✖


Jump to content

Эксинос

(Перенаправлено с Samsung Exynos )

Логотип Samsung Exynos (стилизован под SΛMSUNG Exynos)
Exynos 4 Quad (4412) на плате Samsung Galaxy S III . смартфона

Самсунг Эксинос , [1] ранее Hummingbird ( корейский : 엑시노스 ) представляет собой серию ARM на базе систем-на-кристаллах , разработанную подразделением System LSI компании Samsung Electronics и производимую Samsung Foundry . Это продолжение более ранних линеек SoC Samsung S3C, S5L и S5P .

Exynos в основном основан на ядрах ARM Cortex, за исключением некоторых высококлассных SoC, в которых используется запатентованная конструкция ядра Samsung серии «M»; хотя с 2021 года даже флагманские высококлассные SoC будут оснащены ядрами ARM Cortex. [2]

История

[ редактировать ]
См. Также: Список систем Samsung на чипах.

В 2010 году компания Samsung выпустила Hummingbird S5PC110 (теперь Exynos 3 Single) в своем смартфоне Samsung Galaxy S , оснащенном лицензированным процессором ARM Cortex-A8 . [3] Этот ARM Cortex-A8 имел кодовое название Hummingbird. Он был разработан в сотрудничестве с Intrinsity с использованием их технологий FastCore и Fast14 . [4]

В начале 2011 года компания Samsung впервые представила процессор Exynos 4210 SoC в своем Samsung Galaxy S II мобильном смартфоне . Код драйвера для Exynos 4210 был доступен в ядре Linux. [5] поддержка была добавлена ​​в версии 3.2 в ноябре 2011 года. [6] [7]

29 сентября 2011 года Samsung представила Exynos 4212. [8] как преемник 4210; он имеет более высокую тактовую частоту и « производительность 3D- графики на 50 процентов выше, чем у процессоров предыдущего поколения». [9] Создан с использованием (HKMG) 32 нм с металлическим затвором High-κ маломощного процесса ; он обещает «на 30 процентов более низкий уровень мощности по сравнению с предыдущим поколением процессов».

30 ноября 2011 года компания Samsung опубликовала информацию о своей будущей SoC с двухъядерным процессором ARM Cortex-A15 , который первоначально назывался «Exynos 5250», а позже был переименован в Exynos 5 Dual. Этот SoC имеет интерфейс памяти, обеспечивающий пропускную способность памяти 12,8 ГБ/с, поддержку USB 3.0 и SATA 3 , может декодировать полное 1080p видео со скоростью 60 кадров в секунду и одновременно отображать разрешение WQXGA (2560 × 1600) на мобильном дисплее, а также 1080p через HDMI. [10] Этот SoC использовался в некоторых Chromebook с 2013 года. Samsung Exynos 5 Dual использовался в прототипе суперкомпьютера 2015 года. [11] в то время как в конечном продукте будет использоваться чип, предназначенный для серверов другого производителя.

26 апреля 2012 года компания Samsung выпустила процессор Exynos 4 Quad, который используется в Samsung Galaxy S III и Samsung Galaxy Note II . [12] SoC Exynos 4 Quad потребляет на 20% меньше энергии, чем SoC в Samsung Galaxy S II. Samsung также изменила название нескольких SoC: Exynos 3110 на Exynos 3 Single, Exynos 4210 и 4212 на Exynos 4 Dual 45 нм. [13] и Exynos 4 Dual 32 нм [14] и от Exynos 5250 до Exynos 5 Dual.

дизайн-центр В 2010 году компания Samsung основала в Остине под названием Samsung's Austin R&D Center (SARC). Samsung наняла многих бывших сотрудников AMD, Intel, ARM и других ветеранов отрасли. [15] SARC разрабатывает высокопроизводительные, маломощные, сложные архитектуры и конструкции ЦП и системных IP (когерентное межсоединение и контроллер памяти). [16] В 2012 году Samsung начала разработку IP-графического процессора под названием «S-GPU». [17] После трехлетнего цикла разработки первое специализированное ядро ​​ЦП SARC под названием M1 было выпущено в Exynos 8890 в 2016 году. [18] В 2017 году в Сан-Хосе была открыта Лаборатория перспективных вычислений (ACL) для продолжения разработки индивидуальных графических процессоров. [15] Специальные ядра ЦП Samsung в течение четырех поколений назывались Mongoose, от M1 до M4, а SoC Exynos с такими ядрами никогда не были на одном уровне по энергоэффективности или производительности со своими эквивалентами Qualcomm Snapdragon . [19] [20]

3 июня 2019 года AMD и Samsung объявили о многолетнем стратегическом партнерстве в области IP-технологий для мобильной графики на основе IP-адресов AMD Radeon GPU. [21] [17] NotebookCheck сообщил, что Samsung планирует выпустить свой первый процессор SoC с AMD Radeon GPU IP в 2021 году. [22] Однако AnandTech сообщила о 2022 году. [23] В августе 2019 года во время отчета AMD о прибылях и убытках за второй квартал 2019 года компания AMD заявила, что Samsung планирует выпустить SoC с графической интеллектуальной собственностью AMD примерно через два года. [24] Первой SoC, использующей графический процессор Radeon, был Exynos 2200, представленный в январе 2022 года, со специальным Xclipse 920 на базе микроархитектуры AMD RDNA 2. [25]

1 октября 2019 года появились слухи о том, что Samsung уволила в SARC свою команду по созданию ядра процессора. [26] [27] [28] 1 ноября 2019 года компания Samsung направила письмо WARN в Комиссию по трудовым ресурсам Техаса , уведомив о предстоящих увольнениях команды процессоров SARC и прекращении разработки собственных ядер процессора. [29] SARC и ACL по-прежнему продолжат разработку собственных SoC, AI и GPU. [30]

В июне 2021 года Samsung наняла инженеров AMD и Apple, чтобы сформировать новую команду по индивидуальной архитектуре. [31]

В октябре 2021 года Google выпустила серию телефонов Pixel 6 на базе процессора Google Tensor SoC , созданного в сотрудничестве с Samsung. [32]

Текущие процессоры Exynos (с 2020 г. по настоящее время)

[ редактировать ]

Начиная с 2020 года Samsung представила новую серию процессоров Exynos SoC с меньшими номерами, чем раньше. Это указывает на разрыв между предыдущими процессорами Exynos, по крайней мере, в названии.

Эксинос серии 800

[ редактировать ]
SoC Процессор графический процессор Технология памяти ИИ-ускоритель Модем Возможности подключения Выпущенный Устройства, использующие
Номер модели Потрясающе. Размер матрицы (мм 2 ) ОДИН царч царч Частота ( МГц ) Производительность GFLOPS (FP32) Тип Ширина шины ( бит ) Пропускная способность ( ГБ /с)
Эксинос 850 (S5E3830) [33] 8 нм (Самсунг 8ЛПП) ARMv8.2-А 8 ядер 2,0 ГГц Cortex-A55 Мали-G52 MP1 1000 ЛПДДР4Х - Шеннон 318 LTE Cat.7 2CA 300 Мбит/с (DL) /

Кат.13 2CA 150 Мбит/с (UL)

Bluetooth 5.0, Wi-Fi 802.11a/b/g/n/ac 2 квартал 2020 г.
Список
Эксинос 880 (S5E8805) [34] 2 + 6 ядер (2,0 ГГц Cortex-A77 + 1,8 ГГц Cortex-A55 ) Мали-G76 MP5 НПУ Шеннон 5G

LTE DL: Cat.16 1000 Мбит/с, 5CA, 256-QAMUL: Cat.18, 200 Мбит/с, 2CA, 256-QAM

5G NR Sub-6 ГГцDL: 2,55 Гбит/сВЛ: 1,28 Гбит/с

Список

Эксинос серии 900

[ редактировать ]
SoC Процессор графический процессор Технология памяти ИИ-ускоритель Модем Возможности подключения Выпущенный Устройства, использующие
Номер модели Потрясающе. Размер матрицы (мм 2 ) ОДИН царч царч Частота ( МГц ) Производительность GFLOPS (FP32) Тип Ширина шины ( бит ) Пропускная способность ( ГБ /с)
Эксинос 980 (S5E9630) [35] 8 нм (Самсунг 8ЛПП) ARMv8.2-А 2 + 6 ядер (2,2 ГГц Cortex-A77 + 1,8 ГГц Cortex-A55 ) Маленький G76 MP5 728 262 ЛПДДР4Х 64-битный (4 × 16-битный) четырехканальный 2133 МГц (34,128 ГБ/с) Одноядерный NPU и DSP

? Единицы MAC @ ?

Шеннон 5188 5G

LTE DL: Cat.16 1000 Мбит/с, 5CA, 256-QAMUL: Cat.18, 200 Мбит/с, 2CA, 256-QAM

5G NR Sub-6 ГГцDL: 2,55 Гбит/сВЛ: 1,28 Гбит/с

Bluetooth 5.0, Wi-Fi 802.11a/b/g/n/ac/ax Q4 2019
Список
Эксинос 990 (S5E9830) [36] 7 нм (Самсунг 7ЛПП) 91.83 [37] 2+2+4 ядра (2,73 ГГц Exynos M5 «Лев» + 2,6 ГГц Cortex-A76 + 2,11 ГГц Cortex-A55 )

2 МБ системного кэша

У них был G77 MP11. 832 1,205 ЛПДДР5 2750 МГц (44 ГБ/с) Двухъядерный процессор

? Единицы MAC @ ?

ЦСП

(15 ТОПов)

В сочетании с модемом Exynos 5123.

LTE DL: Cat.24 3000 Мбит/с, 8CA, 1024-QAMUL: Cat.22, 422 Мбит/с, 2CA, 256-QAM

5G NR Sub-6 ГГцDL: 5,1 Гбит/сUL: ?Гбит/с

5G NR ммволныDL: 7,35 Гбит/сUL: ?Гбит/с

Bluetooth 5.0, Wi-Fi 802.11a/b/g/n/ac/ax 1 квартал 2020 г.
Список

Эксинос серии 1000

[ редактировать ]

Эксинос 1080

SoC Процессор графический процессор Технология памяти ИИ-ускоритель Модем Возможности подключения Выпущенный Устройства, использующие
Номер модели Потрясающе. Размер матрицы (мм 2 ) ОДИН царч царч Частота ( МГц ) Производительность GFLOPS (FP32) Тип Ширина шины ( бит ) Пропускная способность ( ГБ /с)
Эксинос 1080 (S5E9815) [40] 5 нм (Самсунг 5LPE) ARMv8.2-А 1 + 3 + 4 ядра (2,8 ГГц Cortex-A78 + 2,6 ГГц Cortex-A78 + 2,0 ГГц Cortex-A55 ) Мали G78 MP10 800 1,024 ЛПДДР4Х
ЛПДДР5 		64-битный (4 × 16-битный) четырехканальный 2133 МГц (34,128 ГБ/с)

2750 МГц (44 ГБ/с) 		НПУ + ДСП

(5,7 ТОПов)

LTE DL: Cat.18 1200 Мбит/с, 6CA, 256-QAM

UL: Cat.18, 200 Мбит/с, 2CA, 256-QAM

5G NR Sub-6 ГГцDL: 5,1 Гбит/сВЛ: 1,28 Гбит/с

5G NR ммволны DL: 3,67 Гбит/с ВЛ: 3,67 Гбит/с

Bluetooth 5.2, Wi-Fi 802.11a/b/g/n/ac/ax Q4 2020
Список
Эксинос 1280 (S5E8825) [41] 2 + 6 ядер (2,4 ГГц Cortex-A78 + 2,0 ГГц Cortex-A55 ) Мали-G68 MP4 900 НПУ
(4,3 ТОПа) 		Шеннон 5G

