✖


Jump to content

Арсенид индия-галлия

Арсенид индия-галлия (InGaAs) (альтернативно арсенид галлия-индия, GaInAs) представляет собой тройной сплав ( химическое соединение ) арсенида индия (InAs) и арсенида галлия (GaAs). Индий и галлий относятся к элементам III группы таблицы Менделеева, а мышьяк — к элементу V группы . Сплавы этих химических групп относят к соединениям «III-V» . InGaAs имеет промежуточные свойства между GaAs и InAs. работающий при комнатной температуре InGaAs — полупроводник, , который применяется в электронике и фотонике .

Принципиальное значение GaInAs заключается в его применении в качестве высокоскоростного и высокочувствительного фотодетектора для волоконно-оптических телекоммуникаций. [1]

Номенклатура

[ редактировать ]

Арсенид индия-галлия (InGaAs) и арсенид галлия-индия (GaInAs) используются взаимозаменяемо. По ИЮПАК стандартам [2] Предпочтительная номенклатура сплава - Ga x In 1-x As, где элементы группы III располагаются в порядке возрастания атомного номера, как в родственной системе сплавов Al x Ga 1-x As. На сегодняшний день наиболее важным составом сплава с технологической и коммерческой точек зрения является Ga 0,47 In 0,53 As, который можно осаждать в монокристаллической форме на фосфиде индия (InP).

Синтез материалов

[ редактировать ]

GaInAs не является природным материалом. Монокристаллический материал необходим для применения в электронных и фотонных устройствах. Пирсолл и его коллеги первыми описали монокристаллический эпитаксиальный рост In 0,53 Ga 0,47 As на (111)-ориентированной [3] и на (100)-ориентированном [4] Подложки InP.Монокристаллический материал в виде тонкой пленки может быть выращен методами эпитаксии из жидкой фазы (ЖФЭ), паровой фазы (ВПЭ), молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) и химического осаждения из паровой фазы металлорганических соединений (МО-CVD). [5] Сегодня большинство коммерческих устройств производятся MO-CVD или MBE.

Оптические и механические свойства InGaAs можно варьировать, изменяя соотношение InAs и GaAs, In
1-х станция
х Как . [6] Большинство устройств InGaAs выращиваются на подложках из фосфида индия (InP). Чтобы соответствовать постоянной решетки InP и избежать механических напряжений, In
0,53 млрд лет
0,47 Как используется. Эта композиция имеет край оптического поглощения при 0,75 эВ, что соответствует длине волны отсечки λ = 1,68 мкм при 295 К.

Путем дальнейшего увеличения мольной доли InAs по сравнению с GaAs можно увеличить длину волны отсечки примерно до λ=2,6 мкм. В этом случае необходимо принять специальные меры, чтобы избежать механических напряжений из-за различий в постоянных решетки .

GaAs не соответствует решетке германия (Ge) на 0,08%. При добавлении в сплав 1,5% InAs In 0,015 Ga 0,985 As становится согласованным по решетке с подложкой Ge, что снижает напряжение при последующем осаждении GaAs.

Электронные и оптические свойства

[ редактировать ]
Рис.1 Энергетическая щель в зависимости от состава галлия для GaInAs

InGaAs имеет параметр решетки, который линейно увеличивается с концентрацией InAs в сплаве. [7] жидкость-твердое тело Фазовая диаграмма [3] показывает, что во время затвердевания из раствора, содержащего GaAs и InAs, GaAs поглощается с гораздо большей скоростью, чем InAs, обедняя раствор GaAs. Во время роста из раствора состав первого затвердевающего материала богат GaAs, тогда как состав последнего затвердевшего материала богаче InAs. Эта особенность была использована для производства слитков InGaAs с ступенчатым составом по длине слитка. Однако деформация, вызванная изменением постоянной решетки, приводит к тому, что слиток становится поликристаллическим и ограничивает характеристику несколькими параметрами, такими как ширина запрещенной зоны и постоянная решетки, с неопределенностью из-за непрерывной градации состава в этих образцах.

