Ханс-Йоахим Кейссер

Ханс-Йоахим Кейссер
Ханс-Йоахим Квиссер в Бонне 20 января 1995 года
Рожденный	( 1931-07-06 ) 6 июля 1931 г. Берлин , Германия
Образование	Университет Берлина Университет Канзаса Университет Геттингена
Известен для	Shockley -queisser Limit
Научная карьера
Учреждения	Shockley Transistor Corporation Университет Франкфурта Институт твердотельных исследований Макса Планка
Докторский советник	Рудольф Хилш
Докторские студенты	Хорст Людвиг Стормер Карл Лео

Ханс-Йоахим Квиссер (родился 6 июля 1931 года, Берлин , Германия ) -физик твердого состояния . Он наиболее известен своими соавторами работы 1961 года по солнечным элементам , в которых подробно описывается то, что сегодня известно как ограничение Shockley-quiesser , которое в настоящее время считается ключевым вкладом в этой области.

Образование и карьера

Кейссер родился в Берлине, а его отец был инженером -механиком для Siemens . В 1928 году он отправился в Соединенные Штаты , чтобы работать на электростанциях и попросил свою невесту присоединиться к нему. Она хотела вернуться в Германию, а Ханс Йоахим родился вскоре после их возвращения в 1931 году в Берлине . Он был в Дрездене во время воздушного налета в 1945 году и заявляет, что он пережил «едва». Его отец был отправлен в Советский Союз после войны, и Кейссер хотел поступить в Берлинский университет в рамках программы ученичества и работы в качестве техника в исследовательском институте в Берлине. Однако вместо этого он подал заявку на стипендию в Соединенных Штатах и ​​был принят в Университет Канзаса в 1951 и 1952 годах. Он вернулся в Германию и получил докторскую степень. в области физики в Университете Геттингена в 1958 году под руководством Рудольфа Хилша .

После окончания Гёттингена Квиссер принял работу в Transistor Corporation Shockley в Маунтин -Вью, штат Калифорния , где он работал над ростом кристаллов, эпитаксией, диффузией, дефектами решетки, свойствам соединения и солнечных элементах. Именно в это время он и Шокли рассчитали максимальную теоретическую эффективность солнечных элементов кремния составлять около 31%. Он и его коллега Ричард Финч сначала идентифицировали разломы на укладке, вызванные кислородом и достигли первой трансмиссионной электронной микроскопии на полупроводниках с Дж. Уошберном и Дж. Томасом в Калифорнийском университете в Беркли.

Queisser оставил Shockley для Bell Labs в 1964 году, работая над арсенидом галлия для оптоэлектроники . Именно в это время он изобрел мощный люминесцентный диод, инфракрасный световой диод (светодиод), который теперь составляет основу почти каждого домохозяйственного устройства дистанционного управления . Модификации основного дизайна представляют практически все светодиоды сегодня. В 1966 году он покинул Белл, чтобы стать профессором в Университете Франкфурта . В 1970 году он стал директором -основателем Института твердотельных исследований Макса Планка в Штутгарте . Он служил в этой роли до своей отставки в 1998 году.

Почести и награды

Queisser стал членом Германской академии наук Леопольды в 1994 году. Он был членом американского физического общества . Он был президентом Германского физического общества в период с 1976 по 1977 год.

Внешние ссылки

• «Завоевание микрочипа» , Автобиографическая работа Queisser по ранней истории Силиконовой долины , ISBN   0-674-16297-8
• «Принесение кремния в долину» , презентация Кейссера об истории Силиконовой долины, с материалами.