LTE DL: Cat.18 1,2 Гбит/с, 6CA, 256-QAMUL: Cat.18, 200 Мбит/с, 2CA, 256-QAM

5G NR Sub-6 ГГцDL: 2,55 Гбит/сВЛ: 1,28 Гбит/с

5G NR ммволны DL: 1,84 Гбит/с ВЛ: 0,92 Гбит/с

Bluetooth 5.2, Wi-Fi 802.11a/b/g/n/ac 1 квартал 2022 г.
Список
Эксинос 1330 (S5E8535) [42] У них был G68 MP2. 950 5G NR Sub-6 ГГц 2,55 Гбит/с (DL) / 1,28 Гбит/с (UL)

LTE Cat.18 6CC (DL) / Cat.18 2CC (UL)

Bluetooth 5.2, Wi-Fi 802.11a/b/g/n/ac, GPS, ГЛОНАСС, BeiDou, Galileo 1 квартал 2023 г.
Список
Эксинос 1380 (S5E8835) [43] 4 + 4 ядра (2,4 ГГц Cortex-A78 + 2,0 ГГц Cortex-A55 ) Маленький G68 MP5 950 608 НПУ
(4,9 ТОПов) 		5G NR Sub-6 ГГц 3,79 Гбит/с (DL) / 1,28 Гбит/с (UL)

5G NR mmWave 3,67 Гбит/с (DL) / 0,92 Гбит/с (UL)
LTE Cat.18 1,2 Гбит/с (DL) / Cat.18 211 Мбит/с (UL)

Bluetooth 5.3, Wi-Fi 802.11a/b/g/n/ac/ax, GPS, ГЛОНАСС, BeiDou, Galileo 1 квартал 2023 г.
Список
Эксинос 1480 (S5E8845) [44] 4 нм (Самсунг 4ЛПП) 4 + 4 ядра (2,75 ГГц Cortex-A78 + 2,0 ГГц Cortex-A55 ) Xclipse 530 «Титан» ( РДНА 2
128:8:8:2
1 ЗГП) [а] 		1300 333 6K MAC NPU 5G NR Sub-6 ГГц 5,10 Гбит/с (DL) / 1,28 Гбит/с (UL)

5G NR mmWave 4,84 Гбит/с (DL) / 0,92 Гбит/с (UL)
LTE Cat.18 1,2 Гбит/с (DL) / Cat.18 211 Мбит/с (UL)

Bluetooth 5.3, Wi-Fi 6E, GPS, ГЛОНАСС, Бэйдоу, Галилео, QZSS 1 квартал 2024 г.
Список

Эксинос 2000 серии

[ редактировать ]

Эксинос 2100

  • 5-нм техпроцесс ( Samsung 5LPE) [45]
  • 6 МБ кэша системного уровня (SLC)
  • процессора Возможности
    • 1 + 3 + 4 ядра (2,91 ГГц Cortex-X1 + 2,81 ГГц Cortex-A78 + 2,2 ГГц Cortex-A55 )
    • Производительность на 19% выше в одном потоке [46]
    • Производительность на 33% выше в многопоточности [47]
  • графического процессора Возможности
  • DSP Возможности
    • Кодирование 8K30 и 4K120 и декодирование 8K60
    • Добавить поддержку AV1 в 8K60 (заявлена ​​поддержка декодирования, но не реализована, поэтому это утверждение не подтверждено) [50] [51]
    • Ускорение видео мультиформатного кодека (MFC) для H.265/HEVC, H.264, VP9 [52]
    • HDR10+
  • Возможности интернет-провайдера
    • Одиночный: 200 МП или двойной: 32 МП+32 МП [53]
    • До четырех одновременных камер [54]
  • Модем и беспроводные функции
    • Bluetooth 5.2 (с версии 5.0 на Exynos 990)
    • модем Exynos Встроенный [39]
    • LTE 24/18 Категория
    • 6СА, 256-КАМ
    • 5G NR Sub-6 (DL = 5100 Мбит/с и UL = 1920 Мбит/с)
    • 5G NR mmWave (DL = 7350 Мбит/с и UL = 3670 Мбит/с)
  • Поддержка однодиапазонной ГНСС : GPS, Galileo, ГЛОНАСС, BeiDou

Эксинос 2200

Эксинос 2400

  • Процесс 4 нм (Samsung 4LPP+)
  • процессора Возможности
    • Увеличение производительности процессора в 1,7 раза по сравнению с Exynos 2200
    • 1 + 2 + 3 + 4 ядра (3,21 ГГц Cortex-X4 + 2,9 ГГц Cortex-A720 + 2,59 ГГц Cortex-A720 + 1,96 ГГц Cortex-A520
    • 2 МБ + 2x 512 КБ + 3x 512 КБ + 4x 256 КБ L2
    • 8 МБ L3
  • графического процессора Возможности
    • Xclipse 940 ( RDNA 3 ) на частоте 1095 МГц (индивидуальная RDNA 3 768:48:32:12 Hexa core (6 WGP), 2 МБ L2)
    • Драйвер на основе ANGLE, поддерживающий Vulkan 1.3.231
    • Трассировка лучей (аппаратная)
  • НПУ Особенности
    • 17 тысяч блоков MAC, состоящих из двух GNPU и двух SNPU.
    • Повышение производительности искусственного интеллекта в 14,7 раза по сравнению с Exynos 2200
SoC Процессор графический процессор Технология памяти ИИ-ускоритель Модем Возможности подключения Выпущенный Устройства, использующие
Номер модели Потрясающе. Размер матрицы (мм 2 ) ОДИН царч царч Частота ( МГц ) Производительность GFLOPS (FP32) Тип Ширина шины ( бит ) Пропускная способность ( ГБ /с)
Эксинос 2100 (S5E9840) [58] 5 нм (Самсунг 5LPE) 128.1 [59] ARMv8.2-А 1 + 3 + 4 ядра (2,91 ГГц Cortex-X1 + 2,81 ГГц Cortex-A78 + 2,2 ГГц Cortex-A55 ) Мали G78 MP14 854 1,530.3 [60] ЛПДДР5 64-битный (4 × 16-битный) четырехканальный 3200 МГц (51,2 ГБ/с) Тройной НПУ + ЦСП

(26 ТОПов)

Модем Exynos 5123

LTE DL: Cat.24 3000 Мбит/с, 8CA, 1024-QAMUL: Cat.18, 422 Мбит/с, 4CA, 256-QAM

5G NR Sub-6 ГГцDL: 5,1 Гбит/сВЛ: 1,92 Гбит/с

5G NR ммволны DL: 7,35 Гбит/с ВЛ: 3,67 Гбит/с

Bluetooth 5.2, Wi-Fi 802.11a/b/g/n/ac/ax 1 квартал 2021 г.
Список
Эксинос 2200 (S5E9925) [61] 4 нм (Самсунг 4LPE) 104.7 [59] ARMv9.0-А 1 + 3 + 4 ядра (2,8 ГГц Cortex-X2 + 2,52 ГГц Cortex-A710 + 1,82 ГГц Cortex-A510 ) Xclipse 920 "Вояджер"
( РДНА 2
384:24:24:6
3 ЗГП [55] ) [а] 		1306 1,003 [60] Двойной НПУ + ЦСП Шеннон 5133

LTE DL: Cat.24 3000 Мбит/с, 8CA, 1024-QAMUL: Cat.22, 422 Мбит/с, 4CA, 256-QAM

5G NR Sub-6 ГГцDL: 5,1 Гбит/сВЛ: 2,55 Гбит/с

5G NR ммволны DL: 7,35 Гбит/с ВЛ: 3,67 Гбит/с

Bluetooth 5.2, Wi-Fi 802.11a/b/g/n/ac/ax 1 квартал 2022 г.
Список
Эксинос 2400 (S5E9945) [62] [63] 4 нм (Самсунг 4LPP+) 137.4 [59] ARMv9.2-А 1 + 2 + 3 + 4 ядра (3,2 ГГц Cortex-X4 + 2,9 ГГц Cortex-A720 + 2,6 ГГц Cortex-A720 + 1,95 ГГц Cortex-A520 ) Xclipse 940 «Магеллан»
( РДНА 3
768:48:32:12
6 ЗГП) [а] 		1095 3,406.8 [64] ЛПДДР5Х 4266 МГц (68,2 ГБ/с) 17K MAC NPU (2x GNPU + 2x SNPU ) + DSP Модем Exynos 5400

LTE DL: Cat.24 3000 Мбит/с, 8CA, 1024-QAMUL: Cat.22, 422 Мбит/с, 4CA, 256-QAM

5G NR Sub-6 ГГцСкорость передачи: 9,64 Гбит/сВЛ: 2,55 Гбит/с

5G NR ммволны DL: 12,1 Гбит/с ВЛ: 3,67 Гбит/с

Un­known 1 квартал 2024 г.
Список
  1. ^ Перейти обратно: а б с Унифицированные шейдеры : Единицы наложения текстур : Единицы вывода рендеринга : лучевые ускорители и процессор рабочей группы (WGP)

Предыдущие SoC Exynos (2010–2019 гг.)