Рис.2 Параметр решетки GaInAs в зависимости от содержания сплава GaAs
Рис.3 Фотолюминесценция GaInAs n- и p-типа [8]

Свойства монокристалла GaInAs

[ редактировать ]

Монокристалл GaInAs

[ редактировать ]

Монокристаллические эпитаксиальные пленки GaInAs могут быть нанесены на монокристаллическую подложку из полупроводника III-V, имеющую параметр решетки, близкий к параметру решетки конкретного синтезируемого сплава арсенида галлия и индия. Можно использовать три подложки: GaAs, InAs и InP. требуется хорошее соответствие постоянных решетки пленки и подложки Для сохранения свойств монокристалла , и это ограничение допускает небольшие изменения в составе, порядка нескольких процентов. Таким образом, свойства эпитаксиальных пленок сплавов GaInAs, выращенных на GaAs, очень похожи на GaAs, а на InAs - на InAs, поскольку деформация несоответствия решетки обычно не допускает существенного отклонения состава от чистой бинарной подложки.

Здесь
0,47 дюйма
0,53 As — это сплав, параметр решетки которого соответствует параметру решетки InP при 295 К. GaInAs, согласованный по решетке с InP, представляет собой полупроводник со свойствами, совершенно отличными от свойств GaAs, InAs или InP. Он имеет энергетическую запрещенную зону 0,75 эВ, эффективную массу электронов 0,041 и подвижность электронов около 10 000 см-1. 2 ·V −1 ·с −1 при комнатной температуре, что более благоприятно для многих применений в электронных и фотонных устройствах по сравнению с GaAs, InP или даже Si. [1] Измерения ширины запрещенной зоны и подвижности электронов монокристалла GaInAs были впервые опубликованы Такедой и его сотрудниками. [9]

Свойство Значение при 295 К Ссылка
Параметр решетки 5,869 Å [4]
Ширина запрещенной зоны 0,75 эВ [9]
Эффективная масса электрона 0.041 [10]
Эффективная масса легкой дырки 0.051 [11]
Подвижность электронов 10 000 см 2 ·V −1 ·с −1 [12]
Мобильность отверстий 250 см 2 ·V −1 ·с −1 [12]

Параметр решетки FCC

[ редактировать ]

Как и большинство материалов, параметр решетки GaInAs зависит от температуры. Измеренный коэффициент теплового расширения [13] составляет 5,66 × 10 −6 К −1 . Это значительно больше коэффициента для InP, который составляет 4,56 × 10 −6 К −1 . Пленка, которая точно соответствует решетке InP при комнатной температуре, обычно выращивается при 650 ° C с рассогласованием решетки + 6,5 × 10. −4 . Такая пленка имеет мольную долю GaAs = 0,47. Для получения согласования решетки при температуре роста необходимо увеличить мольную долю GaAs до 0,48.

Запрещенная энергия

[ редактировать ]

Энергию запрещенной зоны GaInAs можно определить по пику в спектре фотолюминесценции при условии, что общая концентрация примесей и дефектов не превышает 5 × 10 16 см −3 . Энергия запрещенной зоны зависит от температуры и увеличивается с понижением температуры, как видно на рис. 3 для образцов как n-типа, так и p-типа. Энергия запрещенной зоны при комнатной температуре для стандартного InGaAs/InP (53% InAs, 47% GaAs) составляет 0,75 эВ и находится между энергиями Ge и Si. По совпадению, запрещенная зона GaInAs идеально подходит для применения в фотодетекторах и лазерах в длинноволновом окне передачи (C-диапазон и L-диапазон) для волоконно-оптической связи .

Эффективная масса

[ редактировать ]

GaInAs Эффективная масса электронов m * /м° = 0,041 [10] является наименьшим для любого полупроводникового материала с шириной запрещенной зоны более 0,5 эВ. Эффективная масса определяется по кривизне соотношения энергия-импульс: более сильная кривизна приводит к меньшей эффективной массе и большему радиусу делокализации. На практике низкая эффективная масса напрямую приводит к высокой мобильности носителей, что способствует более высокой скорости транспортировки и текущей грузоподъемности. Более низкая эффективная масса носителей также способствует увеличению туннельного тока, что является прямым результатом делокализации.

