Усовершенствованное травление кремния

Advanced Silicon Etching ( ASE ) — это метод глубокого реактивно-ионного травления (DRIE), позволяющий травить глубокие структуры с высоким соотношением сторон в кремнии. ASE была создана компанией Surface Technology Systems Plc (STS) в 1994 году в Великобритании. Компания STS продолжает развивать этот процесс, увеличивая скорость травления. STS разработала и первой внедрила процесс переключения, первоначально изобретенный доктором Лармером в компании Bosch, Штутгарт. ASE заключается в сочетании более высоких скоростей травления, достигаемых при изотропном травлении Si (обычно с использованием _{SF 6} плазмы ) с процессом осаждения или пассивации (обычно с использованием процесса плазменной конденсации C ₄ F ₈ ), путем чередования двух этапов процесса. Этот подход обеспечивает самую высокую скорость травления, сохраняя при этом возможность анизотропного травления , обычно вертикального в приложениях микроэлектромеханических систем ( микроэлектромеханических систем (МЭМС)).

ASE HRM утверждает, что является усовершенствованием конструкции ИСП предыдущих поколений, теперь включающей изолированный источник плазмы (заявка на патент подана). ^{[ нужна ссылка ]} Развязанный источник генерирует плазму высокой плотности, которая может диффундировать в отдельную технологическую камеру. Благодаря специальной конструкции камеры избыточные ионы (которые отрицательно влияют на управление процессом) уменьшаются, в результате чего происходит равномерное распределение свободных радикалов фтора с более высокой плотностью, чем в традиционных источниках ИСП. Более высокая плотность свободных радикалов фтора способствует увеличению скорости травления, обычно более чем в три раза превышающей скорость травления, достигаемую при исходном процессе.

Примечания

Ссылки

Хопкинс, Дж. «Разработки в области травления Si и SiO ₂ для оптических приложений на основе МЭМС» (2004) , заархивировано из оригинала 2 июля 2007 г. , получено 1 апреля 2008 г.

Дальнейшее чтение

Системы поверхностных технологий