[ редактировать ]
SoC Процессор графический процессор Технология памяти ИИ-ускоритель Модем Возможности подключения Выпущенный Устройства, использующие
Номер модели Потрясающе. Размер матрицы
(мм 2 ) 		ОДИН царч царч Частота
( МГц ) 		Производительность
(ГФЛОПС) 		Тип Ширина шины ( бит ) Пропускная способность ( ГБ /с)
Exynos 3 одноместный 3110 [65]
(ранее Колибри S5PC110) 		45 нм (Samsung 45 нм HKMG) ARMv7 1 ядро
1,2 ГГц Cortex-A8 		PowerVR SGX540 200 3.2 [66] ЛПДДР, ЛПДДР2 или DDR2 64-битный (2x32-битный) двухканальный 200 МГц — 2 квартал 2010 г.
Список
Эксинос 3 Quad 3470 [67] 28 нм (Samsung 28 нм HKMG) 4 ядра 1,4 ГГц Cortex-A7 Мали-400 МП4 450 16.2 ЛПДДР3 64-битный (2×32-битный) двухканальный Q3 2014
Список
Эксинос 3 Quad 3475 4 ядра 1,3 ГГц Cortex-A7 Мали-Т720 600 10.2 ЛПДДР3 Q3 2015
Список
Эксинос 4 двойной 4210 [68] [13] 45 нм (Samsung 45 нм HKMG) 2 ядра 1,4 ГГц Cortex-A9 Мали-400 МП4 266 9.6 LPDDR2, DDR2 или DDR3 64-битный (2×32-битный) двухканальный 400 МГц (6,4 ГБ/с) [69] [70] [71] [72] 2 квартал 2011 г.
Список
Эксинос 4 двойной 4212 [68] [14] 32 нм (Samsung 32 нм HKMG ) 2 ядра 1,5 ГГц Cortex-A9 400 [74] 14.4 1 квартал 2012 г.
Список
Эксинос 4 Quad 4412 [76] [71] 4 ядра 1,6 ГГц Cortex-A9 400–533 [77] 15.84 2 квартал 2012 г.
Список
Эксинос 4 Quad 4415 [76] [71] 28 нм (Samsung 28 нм HKMG ) 4 ядра 1,5 ГГц Cortex-A9 533 [90] 19.2 Q3 2014 [90]
Список
Эксинос 5 двойной 5250 [91] [92] 32 нм (Samsung 32 нм HKMG ) 2 ядра 1,7 ГГц Cortex-A15 Мали-Т604 МП4 [93] 533 68.224 [ нужна ссылка ] ЛПДДР2, ЛПДДР3 или DDR3 64-битный (2×32-битный) двухканальный 800 МГц (12,8 ГБ/с) Q3 2012 [91]
Список
Эксинос 5 Гекса 5260 [98] [99] 28 нм (Samsung 28 нм HKMG) 2+4 ядра ( Cortex-A15 1,3 ГГц 1,7 ГГц + Cortex-A7 ) Мали-Т624 МП4 600 76,8 (ФП32) ЛПДДР3 64-битный (2×32-битный) двухканальный 800 МГц (12,8 ГБ/с) 2 квартал 2014 г.
Список
Эксинос 5 октября 5410 [100] [101] [102] [103] 4+4 ядра (1,6 ГГц Cortex-A15 + 1,2 ГГц Cortex-A7 ) PowerVR SGX544 MP3 480–532 [104] 49 2 квартал 2013 г.
Список
Эксинос 5 октября 5420 [108] 136.96 4+4 ядра (1,9 ГГц Cortex-A15 + 1,3 ГГц Cortex-A7 ) Мали-Т628 МП6 533 102,4 (ФП32) ЛПДДР3е 64-битный (2×32-битный) двухканальный 933 МГц (14,9 ГБ/с) Q3 2013
Список
Эксинос 5 октября 5422 [98] [111] 4+4 ядра (2,1 ГГц Cortex-A15 + 1,5 ГГц Cortex-A7 ) 2 квартал 2014 г.
Список
Эксинос 5 октября 5430 [113] [114] 20 нм (Samsung 20 нм HKMG) 110.18 4+4 ядра (1,8 ГГц Cortex-A15 + 1,3 ГГц Cortex-A7 ) 600 115,2 (ФП32) ЛПДДР3е/ДДР3 64-битный (2×32-битный) двухканальный 1066 МГц (17,0 ГБ/с) Q3 2014
Список
Эксинос 5 октября 5800 [116] 28 нм (Samsung 28 нм HKMG) 4+4 ядра (2,0 ГГц Cortex-A15 + 1,3 ГГц Cortex-A7 ) ? ? ЛПДДР3/ДДР3 64-битный (2×32-битный) двухканальный 933 МГц (14,9 ГБ/с) 2 квартал 2014 г.
Список
Эксинос 7 октября 5433 г. [118] [119] [120] 20 нм (Samsung 20 нм HKMG) 113.42 [121] ARMv8-А 4 + 4 ядра (1,9 ГГц Cortex-A57 + 1,3 ГГц Cortex-A53 ) GTS Мали-Т760 МП6 700 142 ЛПДДР3 64-битный (2×32-битный) двухканальный 825 МГц (13,2 ГБ/с) [118] В сочетании с Samsung M303/ Intel XMM 7260 LTE Cat 6 (300 Мбит/с) или Ericsson M7450 LTE Cat 4 [122] Bluetooth, Wi-Fi Q4 2014
Список
Эксинос 7 октября 7420 [123] [124] [125] 14 нм (Самсунг 14LPE) 78.23 [121] 4 + 4 ядра (2,1 ГГц Cortex-A57 + 1,5 ГГц Cortex-A53 ) GTS Мали-Т760 МП8 772 210 ЛПДДР4 1553 МГц (24,88 ГБ/с) [126] В паре с Шеннон 333

LTE Cat 9 (450 Мбит/с)

Bluetooth, Wi-Fi 2 квартал 2015 г.
Список
Эксинос 7 Quad 7570 [129] [130] [131] 14 нм (Самсунг 14LPC) 4 ядра 1,4 ГГц Cortex-A53 Мали-Т720 МП1 [132] 830 19.1 ЛПДДР3 32-битный одноканальный 1066 МГц (4,2 ГБ/сек) LTE Cat.4 2CA 150 Мбит/с (DL) /

50 Мбит/с (UL)

Bluetooth 4.2, Wi-Fi 802.11a/b/g/n Q3 2016
Список
Эксинос 7 Quad 7578 28 нм (Samsung 28 нм HKMG) 4 ядра 1,5 ГГц Cortex-A53 Мали-Т720 МП2 668 22.7 Bluetooth, Wi-Fi 2 квартал 2015 г.
Список
Эксинос 7 октября 7580 [133] [134] 8 ядер 1,6 ГГц Cortex-A53 64-битный (2×32-битный) двухканальный 933 МГц (14,9 ГБ/сек) LTE Cat.6 2CA 300 Мбит/с (DL) /

50 Мбит/с (UL)

Список
Эксинос 7 октября 7870 [136] [137] 14 нм (Самсунг 14LPP) Мали-Т830 МП1 [138] 700 23.8 32-битный одноканальный [139] 933 МГц Bluetooth, Wi-Fi 1 квартал 2016 г.
Список
Эксинос 7880 [144] [145] [146] 8 ядер 1,9 ГГц Cortex-A53 Mali-T830 MP3 950 71.4 ЛПДДР4 64-битный (2×32-битный) двухканальный 1600 МГц (12,8 ГБ/сек) LTE Cat.7 3CA 300 Мбит/с (DL) /

2CA 100 Мбит/с (UL)

Bluetooth, Wi-Fi 1 квартал 2017 г.
Список
Эксинос 7872 [147] 2 + 4 ядра (2,0 ГГц Cortex-A73 + 1,6 ГГц Cortex-A53 ) GTS Мали-G71 MP1 1200 41 ЛПДДР3 32-битный одноканальный 933 МГц (3,7 ГБ/сек) LTE Cat.7 2CA 300 Мбит/с (DL) /

Кат.13 2CA 150 Мбит/с (UL)

Bluetooth 4.2, Wi-Fi 802.11a/b/g/n 1 квартал 2018 г. Мейзу М6с
Эксинос 7884А [148] 2 + 6 ядер (1,35 ГГц Cortex-A73 + 1,35 ГГц Cortex-A53 ) GTS Mali-G71 MP2 Un­known 64-битный (2×32-битный) двухканальный LTE Cat.4 2CA 150 Мбит/с (DL) /

2CA 50 Мбит/с (UL)

Q3 2018
Список
Эксинос 7884 [149] 2 + 6 ядер (1,6 ГГц Cortex-A73 + 1,35 ГГц Cortex-A53 ) GTS 770 53 ЛПДДР4 Шеннон 327 LTE Cat.12 3CA 600 Мбит/с (DL) /

Кат.13 2CA 150 Мбит/с (UL)

Bluetooth 5.0 , Wi-Fi 802.11a/b/g/n/ac 2 квартал 2018 г.
Список
Эксинос 7885 [150] [151] 2 + 6 ядер (2,2 ГГц Cortex-A73 + 1,6 ГГц Cortex-A53 ) GTS 1100 76 32-битный (2×16-битный) двухканальный 1866 МГц (7,5 ГБ/сек) 1 квартал 2018 г.
Список
Эксинос 7904 [152] 2 + 6 ядер (1,8 ГГц Cortex-A73 + 1,6 ГГц Cortex-A53 ) GTS 770 53 64-битный (2×32-битный) двухканальный 1 квартал 2019 г.
Список
Эксинос 8 октября 8890

[153]

4+4 ядра (2,3 ГГц, до 2,6 ГГц в двухъядерной нагрузке, Exynos M1 «Мангуст» + 1,6 ГГц Cortex-A53 ) GTS Мали-Т880 МП12 650 265.2 ЛПДДР4 64-битный (2×32-битный) двухканальный Шеннон 335 LTE

DL: LTE Cat 12 600 Мбит/с, 3CA
UL: LTE Cat 13 150 Мбит/с, 2CA

Bluetooth 4.2, Wi-Fi 802.11a/b/g/n/ac 1 квартал 2016 г.
Список
4 + 4 ядра (2,0 ГГц Exynos M1 «Мангуст» + 1,5 ГГц Cortex-A53 ) GTS Mali-T880 MP10 (облегченный) 650 221
Список
Эксинос 8895

[155] [156] [157]

10 нм (Самсунг 10LPE) 103.64 [158] 4 + 4 ядра (2,314 ГГц Exynos M2 «Мангуст» + 1,69 ГГц Cortex-A53 ) GTS Mali-G71 MP20 546 [159] 375 ЛПДДР4Х 1794 МГц (28,7 ГБ/с) [160] [161] Шеннон 355 LTE

DL: LTE Cat 16, 1050 Мбит/с, 5CA, 256-QAM)
UL: LTE Cat 13, 150 Мбит/с, 2CA, 64-QAM

Bluetooth 5.0, Wi-Fi 802.11a/b/g/n/ac 2 квартал 2017 г.
Список
Эксинос 9609 [162] 4 + 4 ядра (2,2 ГГц Cortex-A73 + 1,6 ГГц Cortex-A53 ) Mali-G72 MP3 ЛПДДР4Х 32-битный (2×16-битный) двухканальный 1600 МГц (11,9 ГБ/сек) Шеннон 337 LTE Cat.12 3CA 600 Мбит/с (DL) /

Кат.13 2CA 150 Мбит/с (UL)

Bluetooth 5.0, Wi-Fi 802.11a/b/g/n/ac 2 квартал 2019 г.
Список
Эксинос 9610 [163] 4 + 4 ядра (2,3 ГГц Cortex-A73 + 1,7 ГГц Cortex-A53 ) Q4 2018 Самсунг Галакси А50
Эксинос 9611 [164] 850 92 Q3 2019
Список
Эксинос 9810 (S5E9810) [165] [166] 10 нм (Самсунг 10ЛПП) 118.94 [167] ARMv8.2-А 4+4 ядра (2,9 ГГц Exynos M3 «Сурикат» [158] + 1,9 ГГц Cortex-A55 ) Мали-G72 MP18 572 370 [168] ЛПДДР4Х 64-битный (4 × 16-битный) четырехканальный 1794 МГц (28,7   ГБ/с) [160] Шеннон 360 LTE

DL: LTE Cat 18, 1200 Мбит/с, 6CA, 256-QAM
UL: LTE Cat 13, 200 Мбит/с, 2CA, 256-QAM

Bluetooth 5.0, Wi-Fi 802.11a/b/g/n/ac 1 квартал 2018 г.
Список
Эксинос 9820 (S5E9820) [169] 8 нм (Самсунг 8ЛПП) 127 [170] 2+2+4 ядра (2,73 ГГц Exynos M4 «Гепард» + 2,31 ГГц Cortex-A75 + 1,95 ГГц Cortex-A55 ) Мали G76 MP12 702 607 2093 МГц (33,488 ГБ/с)

[170]

Двухъядерный процессор

1024 единицы MAC @ 933 МГц [170] (1,86 ТОП)

Шеннон 5000 LTE

DL: Cat.20, 2000 Мбит/с, 8CA, 256-QAMUL: Cat.13, 316 Мбит/с, 3CA, 256-QAM

Bluetooth 5.0, Wi-Fi 802.11a/b/g/n/ac/ax 1 квартал 2019 г.
Список
Эксинос 9825 (S5E9825) [171] 7 нм (Самсунг 7ЛПП) 2+2+4 ядра (2,73 ГГц Exynos M4 «Гепард» + 2,4 ГГц Cortex-A75 + 1,95 ГГц Cortex-A55 ) 754 652 Q3 2019
Список