В валентной зоне имеются два типа носителей заряда: легкие дырки: m * /м° = 0,051 [11] и тяжелые дырки: м * /м° = 0,2. [14] В электрических и оптических свойствах валентной зоны преобладают тяжелые дырки, поскольку плотность этих состояний значительно больше, чем у легких дырок. Это отражается и на подвижности дырок при 295 К, которая в 40 раз ниже, чем у электронов.

Рис.4. Зависимость подвижности электронов и дырок GaInAs от концентрации примеси при 295 К. [12]

Мобильность электронов и дырок

[ редактировать ]

Подвижность электронов и дырок являются ключевыми параметрами проектирования и работы электронных устройств. Такеда и его коллеги первыми измерили подвижность электронов в эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP. [9] Измеренные подвижности носителей электронов и дырок показаны на рисунке 4.

Мобильность носителей в Ga
0,47 дюйма
0,53 Что необычно в двух отношениях:

  • Очень высокое значение подвижности электронов
  • Необычно большое соотношение подвижностей электронов и дырок.

при комнатной температуре Подвижность электронов для достаточно чистых образцов Ga
0,47 дюйма
0,53 При приближении к 10 × 10 3 см 2 ·V −1 ·с −1 , что является самым большим из всех технологически важных полупроводников, хотя и значительно меньше, чем у графена .

Подвижность пропорциональна проводимости носителя. По мере увеличения мобильности увеличивается и токовая нагрузка транзисторов. Более высокая мобильность сокращает время отклика фотодетекторов . Большая мобильность снижает последовательное сопротивление, а это повышает эффективность устройства, снижает шум и энергопотребление.

Константа диффузии неосновных носителей прямо пропорциональна подвижности носителей. Константа диффузии электронов при комнатной температуре на расстоянии 250 см 2 ·с −1 значительно больше, чем у Si, GaAs, Ge или InP, и определяет сверхбыстрый отклик Ga
0,47 дюйма
0,53 В качестве фотоприемников.

Отношение подвижности электронов к дыркам является самым большим из используемых в настоящее время полупроводников.

Приложения

[ редактировать ]
Рис.5 вверху: фотодиод Ge, внизу: фотодиод GaInAs в диапазоне длин волн от 1 до 2 мкм. [15]

Фотодетекторы

[ редактировать ]

Основное применение GaInAs — в качестве инфракрасного детектора . Спектральный отклик фотодиода GaInAs показан на рисунке 5. Фотодиоды GaInAs являются предпочтительным выбором в диапазоне длин волн 1,1 мкм < λ < 1,7 мкм. Например, по сравнению с фотодиодами, изготовленными из Ge, фотодиоды GaInAs имеют более быстрый временной отклик, более высокую квантовую эффективность и меньший темновой ток для той же площади датчика. [16] Фотодиоды GaInAs были изобретены Пирсоллом в 1977 году. [17]

Лавинные фотодиоды обеспечивают дополнительное усиление за счет времени отклика. Эти устройства особенно полезны для обнаружения одиночных фотонов в таких приложениях, как распределение квантовых ключей , где время отклика не имеет решающего значения. Лавинные фотодетекторы требуют специальной конструкции для уменьшения обратного тока утечки из-за туннелирования. Первые практические лавинные фотодиоды были разработаны и продемонстрированы в 1979 году. [18]

В 1980 году Пирсолл разработал конструкцию фотодиода, в которой используется уникально короткое время диффузии высокой подвижности электронов в GaInAs, что приводит к сверхбыстрому времени отклика. [19] [20] Эта структура получила дальнейшее развитие и впоследствии получила название UTC, или фотодиод с однонаправленной несущей. [21] В 1989 году Вей и его коллеги [22] разработал и продемонстрировал штыревые фотодиоды GaInAs/InP со временем отклика менее 5 пикосекунд для поверхности детектора размером 5 мкм х 5 мкм.

