Jump to content

1 мкм процесс

Процесс 1 мкм (процесс 1 микрометра ) — это уровень МОП-транзисторов технологии изготовления полупроводниковых , который был коммерциализирован примерно в 1984–1986 годах. [ 1 ] [ 2 ] такими компаниями, как NTT , NEC , Intel и IBM . Это был первый процесс, в котором была распространена CMOS (в отличие от NMOS ).

Процесс 1 мкм относится к минимальному размеру, который может быть надежно произведен. Самые маленькие транзисторы и другие элементы схемы на чипе, изготовленные с помощью этого процесса, имели ширину около 1 микрометра.

Самый ранний МОП-транзистор с   1 мкм длиной канала NMOS был изготовлен исследовательской группой под руководством Роберта Х. Деннарда , Хва-Ньена Ю и Ф. Х. Гаенслена в Исследовательском центре IBM TJ Watson в 1974 году. [ 3 ]

Продукты с производственным процессом 1,0 мкм

[ редактировать ]
  1. ^ Перейти обратно: а б Мюллер, С. (21 июля 2006 г.). «Микропроцессоры с 1971 года по настоящее время» . ИнформИТ. Архивировано из оригинала 19 апреля 2015 года . Проверено 11 мая 2012 г.
  2. ^ Мыслевский, Р. (15 ноября 2011 г.). «С 40-летием, Intel 4004!» . Регистр. Архивировано из оригинала 19 апреля 2015 года . Проверено 19 апреля 2015 г.
  3. ^ Деннард, Роберт Х .; Ю, Хва-Ниен; Генслен, Ф.Х.; Райдаут, ВЛ; Бассус, Э.; Леблан, Арканзас (октябрь 1974 г.). «Проектирование ионно-имплантированных МОП-транзисторов с очень малыми физическими размерами» (PDF) . Журнал IEEE твердотельных схем . 9 (5): 256–268. Бибкод : 1974IJSSC...9..256D . дои : 10.1109/JSSC.1974.1050511 . S2CID   283984 .
  4. ^ Гелоу, Джеффри Карл (10 августа 1990 г.). «Влияние технологии обработки на конструкцию усилителя DRAM Sense» (PDF) . Массачусетский технологический институт . стр. 149–166 . Проверено 25 июня 2019 г. - через CORE .
  5. ^ «Память» . STOL (Полупроводниковые технологии онлайн) . Проверено 25 июня 2019 г.
  6. ^ Корпорация Intel, «Новая продукция: компоненты: двух- и четырехмегабитные СППЗУ имеют высокую плотность», Microcomputer Solutions, сентябрь/октябрь 1989 г., стр. 14
  7. ^ Корпорация Intel, «Новый продукт: компоненты: новые ASSP подходят для мобильных приложений», Microcomputer Solutions, сентябрь/октябрь 1990 г., стр. 11
[ редактировать ]
Предшественник
1,5 мкм процесс
MOSFET изготовления полупроводниковых устройств Процесс Преемник
Процесс 800 нм


Arc.Ask3.Ru: конец переведенного документа.
Arc.Ask3.Ru
Номер скриншота №: 36f3fd7ab5547806896f8f004625ced5__1717163460
URL1:https://arc.ask3.ru/arc/aa/36/d5/36f3fd7ab5547806896f8f004625ced5.html
Заголовок, (Title) документа по адресу, URL1:
1 μm process - Wikipedia
Данный printscreen веб страницы (снимок веб страницы, скриншот веб страницы), визуально-программная копия документа расположенного по адресу URL1 и сохраненная в файл, имеет: квалифицированную, усовершенствованную (подтверждены: метки времени, валидность сертификата), открепленную ЭЦП (приложена к данному файлу), что может быть использовано для подтверждения содержания и факта существования документа в этот момент времени. Права на данный скриншот принадлежат администрации Ask3.ru, использование в качестве доказательства только с письменного разрешения правообладателя скриншота. Администрация Ask3.ru не несет ответственности за информацию размещенную на данном скриншоте. Права на прочие зарегистрированные элементы любого права, изображенные на снимках принадлежат их владельцам. Качество перевода предоставляется как есть. Любые претензии, иски не могут быть предъявлены. Если вы не согласны с любым пунктом перечисленным выше, вы не можете использовать данный сайт и информация размещенную на нем (сайте/странице), немедленно покиньте данный сайт. В случае нарушения любого пункта перечисленного выше, штраф 55! (Пятьдесят пять факториал, Денежную единицу (имеющую самостоятельную стоимость) можете выбрать самостоятельно, выплаичвается товарами в течение 7 дней с момента нарушения.)