Список носимых процессоров Exynos

[ редактировать ]
SoC Процессор графический процессор Технология памяти ИИ-ускоритель Модем Возможности подключения Выпущенный Устройства, использующие
Номер модели Потрясающе. Размер матрицы (мм 2 ) ОДИН царч царч Частота ( МГц ) Производительность GFLOPS (FP32) Тип Ширина шины ( бит ) Пропускная способность ( ГБ /с)
Exynos 4 одиночный 4212 [68] [14] 32 нм (Samsung 32 нм HKMG ) ARMv7-А 1 ядро ​​Cortex-A9 0,8 ГГц Мали-400 МП4 400 [172] 14.4 LPDDR2, DDR2 или DDR3 64-битный (2×32-битный) двухканальный 400 МГц (6,4 ГБ/с) — Q3 2013
Список
Эксинос 2 двойной 3250 28 нм (Samsung 28 нм HKMG ) 2 ядра 1,0 ГГц Cortex-A7 Малый -400 МП2 400 7.2 2 квартал 2014 г.
Список
Эксинос 7 двойной 7270
(SC57270) [173] 		14 нм (Самсунг 14LPP) ARMv8-А 2 ядра 1,0 ГГц Cortex-A53 Мали-Т720 МП1 667 15.3 ЛПДДР3 64-битный (2×32-битный) двухканальный 25.6 LTE Cat.4 2CA 150 Мбит/с (DL) / 50 Мбит/с (UL) Bluetooth 4.2 , Wi-Fi 4 , GPS , ГЛОНАСС , BeiDou , Galileo , eMMC Q3 2016
Список
Эксинос 9110
(SC59110XSC) [175] 		10 нм (Самсунг 10ЛПП) 2 ядра 1,15 ГГц Cortex-A53 ЛПДДР4
ЛПДДР4Х 		Un­known Un­known LTE Cat.4 2CA 150 Мбит/с (DL) / Cat.5 75 Мбит/с (UL) Q3 2018
Список
Эксинос W920
(SC55515XBD) [176] 		5 нм (Самсунг 5LPE) ARMv8.2-А 2 ядра 1,18 ГГц Cortex-A55 Мали-G68 MP2 Un­known Un­known ЛПДДР4 Un­known Un­known Bluetooth 5.0 , Wi-Fi 4 , GPS , ГЛОНАСС , BeiDou , Galileo , eMMC 5.1 Q3 2021
Список
Эксинос W930
(SC55515XBE) [177] 		5 нм (Самсунг 5ЛПП) 2 ядра 1,4 ГГц Cortex-A55 Un­known Un­known Un­known Un­known Bluetooth 5.2 , Wi-Fi 4 , GPS , ГЛОНАСС , BeiDou , Galileo , eMMC 5.1 Q3 2023
Список
Эксинос W1000
(SC55535AHA) [178] 		3 нм (Самсунг SF3) 17.67 1 ядро ​​1,6 ГГц Cortex-A78
4 ядра 1,5 ГГц Cortex-A55 		Un­known Un­known ЛПДДР5 Un­known Un­known Bluetooth 6.0, Wi-Fi 4 , GPS , ГЛОНАСС , BeiDou , Galileo , eMMC 5.1 Q3 2024
Список

Список модемов Exynos

[ редактировать ]

Модем Exynos 303

  • Поддерживаемые режимы LTE FDD, LTE TDD, WCDMA и GSM/EDGE
  • LTE-кат. 6
  • Нисходящий канал: 2CA, 300 Мбит/с, 64-QAM
  • Восходящий канал: 100 Мбит/с, 16-QAM
  • 28-нм процесс HKMG
  • В сочетании с: Exynos 5 Octa 5430 и Exynos 7 Octa 5433.
  • Устройства, использующие: Samsung Galaxy Note 4 , Samsung Galaxy Note Edge и Samsung Galaxy Alpha. [179]

Модем Exynos 333

  • Поддерживаемые режимы LTE FDD, LTE TDD, WCDMA, TD-SCDMA и GSM/EDGE.
  • LTE-кат. 10
  • Нисходящий канал: 3CA 450 Мбит/с 64-QAM
  • Восходящий канал: 2CA 100 Мбит/с 16-QAM
  • 28-нм процесс HKMG
  • В паре с: Exynos 7 Octa 7420
  • Используемые устройства: Samsung Galaxy S6 , Samsung Galaxy Note 5 и Samsung Galaxy A8 (2016 г.). [180]

Модем Exynos 5100

  • Поддерживаемые режимы: 5G NR Sub-6 ГГц, 5G NR mmWave, LTE-FDD, LTE-TDD, HSPA, TD-SCDMA, WCDMA, CDMA, GSM/EDGE [181]
  • Особенности нисходящей линии связи:
    • 8CA (агрегация несущих) в 5G NR
    • 8CA 1,6 Гбит/с в LTE Cat. 19
    • 4х4 МИМО
    • ФД-МИМО
    • До 256-QAM в диапазоне ниже 6 ГГц, 2 Гбит/с
    • До 64-QAM в миллиметровом диапазоне, 6 Гбит/с
  • Возможности восходящей линии связи:
    • 2CA (агрегация несущих) в 5G NR
    • 2CA в LTE
    • До 256-QAM в диапазоне ниже 6 ГГц
    • До 64-QAM в миллиметровом диапазоне
  • Процесс: 10-нм процесс FinFET
  • В сочетании с: Exynos 9820 и Exynos 9825.
  • Используемые устройства: Samsung Galaxy S10 и Samsung Galaxy Note 10.

Модем Exynos 5123

  • Поддерживаемые режимы: 5G NR Sub-6 ГГц, 5G NR mmWave, LTE-FDD, LTE-TDD, HSPA, TD-SCDMA, WCDMA, CDMA, GSM/EDGE [182]
  • Особенности нисходящей линии связи:
    • 8CA 1024-QAM в LTE Cat. 24 (3,0 Гбит/с)
    • До 256-QAM в диапазоне ниже 6 ГГц (5,1 Гбит/с)
    • До 64-QAM в миллиметровом диапазоне (7,35 Гбит/с)
  • Возможности восходящей линии связи:
    • 2CA 256-QAM в LTE Cat. 22 (422 Мбит/с)
    • До 256-QAM в диапазоне ниже 6 ГГц
    • До 64-QAM в миллиметровом диапазоне
  • Процесс: 7-нм процесс FinFET
  • В сочетании с: Exynos 990, Exynos 2100 и Google Tensor.
  • Устройства, использующие: Samsung Galaxy S20 , Samsung Galaxy Note 20 , Samsung Galaxy S21 и Google Pixel 6.

Модем Exynos 5300

  • Поддерживаемые режимы: 3GPP Release 16, 5G NR Sub-6 ГГц и mmWave (SA/NSA), LTE-FDD, LTE-TDD, HSPA, TD-SCDMA, WCDMA, CDMA, GSM/EDGE. [183]
  • Характеристики нисходящей линии связи: до 10 Гбит/с.
  • Возможности восходящей линии связи: до 3,9 Гбит/с
    • 5G ниже 6 ГГц
      • До 256-КАМ
      • 2x2 МИМО
      • Агрегация несущих 400 МГц
    • 5G ммволны
      • До 64-КАМ
      • 2x2 МИМО
      • Агрегация несущих 800 МГц
  • Процесс: 4 нм EUV
  • Интегрирован в: Exynos 2200, Google Tensor G2 и Google Tensor G3.
  • Устройства, использующие: Samsung Galaxy S22 , Google Pixel 7 и Google Pixel 8.

Модем Exynos 5400

  • Поддерживаемые режимы: 3GPP Release 17, 5G NR Sub-6 ГГц и mmWave ( SA / NSA / NTN ), LTE-FDD, LTE-TDD, HSPA, WCDMA, GSM/EDGE, NB-IoT NTN. [184] [185]
  • Особенности нисходящей линии связи:
  • Возможности восходящей линии связи: до 3,9 Гбит/с
    • 5G FR1
      • До 256-КАМ
      • 2x2 МИМО
      • Агрегация несущих 400 МГц
    • 5G ФР2
      • До 64-КАМ
      • 2x2 МИМО
      • Агрегация несущих 800 МГц
  • Процесс: 4 нм EUV
  • Интегрирован в: Exynos 2400.
  • Устройства, использующие его: Samsung Galaxy S24.

Список SoC Exynos IoT

[ редактировать ]

Эксинос и Т200 [186]

  • Процессор: Cortex-M4 @ 320 МГц, Cortex-M0+ @ 320 МГц
  • Wi-Fi: 802.11b/g/n, однодиапазонный (2,4 ГГц)
  • Встроенная память: SRAM 1,4 МБ.
  • Интерфейс: SDIO/I2C/SPI/UART/PWM/I2S
  • Внешний модуль: встроенный переключатель T/R, усилитель мощности, малошумящий усилитель.
  • Безопасность: WEP 64/128, WPA, WPA2, AES, TKIP, WAPI, PUF (физически неклонируемая функция)

Эксинос и S111 [187]

  • Процессор: Cortex-M7 200 МГц
  • Модем: LTE версии 14 NB-IoT
    • Нисходящая линия связи: 127 кбит/с
    • Восходящая линия связи: 158 кбит/с
  • Встроенная память: SRAM 512 КБ.
  • Интерфейс: USI, UART, I2C, GPIO, eSIM I/F, SDIO (хост), QSPI (режим одиночного/двойного/четверного ввода-вывода), SMC
  • Безопасность: eFuse, AES, SHA-2, PKA, безопасное хранилище, подсистема безопасности, PUF.
  • ГНСС: GPS, Галилео, ГЛОНАСС, Бэйдоу

Список автомобильных SoC Exynos

[ редактировать ]

Серия Exynos Auto

[ редактировать ]
SoC Процессор графический процессор Технология памяти ИИ-ускоритель Модем Возможности подключения Выпущенный Транспортные средства
Номер модели Потрясающе. Размер матрицы (мм 2 ) царч Частота ( МГц ) Производительность
ГФЛОПС (FP32) 		Тип Ширина автобуса
( кусочек ) 		Пропускная способность
( ГБ /с)
Exynos Auto 8890 (SGA8890A) [188] 14   нм (Самсунг 14LPP) 4 + 4 ядра (2,6 ГГц) [189] Exynos M1 «Мангуст» + 1,6 ГГц Cortex-A53 ) GTS ( ARMv8-A ) Мали-Т880 МП12 650 265.2 ЛПДДР4 64-битный (2×32-битный) двухканальный Н/Д Шеннон ЛТЕ
DL: LTE Cat 12 600   Мбит/с, 3CA
UL: LTE Cat 13 150   Мбит/с, 2CA 		Bluetooth 4.2, Wi-Fi 802.11a/b/g/n/ac 1 квартал 2017 г. Audi A4 (B9) (2019–present)
Эксинос Авто T5123 [190] 2 ядра Cortex-A55 ( ARMv8.2-A ) ЛПДДР4Х 16 бит (1×16 бит) Одноканальный 2133 МГц
(8,5 ГБ/с) 		Н/Д LTE DL: Cat.24 3000 Мбит/с, 8CA, 1024-QAM
UL: Cat.22, 422 Мбит/с, 2CA, 256-QAM
5G NR Sub-6 ГГц DL: 4,55 Гбит/с UL: 1,92 Гбит/с 		Q4 2021
Эксинос Авто V7 [191] 8   нм (Самсунг 8ЛПП) 8 ядер 1,5 ГГц Cortex-A76 ( ARMv8.2-A ) 2× Mali G76 (MP8 + MP3) ЛПДДР4Х
ЛПДДР5 		128-битный (4 × 32-битный) четырехканальный 2133 МГц (68,256 ГБ/с) НПУ Q4 2021
Exynos Auto V9 (S5AHR80A) [192] 8   нм (Самсунг 8ЛПП) 2,1 ГГц 8 ядер Cortex-A76 ( ARMv8.2-A ) 3× Mali G76 (MP12 + MP3 + MP3) ЛПДДР4Х
ЛПДДР5 		НПУ, 8,5 ТОП Bluetooth 5.0, Wi-Fi 6 1 квартал 2019 г.
Exynos Auto V920 (S5AV920) [193] 5 нм (Самсунг 5LPE) 10 ядер (4+4+2) ARM Cortex-A78AE Графический процессор Samsung Xclipse ЛПДДР5 128-битный (4 × 32-битный) четырехканальный 3200 МГц (102,4 ГБ/с) НПУ, 23,1 ТОПС 2025