Другие важные инновации включают встроенный фотодиод – приемник на полевом транзисторе. [23] и разработка матриц GaInAs в фокальной плоскости. [24]

Лазеры

[ редактировать ]

Полупроводниковые лазеры являются важным применением GaInAs после фотодетекторов. GaInAs можно использовать в качестве лазерной среды. Созданы устройства, работающие на длинах волн 905, 980, 1060 и 1300 нм. Квантовые точки InGaAs на GaAs также изучались как лазеры. [25] Лазеры с квантовыми ямами GaInAs/ InAlAs можно настроить для работы в окне с низкими потерями и низкой дисперсией λ = 1500 нм для волоконно-оптических телекоммуникаций. [26] В 1994 году квантовые ямы GaInAs/ AlInAs были использованы Жеромом Фаистом и его сотрудниками. [27] который изобрел и продемонстрировал новый тип полупроводникового лазера, основанный на излучении фотонов электроном, совершающим оптический переход между подзонами в квантовой яме. Они показали, что области испускания фотонов можно соединить последовательно, создавая квантово-каскадный лазер (ККЛ). Энергия испускания фотонов составляет часть энергии запрещенной зоны. Например, ККЛ GaInAs/ AlInAs работает при комнатной температуре в диапазоне длин волн 3 мкм < λ < 8 мкм. Длину волны можно изменить, изменив ширину квантовой ямы GaInAs. [28] Эти лазеры широко используются для химического зондирования и контроля загрязнения.

Фотовольтаика и транзисторы

[ редактировать ]

GaInAs используется в фотоэлектрической энергетике с тройным переходом , а также для производства термофотоэлектрической энергии. [29]

В
0,015 млрд лет
0,985 As может использоваться в качестве промежуточного перехода в запрещенной зоне в многопереходных фотоэлектрических элементах с идеальной решеткой, соответствующей Ge. Идеальное соответствие решетки Ge снижает плотность дефектов, повышая эффективность ячейки. [ нужна ссылка ]

HEMT- устройства, использующие каналы InGaAs, являются одним из самых быстродействующих типов транзисторов. [30] [ нужна ссылка ]

В 2012 году исследователи Массачусетского технологического института объявили о создании самого маленького транзистора, когда-либо созданного из материала, отличного от кремния. [31] Металлооксидно -полупроводниковый полевой транзистор ( MOSFET ) имеет длину 22 нанометра. Это многообещающее достижение, но необходимо провести дополнительную работу, чтобы показать, что уменьшенный размер приводит к улучшению электронных характеристик по сравнению с транзисторами на основе кремния или GaAs.

В 2014 году исследователи из Университета штата Пенсильвания разработали новый прототип устройства, предназначенного для тестирования нанопроводов, изготовленных из сложных полупроводников, таких как InGaAs. [32] Целью этого устройства было выяснить, сохранит ли составной материал свою превосходную подвижность на наноразмерах в конфигурации устройства FinFET. Результаты этого теста побудили ту же исследовательскую группу провести дополнительные исследования транзисторов из InGaAs, которые показали, что с точки зрения тока включения при более низком напряжении питания InGaAs работает очень хорошо по сравнению с существующими кремниевыми устройствами.

В феврале 2015 года Intel заявила, что может использовать InGaAs для своего 7-нанометрового процесса КМОП в 2017 году. [33]

Безопасность и токсичность

[ редактировать ]

Для синтеза GaInAs, как и GaAs, чаще всего используют арсин ( AsH
3 ), чрезвычайно токсичный газ. В синтезе InP также чаще всего используется фосфин ( PH
3 ). Вдыхание этих газов нейтрализует поглощение кислорода кровотоком и может привести к летальному исходу в течение нескольких минут при превышении токсических доз. Безопасное обращение предполагает использование чувствительной системы обнаружения токсичных газов и автономного дыхательного аппарата. [34]

Когда GaInAs осаждается в виде тонкой пленки на подложке, он становится практически инертным и устойчивым к истиранию, сублимации или растворению обычными растворителями, такими как вода, спирты или ацетоны . В форме устройства объем GaInAs обычно составляет менее 1000 мкм. 3 , и им можно пренебречь по сравнению с объемом несущей подложки InP или GaAs.

