Внутренние и внешние свойства

В науке и технике внутреннее свойство — это свойство определенного предмета, существующее само по себе или внутри этого предмета. Внешнее свойство не является существенным или присущим характеризуемому предмету. Например, масса — это внутреннее свойство любого физического объекта , тогда как вес — это внешнее свойство, которое зависит от силы гравитационного поля , в котором находится объект.

Приложения в науке и технике

В материаловедении внутреннее свойство не зависит от того, сколько материала присутствует, и независимо от формы материала, например, один большой кусок или совокупность мелких частиц. Внутренние свойства зависят главным образом от основного химического состава и структуры материала. ^[1] Внешние свойства различаются как зависящие от присутствия предотвратимых химических загрязнений или структурных дефектов. ^[2]

В биологии внутренние эффекты возникают внутри организма или клетки , например, аутоиммунные заболевания или внутренний иммунитет .

В электронике и оптике внутренними свойствами устройств (или систем приборов) обычно называют те, которые свободны от влияния различного рода несущественных дефектов. ^[3] Такие дефекты могут возникнуть в результате несовершенства конструкции, производственных ошибок или экстремальных условий эксплуатации и могут приводить к появлению отличительных и часто нежелательных внешних свойств. Идентификация, оптимизация и контроль как внутренних, так и внешних свойств входят в число инженерных задач, необходимых для достижения высокой производительности и надежности современных электрических и оптических систем. ^[4]

См. также

Ссылки

^ Пищевая и упаковочная инженерия (IFNHH, Университет Мэсси, Новая Зеландия)
^ Мишра, Умеш и Сингх, Джасприт, Глава 1: Структурные свойства полупроводников . В: Физика и дизайн полупроводниковых устройств, 2008, страницы 1–27. дои : 10.1007/978-1-4020-6481-4 , ISBN 978-1-4020-6481-4
^ Суне, Джорди и Ву, Эрнест Ю., Глава 16: Дефекты, связанные с пробой диэлектрика в диэлектриках затвора на основе SiO2 . В: Дефекты в микроэлектронных материалах и устройствах (под редакцией Флитвуда, Дэниела и Шримпфа, Рональда), 2008 г., страницы 465–496, дои : 10.1201/9781420043778 , ISBN 9781420043778
^ Уэда, Осаму и Пиртон, редакторы Стивена Дж., Справочник по материалам и надежности для полупроводниковых оптических и электронных устройств, 2013, дои : 10.1007/978-1-4614-4337-7 , ISBN 978-1-4614-4337-7

[1] Пищевая и упаковочная инженерия (IFNHH, Университет Мэсси, Новая Зеландия)

[2] Мишра, Умеш и Сингх, Джасприт, Глава 1: Структурные свойства полупроводников . В: Физика и дизайн полупроводниковых устройств, 2008, страницы 1–27. дои : 10.1007/978-1-4020-6481-4 , ISBN 978-1-4020-6481-4

[3] Суне, Джорди и Ву, Эрнест Ю., Глава 16: Дефекты, связанные с пробой диэлектрика в диэлектриках затвора на основе SiO2 . В: Дефекты в микроэлектронных материалах и устройствах (под редакцией Флитвуда, Дэниела и Шримпфа, Рональда), 2008 г., страницы 465–496, дои : 10.1201/9781420043778 , ISBN 9781420043778

[4] Уэда, Осаму и Пиртон, редакторы Стивена Дж., Справочник по материалам и надежности для полупроводниковых оптических и электронных устройств, 2013, дои : 10.1007/978-1-4614-4337-7 , ISBN 978-1-4614-4337-7

[1]

[2]

[3]

[4]