Exynos Auto V9 оснащен дополнительными функциями, такими как:

Exynos Auto V920 оснащен дополнительными функциями, такими как:

  • 3× Tensilica HiFi 5 DSP
  • Поддерживает до 6 дисплеев (3x 5K (8K*2K) + 3x DFHD (3840*1440)) и до 12 камер (3x MIPI CSI, 4 полосы)
  • Поддерживает декодирование 4K 240 кадров в секунду (HEVC), кодирование 4K 120 кадров в секунду
  • 2x USXGMII (10 Гбит/с) Ethernet [193]

Споры

[ редактировать ]

Некоторые модели телефонов Samsung, выпущенные в период с 2019 по 2021 год и использующие процессор Exynos 9611, широко сообщались клиентами о случайных перезагрузках, зависаниях и циклах загрузки. Конкретные модели телефонов включают Galaxy A50, A50s, A51, M30s, M21, M31, M31s, F41 и Galaxy M21 (2021 г.). Хотя эта проблема не освещалась в основных средствах массовой информации. [195] [196] и очень немногие рецензенты YouTube освещали это на основе отчетов пользователей, [197] [198] проблемы были широко задокументированы на официальном форуме сообщества участников Samsung. [199] [200] [201] [202] [203] [204] а также Reddit и другие форумы. [205] [206] [207] [208] [209] Влияние было значительным: в период с 2020 по 2023 год были опубликованы сотни постов и комментариев пользователей. Samsung бесплатно заменила платы некоторым первым клиентам, у которых телефон был на гарантии. [210] Однако большинство людей столкнулись с этой проблемой после 12-месячного гарантийного срока, чаще всего начиная с 1,5–3 лет после покупки. Samsung никогда официально не признавала наличие проблемы, и не было выпущено никаких обновлений программного обеспечения для решения этой проблемы, хотя телефоны получали обещанные обновления безопасности минимум на 4 года. [211] Единственным официальным решением, доступным покупателям, была покупка сменной платы, стоимость которой составляла около 60-70% стоимости телефона. Большинство пользователей прибегали к рискованному, но более дешевому стороннему ремонту, который требовал перепайки (также называемой реболлингом ) процессора и оперативной памяти PoP (пакет в упаковке), что позволило решить проблему, согласно десяткам отчетов пользователей на указанных форумах. [212] [213] [214] [215] [216]

См. также

[ редактировать ]

Похожие платформы

[ редактировать ]

