Галлия, индия, арсенида, антимонида, фосфида
Галлия, индия, арсенида, антимонида, фосфида ( Ga In As Sb P или GaInPAsSb ) — полупроводниковый материал .
Исследования показали, что GaInAsSbP можно использовать при производстве светодиодов среднего инфракрасного диапазона. [1] [2] и термофотоэлектрические элементы. [3]
Слои GaInAsSbP можно выращивать методом гетероэпитаксии на арсениде индия , антимониде галлия и других материалах. Точный состав можно настроить, чтобы он соответствовал решетке . Наличие пяти элементов в сплаве обеспечивает дополнительные степени свободы, позволяя фиксировать постоянную решетки, изменяя при этом ширину запрещенной зоны . Например, Ga 0,92 In 0,08 P 0,05 As 0,08 Sb 0,87 соответствует решетке InAs. [2]
См. также
[ редактировать ]- Фосфид алюминия-галлия
- Фосфид алюминия-галлия-индия
- Фосфид арсенида индия-галлия
- Индий арсенид антимонид фосфид
- Антимонид арсенида индия-галлия
Ссылки
[ редактировать ]- ^ Электролюминесценция среднего инфракрасного диапазона при комнатной температуре от светодиодов GaInAsSbP, А. Криер, В. М. Смирнов, П. Дж. Бэтти, В. И. Васильев, Г. С. Гагис и В. И. Кучинский, Прикл. Физ. Летт. том. 90 стр. 211115 (2007) дои : 10.1063/1.2741147
- ^ Jump up to: а б Решёточно-согласованные структуры GaInPAsSb/InAs для приборов инфракрасной оптоэлектроники, Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н., Шустов В.В., Кузнецов В.В., Когновицкая Е.А. 36 номер. 8 стр. 944-949 (2002) дои : 10.1134/1.1500478
- ^ Пентанарные термофотоэлектрические диоды GaInAsSbP с низкой запрещенной зоной, К. Дж. Читэм, П. Дж. Кэррингтон, Н. Б. Кук и А. Криер, Материалы для солнечной энергии и солнечные элементы, том. 95 стр. 534–537 (2011) два : 10.1016/j.solmat.2010.08.036
 | Эта физике конденсированного состояния, статья, посвященная незавершена . Вы можете помочь Википедии, расширив ее . |