Арсенидогерманат

Арсенидогерманаты представляют собой химические соединения, содержащие анионы с мышьяком, связанным с германием. Они относятся к категории тетраларсенидов, пниктидогерманатов или тетралпниктидов.

Германий образует два арсенида: GeAs и GeAs ₂ . ^[1]

Список

формула	формула масса	кристалл система	космос группа	элементарная ячейка	объем	плотность	комментарии	ссылка
LiGe₃As_LiGe3As3		орторомбический	Пбам	а=10,0862 б=15,7612 в=3,7403 Z=4	594.60	5.01		^[2]
Li5 GeAs_GeAs3							черный	^[3]
НаГе ₆ Как ₆	908.05	моноклинический	С 2/ м	а = 22,063, б = 3,8032, с = 7,2020, β = 92,744°, Z = 2	603.64	5.00	иглы	^[4]
Na ₁₀ Ge ₂ As ₆		моноклинический	П 12 ₁ / н 1	a=13,531 b=7,544 c=8,298 β = 90,2° Z=2	847.0			^[5]
К ₂ ГеАс ₂		орторомбический	Ибам	а = 13,292, б = 7,028, с = 6,548 Z = 4			чувствительные к влаге иглы	^[6]
KGe₃As_KGe3As3	481.53	орторомбический	Пнма	а =9,993, б =3,7664, в =18,607 Z=4	700.34	4.568		^[7]
K₂Ge₃As_K2Ge3As3	520.73	орторомбический	Пннм	а=14,1466 б=16,300 в=3,7489 Z=4	864.47	4.001	волокнистый металлик	^[8]
К ₂ NaGaAs ₂			Ибам	а=6,733 б=14,809 в=6,574 Z=4	655.5	3.250		^[9]
КСдГеАс ₂		триклиника	PП1	а = 8,004, б = 8,402, с = 8,703, α = 71,019°, β = 75,257°, γ = 73,746°, Z=4			запрещенная зона 0,8 эВ; Ge ₂ As ₆ шт.	^[10]
RbCdGeAs ₂		триклиника	PП1	а = 8,269, б = 8,452, с = 8,735, α = 71,163°, β = 75,601°, γ = 73,673°, Z=4			Ge ₂ As ₆ шт.	^[10]
Ср ₃ Гэ ₂ Ас ₄							красный металлик; 1D As ₃ GeGeAs ₃ единицы	^[11]
К ₅ В ₅ Ge ₅ As ₁₄		моноклинический	С 2/ м	а =40,00, б =3,925, в =10,299, β =99,97°, Z=8	1592	4.55	чувствительный к воздуху; слоистый	^[12]
К ₈ В ₈ Ge ₅ As ₁₇		моноклинический	П 2 ₁ / с	а =18,394, б =19,087, в =25,360, β =105,71°, Z=4	8571	4.45	чувствительный к воздуху; слоистый	^[12]
RbGe₃As_RbGe3As3	528	орторомбический	Пнма	а=10,166 б=3,7595 в=19,028 Z=4	727.2	4.823		^[7]
Rb(Ge _1,5 В _0,5 )As ₂ (As _1,5 Ge _0,5 )		орторомбический	смс 2 ₁	а = 3,799, б = 16,50, с = 12,24, Z = 4	767	4.589		^[13]
Rb _X Ge _2−X In _X As ₄								^[13]
I ₈ As ₂₁ Ge ₂₅	4403	кубический	вечера 3 часа ночи	а=10,5963 Z=1	1189.8	6.1431	бесцветный	^[14]
Cs ₅ GeAs ₃							металлический; неустойчив на воздухе; ГеАс ₃ шт.	^[15]
БэГе ₂ как ₂		четырехугольный	П 4 ₂ мк	а=7,786 с=8,664 Z=4	525.2	5.47	металлический	^[16]
Ба ₄ ГеАс ₄							темный металлик; ГеАс ₄ шт.	^[17]
Re ₃ Ge _0,6 As _6,4								^[18]
Ре ₃ ГеАс ₆	1080.75	кубический	мне 3 м	а = 8,73202 Z=4	665.75	10.78	полупроводник n-типа	^[18]
ОгеАс		моноклинический	Копия	а 7.2729, б 6.2953, в 6.3067, б 119.209°				^[19]
K _X Ge _2−X Tl _X As ₄								^[13]

