Jump to content

Буль (кристалл)

Кристаллизация
Основы
Концепции
Методы и технология
Монокристаллическая кремниевая буля

Буля полученный монокристаллический слиток, синтетическим путем. [1]

Була кремния является исходным материалом для большинства интегральных схем, используемых сегодня. В полупроводниковой промышленности синтетические були можно изготавливать различными методами, например методом Бриджмена. [2] и процесс Чохральского , в результате которого получается цилиндрический стержень из материала.

В процессе Чохральского затравочный кристалл для создания более крупного кристалла или слитка требуется . Этот затравочный кристалл погружают в чистый расплавленный кремний и медленно извлекают. Расплавленный кремний растет на затравочном кристалле кристаллическим образом. По мере извлечения затравки кремний затвердевает, и в конечном итоге образуется большая цилиндрическая буля. [3]

Полупроводниковую кристаллическую булю обычно разрезают на круглые пластины с внутренним отверстием с помощью алмазной пилы или алмазной канатной пилы , а каждая пластина притирается образовались подложки, подходящие для изготовления полупроводниковых устройств . и полируется, чтобы на ее поверхности [4]

Этот процесс также используется для создания сапфиров , которые используются в качестве подложек при производстве синих и белых светодиодов , оптических окон специального назначения и в качестве защитных чехлов для часов . [5]

  1. ^ Кимото, Цунэнобу; Купер, Джеймс А. (24 ноября 2014 г.). Основы технологии карбида кремния: выращивание, характеристика . Джон Уайли и сыновья. ISBN  9781118313527 . Проверено 1 марта 2017 г.
  2. ^ Дханарадж, Говиндхан; Бираппа, Куллайя; Прасад, Вишванатх; Дадли, Майкл (2010). Справочник Springer по выращиванию кристаллов . Спрингер. ISBN  9783540747611 . Проверено 25 февраля 2017 г.
  3. ^ Ри, Сэмюэл Н. (1978). «Непрерывное развитие процесса Чохральского» . Проверено 1 марта 2017 г.
  4. ^ БОСЕ (2013). Технология изготовления микросхем . McGraw Hill Education (India) Pvt Ltd. с. 53. ИСБН  978-1-259-02958-5 .
  5. ^ Ж.-П. Колинг (29 февраля 2004 г.). Технология кремний-на-изоляторе: Материалы для СБИС: Материалы для СБИС . Springer Science & Business Media. п. 12. ISBN  978-1-4020-7773-9 .
Arc.Ask3.Ru: конец переведенного документа.
Arc.Ask3.Ru
Номер скриншота №: 4c92b15e01af05bffc08fb3ac4609f41__1698126240
URL1:https://arc.ask3.ru/arc/aa/4c/41/4c92b15e01af05bffc08fb3ac4609f41.html
Заголовок, (Title) документа по адресу, URL1:
Boule (crystal) - Wikipedia
Данный printscreen веб страницы (снимок веб страницы, скриншот веб страницы), визуально-программная копия документа расположенного по адресу URL1 и сохраненная в файл, имеет: квалифицированную, усовершенствованную (подтверждены: метки времени, валидность сертификата), открепленную ЭЦП (приложена к данному файлу), что может быть использовано для подтверждения содержания и факта существования документа в этот момент времени. Права на данный скриншот принадлежат администрации Ask3.ru, использование в качестве доказательства только с письменного разрешения правообладателя скриншота. Администрация Ask3.ru не несет ответственности за информацию размещенную на данном скриншоте. Права на прочие зарегистрированные элементы любого права, изображенные на снимках принадлежат их владельцам. Качество перевода предоставляется как есть. Любые претензии, иски не могут быть предъявлены. Если вы не согласны с любым пунктом перечисленным выше, вы не можете использовать данный сайт и информация размещенную на нем (сайте/странице), немедленно покиньте данный сайт. В случае нарушения любого пункта перечисленного выше, штраф 55! (Пятьдесят пять факториал, Денежную единицу (имеющую самостоятельную стоимость) можете выбрать самостоятельно, выплаичвается товарами в течение 7 дней с момента нарушения.)