Ссылки

[ редактировать ]
  1. ^ «Процессор Samsung Exynos» . Глобальное подразделение Samsung Semiconductor . Проверено 20 марта 2024 г.
  2. ^ «Эволюция микроархитектуры процессора Samsung Exynos» (PDF) . Архивировано из оригинала (PDF) 15 апреля 2021 года . Проверено 30 июня 2021 г.
  3. ^ Тейлор Уимберли (26 апреля 2010 г.). «Samsung Galaxy S подтвердил наличие процессора S5PC110, но насколько он быстрый?» . Андроид и я / PhoneDog Media, LLC. Архивировано из оригинала 9 октября 2013 года . Проверено 7 октября 2013 г.
  4. ^ «Samsung совместно разрабатывает самое быстрое в мире мобильное ядро ​​на базе процессора ARM® Cortex™-A8 | Глобальный веб-сайт Samsung Semiconductor» . samsung.com (пресс-релиз). Архивировано из оригинала 31 мая 2019 года . Проверено 31 мая 2019 г.
  5. ^ «[RFC] [PATCH v3] DRM: добавьте драйвер DRM для Samsung SoC EXYNOS4210» . сайт freedesktop.org . 26 августа 2011 года. Архивировано из оригинала 9 октября 2011 года . Проверено 13 января 2012 г.
  6. ^ «Linux 3.2 DriverArch Ядро Linux 3.2 поддерживает Exynos 4210 — ядро ​​Linux для новичков» . kernelnewbies.org . Архивировано из оригинала 9 января 2012 года . Проверено 13 января 2012 г.
  7. ^ Ларабель, Майкл (6 ноября 2011 г.). «Samsung продолжает работать над своим Linux DRM» . Фороникс . Архивировано из оригинала 13 января 2012 года . Проверено 13 января 2012 г.
  8. ^ «Samsung представляет новый высокопроизводительный прикладной процессор для смартфонов и планшетов» . 29 сентября 2011 г. Архивировано из оригинала 1 февраля 2014 г. Проверено 20 августа 2013 г.
  9. ^ «Новости Эксиноса» . Samsung . 29 сентября 2011 г. Архивировано из оригинала 1 февраля 2014 г.
  10. ^ «Каталог прикладных процессоров» . Архивировано из оригинала 25 августа 2013 года . Проверено 20 августа 2013 г.
  11. ^ «Проектные группы Mont-Blanc с Cavium и Bull для создания суперкомпьютера на базе ARM | TOP500 сайтов о суперкомпьютерах» . top500.org . Архивировано из оригинала 11 ноября 2017 года . Проверено 10 ноября 2017 г. . В 2015 году Булл разработал и построил последний прототип Mont-Blanc — двухстоечную машину, вмещающую 2160 процессорных ядер ARM и 1080 графических процессоров. В двух стойках было установлено 8 шасси BullX, состоящих из 72 вычислительных модулей, в каждом из которых было по 15 вычислительных карт. В данном случае чипом ARM был Samsung Exynos 5 Dual, двухъядерный мобильный процессор Cortex-A15 в сочетании с графическим процессором Mali-T604. Следующий прототип выглядит гораздо более похожим на суперкомпьютер, особенно если учесть, что Cavium от чип ThunderX2 представляет собой настоящую 64-битную SoC-серверную ARM-систему с амбициями HPC. 54-ядерный процессор будет работать на частоте до 3 ГГц.
  12. ^ «Новый четырехъядерный процессор приложений Samsung обеспечивает расширенный набор функций в смартфонах и планшетах (разработанный по 32-нм техпроцессу HKMG, новый энергоэффективный чип имеет частоту более 1,4 ГГц на ядро)» . Компания Samsung Electronics Co.Ltd. 26 апреля 2012 года. Архивировано из оригинала 1 февраля 2014 года . Проверено 7 октября 2013 г.
  13. ^ Перейти обратно: а б «Exynos 4 Dual 45 нм» . SAMSUNG. Архивировано из оригинала 15 августа 2016 года . Проверено 7 октября 2013 г.
  14. ^ Перейти обратно: а б с «Exynos 4 Dual 32 нм» . SAMSUNG. Архивировано из оригинала 15 августа 2016 года . Проверено 7 октября 2013 г.
  15. ^ Перейти обратно: а б Фрумусану, Андрей. «Горячие чипы 2018: глубокий обзор архитектуры процессора Samsung Exynos-M3» . anandtech.com . Проверено 28 января 2019 г.
  16. ^ «Специальное ядро ​​ЦП для мобильного процессора | Samsung Exynos» . Самсунг Полупроводник . Проверено 3 августа 2020 г. .
  17. ^ Перейти обратно: а б Фрумусану, Андрей. «AMD передает Samsung лицензию на IP-адрес графического процессора Radeon для использования в мобильных графических процессорах SLSI» . anandtech.com . Проверено 4 октября 2019 г.
  18. ^ Хо, Джошуа. «Горячие чипы 2016: раскрыта архитектура Exynos M1» . anandtech.com . Проверено 28 января 2019 г.
  19. ^ «Сообщается, что Samsung прекращает выпуск собственных процессоров Mongoose» . 4 ноября 2019 г.
  20. ^ «Процессоры Samsung Exynos, возможно, уже никогда не будут прежними» . 3 октября 2019 г.
  21. ^ «AMD и Samsung объявляют о стратегическом партнерстве в области технологий сверхнизкого энергопотребления и высокопроизводительной графики» . 3 июня 2019 г.
  22. ^ Нго, Аллен (4 августа 2019 г.). «Смартфоны Samsung Galaxy с графикой AMD Radeon могут появиться в 2021 году» . Проверка ноутбука . Проверено 4 октября 2019 г.
  23. ^ Смит, Андрей Фрумусану, Райан. «Сделка по лицензированию графических процессоров AMD и Samsung: новая эра сотрудничества?» . anandtech.com . Проверено 4 октября 2019 г. {{cite web}}: CS1 maint: несколько имен: список авторов ( ссылка )
  24. ^ «Samsung планирует выпустить SoC с графической технологией AMD через два года | OC3D News» . overlock3d.net . 3 августа 2019 года . Проверено 5 ноября 2019 г.
  25. ^ «Samsung объявляет о выпуске Exynos 2200, меняющего правила игры» . Глобальное подразделение Samsung Semiconductor . 18 января 2022 г. Проверено 26 октября 2022 г.
  26. ^ «В центре исследований и разработок полупроводников Samsung циркулируют слухи об увольнениях — ExtremeTech» . ExtremeTech.com . Проверено 4 октября 2019 г.
  27. ^ «Samsung закрывает крупную программу разработки полупроводников» . Полуточный . 1 октября 2019 года . Проверено 4 октября 2019 г.
  28. ^ Шор, Дэвид (2 октября 2019 г.). «Сообщения о том, что Samsung уничтожила *несколько* команд Si @ SARC, правдивы. Удалось подтвердить. Команда по интеграции графики также реструктурируется (понятия не имею, что это значит для сделки с AMD — если вообще что-нибудь). Множество других возможностей Si в Остине. Надеюсь, все перейдут хорошо» . @david_schor . Проверено 4 октября 2019 г.
  29. ^ Чой, Ходзюн. «Samsung уволит почти 300 человек, поскольку закрывает проект подразделения в Остине» . Остин Американ-Стейтсмен . Проверено 5 ноября 2019 г.
  30. ^ Фрумусану, Андрей. «Samsung подтверждает отмену разработки специального процессора» . anandtech.com . Проверено 5 ноября 2019 г.
  31. ^ «Может ли Samsung снова обратиться к специальной архитектуре процессоров для будущих чипов Exynos?» . 18 июня 2021 г.
  32. ^ Шун, Бен (3 ноября 2021 г.). «Глубокое погружение в Google Tensor показывает корни Exynos чипа Pixel 6, «чудовищные», но мешающие графическому процессору, более того» . 9to5Google . Проверено 4 ноября 2022 г.
  33. ^ «Мобильный процессор Exynos 850: характеристики, возможности | Samsung Exynos» . Самсунг Полупроводник .
  34. ^ «Мобильный процессор Exynos 880 5G: характеристики, особенности | Samsung Exynos» . Самсунг Полупроводник .
  35. ^ «Мобильный процессор Exynos 980 5G: характеристики, особенности | Samsung Exynos» . Самсунг Полупроводник . Проверено 5 сентября 2019 г.
  36. ^ «Мобильный процессор Exynos 990: характеристики, возможности | Samsung Exynos» . Самсунг Полупроводник . Проверено 24 октября 2019 г.
  37. ^ «Анализ разборки Samsung Galaxy S20 Ultra 5G | TechInsights» . techinsights.com . Проверено 3 апреля 2020 г. .
  38. ^ https://vulkan.gpuinfo.org/displayreport.php?id=26179 .
  39. ^ Перейти обратно: а б Фрумусану, Андрей. «Samsung анонсирует Exynos 2100 SoC: новый перезапуск на 5-нм техпроцессе с ядрами X1» . anandtech.com . Проверено 16 января 2021 г.
  40. ^ «Мобильный процессор Exynos 1080 5G: характеристики, особенности | Samsung Exynos» . Самсунг Полупроводник . Проверено 12 ноября 2020 г.
  41. ^ «Мобильный процессор Exynos 1280 5G: характеристики, особенности | Samsung Exynos» . Самсунг Полупроводник .
  42. ^ «Мобильный процессор Exynos 1330 5G» . Самсунг Полупроводник .
  43. ^ «Мобильный процессор Exynos 1380 5G» . Самсунг Полупроводник .
  44. ^ «Мобильный процессор Exynos 1480» . Самсунг Полупроводник .
  45. ^ Фрумусану, Андрей. «Samsung анонсирует Exynos 2100 SoC: новый перезапуск на 5-нм техпроцессе с ядрами X1» . anandtech.com . Проверено 16 января 2021 г.
  46. ^ Фрумусану, Андрей. «Samsung анонсирует Exynos 2100 SoC: новый перезапуск на 5-нм техпроцессе с ядрами X1» . anandtech.com . Проверено 16 января 2021 г.
  47. ^ Фрумусану, Андрей. «Samsung анонсирует Exynos 2100 SoC: новый перезапуск на 5-нм техпроцессе с ядрами X1» . anandtech.com . Проверено 16 января 2021 г.
  48. ^ Фрумусану, Андрей. «Samsung анонсирует Exynos 2100 SoC: новый перезапуск на 5-нм техпроцессе с ядрами X1» . anandtech.com . Проверено 16 января 2021 г.
  49. ^ https://vulkan.gpuinfo.org/displayreport.php?id=27374 .
  50. ^ Онаволе, Хабиб (12 января 2021 г.). «Сегодня анонсирован Samsung Exynos 2100 со значительными обновлениями и встроенным модемом 5G» . Штуковина . Проверено 16 января 2021 г.
  51. ^ Фрумусану, Андрей. «Тензор Google внутри Pixel 6, Pixel 6 Pro: взгляд на производительность и эффективность» . www.anandtech.com . Проверено 21 ноября 2021 г.
  52. ^ Фрумусану, Андрей. «Samsung анонсирует Exynos 2100 SoC: новый перезапуск на 5-нм техпроцессе с ядрами X1» . anandtech.com . Проверено 16 января 2021 г.
  53. ^ Фрумусану, Андрей. «Samsung анонсирует Exynos 2100 SoC: новый перезапуск на 5-нм техпроцессе с ядрами X1» . anandtech.com . Проверено 16 января 2021 г.
  54. ^ Фрумусану, Андрей. «Samsung анонсирует Exynos 2100 SoC: новый перезапуск на 5-нм техпроцессе с ядрами X1» . anandtech.com . Проверено 16 января 2021 г.
  55. ^ Перейти обратно: а б с «Анализ кристалла: Samsung Exynos 2200 с графикой RDNA2» . 26 апреля 2022 г. Проверено 19 апреля 2023 г.
  56. ^ Перейти обратно: а б В телефоне установлена ​​видеокарта AMD! Как работает Android Light Exynos 2200? , получено 17 сентября 2023 г.
  57. ^ https://vulkan.gpuinfo.org/displayreport.php?id=24275 .
  58. ^ «Мобильный процессор Exynos 2100 5G: характеристики, особенности | Samsung Exynos» . Самсунг Полупроводник . Проверено 12 января 2021 г.
  59. ^ Перейти обратно: а б с Ганти, Анил (30 апреля 2024 г.). «Снимки Exynos 2400, 2200, 2100 демонстрируют эволюцию чипов с течением времени» . Проверка ноутбука . Проверено 14 мая 2024 г.
  60. ^ Перейти обратно: а б Один выпуск
  61. ^ «Мобильный процессор Exynos 2200 5G: характеристики, особенности | Samsung Exynos» . Самсунг Полупроводник . Проверено 18 января 2022 г.
  62. ^ «Exynos 2400 | Мобильный процессор | Samsung Semiconductor Global» .
  63. ^ «Samsung демонстрирует революционные инновации в области логики на выставке System LSI Tech Day 2023» . Новости Самсунг . Проверено 23 октября 2023 г.
  64. ^ Двойной выпуск
  65. ^ «Самсунг Эксинос 3 Сингл» . Продукты . Samsung Electronics Co. Ltd. Архивировано из оригинала 15 августа 2016 года . Проверено 7 октября 2013 г.
  66. ^ Шимпи, Ананд Лал; Клюг, Брайан; Гоури, Вивек (16 октября 2012 г.). «Обзор iPhone 5» . Смартфоны . ANANDTECH, INC. Архивировано из оригинала 15 октября 2013 года . Проверено 7 октября 2013 г.
  67. ^ «Samsung официально анонсирует Galaxy S5 mini» . СамМобайл. Июль 2014. Архивировано из оригинала 5 июля 2014 года . Проверено 1 июля 2014 г.
  68. ^ Перейти обратно: а б с «Samsung представляет новый высокопроизводительный прикладной процессор для смартфонов и планшетов» . Новости . Samsung Electronics Co. Ltd. 29 сентября 2011 г. Архивировано из оригинала 11 сентября 2013 г. . Проверено 7 октября 2013 г.
  69. ^ «Процессор Samsung Exynos 4 Dual 45 нм» (PDF) . Samsung. Архивировано (PDF) из оригинала 1 февраля 2014 года . Проверено 7 октября 2013 г.
  70. ^ «Процессор Samsung Exynos 4 Dual 32 нм» (PDF) . Samsung. Архивировано (PDF) из оригинала 13 сентября 2013 года . Проверено 7 октября 2013 г.