Национальные институты здравоохранения изучили эти материалы и обнаружили: [35]

  • Данных о канцерогенной активности арсенида галлия у крыс-самцов F344/N, подвергшихся воздействию 0,01, 0,1 или 1,0 мг/м2, не обнаружено. 3
  • Канцерогенная активность у самок крыс F344/N
  • Никаких доказательств канцерогенной активности у мышей B6C3F1 мужского и женского пола, подвергшихся воздействию 0,1, 0,5 или 1,0 мг/м2, не обнаружено. 3 .

Всемирной здравоохранения , был сделан вывод: организации Международным агентством по изучению рака В обзоре токсикологического исследования NIH, проведенном [36]

  • Нет достаточных доказательств канцерогенности арсенида галлия для человека.
  • Имеются ограниченные доказательства канцерогенности арсенида галлия на экспериментальных животных.
  • Галлиевый фрагмент может быть ответственен за рак легких, наблюдаемый у самок крыс.

REACH ( Регистрация, оценка, авторизация и ограничение использования химических веществ ) — это европейская инициатива по классификации и регулированию материалов, которые используются или производятся (даже в виде отходов) в производстве. REACH рассматривает три класса токсичных веществ: канцерогенные, репродуктивные и мутагенные.

Процедура классификации REACH состоит из двух основных этапов. На первом этапе определяются опасности, присущие материалу, без какого-либо рассмотрения того, как материал может использоваться или с которым он может столкнуться на рабочем месте или потребителем. На втором этапе рассматривается риск вредного воздействия наряду с процедурами, которые могут смягчить воздействие. И GaAs, и InP находятся на стадии 1 оценки. Основной риск воздействия возникает во время подготовки подложки, когда при шлифовке и полировке образуются частицы GaAs и InP микронного размера. Аналогичные проблемы возникают и при нарезке пластин для изготовления отдельных устройств. Эти частицы пыли могут всасываться при дыхании или проглатывании. Увеличение отношения площади поверхности к объему таких частиц увеличивает их химическую активность.

Токсикологические исследования основаны на экспериментах на крысах и мышах. Никакие сопоставимые исследования не проверяли эффекты попадания пыли GaAs или InP в жидкую суспензию.

Процедура REACH, действующая в соответствии с принципом предосторожности , интерпретирует «недостаточные доказательства канцерогенности» как «возможный канцероген». В результате Европейское химическое агентство в 2010 году классифицировало InP как канцероген и репродуктивный токсин: [37]

  • Классификация и маркировка в соответствии с Директивой 67/548/EEC.
  • Классификация: Карк. Кот. 2; 45 рэндов
  • Представитель Кот. 3; Р62

и ECHA классифицировало GaAs в 2010 году как канцероген и репродуктивный токсин:

  • Классификация и маркировка в соответствии с Директивой 67/548/EEC:
  • Классификация3: Карк. Как. 1; 45 рэндов
  • Репро. Кот. 2; 60 рэндов

См. также

[ редактировать ]

