Категория : Производство полупроводниковых приборов

С

• Химическое осаждение из паровой фазы ‎ ( 1 C, 4 P)
• Прекурсоры химического осаждения из паровой фазы ‎ ( 4 P)
• Полупроводниковые компании ‎ ( 32 C, 2 P)

И

• Оборудование для производства полупроводников ‎ ( 7 P)
• Производство полупроводникового оборудования ‎ ( 1 C, 57 P)
• Офорт (микрообработка) ‎ ( 10 П)

Ф

• Полупроводниковые компании Fabless ‎ ( 5 C, 175 P)
• Литейные полупроводниковые компании ‎ ( 2 C, 24 P)

л

• Литография (микрообработка) ‎ ( 1 C, 48 P)

Н

• Наноэлектроника ‎ ( 3 C, 79 P)

П

• Упаковка (микропроизводство) ‎ ( 2 С, 27 П)

С

• Материалы для изготовления полупроводников ‎ ( 1 C, 8 P)
• Рост полупроводников ‎ ( 1 C, 16 P)
• Полупроводниковая промышленность ‎ ( 2 C, 5 P)
• Производители кремниевых пластин ‎ ( 18 P)

• Производство полупроводниковых приборов

А

• Усовершенствованное травление кремния
• Амплеон
• Нанесение атомного слоя
• Травление атомного слоя

Б

• B-постановка
• Задний конец строки
• Задняя подача мощности
• Склеивание шариков
• Технология лучевого вывода
• Борофосфорно-силикатное стекло
• Изгиб и основа полупроводниковых пластин и подложек.

С

• Профилирование емкости-напряжения
• Химическое осаждение халькогенидов из паровой фазы
• Пробка канала
• Химическое осаждение из паровой фазы
• Химико-механическая полировка
• Альфред Ю. Чо
• Чистое помещение
• Сублимация в близком пространстве
• Координатор
• Александр Кукулас
• Сечение (электроника)

Д

• Спектроскопия темнового тока
• Модель Дила – Гроува
• Глубокое реактивно-ионное травление
• Тестируемое устройство
• Лента для кубиков
• Подготовка матрицы
• Диффузионный барьер
• Легирование (полупроводник)
• Профилирование емкости на уровне привода
• Сухое травление

И

• Ток, индуцированный электронным лучом
• Электростатическое напыление из паровой фазы
• Эпитаксиальная пластина
• Эпитаксия
• Травление (микрообработка)
• Испарение (осаждение)

Ф

• Производство без фабрик
• Передний конец линии
• Сфокусированный ионный пучок
• Литейная модель
• ФОУП
• Печной отжиг

Г

• Газоиммерсионное лазерное легирование
• Количество ворот
• Словарь терминов производства микроэлектроники

ЧАС

• Жесткая маска
• Опасности для здоровья на производстве полупроводников
• Высокоскоростные службы сообщений SECS
• Гидридная парофазная эпитаксия

я

• IBM «воздушный зазор»
• Корпус интегральной схемы
• Производитель комплексного устройства
• Ионный луч
• Ионно-лучевая литография
• Ионно-лучевое смешивание
• Ионная имплантация
• Газовая реакция ионного слоя

л

• Лазерное химическое осаждение из паровой фазы
• Лазерная обрезка
• Слой (электроника)
• Взлет (микротехнологии)
• Список заводов по производству полупроводников
• Низкоэнергетическое плазмохимическое осаждение из паровой фазы

М

• Кристаллизация, индуцированная металлами
• Металлоорганическая парофазная эпитаксия
• Микрообработка
• Микропайп
• Микротехнологии
• Модуляционное легирование
• Нанесение молекулярного слоя
• Монослойное легирование
• МОИСЕЙ
• Многопроектный вафельный сервис
• Бруно Мурари

Н

• Нестабильность температуры при отрицательном смещении
• Бесконтактное тестирование пластин
• Новола

ТО

• Омический контакт
• Орамир
• Управление наложением

П

• Пакет в пакете
• Пассивация (химия)
• Фенолформальдегидная смола
• Фосфорсиликатное стекло
• Физическое осаждение из паровой фазы
• Планарный процесс
• Плазменное озоление
• Плазменная очистка
• Плазменный травитель
• Плазменное травление
• Химическое осаждение из паровой фазы с плазменным усилением
• Плазмо-иммерсионная ионная имплантация
• Полицид
• Карта зонда
• Комплект для проектирования процесса
• Вариант процесса (полупроводник)
• Объединение продуктов
• Разработка продукта
• ПРОЛИТ
• Импульсное лазерное напыление

Р

• Случайные колебания легирующей примеси
• Быстрая термическая обработка
• RCA чистый
• Реактивно-ионное травление
• Уровень перераспределения
• Надежность (полупроводник)
• Удаленная плазма
• Резист (производство полупроводников)
• Ограничительные правила проектирования

С

• Салицид
• СЕКС/ГЕМ
• Селективная зональная эпитаксия
• ПОЛУ
• Завод по производству полупроводников
• Полупроводниковая промышленность Китая
• Полупроводниковая промышленность Тайваня
• Полупроводниковое ядро ​​интеллектуальной собственности
• Изоляция неглубокой траншеи
• Кремний на изоляторе
• Кремний на сапфире
• Умный крой
• СМИФ (интерфейс)
• Спецификация человеческого интерфейса для оборудования по производству полупроводников
• Спиновое покрытие
• Профилирование сопротивления растеканию
• Напыление
• Напряженный кремний непосредственно на изоляторе
• Стрессовая миграция
• Картирование подложки
• Поверхностно-активируемое соединение
• Поверхностный рост

Т

• Тетракис(диметиламидо)титан
• Термическая лазерная эпитаксия
• Термозвуковая сварка
• Трехмерная интегральная схема
• Через кремний через
• Нитрид титана

В

• Пар сверхвысокой чистоты для окисления и отжига
• Сверхчистая вода
• Ультрафиолетовая термическая обработка

V

• Разложение паровой фазы
• Виртуальная метрология

В

• Вафля (электроника)
• Обратная шлифовка пластин
• Характеристики вафельной связи
• Отделение штампов
• Изготовление пластин
• Тестирование пластин
• Интеграция в масштабе пластины
• ВафляКатализатор
• вафля
• Клиновое соединение
• Проволочное соединение

С

• Зайрон