Рон Риди

Рон Риди
Рон Риди
Рожденный	Рональд Э. Риди ; Лонг -Айленд, Нью -Йорк
Национальность	Соединенные Штаты
Образование	UC San Diego ; США военно -морская академия
Оккупация	Технологический руководитель ; Инженер -электрик ; Предприниматель
Известен для	Полупроводник Перегрин ; Кремний на сапфире

Рональд Риди - американский бизнесмен, ученый и исследователь. В полупроводниковой промышленности он продвигал кремний по технологии Sapphire (SOS) и CMOS . ^{[ 1 ]}^{[ 2 ]}

Образование

В 1969 году Риди окончил военно -морскую академию Соединенных Штатов в Аннаполисе с Бесте. Затем он получил степень MSEE в военно -морской аспирантуре в Монтерее. В 1983 году он получил докторскую степень в EE & Applied Physics из UC San Diego . ^{[ 3 ]}^{[ 4 ]}

Карьера

Риди начал свою карьеру в NOSC (Центр систем военно -морского океана США), где он работал над обработкой CMOS кремния. В 1988 году Риди вместе с коллегами NOSC Марком Бургенером и Грэмом Гарсиа опубликовали исследовательскую статью в буквах электронных устройств IEEE, которые доказали, что пленки SOS, истощенные до 100 нм, были подходящими для применения для высокопроизводительных схем CMOS с высокопроизводительными масштабами. ^{[ 5 ]} Именно с этим продвижением Риди решил коммерциализировать эту технологию. Их результаты исследований сыграли важную роль в отрасли и с тех пор были приведены в 13 исследовательских работах IEEE и 58 патентах. ^{[ 6 ]}

В 1990 году Deedy стал соучредителем Peregrine Semiconductor для коммерциализации передовых технологий. Перегрин стал дизайнером Fabless Chips ^{[ 7 ]} это было публично обменено на Насдак ^{[ 8 ]} До тех пор, пока компания не была приобретена Murata в декабре 2014 года за 471 миллион долларов. ^{[ 9 ]}^{[ 10 ]} Риди служил генеральным директором компании и техническим директором компании ^{[ 11 ]} Перед выходом на пенсию в начале 2015 года. Реди теперь имеет титул заслуженного технического директора Peregrine Semiconductor. ^{[ 12 ]}

В 2016 году Риди вышел на пенсию и основал Skeyeon , первую компанию, основанную на создании спутникового созвездия на орбите очень низкой земли (VLEO) для рынка визуализации Земли . Существует множество преимуществ работы в VLEO, которые не доступны на более высоких высотах Leo и Geo Orbits, где работают большинство спутников и международная космическая станция , включая более высокие результаты спутников; существенно более низкие запуска и эксплуатационные расходы; и создание самоочищающихся орбит по существу решает значительную проблему космического мусора . Skeyeon разработала технологии, обеспечивающую работу VLEO для многих различных приложений, и активно разрабатывает свои первые спутники для запуска.

Риди входит в Совет консультантов в Инженерной школе Якобса UCSD и его лидерском центре Гордона. ^{[ 2 ]}^{[ 13 ]}

В течение своей карьеры Риди был указан в качестве изобретателя на десятках патентов. ^{[ 14 ]} Многие из этих патентов связаны с достижениями в кремнии по изолятору , кремнию на сапфире и CMO .

Награды и признание

В 2011 году Риди и соучредитель Марк Бергенер были удостоены награды IEEE Daniel E. Noble за новые технологии за их вклад ^{[ 15 ]}«Сделать кремниевую технологию на сапфире (SOS) коммерчески возможным для беспроводной связи». ^{[ 16 ]} Награда IEEE Noble вручается ежегодно лицам, которые внесли значительный вклад в новые технологии. ^{[ 17 ]}^{[ 18 ]}

Смотрите также

Ссылки

^ Любовь, Джанин (31 мая 2011 г.). "Что случилось с кремнием на сапфире?" Полем EE времена . Получено 25 января 2014 года .
^ Подпрыгнуть до: ^а ^{беременный} Стивенс, Аннамария. «Сапфир и кремний» . Тритон . Получено 13 ноября 2013 года .
^ «Совершенствование RF CMOS: как стабиль пионера пионера RF Soi» . Сан -Диего IEEE сайт . Получено 10 февраля 2014 года .
^ «Форум инженерного лидерства Гордона - Рональд Риди» . Гордон Центр UCSD YouTube канал . Гордон Центр UCSD . Получено 10 февраля 2014 года .
^ Бургенер, Грэм; Риди, Рональд Э.; Burgener, ML (январь 1988). «Высококачественные CMOS в тонком (100 нм) кремния на сапфире» . IEEE Electron Device Letters . 9 (1): 32–34. Bibcode : 19888edl .... 9 ... 32G . doi : 10.1109/55.20404 . S2CID 33232225 .
^ См. «Цитируется» секцией Burgener, Deedy & Burgener 1988
^ Бигелоу, Брюс (22 ноября 2010 г.). «Полупроводниковые файлы для IPO для IPO» . Xconomy . Получено 13 ноября 2013 года .
^ Бигелоу, Брюс (7 августа 2012 г.). «После настойчивости в течение 22 лет, перегрин полупроводниковые отмечают IPO» . Получено 13 ноября 2013 года .
^ Скурас, Исмини (25 августа 2014 г.). «Murata, чтобы купить RF IC -продавца Peregrine за 471 млн долларов» . EE времена . Получено 7 марта 2015 года .
^ «Мурата завершает приобретение пенерина» . Составной полупроводник . 12 декабря 2014 года . Получено 7 марта 2015 года .
^ Гоки, Малари (16 октября 2013 г.). «Mobile.pro Exclusive: Ron Reedy's Peregrine рассказывает о радио Chips и смартфонах» . Mobile.pro . Архивировано с оригинала 26 октября 2013 года . Получено 14 ноября 2013 года .
^ «Соучредитель Рон Риди уходит на пенсию» . Полупроводниковой редакции Полугрина. 28 января 2015 года . Получено 7 марта 2015 года .
^ «Совет консультантов» . UCSD Jacobs Школа инженерной системы . Архивировано с оригинала 28 сентября 2013 года . Получено 13 ноября 2013 года .
^ «Результаты поиска в патентной коллекции США DB для: Reedy-Ronald-E» . US Patent & Turnemark Office, патентная база данных полного текста и изображений . Получено 13 ноября 2013 года .
^ «Марк Л. Бургенер и Рональд Э. Риди, чемпионы сапфировых взаимосвязанных [ sic ] технологии, чтобы получить награду IEEE Daniel E. Noble Award 2011 года за новые технологии» . IEEE пресс -релиз . Архивировано с оригинала 23 января 2014 года . Получено 10 февраля 2014 года .
^ «IEEE Daniel E. Noble Award за новые получатели технологий» . Сайт IEEE . Архивировано из оригинала 8 апреля 2010 года . Получено 13 ноября 2013 года .
^ Блайлер, Джон (лето 2011). «Noble Award Honors Low-Power RF Technology» . Дизайн чипа . Получено 28 января 2014 года .
^ «Соучредители Peregrine получают награду IEEE за новые технологии» . Полупроводник сегодня . 31 мая 2011 года . Получено 10 февраля 2014 года .

