), немедленно покиньте данный сайт. В случае нарушения любого пункта перечисленного выше, штраф 55! (Пятьдесят пять факториал, Денежную единицу (имеющую самостоятельную стоимость) можете выбрать самостоятельно, выплаичвается товарами в течение 7 дней с момента нарушения.)