Ссылки

^ Штер, Герберт; Клемм, Вильгельм (9 июля 1940 г.). «О двухкомпонентных системах с германием. II. Германий/мышьяк, германий/сурьма, германий/висмут» . Журнал неорганической и общей химии . 244 (2): 205–223. дои : 10.1002/zaac.19402440211 .
^ Марк, Джастин; Ханрахан, Майкл П.; Ву, Кэтрин Э.; Ли, Шеннон; Россини, Аарон Дж.; Ковнир, Кирилл (2 мая 2019 г.). «Химическое и электрохимическое литирование ван-дер-ваальсовых тетрел-арсенидов» . Химия – Европейский журнал . 25 (25): 6392–6401. дои : 10.1002/chem.201900339 . ОСТИ 1526289 . ПМИД 30887569 . S2CID 83463348 .
^ Джуза, Роберт; Шульц, Вернер (февраль 1954 г.). «Тройные фосфиды и арсениды лития с элементами 3-й и 4-й групп» . Журнал неорганической и общей химии (на немецком языке). 275 (1–3): 65–78. дои : 10.1002/zaac.19542750107 . ISSN 0044-2313 .
^ Хатун, Мансура; Мар, Артур (01 мая 2016 г.). «NaGe ₆ As ₆ : Введение натрия в слоистый полупроводник арсенид германия GeAs» . Журнал естественных исследований Б. 71 (5): 375–380. дои : 10.1515/znb-2015-0203 . ISSN 1865-7117 . S2CID 197298002 .
^ Эйзенманн, Б.; Кляйн, Дж.; Сомер, М. (1 февраля 1991 г.). Эйзенманн, Б.; Кляйн, Дж.; Сомер, М. (ред.). «Кристаллическая структура деканатия ди- μ -арсенид-бис(диарсенидогерманата), Na ₁₀ Ge ₂ As ₆ » . Журнал кристаллографии - Кристаллические материалы . 197 (3–4): 265–266. Бибкод : 1991ZK....197..265E . дои : 10.1524/zkri.1991.197.3-4.265 . ISSN 2194-4946 .
^ Эйзенманн, Бриджит; Кляйн, Юрген (сентябрь 1991 г.). «SiS ₂ -изоструктурные анионы [SiP ₂²⁻], [GeAs ₂²⁻] и [SnAs ₂²⁻] in Alkaliverbindungen» . Journal of the Less Common Metals (на немецком языке). 175 (1): 109–117. doi : 10.1016/0022-5088(91)90355-8 .
^ Jump up to: ^а ^б Хатун, Мансура; Стойко, Станислав С.; Мар, Артур (июнь 2016 г.). «Тройные арсениды ATt ₃ As ₃ (A=K, Rb; Tt=Ge, Sn) со слоистой структурой». Журнал химии твердого тела . 238 : 229–235. Бибкод : 2016JSSCh.238..229K . дои : 10.1016/j.jssc.2016.03.035 .
^ Эйленштейн, Армин Р.; Богдановский, Дмитрий; Рейнхардт, Хендрик; Мисс Ванесса; Ролинг, Бернард; Хапп, Норберт; Дронсковский, Ричард; Растяжка, Стефани (12 ноября 2019 г.). «K ₂ Ge ₃ As ₃ : Волокнистые кристаллы узкозонной фазы Цинтл с одномерной субструктурой _∞¹{(Ge ₃ As ₃ ) ^2–}». Химия материалов . 31 (21): 8839–8849. doi : 10.1021/acs.chemmater.9b02827 . S2CID 204116281 .
^ Сомер, Мехмет; Петерс, Карл; фон Шнеринг, Ханс Георг (июль 1992 г.). «K ₂ NaGaP ₂ , Cs ₂ NaGaP ₂ , K ₂ NaGaAs ₂ , K ₂ NaInP ₂ и K ₂ NaInAs ₂ SiS ₂ , соединения с изостерическими полианионами ^∞
₁ [МХ _4/2 ] ³⁻ Ga In M = , ( :10.1002/zaac.19926130103. ISSN 0044-2313;
^ Jump up to: ^а ^б Хатун, Мансура; Стойко, Станислав С.; Мар, Артур (21 июля 2014 г.). «Четвертичные арсениды A CdGeAs ₂ ( A = K, Rb), построенные из этаноподобных Ge ₂ в виде ₆ единиц». Неорганическая химия . 53 (14): 7756–7762. дои : 10.1021/ic5011264 . ПМИД 24983676 .