Внешние ссылки

Центр UCSD Гордона Рон Риди выступает на Форуме инженерного лидерства в Гордоне

[EE_Times-1] Любовь, Джанин (31 мая 2011 г.). "Что случилось с кремнием на сапфире?" Полем EE времена . Получено 25 января 2014 года .

[UCSD-2] Подпрыгнуть до: ^а ^{беременный} Стивенс, Аннамария. «Сапфир и кремний» . Тритон . Получено 13 ноября 2013 года .

[3] «Совершенствование RF CMOS: как стабиль пионера пионера RF Soi» . Сан -Диего IEEE сайт . Получено 10 февраля 2014 года .

[4] «Форум инженерного лидерства Гордона - Рональд Риди» . Гордон Центр UCSD YouTube канал . Гордон Центр UCSD . Получено 10 февраля 2014 года .

[5] Бургенер, Грэм; Риди, Рональд Э.; Burgener, ML (январь 1988). «Высококачественные CMOS в тонком (100 нм) кремния на сапфире» . IEEE Electron Device Letters . 9 (1): 32–34. Bibcode : 19888edl .... 9 ... 32G . doi : 10.1109/55.20404 . S2CID 33232225 .

[6] См. «Цитируется» секцией Burgener, Deedy & Burgener 1988

[7] Бигелоу, Брюс (22 ноября 2010 г.). «Полупроводниковые файлы для IPO для IPO» . Xconomy . Получено 13 ноября 2013 года .

[8] Бигелоу, Брюс (7 августа 2012 г.). «После настойчивости в течение 22 лет, перегрин полупроводниковые отмечают IPO» . Получено 13 ноября 2013 года .

[9] Скурас, Исмини (25 августа 2014 г.). «Murata, чтобы купить RF IC -продавца Peregrine за 471 млн долларов» . EE времена . Получено 7 марта 2015 года .

[10] «Мурата завершает приобретение пенерина» . Составной полупроводник . 12 декабря 2014 года . Получено 7 марта 2015 года .

[11] Гоки, Малари (16 октября 2013 г.). «Mobile.pro Exclusive: Ron Reedy's Peregrine рассказывает о радио Chips и смартфонах» . Mobile.pro . Архивировано с оригинала 26 октября 2013 года . Получено 14 ноября 2013 года .

[12] «Соучредитель Рон Риди уходит на пенсию» . Полупроводниковой редакции Полугрина. 28 января 2015 года . Получено 7 марта 2015 года .

[13] «Совет консультантов» . UCSD Jacobs Школа инженерной системы . Архивировано с оригинала 28 сентября 2013 года . Получено 13 ноября 2013 года .

[14] «Результаты поиска в патентной коллекции США DB для: Reedy-Ronald-E» . US Patent & Turnemark Office, патентная база данных полного текста и изображений . Получено 13 ноября 2013 года .

[15] «Марк Л. Бургенер и Рональд Э. Риди, чемпионы сапфировых взаимосвязанных [ sic ] технологии, чтобы получить награду IEEE Daniel E. Noble Award 2011 года за новые технологии» . IEEE пресс -релиз . Архивировано с оригинала 23 января 2014 года . Получено 10 февраля 2014 года .

[IEEE-16] «IEEE Daniel E. Noble Award за новые получатели технологий» . Сайт IEEE . Архивировано из оригинала 8 апреля 2010 года . Получено 13 ноября 2013 года .

[17] Блайлер, Джон (лето 2011). «Noble Award Honors Low-Power RF Technology» . Дизайн чипа . Получено 28 января 2014 года .

[18] «Соучредители Peregrine получают награду IEEE за новые технологии» . Полупроводник сегодня . 31 мая 2011 года . Получено 10 февраля 2014 года .

[ 1 ]

[ 2 ]

[ 3 ]

[ 4 ]

[ 5 ]

[ 6 ]

[ 7 ]

[ 8 ]

[ 9 ]

[ 10 ]

[ 11 ]

[ 12 ]

[ 13 ]

[ 14 ]

[ 15 ]

[ 16 ]

[ 17 ]

[ 18 ]