Ссылки

[ редактировать ]
  1. ^ Перейти обратно: а б Пирсолл, Т. (1980). «Ga 0,47 In 0,53 As: тройной полупроводник для фотодетекторов». Журнал IEEE по квантовой электронике . 16 (7). Институт инженеров по электротехнике и электронике (IEEE): 709–720. дои : 10.1109/jqe.1980.1070557 . ISSN   0018-9197 .
  2. ^ «Международный союз теоретической и прикладной химии: Главная» . ИЮПАК . Проверено 22 сентября 2013 г.
  3. ^ Перейти обратно: а б Пирсолл, ТП; Хопсон, RW (1977). «Выращивание и характеристика эпитаксиальных пленок Ga x In 1-x As/InP с согласованной решеткой методом жидкофазной эпитаксии». Журнал прикладной физики . 48 (10). Издательство AIP: 4407–4409. дои : 10.1063/1.323399 . ISSN   0021-8979 .
  4. ^ Перейти обратно: а б Пирсолл, ТП; Бисаро, Р.; Ансель, Р.; Меренда, П. (15 апреля 1978 г.). «Рост Ga x In 1−x As на (100) InP методом жидкофазной эпитаксии». Письма по прикладной физике . 32 (8). Издательство АИП: 497–499. дои : 10.1063/1.90100 . ISSN   0003-6951 .
  5. ^ Хирц, JP; Лариваин, JP; Дюшемен, JP; Пирсолл, ТП; Бонне, М. (1980). «Рост Ga 0,47 In 0,53 As на InP методом МОСВД низкого давления». Электронные письма . 16 (11). Инженерно-технологический институт (ИЭТ): 415–416. Бибкод : 1980ElL....16..415H . дои : 10.1049/эл:19800290 . ISSN   0013-5194 .
  6. ^ «Технология: что такое InGaAs?» . Sensorsinc.com. Архивировано из оригинала 29 октября 2013 г. Проверено 2 декабря 2013 г.
  7. ^ Джон В. Вагнер. «Приготовление и свойства объемных сплавов In1 - x Ga x As: НАУКА ТВЕРДОГО ТЕЛА - Технические статьи» . Jes.ecsdl.org . Проверено 2 декабря 2013 г.
  8. ^ Пирсолл, ТП; Ивз, Л.; Портал, Джей Си (1983). «Фотолюминесценция и концентрация примесей в сплавах GaxIn1-xAsyP1-y, согласованных по решетке с InP». Журнал прикладной физики . 54 (2): 1037. Бибкод : 1983JAP....54.1037P . дои : 10.1063/1.332122 .
  9. ^ Перейти обратно: а б с Ю. Такеда, А. Сасаки, Ю. Имамура и Т. Такаги, «Подвижность электронов и энергетическая щель In
    0,53     млрд лет
    0,47     Как     на подложке InP», J. of Appl. Physics 47 , 5405-7 (1976); https://doi.org/10.1063/1.322570
  10. ^ Перейти обратно: а б Николас, Р.Дж.; Портал, JC; Хоулберт, К.; Перье, П.; Пирсолл, Т.П. (15 апреля 1979 г.). «Экспериментальное определение эффективных масс сплавов Ga x In 1−x As y P 1−y , выращенных на InP». Письма по прикладной физике . 34 (8). Издательство АИП: 492–494. дои : 10.1063/1.90860 . ISSN   0003-6951 .
  11. ^ Перейти обратно: а б Герман, Клодин; Пирсолл, Томас П. (15 марта 1981 г.). «Оптическая накачка и эффективная масса легкой дырки валентной зоны в Ga x In 1−x As y P 1−y (y≃2,2x)» . Письма по прикладной физике . 38 (6). Издательство АИП: 450–452. дои : 10.1063/1.92393 . ISSN   0003-6951 .
  12. ^ Перейти обратно: а б с Пирсолл, ТП; Хирц, JP (1981). «Подвижность носителей в Ga 0,47 In 0,53 , выращенная методом металлоорганического [sic] CVD и жидкофазной эпитаксии». Журнал роста кристаллов . 54 (1). Эльзевир Б.В.: 127–131. Бибкод : 1981JCrGr..54..127P . дои : 10.1016/0022-0248(81)90258-х . ISSN   0022-0248 .
  13. ^ Бисаро, Р.; Меренда, П.; Пирсолл, Т.П. (1979). «Параметры термического расширения некоторых сплавов Ga x In 1−x As y P 1−x ». Письма по прикладной физике . 34 (1). Издательство AIP: 100–102. дои : 10.1063/1.90575 . ISSN   0003-6951 .
  14. ^ Лин, С.Ю. (1989). «Циклотронный резонанс двумерных дырок в структуре квантовых ям с напряженными слоями (100)In0,20Ga0,80As/GaAs» . Письма по прикладной физике . 55 (7): 666–668. Бибкод : 1989АпФЛ..55..666Л . дои : 10.1063/1.101816 .
