Кирстен Мозелунд

Кирстен Эмили Мозелунд
Альма-матер	Федеральная политехническая школа Лозанны Технический университет Дании Школа Генриетты Херлюк
Научная карьера
Учреждения	IBM Исследования Федеральная политехническая школа Лозанны
Диссертация	Трехмерные электронные устройства, изготовленные на нисходящей платформе из кремниевых нанопроволок   (2008 г.)

Кирстен Э. Моселунд — датский инженер, профессор электроники и микротехнологий в Федеральной политехнической школе Лозанны . Она также возглавляет лабораторию нано- и квантовых технологий в Институте Пола Шеррера . Ранее она работала главой группы интеграции материалов и наномасштабных устройств в IBM Research.

Ранняя жизнь и образование

Мозелунд выросла в Дании , где училась в школе имени Генриетты Хёрлюк. Она получила степень магистра в Техническом университете Дании . В 2003 году она перешла в Федеральную политехническую школу Лозанны , где завершила докторские исследования в области микроэлектроники, разрабатывая электронные устройства из кремниевых нанопроволок.

Исследования и карьера

Моселунд присоединилась к IBM Research , где возглавила группу, посвященную «Интеграции материалов и наноразмерным устройствам». Она особенно интересовалась нейроморфной инженерией , нанофотоникой и квантовыми вычислениями . Она участвовала в разработке активных устройств на основе нанопроводов для фотоники. Используя как активные, так и пассивные матрицы нанопроволок, Моселунд разработал платформы, которые могут взаимодействовать с нейронами. Эти устройства на основе нанопроволок можно использовать для изучения сборки клеток и активного мониторинга отдельных клеток. Мозелунд участвовал в проекте Европейской комиссии «Ионная нейромодуляция для лечения эпилепсии» (IN-FET). Она также работала над лазером поверхностного излучения с вертикальным внешним резонатором (VECSEL).

В 2016 году Мозелунд получил стартовый грант Европейского исследовательского совета на разработку плазмонно-улучшенных лазеров на основе нанопроволоки III – V на кремнии для интегрированных коммуникаций (PLASMIC). Она сосредоточилась на плазмонных материалах, совместимых с обработкой сверхбольшого масштаба интеграции (СБИС). Чтобы добиться этого, она использовала селективную эпитаксию с помощью шаблона , которая объединяет нанопроволоки на подложке Si-SiO ₂ . Центральное место в этом методе занимает использование оксидной полости, которая направляет рост с крошечной поверхности кремния.

Мозелунд вернулся в Федеральную политехническую школу Лозанны. где она стала профессором электротехники и микроинженерии. В феврале 2022 года она была назначена руководителем LNQ (Лаборатории нано и квантовых технологий).

Личная жизнь

У Мозелунда двое сыновей.

Избранные публикации

• Матиас Борг; Хайнц Шмид; Кирстен Мозелунд ; и др. (19 марта 2014 г.). «Интеграция устройств с вертикальными нанопроволоками III-V на Si (100)». Нано -буквы 14 (4): 1914–1920. дои : 10.1021/NL404743J . ISSN   1530-6984 . ПМИД   24628529 . Викиданные   Q8
• Шмид, Х.; Борг, М.; Мозелунд, К.; Жиньяк, Л.; Бреслин, CM; Брюли, Дж.; Кутайя, Д.; Риль, Х. (8 июня 2015 г.). «Селективная эпитаксия с помощью шаблона наноразмерных устройств III – V для копланарной гетерогенной интеграции с Si» . Письма по прикладной физике . 106 (23): 233101. Бибкод : 2015ApPhL.106w3101S . дои : 10.1063/1.4921962 . ISSN   0003-6951 .
• Мозелунд, Кентукки; Шмид, Х.; Бессир, К.; Бьорк, Монтана; Гонейм, Х.; Риэль, Х. (октябрь 2012 г.). «Туннельные полевые транзисторы с гетеропереходом на нанопроволоке InAs – Si» . Письма об электронных устройствах IEEE . 33 (10): 1453–1455. Бибкод : 2012IEDL...33.1453M . дои : 10.1109/LED.2012.2206789 . ISSN   1558-0563 . S2CID   36878464 .