Jump to content

Ток насыщения

Ток насыщения (или ток масштаба ), точнее обратный ток насыщения , — это часть обратного тока в полупроводниковом диоде , вызванная диффузией неосновных носителей из нейтральных областей в область обеднения . Этот ток практически не зависит от обратного напряжения. [1]

Ток насыщения обратного смещения для идеального p – n- диода составляет:

где

это элементарный заряд
это площадь поперечного сечения
коэффициенты диффузии дырок и электронов соответственно,
– концентрации доноров и акцепторов на стороне n и стороне p соответственно,
- собственная концентрация носителей в полупроводниковом материале,
– времена жизни носителей дырок и электронов соответственно. [2]

Увеличение обратного смещения не позволяет основным носителям заряда диффундировать через переход. Однако этот потенциал помогает некоторым неосновным носителям заряда пересекать переход. Поскольку неосновные носители заряда в n-области и p-области создаются термически генерируемыми электронно-дырочными парами, эти неосновные носители заряда чрезвычайно зависят от температуры и не зависят от приложенного напряжения смещения. Приложенное напряжение смещения действует как напряжение прямого смещения для этих неосновных носителей заряда, и ток небольшой величины течет во внешней цепи в направлении, противоположном направлению обычного тока из-за момента основных носителей заряда.

Обратите внимание, что ток насыщения не является константой для данного устройства; оно меняется в зависимости от температуры; эта разница является доминирующим членом температурного коэффициента диода. Общее эмпирическое правило заключается в том, что оно удваивается на каждые 10   °C повышения температуры. [3]

См. также

[ редактировать ]

Обратный ток утечки , обратный ток, возникающий по всем причинам.

  1. ^ Стедман, Дж.В. (1993). «Электроника». В RC Dorf (ред.). Справочник по электротехнике . Бока-Ратон: CRC Press . п. 459. ИСБН  0849301858 .
  2. ^ Шуберт, Э. Фред (2006). «Основы светодиодов: электрические свойства». Светоизлучающие диоды . Издательство Кембриджского университета . п. 61.
  3. ^ Богарт, Ф. Теодор младший (1986). Электронные устройства и схемы . Издательство Мерилл. п. 40.
Arc.Ask3.Ru: конец переведенного документа.
Arc.Ask3.Ru
Номер скриншота №: 4caf221b4c7922cfac16b70989b26854__1706634720
URL1:https://arc.ask3.ru/arc/aa/4c/54/4caf221b4c7922cfac16b70989b26854.html
Заголовок, (Title) документа по адресу, URL1:
Saturation current - Wikipedia
Данный printscreen веб страницы (снимок веб страницы, скриншот веб страницы), визуально-программная копия документа расположенного по адресу URL1 и сохраненная в файл, имеет: квалифицированную, усовершенствованную (подтверждены: метки времени, валидность сертификата), открепленную ЭЦП (приложена к данному файлу), что может быть использовано для подтверждения содержания и факта существования документа в этот момент времени. Права на данный скриншот принадлежат администрации Ask3.ru, использование в качестве доказательства только с письменного разрешения правообладателя скриншота. Администрация Ask3.ru не несет ответственности за информацию размещенную на данном скриншоте. Права на прочие зарегистрированные элементы любого права, изображенные на снимках принадлежат их владельцам. Качество перевода предоставляется как есть. Любые претензии, иски не могут быть предъявлены. Если вы не согласны с любым пунктом перечисленным выше, вы не можете использовать данный сайт и информация размещенную на нем (сайте/странице), немедленно покиньте данный сайт. В случае нарушения любого пункта перечисленного выше, штраф 55! (Пятьдесят пять факториал, Денежную единицу (имеющую самостоятельную стоимость) можете выбрать самостоятельно, выплаичвается товарами в течение 7 дней с момента нарушения.)