  15. ^ Т.П. Пирсолл, «Фотодетекторы InGaAs» в свойствах решеточно-согласованного и напряженного арсенида индия-галлия , редактор П.Бхаттачарья, (Лондон, IEE Press, 1993), стр. 267-77.
  16. ^ Пирсолл, ТП; Поллак, Массачусетс (3 июня 1985 г.). Цанг, WT (ред.). Фотодиоды для оптоволоконной связи . Том. 17. Академическая пресса. стр. 174–246. ISBN  978-0-08-086417-4 . {{cite book}}: |work= игнорируется ( помогите )
  17. ^ Т.П. Пирсолл и Р.В. Хопсон-младший, Конференция по электронным материалам, Корнельский университет, 1977, опубликовано в J. Electron. Мат. 7 , стр. 133-146, (1978)
  18. ^ Нисида, Кацухико (1979). «Гетероструктурные лавинные фотодиоды InGaAsP с высоким лавинным усилением». Письма по прикладной физике . 35 (3): 251–253. Бибкод : 1979АпФЛ..35..251Н . дои : 10.1063/1.91089 .
  19. ^ Пирсолл, Т. (1981). «Гетерофотодиод Ga 0,47 In 0,53 As/InP с пониженным темновым током». Журнал IEEE по квантовой электронике . 17 (2): 255–259. Бибкод : 1981IJQE...17..255P . дои : 10.1109/JQE.1981.1071057 . S2CID   20079859 .
  20. ^ Пирсолл, ТП; Логан, РА; Бетея, CG (1983). «PIN-детекторы GaInAs/InP с большой полосой пропускания (> 2 ГГц)». Электронные письма . 19 (16). Инженерно-технологический институт (ИЭТ): 611–612. Бибкод : 1983ElL....19..611P . дои : 10.1049/эл:19830416 . ISSN   0013-5194 .
  21. ^ Симидзу, Н. (1998). «Фотодиод InP-InGaAs с однопутной несущей с улучшенной полосой пропускания на 3 дБ и частотой более 150 ГГц». Письма IEEE Photonics Technology . 10 (3): 412–414. Бибкод : 1998IPTL...10..412S . дои : 10.1109/68.661427 . S2CID   9717655 .
  22. ^ Вей, Ю.Г.; Кроуфорд, ДЛ; Гибони, К.; Бауэрс, Дж. Э.; Родвелл, MJ; Сильвестр, П.; Хафич, MJ; Робинсон, Джорджия (13 мая 1991 г.). «Сверхбыстрый градуированный фотодиод с двойной гетероструктурой GaInAs/InP». Письма по прикладной физике . 58 (19). Издательство АИП: 2156–2158. Бибкод : 1991ApPhL..58.2156W . дои : 10.1063/1.104991 . ISSN   0003-6951 .
  23. ^ Ветеран, Дж. Л. (1982). «Измерения барьера Шоттки на In 0,53 Ga 0,47 As p-типа». Тонкие твердые пленки . 97 (2): 187–190. Бибкод : 1982TSF....97..187V . дои : 10.1016/0040-6090(82)90227-9 .
  24. ^ «Неограниченное количество датчиков — InGaAs-камеры, матрицы и фотодиоды в ближнем и коротковолновом инфракрасном диапазоне (SWIR)» . Sensorsinc.com . Проверено 22 сентября 2013 г.
  25. ^ Бимберг, Д.; Кирстедтер, Н.; Леденцов Н.Н.; Алферов З.И.; Копьев П.С.; Устинов, В.М. (1997). «Лазеры на квантовых точках InGaAs-GaAs». Журнал IEEE по избранным темам квантовой электроники . 3 (2). Институт инженеров по электротехнике и электронике (IEEE): 196–205. Бибкод : 1997IJSTQ...3..196B . дои : 10.1109/2944.605656 . ISSN   1077-260X .
  26. ^ К. Алави, Х. Темкин, А.Я. Чо и Т.П. Пирсолл, «Лазеры с несколькими квантовыми ямами AlInAs-GaInAs, излучающие на длине волны 1,55 мкм», Appl. Физ. Летт. 4244 , 845-847 (1983)
  27. ^ Фаист, Дж.; Капассо, Ф.; Сивко, ДЛ; Сиртори, К.; Хатчинсон, Алабама; Чо, АЮ (22 апреля 1994 г.). «Квантовый каскадный лазер». Наука . 264 (5158). Американская ассоциация содействия развитию науки (AAAS): 553–556. Бибкод : 1994Sci...264..553F . дои : 10.1126/science.264.5158.553 . ISSN   0036-8075 . ПМИД   17732739 . S2CID   109009138 .
  28. ^ Дж. Файст, Квантовый каскадный лазер , (Оксфорд, Oxford University Press, 2013)