^ Эйзенманн, Бриджит; Шефер, Герберт (июнь 1980 г.). «Фазы Цинтла со сложными анионами: Sr ₃ Si ₂ As ₄ и Sr ₃ Ge ₂ As ₄ ». Международное издание «Прикладная химия» на английском языке . 19 (6): 490–491. дои : 10.1002/anie.198004901 .
^ Jump up to: ^а ^б Шрив-Кейер, Джули Л; Хаушальтер, Роберт С; Ли, Ён Сук; Ли, Сычу; О'Коннор, Чарльз Дж; Со, Дон Гюн; Вангбо, Мён Хван (май 1997 г.). «Новые слоистые материалы в системе K–In–Ge–As: K ₈ In ₈ Ge ₅ As ₁₇ и K ₅ In ₅ Ge ₅ As ₁₄ ». Журнал химии твердого тела . 130 (2): 234–249. Бибкод : 1997JSSCh.130..234S . дои : 10.1006/jssc.1996.7210 .
^ Jump up to: ^а ^б ^с Шрив-Кейер, Джули Л.; Хаушальтер, Роберт К. (1996), Кадзимура, Кодзи; Курода, Син-ичи (ред.), «Синтез и структурная характеристика материала четвертичной фазы Цинтл из системы Rb:Ge:In:As: Rb(Ge1.5ln0.5)As2(As1.5Ge0.5)» , Материалы и измерения в молекулярной электронике , Springer Proceedings in Physics, vol. 81, Токио: Springer Japan, стр. 139–150, doi : 10.1007/978-4-431-68470-1_11 , ISBN. 978-4-431-68472-5 , получено 8 декабря 2021 г.
^ Аюз, Катя; Карс, Мохаммед; Ребба, Аллауа; Ребба, Хурия (15 марта 2009 г.). «Я ₈ Как ₂₁ Ge ₂₅ » . Acta Crystallographica Раздел E. 65 (3): i15. дои : 10.1107/S1600536809004991 . ПМЦ 2968696 . ПМИД 21582033 .
^ Эйзенманн, Бриджит; Кляйн, Юрген; Сомер, Мехмет (январь 1990 г.). «Анионы изостерические с CO ₃²⁻ в Cs ₅ SiP ₃ , Cs ₅ SiAs ₃ , Cs ₅ GeP ₃ и Cs ₅ GeAs ₃ ". Angewandte Chemie International Edition на английском языке . 29 (1): 87–88. doi : 10.1002/anie.199000871 .
^ Эйзенманн, Бриджит; Шефер, Герберт (1 апреля 1981 г.). «Фазы Цинтла с бинарными анионами: О знаниях о BaGe ₂ P ₂ и BaGe ₂ As ₂ / Фазы Цинтла с бинарными анионами: BaGe ₂ P ₂ и BaGe ₂ As ₂ » . Журнал естественных исследований Б. 36 (4): 415–419. дои : 10.1515/znb-1981-0403 . ISSN 1865-7117 . S2CID 95993285 .
^ Эйзенманн, Бриджит; Джордан, Ханна; Шефер, Герберт (февраль 1981 г.). «Ba ₄ SiAs ₄ и Ba ₄ GeAs ₄ , фазы Zintl с изолированным SiAs ₄⁸⁻ и ГеАс ₄⁸⁻ анионы». Applied Chemistry International Edition на английском языке . 20 (2): 197–198. doi : 10.1002/anie.198101972 .
^ Jump up to: ^а ^б Сохельния, Навид; Сюй, Хун; Чжан, Хуцинь; Тритт, Терри М.; Суэйнсон, Ян; Кляйнке, Хольгер (1 августа 2007 г.). «Термоэлектрические свойства Re ₃ Ge _0,6 As _6,4 и Re ₃ GeAs ₆ в сравнении с Mo ₃ Sb _5,4 Te _1,6 ». Химия материалов . 19 (16): 4063–4068. дои : 10.1021/cm0708517 .
^ Ли, Шеннон Дж.; Вон, Джуён; Ван, Линь-Лин; Цзин, Дапэн; Хармер, Колин П.; Марк, Джастин; Акопов Георгий; Ковнир, Кирилл (6 мая 2021 г.). «Новые нецентросимметричные тетрел-пниктиды, состоящие из плоско-квадратного золота (I) со своеобразной связью» . Химия – Европейский журнал . 27 (26): 7383–7390. дои : 10.1002/chem.202005312 . ПМЦ 8251799 . ПМИД 33523500 .