  71. ^ Перейти обратно: а б с «Самсунг Эксинос 4 Квад» . Продукты . Samsung Electronics Co. Ltd. Архивировано из оригинала 15 августа 2016 года . Проверено 7 октября 2013 г.
  72. ^ «Процессор Samsung Exynos 4 Quad» (PDF) . Samsung. Архивировано (PDF) из оригинала 28 мая 2012 года . Проверено 7 октября 2013 г.
  73. ^ Перейти обратно: а б «Origenboard.org» . сайт origenboard.org. Архивировано из оригинала 5 января 2013 года . Проверено 7 октября 2013 г.
  74. ^ «Руководство пользователя микропроцессора Samsung Exynos 4 Dual (Exynos 4212) RISC, версия 1.00» (PDF) . Samsung Electronics Co. Ltd., октябрь 2012 г. Архивировано (PDF) из оригинала 24 сентября 2015 г. . Проверено 6 октября 2015 г.
  75. ^ «Обзор Samsung Galaxy Tab 3 8.0: в центре всего» . Отзывы . GSMArena.com. 3 июля 2013 года. Архивировано из оригинала 1 октября 2013 года . Проверено 7 октября 2013 г.
  76. ^ Перейти обратно: а б «Внутри Samsung Galaxy SIII» . Chipworks Inc. 1 июня 2012 г. Архивировано из оригинала 7 августа 2013 г. . Проверено 7 октября 2013 г.
  77. ^ «Руководство пользователя микропроцессора Samsung Exynos 4 Dual (Exynos 4412) RISC, версия 1.00» (PDF) . Samsung Electronics Co. Ltd., октябрь 2012 г. Архивировано (PDF) из оригинала 12 сентября 2013 г. . Проверено 6 октября 2015 г.
  78. ^ Отдельные устройства в Европе/Азии/Южной Америке.
  79. ^ «CoreX43G» . иберри . иберри Индия. Архивировано из оригинала 8 октября 2013 года . Проверено 7 октября 2013 г.
  80. ^ Бхаргава, Абхинав (29 декабря 2012 г.). «iBerry выпускает в Индии два бюджетных планшета Android: Auxus Core X2 3G и Auxus Core X4 3G» . iGYAAN: Последние новости . iGyaan. Архивировано из оригинала 13 мая 2013 года . Проверено 7 октября 2013 г.
  81. ^ Агент, Android (28 мая 2015 г.). «Как быстрее зарядить Android» . AndroidАгент. Архивировано из оригинала 29 мая 2015 года . Проверено 7 октября 2013 г.
  82. ^ «EM4412 SBC» . Встроенный дизайн Boardcon . Проверено 25 апреля 2018 г.
  83. ^ «Сверхкомпактная четырехъядерная плата с частотой 1,7 ГГц» . Продукты: Exynos 4412 . Hardkernel Co., Ltd. Архивировано из оригинала 1 октября 2013 года . Проверено 7 октября 2013 г.
  84. ^ «Платформа разработки Exynos4 Quad 1,7 ГГц» . Продукты: Exynos 4412 . Hardkernel Co., Ltd. Архивировано из оригинала 18 октября 2013 года . Проверено 7 октября 2013 г.
  85. ^ «Платформа разработки Exynos4412 Prime Quad» . Продукты: Exynos 4412 . Hardkernel Co., Ltd. Архивировано из оригинала 18 октября 2013 года . Проверено 7 октября 2013 г.
  86. ^ «Обзор Samsung Galaxy Camera 2: обзор цифровой фотографии» . Архивировано из оригинала 29 марта 2016 года.
  87. ^ «Открытая платформа разработки мобильных устройств Exynos4 Quad» . Продукты: Устаревшие продукты . Hardkernel Co., Ltd. Архивировано из оригинала 5 октября 2013 года . Проверено 7 октября 2013 г.
  88. ^ «Сверхкомпактная четырехъядерная плата с частотой 1,4 ГГц» . Продукты: Устаревшие продукты . Hardkernel Co., Ltd. Архивировано из оригинала 4 октября 2013 года . Проверено 7 октября 2013 г.
  89. ^ «Платформа разработки мобильных устройств Exynos4 Quad» . Продукты: Устаревшие продукты . Hardkernel Co., Ltd. Архивировано из оригинала 18 октября 2013 года . Проверено 7 октября 2013 г.
  90. ^ Перейти обратно: а б «Характеристики, обзоры, рейтинги Samsung Exynos 4 Quad 4415» . Архивировано из оригинала 24 марта 2017 года.
  91. ^ Перейти обратно: а б «Samsung анонсирует первые в отрасли образцы процессора ARM Cortex-A15 для планшетных компьютеров» . Новости . Компания Samsung Electronics Co.Ltd. 30 ноября 2011 г. Архивировано из оригинала 11 октября 2013 г. Проверено 7 октября 2013 г.
  92. ^ «Самсунг Эксинос 5 Дуал» . Продукты . Компания Samsung Electronics Co.Ltd. Архивировано из оригинала 15 августа 2016 года . Проверено 7 октября 2013 г.
  93. ^ «Руководство пользователя микропроцессора Samsung Exynos 5 Dual (Exynos 5250) RISC, версия 1.00» (PDF) . Samsung Electronics Co. Ltd., октябрь 2012 г. Архивировано (PDF) из оригинала 21 сентября 2013 г. . Проверено 7 октября 2013 г.
  94. ^ «Самсунг Хромбук» . Архивировано из оригинала 17 октября 2013 года . Проверено 7 октября 2013 г.
  95. ^ «ArndaleBoard.org» . arndaleboard.org. Архивировано из оригинала 26 сентября 2013 года . Проверено 7 октября 2013 г.
  96. ^ «휴인스» . Huins.com. Архивировано из оригинала 9 сентября 2013 года . Проверено 10 июля 2013 г.
  97. ^ «Freelander PD800 HD, двухъядерный планшет Exynos 5250, Android 4.2, 9,7-дюймовый емкостный сенсорный экран Retina, 2048*1536, 2 ГБ/16 ГБ BT, белый» . GeekBuying.com. Архивировано из оригинала 19 июля 2013 г. Проверено 10 июля 2013 г.
  98. ^ Перейти обратно: а б «Samsung представляет новые продукты своего подразделения системных LSI на Всемирном мобильном конгрессе» . 26 февраля 2014 года. Архивировано из оригинала 16 марта 2014 года . Проверено 2 мая 2014 г.
  99. ^ «Веб-страница продукта Exynos 5 Hexa (5260)» . Самсунг Электроникс . Архивировано из оригинала 4 июня 2016 года.
  100. ^ «Веб-страница продукта Exynos 5 Octa (5410)» . Самсунг Электроникс . Архивировано из оригинала 23 июля 2016 года.
  101. ^ «Samsung подчеркивает инновации в области мобильного взаимодействия, основанные на компонентах, в докладе CES Keynote» . Новости CES . SAMSUNG. 9 января 2013 года. Архивировано из оригинала 21 октября 2013 года . Проверено 7 октября 2013 г.
  102. ^ «Плюс на Международной выставке CES 2013» . События . SAMSUNG. 9 января 2013 года. Архивировано из оригинала 24 июня 2013 года . Проверено 7 октября 2013 г.
  103. ^ Нгуен, Юбер (17 января 2013 г.). «Характеристики и подробности Samsung Exynos 5 Octa» . Уберзигмо . Блогзилла ЛЛ. Архивировано из оригинала 8 октября 2013 года . Проверено 7 октября 2013 г.
  104. ^ «Обновленная информация об оптимизации графического процессора в Galaxy S 4» . АнандТех. Архивировано из оригинала 6 октября 2013 года . Проверено 7 октября 2013 г.
  105. ^ «Самсунг Галакси С4 32 ГБ» . CaCell. Архивировано из оригинала 14 октября 2013 года . Проверено 7 октября 2013 г.
  106. ^ «Ваша страна получит Exynos или вариант Snapdragon Galaxy S 4, у нас есть ответ!» . SamMobile.com. 20 марта 2013 г. Архивировано из оригинала 18 октября 2013 г. . Проверено 17 октября 2013 г.
  107. ^ «Продукты: Exynos5 Octa» . Разработчик платформы Odroid . Hardkernel Co., Ltd. Архивировано из оригинала 2 октября 2013 года . Проверено 7 октября 2013 г.
  108. ^ «Эксинос 5 Окта (5420)» . Продукты . Компания Samsung Electronics Co.Ltd. Архивировано из оригинала 4 июня 2016 года . Проверено 7 октября 2013 г.
  109. ^ «Самсунг Хромбук 2 11,6» . Архивировано из оригинала 15 августа 2014 года.
  110. ^ «Характеристики и функции Samsung Galaxy Note 3 теперь официально представлены» . Androidauthority.com. 4 сентября 2013 г. Архивировано из оригинала 28 сентября 2013 г. Проверено 7 октября 2013 г.
  111. ^ «Веб-страница продукта Exynos 5 Octa (5422)» . Самсунг Электроникс . Архивировано из оригинала 4 июня 2016 года.
  112. ^ «Разбор Galaxy S5» . Techinsights.com. 9 апреля 2014 года. Архивировано из оригинала 2 июля 2014 года . Проверено 12 августа 2014 г.
  113. ^ «Samsung анонсирует Exynos 5430: первую 20-нм SoC Samsung» . АнандТех. Архивировано из оригинала 15 августа 2014 года . Проверено 14 августа 2014 г.
  114. ^ «Веб-страница продукта Exynos 5 Octa (5430)» . Самсунг Электроникс . Архивировано из оригинала 15 августа 2016 года.
  115. ^ «Meizu MX4 Pro официально представлен с чипсетом Samsung Exynos 5430» . GSMАрена. 19 ноября 2014 года. Архивировано из оригинала 22 ноября 2014 года . Проверено 19 ноября 2014 г.
  116. ^ «Самсунг Эксинос» . Самсунг Завтра. Архивировано из оригинала 3 июля 2014 года . Проверено 28 апреля 2014 г.
  117. ^ «Самсунг Хромбук 2 13,3» . Архивировано из оригинала 19 ноября 2014 года.
  118. ^ Перейти обратно: а б «Exynos 7 Octa от Samsung — это SoC A57/A53 ARM» . АнандТех. Архивировано из оригинала 17 сентября 2014 года . Проверено 17 сентября 2014 г.
  119. ^ Инки Дэ (3 ноября 2014 г.). «Re: [RFC PATCH] drm/exynos: Добавить драйвер DECON» . linux-samsung-soc (список рассылки). Архивировано из оригинала 5 ноября 2014 года.
  120. ^ «Процессор Exynos 7 Octa Exynos 5433» . Архивировано из оригинала 5 июля 2016 года . Проверено 20 июля 2015 г.
  121. ^ Перейти обратно: а б Фрумусану, Андрей. «Глубокий обзор Samsung Exynos 7420 — внутри современной 14-нм SoC» . anandtech.com . Проверено 27 января 2019 г.
  122. ^ Смит, Андрей Фрумусану, Райан. «Расследование ARM A53/A57/T760 — обзор Samsung Galaxy Note 4 Exynos» . anandtech.com . Проверено 13 мая 2019 г. {{cite web}}: CS1 maint: несколько имен: список авторов ( ссылка )
  123. ^ «Samsung объявляет о массовом производстве первого в отрасли 14-нм процессора FinFET для мобильных приложений» . Официальный блог Samsung Electronics: Samsung Tomorrow . Архивировано из оригинала 19 марта 2015 года.
  124. ^ «Samsung анонсирует Galaxy S6 и S6 Edge» . Анандтех . Purch Inc., 1 марта 2015 г. Архивировано из оригинала 3 марта 2015 г. . Проверено 1 марта 2015 г.
  125. ^ «Веб-страница продукта Exynos 7 Octa (7420)» . Самсунг Электроникс . Архивировано из оригинала 5 июня 2016 года.
  126. ^ «Обзор Samsung Galaxy S6 и S6 Edge» . Анандтех . 17 апреля 2015 г. Архивировано из оригинала 18 мая 2015 г.
  127. ^ «Портативное сетевое хранилище WiFi Fasetto LINK от 256 ГБ до 2 ТБ на базе процессора Samsung Exynos 7420» . Программное обеспечение Cnx . 5 января 2016 г. Архивировано из оригинала 7 января 2017 г.
  128. ^ «МВ 7420-ЖК» . МикроВижн . Архивировано из оригинала 5 января 2018 года . Проверено 4 января 2018 г.
  129. ^ Фрумусану, Андрей (30 августа 2016 г.). «Samsung анонсирует бюджетную SoC Exynos 7570 14 нм» . Анандтех. Архивировано из оригинала 31 августа 2016 года . Проверено 30 августа 2016 г.
  130. ^ «Samsung Mass производит 14-нанометровый процессор Exynos с полной интеграцией подключений» . Samsung . Архивировано из оригинала 15 сентября 2016 года . Проверено 30 августа 2016 г.
  131. ^ «Эксинос 7 серии (7570)» . Архивировано из оригинала 8 января 2017 года.
  132. ^ «Процессор Exynos 7 Quad 7570: характеристики, особенности | Samsung Exynos» . Архивировано из оригинала 2 сентября 2017 года . Проверено 1 сентября 2017 г.
  133. ^ «Ошибка | Характеристики | Характеристики процессора | PhoneDB» . Архивировано из оригинала 10 июня 2015 года . Проверено 8 августа 2015 г.
  134. ^ «Веб-страница продукта Exynos 7 Octa (7580)» . Самсунг Электроникс . Архивировано из оригинала 23 июня 2016 года.
  135. ^ Перейти обратно: а б «Samsung Galaxy View указан в сети, подробности подтверждены» . 27 октября 2015 г. Архивировано из оригинала 28 октября 2015 г. Проверено 27 октября 2015 г.
  136. ^ «Ошибка | Характеристики | Характеристики процессора | PhoneDB» . Архивировано из оригинала 19 февраля 2016 года . Проверено 17 февраля 2016 г.
  137. ^ «Веб-страница продукта Exynos 7 Octa (7870)» . Самсунг Электроникс . Архивировано из оригинала 28 января 2017 года.
  138. ^ «Процессор Exynos 7 Octa 7870: характеристики, особенности | Samsung Exynos» . Архивировано из оригинала 16 августа 2017 года . Проверено 16 августа 2017 г.
  139. ^ «Samsung Exynos 7 Octa 7870 (Джошуа) | Характеристики процессора | PhoneDB» . Архивировано из оригинала 17 июня 2017 года . Проверено 25 июня 2017 г.
  140. ^ «GFXBench — унифицированная кроссплатформенная база данных тестов 3D-графики» .
  141. ^ «Samsung Galaxy M10 – Полные характеристики телефона» .
  142. ^ «Samsung Galaxy на NXT» . Архивировано из оригинала 4 февраля 2017 года.
  143. ^ «Samsung Galaxy Tab a 10.1 (2016) – Полные характеристики планшета» . Архивировано из оригинала 14 июня 2016 года . Проверено 14 июня 2016 г.
