Сублимация в близком пространстве

Сублимация в закрытом пространстве - это метод производства тонких пленок, особенно. Фотоэлектрические элементы из теллурида кадмия , хотя он используется и для других материалов, таких как триселенид сурьмы . ^{[ 1 ]}

Это тип физического осаждения из паровой фазы , при котором подложка, на которую будет нанесено покрытие, и исходный материал удерживаются близко друг к другу. Оба они помещены в вакуумную камеру, которая откачивается. Затем источник и подложка нагреваются. Источник нагревается до некоторой части температуры плавления, а подложка — до более низкой температуры, например 640 °C и 600 °C соответственно. ^{[ 2 ]} Это вызывает сублимацию источника, позволяя парам перемещаться на небольшое расстояние к подложке, где они конденсируются, образуя тонкую пленку. Эта диффузия по короткому пути в принципе аналогична дистилляции по короткому пути . По сравнению с другими методами, это относительно нечувствительный процесс, и весь цикл занимает всего 15 минут. ^{[ 3 ]} Это делает его очень жизнеспособным методом для крупномасштабного производства. ^{[ 4 ]}

Ссылки

^ Биркетт, Макс; Линхарт, Войцех; Стоунер, Джессика; Филлипс, Лори (24 мая 2018 г.). «Температурная зависимость запрещенной зоны сублимационного Sb2Se3, выращенного методом фотоотражения» . Материалы АПЛ . 6 (8): 084901. Бибкод : 2018APLM....6h4901B . дои : 10.1063/1.5027157 .
^ Гуоген Лю; Цзымен Чэн; Георгиу, Джордж Э.; Чин, Кен К. (июнь 2015 г.). «Модель роста тонкой пленки CdTe методом близкорасположенной сублимации» . 2015 IEEE 42-я конференция специалистов по фотоэлектрической энергии (PVSC) . IEEE. стр. 1–5. дои : 10.1109/pvsc.2015.7355909 . ISBN 978-1-4799-7944-8 . S2CID 31360926 .
^ Ботвелл, Александра М.; Дрейтон, Дженнифер А.; Юндт, Паскаль М.; Сайты, Джеймс Р. (06 марта 2020 г.). «Сверхтонкие солнечные элементы CdSeTe/CdTe, нанесенные сублимацией в ближнем пространстве, для повышения плотности тока короткого замыкания и фотолюминесценции» . Журнал визуализированных экспериментов (157): e60937. дои : 10.3791/60937 . ISSN 1940-087X . ОСТИ 1721473 . ПМИД 32202534 . S2CID 214617834 .
^ Потамиалис, К.; Лиско, Ф. «Изготовление тонких пленок CdTe методом сублимации в закрытом пространстве» (PDF) . Центр подготовки докторантов новой и устойчивой фотоэлектрической энергии . Центр технологий систем возобновляемой энергии (CREST), Школа Вольфсона, Университет Лафборо . Проверено 26 апреля 2019 г.

[Birkett-1] Биркетт, Макс; Линхарт, Войцех; Стоунер, Джессика; Филлипс, Лори (24 мая 2018 г.). «Температурная зависимость запрещенной зоны сублимационного Sb2Se3, выращенного методом фотоотражения» . Материалы АПЛ . 6 (8): 084901. Бибкод : 2018APLM....6h4901B . дои : 10.1063/1.5027157 .

[2] Гуоген Лю; Цзымен Чэн; Георгиу, Джордж Э.; Чин, Кен К. (июнь 2015 г.). «Модель роста тонкой пленки CdTe методом близкорасположенной сублимации» . 2015 IEEE 42-я конференция специалистов по фотоэлектрической энергии (PVSC) . IEEE. стр. 1–5. дои : 10.1109/pvsc.2015.7355909 . ISBN 978-1-4799-7944-8 . S2CID 31360926 .

[3] Ботвелл, Александра М.; Дрейтон, Дженнифер А.; Юндт, Паскаль М.; Сайты, Джеймс Р. (06 марта 2020 г.). «Сверхтонкие солнечные элементы CdSeTe/CdTe, нанесенные сублимацией в ближнем пространстве, для повышения плотности тока короткого замыкания и фотолюминесценции» . Журнал визуализированных экспериментов (157): e60937. дои : 10.3791/60937 . ISSN 1940-087X . ОСТИ 1721473 . ПМИД 32202534 . S2CID 214617834 .

[Potamialis-4] Потамиалис, К.; Лиско, Ф. «Изготовление тонких пленок CdTe методом сублимации в закрытом пространстве» (PDF) . Центр подготовки докторантов новой и устойчивой фотоэлектрической энергии . Центр технологий систем возобновляемой энергии (CREST), Школа Вольфсона, Университет Лафборо . Проверено 26 апреля 2019 г.

[ 1 ]

[ 2 ]

[ 3 ]

[ 4 ]