[1] Штер, Герберт; Клемм, Вильгельм (9 июля 1940 г.). «О двухкомпонентных системах с германием. II. Германий/мышьяк, германий/сурьма, германий/висмут» . Журнал неорганической и общей химии . 244 (2): 205–223. дои : 10.1002/zaac.19402440211 .

[2] Марк, Джастин; Ханрахан, Майкл П.; Ву, Кэтрин Э.; Ли, Шеннон; Россини, Аарон Дж.; Ковнир, Кирилл (2 мая 2019 г.). «Химическое и электрохимическое литирование ван-дер-ваальсовых тетрел-арсенидов» . Химия – Европейский журнал . 25 (25): 6392–6401. дои : 10.1002/chem.201900339 . ОСТИ 1526289 . ПМИД 30887569 . S2CID 83463348 .

[3] Джуза, Роберт; Шульц, Вернер (февраль 1954 г.). «Тройные фосфиды и арсениды лития с элементами 3-й и 4-й групп» . Журнал неорганической и общей химии (на немецком языке). 275 (1–3): 65–78. дои : 10.1002/zaac.19542750107 . ISSN 0044-2313 .

[4] Хатун, Мансура; Мар, Артур (01 мая 2016 г.). «NaGe ₆ As ₆ : Введение натрия в слоистый полупроводник арсенид германия GeAs» . Журнал естественных исследований Б. 71 (5): 375–380. дои : 10.1515/znb-2015-0203 . ISSN 1865-7117 . S2CID 197298002 .

[5] Эйзенманн, Б.; Кляйн, Дж.; Сомер, М. (1 февраля 1991 г.). Эйзенманн, Б.; Кляйн, Дж.; Сомер, М. (ред.). «Кристаллическая структура деканатия ди- μ -арсенид-бис(диарсенидогерманата), Na ₁₀ Ge ₂ As ₆ » . Журнал кристаллографии - Кристаллические материалы . 197 (3–4): 265–266. Бибкод : 1991ZK....197..265E . дои : 10.1524/zkri.1991.197.3-4.265 . ISSN 2194-4946 .

[6] Эйзенманн, Бриджит; Кляйн, Юрген (сентябрь 1991 г.). «SiS ₂ -изоструктурные анионы [SiP ₂²⁻], [GeAs ₂²⁻] и [SnAs ₂²⁻] in Alkaliverbindungen» . Journal of the Less Common Metals (на немецком языке). 175 (1): 109–117. doi : 10.1016/0022-5088(91)90355-8 .

[:02-7] Jump up to: ^а ^б Хатун, Мансура; Стойко, Станислав С.; Мар, Артур (июнь 2016 г.). «Тройные арсениды ATt ₃ As ₃ (A=K, Rb; Tt=Ge, Sn) со слоистой структурой». Журнал химии твердого тела . 238 : 229–235. Бибкод : 2016JSSCh.238..229K . дои : 10.1016/j.jssc.2016.03.035 .

[8] Эйленштейн, Армин Р.; Богдановский, Дмитрий; Рейнхардт, Хендрик; Мисс Ванесса; Ролинг, Бернард; Хапп, Норберт; Дронсковский, Ричард; Растяжка, Стефани (12 ноября 2019 г.). «K ₂ Ge ₃ As ₃ : Волокнистые кристаллы узкозонной фазы Цинтл с одномерной субструктурой _∞¹{(Ge ₃ As ₃ ) ^2–}». Химия материалов . 31 (21): 8839–8849. doi : 10.1021/acs.chemmater.9b02827 . S2CID 204116281 .

[9] Сомер, Мехмет; Петерс, Карл; фон Шнеринг, Ханс Георг (июль 1992 г.). «K ₂ NaGaP ₂ , Cs ₂ NaGaP ₂ , K ₂ NaGaAs ₂ , K ₂ NaInP ₂ и K ₂ NaInAs ₂ SiS ₂ , соединения с изостерическими полианионами ^∞
₁ [МХ _4/2 ] ³⁻ Ga In M = , ( :10.1002/zaac.19926130103. ISSN 0044-2313;

[:0-10] Jump up to: ^а ^б Хатун, Мансура; Стойко, Станислав С.; Мар, Артур (21 июля 2014 г.). «Четвертичные арсениды A CdGeAs ₂ ( A = K, Rb), построенные из этаноподобных Ge ₂ в виде ₆ единиц». Неорганическая химия . 53 (14): 7756–7762. дои : 10.1021/ic5011264 . ПМИД 24983676 .

[11] Эйзенманн, Бриджит; Шефер, Герберт (июнь 1980 г.). «Фазы Цинтла со сложными анионами: Sr ₃ Si ₂ As ₄ и Sr ₃ Ge ₂ As ₄ ». Международное издание «Прикладная химия» на английском языке . 19 (6): 490–491. дои : 10.1002/anie.198004901 .