  144. ^ «Эксклюзив: Galaxy A3, A5 и A7 (2017) в разработке» . 28 августа 2016 года. Архивировано из оригинала 29 августа 2016 года . Проверено 29 августа 2016 г.
  145. ^ «Производительность 3D-графики Samsung Galaxy A5 2016 (Mali-T830, SM-A520x)» . Кроссплатформенный сайт производительности . Проверено 27 декабря 2016 г.
  146. ^ «Exynos 7 серии (7880)» . Архивировано из оригинала 11 января 2017 года.
  147. ^ «Процессор Exynos 7872: характеристики, особенности | Samsung Exynos» . Самсунг Полупроводник . Проверено 30 ноября 2019 г.
  148. ^ «Самсунг Галакси J3 V 3-го поколения» . verizonwireless.com . Проверено 30 ноября 2019 г.
  149. ^ «Процессор Exynos 7884: характеристики, особенности | Samsung Exynos» . Самсунг Полупроводник . Проверено 30 ноября 2019 г.
  150. ^ «S5E7885 | Мобильный процессор Samsung | Exynos» . samsung.com . Архивировано из оригинала 17 января 2018 года . Проверено 17 января 2018 г.
  151. ^ «Процессор Exynos 7885: характеристики, особенности | Samsung Exynos» . Самсунг Полупроводник . Архивировано из оригинала 16 февраля 2018 года . Проверено 16 февраля 2018 г.
  152. ^ «Процессор Exynos 7904: характеристики, особенности | Samsung Exynos» . Самсунг Полупроводник . Проверено 31 июля 2019 г.
  153. ^ «Веб-страница продукта Exynos 8 Octa (8890)» . Самсунг Электроникс . Архивировано из оригинала 5 июня 2016 года.
  154. ^ «МВ 8890-ЖК» . МикроВижн . Архивировано из оригинала 4 января 2018 года . Проверено 4 января 2018 г.
  155. ^ «Характеристики Exynos 8 Octa 8895M» . Архивировано из оригинала 23 февраля 2017 года.
  156. ^ «Процессор Samsung Exynos 9 серии (8895)» . Самсунг Эксинос . Архивировано из оригинала 23 февраля 2017 года . Проверено 23 февраля 2017 г.
  157. ^ «Процессор Exynos 9-й серии создан на основе первой в мире 10-нм техпроцесса FinFET | Официальный пресс-релиз» . Процессор Samsung Exynos (пресс-релиз). Архивировано из оригинала 23 февраля 2017 года . Проверено 23 февраля 2017 г.
  158. ^ Перейти обратно: а б «Знакомство с Сурикатом» . Архивировано из оригинала 28 марта 2018 года.
  159. ^ Хамрик, Мэтт (28 июля 2017 г.). «Разборка Samsung Galaxy S8: Exynos 8895 против Snapdragon 845» . Анандтех . Проверено 3 декабря 2018 г. {{cite web}}: CS1 maint: числовые имена: список авторов ( ссылка )
  160. ^ Перейти обратно: а б Хауз, Бретт; Фрумусану, Андрей (3 января 2018 г.). «Samsung анонсирует новую SoC 9810: DynamiQ и процессор третьего поколения» . Анандтех. Архивировано из оригинала 4 января 2018 года . Проверено 25 января 2018 г.
  161. ^ «Ранняя спецификация exynos 8890» . Анандтех . 22 февраля 2016 г. Архивировано из оригинала 24 февраля 2016 г.
  162. ^ «Мобильный процессор Exynos 9609: характеристики, возможности | Samsung Exynos» . Самсунг Полупроводник . Проверено 31 июля 2019 г.
  163. ^ «Процессор Exynos 9610: характеристики, особенности | Samsung Exynos» . Самсунг Полупроводник . Проверено 13 мая 2019 г.
  164. ^ «Процессор Exynos 9611: характеристики, особенности | Samsung Exynos» . Самсунг Полупроводник . Проверено 30 ноября 2019 г.
  165. ^ «Эксинос 9 серии (9810)» . Архивировано из оригинала 4 января 2018 года.
  166. ^ «Samsung анонсирует новую SoC 9810: DynamiQ и процессор третьего поколения» . Архивировано из оригинала 4 января 2018 года.
  167. ^ Фрумусану, Андрей. «Обзор Samsung Galaxy S9 и S9+: Exynos и Snapdragon со скоростью 960 кадров в секунду» . anandtech.com . Проверено 27 января 2019 г.
  168. ^ Фрумусану, Андрей (26 марта 2018 г.). «Обзор Samsung Galaxy S9 и S9+» . Анандтех . Проверено 3 декабря 2018 г. {{cite web}}: CS1 maint: числовые имена: список авторов ( ссылка )
  169. ^ «Exynos 9 Series (9820)» .
  170. ^ Перейти обратно: а б с Фрумусану, Андрей. «Обзор Samsung Galaxy S10+ Snapdragon и Exynos: почти идеален, но с такими недостатками» . anandtech.com . Проверено 31 мая 2019 г.
  171. ^ «Процессор Exynos 9825: характеристики, особенности | Samsung Exynos» . Самсунг Полупроводник . Проверено 7 августа 2019 г.
  172. ^ «Руководство пользователя микропроцессора Samsung Exynos 4 Dual (Exynos 4212) RISC, версия 1.00» (PDF) . Samsung Electronics Co. Ltd., октябрь 2012 г. Архивировано (PDF) из оригинала 24 сентября 2015 г. . Проверено 6 октября 2015 г.
  173. ^ «Процессор Exynos 7 Dual 7270: характеристики, особенности | Samsung Exynos» . Самсунг Полупроводник . Проверено 31 мая 2019 г.
  174. ^ «Умные часы G-Shock GSW-H1000» . Watchuseek . 11 декабря 2011 г. Архивировано из оригинала 11 июня 2021 г. Проверено 14 октября 2022 г.
  175. ^ «Оставайтесь на связи, где бы вы ни находились, с новыми часами Samsung Galaxy Watch» . news.samsung.com . Samsung. 10 августа 2018 года . Проверено 5 сентября 2018 г.
  176. ^ «Эксинос W920» . news.samsung.com . Samsung . Проверено 12 августа 2021 г.
  177. ^ «Exynos W930 — Носимый процессор — Samsung Semiconductor» . Проверено 26 июля 2023 г.
  178. ^ «Exynos W1000 — Носимый процессор — Samsung Semiconductor» . Проверено 3 июля 2024 г.
  179. ^ «Модем Exynos 303: характеристики, возможности | Samsung Exynos» . Самсунг Полупроводник . Проверено 6 мая 2019 г.
  180. ^ «Модем Exynos 333: характеристики, возможности | Samsung Exynos» . Самсунг Полупроводник . Проверено 6 мая 2019 г.
  181. ^ «Модем Exynos 5100: характеристики, возможности | Samsung Exynos» . Самсунг Полупроводник . Проверено 6 мая 2019 г.
  182. ^ «Модем Exynos 5123» . Самсунг Полупроводник . Проверено 22 ноября 2021 г.
  183. ^ «Модем Exynos 5300» . Самсунг Полупроводник . Проверено 25 июня 2023 г.
  184. ^ «Модем Exynos 5400» . Самсунг Полупроводник . Проверено 6 мая 2024 г.
  185. ^ «Модем Exynos 5400: первая в мире скорость 11,2 Гбит/с1) 5G только с FR1» . Самсунг Полупроводник . 23 февраля 2024 г. Проверено 6 мая 2024 г.
  186. ^ «Exynos и T200: характеристики, возможности | Samsung Exynos» . Самсунг Полупроводник . Проверено 6 мая 2019 г.
  187. ^ «Exynos i S111 для NB-IoT: характеристики, возможности | Samsung Exynos» . Самсунг Полупроводник . Проверено 6 мая 2019 г.
  188. ^ «Процессор Exynos Auto 8890: характеристики, возможности | Samsung Exynos» . Самсунг Полупроводник . Проверено 5 января 2020 г.
  189. ^ 2,3 ГГц для >2-ядерной нагрузки
  190. ^ «Процессор Exynos Auto T5123: характеристики, особенности | Samsung Exynos» . Самсунг Полупроводник . Проверено 16 апреля 2022 г.
  191. ^ «Процессор Exynos Auto V7: характеристики, особенности | Samsung Exynos» . Самсунг Полупроводник . Проверено 3 декабря 2021 г.
  192. ^ «Процессор Exynos Auto V9: характеристики, особенности | Samsung Exynos» . Самсунг Полупроводник . Проверено 5 января 2020 г.
  193. ^ Перейти обратно: а б «Exynos Auto V920 | Процессор» . Глобальное подразделение Samsung Semiconductor . Проверено 25 июня 2023 г.
  194. ^ Шилов, Антон. «Samsung представляет Exynos Auto V9 SoC: чип Octa-A76 для питания бортовой информационно-развлекательной системы Audi» . anandtech.com . Проверено 13 мая 2019 г.
  195. ^ «Некоторые пользователи Samsung Galaxy серий M и A в Индии сообщают о проблемах с автоматическим перезапуском и зависанием» . www.fonearena.com . Проверено 11 июля 2024 г.
  196. ^ «Телефоны серий Samsung Galaxy A и Galaxy M страдают от перезагрузок и поломок материнских плат», — говорится в отчете . Индия сегодня . 21 сентября 2021 г. Проверено 11 июля 2024 г.
  197. ^ Гиан-терапия (25 октября 2021 г.). Samsung Mobile — проблема с Exynos 9611! . Проверено 11 июля 2024 г. - через YouTube.
  198. ^ Тек Шриянш (17 июля 2022 г.). Проблема с перезагрузкой Samsung M31s | Экран M31s зависает и проблема с автоматическим перезапуском, зависание логотипа, зависание логотипа💯 . Проверено 11 июля 2024 г. - через YouTube.
  199. ^ «Устройства Samsung серий A, M и F с SoC Exynos 9611 страдают от проблем с зависанием и перезапуском» . r2.community.samsung.com . 28 октября 2021 г. Проверено 11 июля 2024 г.
  200. ^ «Проблема автоматического перезапуска на смартфонах Exynos 9611» . r2.community.samsung.com . 26 августа 2022 г. Проверено 10 июля 2024 г.
  201. ^ «Процессор Exynos 9611 неоднократно зависал и перезапускался» . r2.community.samsung.com . 17 мая 2022 г. Проверено 10 июля 2024 г.
  202. ^ «Мой опыт работы с Exynos 9611 📱» . r2.community.samsung.com . 2 ноября 2022 г. Проверено 10 июля 2024 г.
  203. ^ «Проблема с перезагрузкой Samsung M30» . r2.community.samsung.com . 11 августа 2021 г. Проверено 10 июля 2024 г.
  204. ^ «Samsung M30S перезагружается сам по себе» . r2.community.samsung.com . 15 декабря 2020 г. Проверено 11 июля 2024 г.
  205. ^ «Samsung Galaxy A50 – Мнения и обзоры пользователей» . www.gsmarena.com . Проверено 10 июля 2024 г.
  206. ^ «Samsung Galaxy A51 – Мнения и обзоры пользователей» . www.gsmarena.com . Проверено 10 июля 2024 г.
  207. ^ «Samsung Galaxy M21 – Мнения и обзоры пользователей» . www.gsmarena.com . Проверено 10 июля 2024 г.
  208. ^ «Samsung Galaxy M30s — Мнения и обзоры пользователей» . www.gsmarena.com . Проверено 10 июля 2024 г.
  209. ^ «Samsung Galaxy M31 – Мнения и обзоры пользователей» . www.gsmarena.com . Проверено 10 июля 2024 г.
  210. ^ «Автоперезапуск, фирменное решение» . r2.community.samsung.com . 14 декабря 2021 г. Проверено 11 июля 2024 г.
  211. ^ «[Важно] Присоединяйтесь к кампании, чтобы помочь пользователям, которым грозит перезагрузка и отображение» . r2.community.samsung.com . 23 августа 2022 г. Проверено 11 июля 2024 г.
  212. ^ «ПРОЧИТАЙТЕ ЭТО, ЕСЛИ ВАШ SAMSUNG GALAXY M30S ПРОДОЛЖАЕТ СЛУЧАЙНО зависать и автоматически перезагружаться» . r2.community.samsung.com . 13 июня 2021 г. Проверено 11 июля 2024 г.
  213. ^ «Проблема с постоянным перезапуском Exynos 9611» . r2.community.samsung.com . 12 ноября 2022 г. Проверено 10 июля 2024 г.
  214. ^ «Автоперезагрузка телефона Samsung серий A,M,F» . r2.community.samsung.com . 23 августа 2022 г. Проверено 11 июля 2024 г.
  215. ^ «Samsung Galaxy M21 автоматически перезагружается и зависает» . r2.community.samsung.com . 18 января 2023 г. Проверено 11 июля 2024 г.
  216. ^ «M31 зависает при запуске... Не включается» . r2.community.samsung.com . 13 августа 2022 г. Проверено 11 июля 2024 г.
[ редактировать ]
Retrieved from "https://en.wikipedia.org/w/index.php?title=Exynos&oldid=1235668975"
Arc.Ask3.Ru: конец переведенного документа.
Arc.Ask3.Ru
Номер скриншота №: 2b2905cb67f47ae76687fa140aa541ad__1721476560
URL1:https://arc.ask3.ru/arc/aa/2b/ad/2b2905cb67f47ae76687fa140aa541ad.html
Заголовок, (Title) документа по адресу, URL1:
Exynos - Wikipedia
Данный printscreen веб страницы (снимок веб страницы, скриншот веб страницы), визуально-программная копия документа расположенного по адресу URL1 и сохраненная в файл, имеет: квалифицированную, усовершенствованную (подтверждены: метки времени, валидность сертификата), открепленную ЭЦП (приложена к данному файлу), что может быть использовано для подтверждения содержания и факта существования документа в этот момент времени. Права на данный скриншот принадлежат администрации Ask3.ru, использование в качестве доказательства только с письменного разрешения правообладателя скриншота. Администрация Ask3.ru не несет ответственности за информацию размещенную на данном скриншоте. Права на прочие зарегистрированные элементы любого права, изображенные на снимках принадлежат их владельцам. Качество перевода предоставляется как есть. Любые претензии, иски не могут быть предъявлены. Если вы не согласны с любым пунктом перечисленным выше, вы не можете использовать данный сайт и информация размещенную на нем (сайте/странице), немедленно покиньте данный сайт. В случае нарушения любого пункта перечисленного выше, штраф 55! (Пятьдесят пять факториал, Денежную единицу (имеющую самостоятельную стоимость) можете выбрать самостоятельно, выплаичвается товарами в течение 7 дней с момента нарушения.)