  29. ^ М.Тан, Л.Джи, Ю.Ву, П.Дай, К.Ванг, К.Ли, Т.Ю, Ю, С.Лу и Х.Янг, «Исследование термофотоэлектрических элементов InGaAs под действием излучения черного тела». ", Прикладная физика Экспресс 7 , с. 096601 (2014), https://doi.org/10.7567/APEX.7.096601
  30. ^ [1] Архивировано 4 января 2006 г., в Wayback Machine.
  31. ^ «Крошечный составной полупроводниковый транзистор может бросить вызов доминированию кремния» . 10 декабря 2012 г.
  32. ^ Татхачари, Арун В.; Агравал, Нидхи; Лю, Лу; Датта, Суман (1 января 2014 г.). «Транспорт электронов в многозатворных InxGa1–x в виде нанопроволочных полевых транзисторов: от диффузионного к баллистическому режимам при комнатной температуре». Нано-буквы . 14 (2): 626–633. Бибкод : 2014NanoL..14..626T . дои : 10.1021/nl4038399 . ПМИД   24382089 .
  33. ^ Себастьян Энтони (23 февраля 2015 г.). «Intel продвигается вперед к 10-нм технологии и отойдет от кремния на 7-нм технологии» . Арс Техника . Проверено 28 ноября 2019 г.
  34. ^ аспекты окружающей среды, здоровья и безопасности источников арсенида индия-галлия (таких как триметилгаллий , триметилиндий и арсин ) и исследования по мониторингу промышленной гигиены стандартного MOVPE . Были рассмотрены Шенай-Хатхате, ДВ; и др. (2004). «Вопросы окружающей среды, здоровья и безопасности для источников, используемых при выращивании сложных полупроводников методом MOVPE». Журнал роста кристаллов . 272 (1–4): 816–821. Бибкод : 2004JCrGr.272..816S . дои : 10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007 .
  35. ^ «Технический отчет NTP по исследованиям токсикологии и канцерогенеза арсенида галлия» (PDF) . Ntp.niehs.nih.gov . Проверено 22 сентября 2013 г.
  36. ^ Монографии МАИР по оценке канцерогенных рисков для человека (PDF) . Монографии.iarc.fr . Проверено 22 сентября 2013 г.
  37. ^ "Домашняя страница - ECHA" . Echa.europa.eu . Проверено 22 сентября 2013 г.
[ редактировать ]
Retrieved from "https://en.wikipedia.org/w/index.php?title=Indium_gallium_arsenide&oldid=1221843380"
Arc.Ask3.Ru: конец переведенного документа.
Arc.Ask3.Ru
Номер скриншота №: ea01a96220da27738c5137ce33f11db4__1714630740
URL1:https://arc.ask3.ru/arc/aa/ea/b4/ea01a96220da27738c5137ce33f11db4.html
Заголовок, (Title) документа по адресу, URL1:
Indium gallium arsenide - Wikipedia
Данный printscreen веб страницы (снимок веб страницы, скриншот веб страницы), визуально-программная копия документа расположенного по адресу URL1 и сохраненная в файл, имеет: квалифицированную, усовершенствованную (подтверждены: метки времени, валидность сертификата), открепленную ЭЦП (приложена к данному файлу), что может быть использовано для подтверждения содержания и факта существования документа в этот момент времени. Права на данный скриншот принадлежат администрации Ask3.ru, использование в качестве доказательства только с письменного разрешения правообладателя скриншота. Администрация Ask3.ru не несет ответственности за информацию размещенную на данном скриншоте. Права на прочие зарегистрированные элементы любого права, изображенные на снимках принадлежат их владельцам. Качество перевода предоставляется как есть. Любые претензии, иски не могут быть предъявлены. Если вы не согласны с любым пунктом перечисленным выше, вы не можете использовать данный сайт и информация размещенную на нем (сайте/странице), немедленно покиньте данный сайт. В случае нарушения любого пункта перечисленного выше, штраф 55! (Пятьдесят пять факториал, Денежную единицу (имеющую самостоятельную стоимость) можете выбрать самостоятельно, выплаичвается товарами в течение 7 дней с момента нарушения.)