МЦДРАМ

Многоканальная DRAM или MCDRAM (произносится как em cee dee ram ^[1]) — это 3D-стековая DRAM , которая используется в Intel Xeon Phi процессоре под кодовым названием Knights Landing . Это версия Hybrid Memory Cube, разработанная в сотрудничестве с Micron Technology и конкурент High Bandwidth Memory .

Множество ядер процессоров Xeon Phi вместе с соответствующими блоками векторной обработки позволяют им потреблять гораздо больше гигабайт в секунду, чем могут обеспечить традиционные модули DRAM DIMM. «Многоканальная» часть полного имени MCDRAM отражает наличие у ядер гораздо большего количества каналов для доступа к MCDRAM, чем процессорам необходимо для доступа к подключенным к ним модулям DIMM. ^[2] Такое большое количество каналов приводит к высокой пропускной способности MCDRAM, до 400+ ГБ/с, хотя задержки аналогичны доступу к DIMM.

Его физическое размещение на процессоре накладывает некоторые ограничения на емкость — до 16 ГБ при запуске, хотя предполагается, что в будущем она будет увеличена.

Программирование

Память может быть разбита на разделы во время загрузки, при этом часть будет использоваться в качестве кэша для более удаленных DDR, а оставшаяся часть будет отображена в физическое адресное пространство.

Приложение может запросить страниц виртуальной памяти назначение либо непосредственно удаленной DDR, либо той части DDR, которая кэшируется MCDRAM, либо той части MCDRAM, которая не используется в качестве кэша. Один из способов сделать это — через memkind API. ^[3]

При использовании в качестве кэша задержка при пропуске доступа как к MCDRAM, так и к DDR немного выше, чем при прямом доступе к DDR, поэтому приложения, возможно, потребуется настроить. ^[4] чтобы избежать чрезмерных промахов в кэше.

Ссылки

^ Майк П. (так в оригинале) (20 января 2016 г.). «Введение в MCDRAM (память с высокой пропускной способностью) в Knights Landing» . программное обеспечение.intel.com . Проверено 18 апреля 2016 г.
^ Ян Катресс (16 ноября 2015 г.). «Несколько замечаний о режимах Intel Knights Landing и MDRAM из SC15» . www.anandtech.com . Проверено 18 апреля 2016 г.
^ Кристофер Канталупо; и др. (18 марта 2015 г.). «Пользовательский расширяемый менеджер кучи для гетерогенных платформ памяти и политик смешанной памяти» (PDF) . memkind.github.io . Проверено 18 апреля 2016 г.
^ Майк П. (так в оригинале) (10 марта 2016 г.). «MCDRAM (высокоскоростная память) в Рыцарской Гавани – методы и инструменты анализа» . программное обеспечение.intel.com . Проверено 18 апреля 2016 г.

Внешние ссылки

[1] Майк П. (так в оригинале) (20 января 2016 г.). «Введение в MCDRAM (память с высокой пропускной способностью) в Knights Landing» . программное обеспечение.intel.com . Проверено 18 апреля 2016 г.

[2] Ян Катресс (16 ноября 2015 г.). «Несколько замечаний о режимах Intel Knights Landing и MDRAM из SC15» . www.anandtech.com . Проверено 18 апреля 2016 г.

[3] Кристофер Канталупо; и др. (18 марта 2015 г.). «Пользовательский расширяемый менеджер кучи для гетерогенных платформ памяти и политик смешанной памяти» (PDF) . memkind.github.io . Проверено 18 апреля 2016 г.

[4] Майк П. (так в оригинале) (10 марта 2016 г.). «MCDRAM (высокоскоростная память) в Рыцарской Гавани – методы и инструменты анализа» . программное обеспечение.intel.com . Проверено 18 апреля 2016 г.

[1]

[2]

[3]

[4]