[:1-12] Jump up to: ^а ^б Шрив-Кейер, Джули Л; Хаушальтер, Роберт С; Ли, Ён Сук; Ли, Сычу; О'Коннор, Чарльз Дж; Со, Дон Гюн; Вангбо, Мён Хван (май 1997 г.). «Новые слоистые материалы в системе K–In–Ge–As: K ₈ In ₈ Ge ₅ As ₁₇ и K ₅ In ₅ Ge ₅ As ₁₄ ». Журнал химии твердого тела . 130 (2): 234–249. Бибкод : 1997JSSCh.130..234S . дои : 10.1006/jssc.1996.7210 .

[:3-13] Jump up to: ^а ^б ^с Шрив-Кейер, Джули Л.; Хаушальтер, Роберт К. (1996), Кадзимура, Кодзи; Курода, Син-ичи (ред.), «Синтез и структурная характеристика материала четвертичной фазы Цинтл из системы Rb:Ge:In:As: Rb(Ge1.5ln0.5)As2(As1.5Ge0.5)» , Материалы и измерения в молекулярной электронике , Springer Proceedings in Physics, vol. 81, Токио: Springer Japan, стр. 139–150, doi : 10.1007/978-4-431-68470-1_11 , ISBN. 978-4-431-68472-5 , получено 8 декабря 2021 г.

[14] Аюз, Катя; Карс, Мохаммед; Ребба, Аллауа; Ребба, Хурия (15 марта 2009 г.). «Я ₈ Как ₂₁ Ge ₂₅ » . Acta Crystallographica Раздел E. 65 (3): i15. дои : 10.1107/S1600536809004991 . ПМЦ 2968696 . ПМИД 21582033 .

[15] Эйзенманн, Бриджит; Кляйн, Юрген; Сомер, Мехмет (январь 1990 г.). «Анионы изостерические с CO ₃²⁻ в Cs ₅ SiP ₃ , Cs ₅ SiAs ₃ , Cs ₅ GeP ₃ и Cs ₅ GeAs ₃ ". Angewandte Chemie International Edition на английском языке . 29 (1): 87–88. doi : 10.1002/anie.199000871 .

[16] Эйзенманн, Бриджит; Шефер, Герберт (1 апреля 1981 г.). «Фазы Цинтла с бинарными анионами: О знаниях о BaGe ₂ P ₂ и BaGe ₂ As ₂ / Фазы Цинтла с бинарными анионами: BaGe ₂ P ₂ и BaGe ₂ As ₂ » . Журнал естественных исследований Б. 36 (4): 415–419. дои : 10.1515/znb-1981-0403 . ISSN 1865-7117 . S2CID 95993285 .

[17] Эйзенманн, Бриджит; Джордан, Ханна; Шефер, Герберт (февраль 1981 г.). «Ba ₄ SiAs ₄ и Ba ₄ GeAs ₄ , фазы Zintl с изолированным SiAs ₄⁸⁻ и ГеАс ₄⁸⁻ анионы». Applied Chemistry International Edition на английском языке . 20 (2): 197–198. doi : 10.1002/anie.198101972 .

[:2-18] Jump up to: ^а ^б Сохельния, Навид; Сюй, Хун; Чжан, Хуцинь; Тритт, Терри М.; Суэйнсон, Ян; Кляйнке, Хольгер (1 августа 2007 г.). «Термоэлектрические свойства Re ₃ Ge _0,6 As _6,4 и Re ₃ GeAs ₆ в сравнении с Mo ₃ Sb _5,4 Te _1,6 ». Химия материалов . 19 (16): 4063–4068. дои : 10.1021/cm0708517 .

[19] Ли, Шеннон Дж.; Вон, Джуён; Ван, Линь-Лин; Цзин, Дапэн; Хармер, Колин П.; Марк, Джастин; Акопов Георгий; Ковнир, Кирилл (6 мая 2021 г.). «Новые нецентросимметричные тетрел-пниктиды, состоящие из плоско-квадратного золота (I) со своеобразной связью» . Химия – Европейский журнал . 27 (26): 7383–7390. дои : 10.1002/chem.202005312 . ПМЦ 8251799 . ПМИД 33523500 .

[1]

[2]

[3]

[4]

[5]

[6]

[7]

[8]

[9]

[10]

[11]

[12]

[13]

[14]

[15]

[16]

[17]

[18]

[19]