✖


Jump to content

Чжун Линь Ван

Чтобы узнать о политике, см. Ван Чжунлинь (политик) .
Родная форма этого личного имени — Ван Чжунлинь . В этой статье при упоминании людей используется западный порядок имен .
Чжун Линь Ван
Ван Чжунлинь
Чжун в 2022 году
Рожденный Ноябрь 1961 г. (62 года) [1]
Округ Пучэн , Вэйнань , Шэньси , Китай
Национальность Американский
Альма-матер Государственный университет Аризоны
Сидианский университет
Награды Всемирная премия Альберта Эйнштейна в области науки (2019),
Премия ENI в области энергетики (2018 г.),
Лауреат премии Router Citation в области физики (2015 г.)
Научная карьера
Поля Физика
Материаловедение и инженерия
Нанонаука и технологии
Энергия и датчики
Учреждения Технологический институт Джорджии
Пекинский институт наноэнергетики и наносистем
Веб-сайт http://www.nanoscience.gatech.edu/

Чжун Линь Ван ( китайский : 王中林 ; пиньинь : Ван Чжунлин ; родился в ноябре 1961 г.) [1] ) — китайско-американский физик, ученый-материаловед и инженер, специализирующийся в области нанотехнологий , энергетики и электроники . Он получил докторскую степень в Университете штата Аризона в 1987 году. Он является заведующим кафедрой материаловедения и инженерии Хайтауэра и почетным профессором Риджентс в Технологическом институте Джорджии , США. [2]

Образование [ править ]

Он приехал в США для обучения в аспирантуре по программе CUSPEA, организованной Цунг-Дао Ли .

Карьера [ править ]

Ван был приглашенным лектором в Университете Стоуни-Брук с 1987 по 1988 год. Проработав в следующем году научным сотрудником в Кавендишской лаборатории Кембриджского университета, Ван присоединился к Национальной лаборатории Ок-Риджа и Национальному институту стандартов и технологий в качестве исследователя. ученый с 1990 по 1994 год. В 1995 году он был принят на работу в Технологический институт Джорджии в качестве доцента; он был назначен профессором в 1999 году, профессором Риджентс в 2004 году и заведующим кафедрой материаловедения и инженерии Хайтауэра в 2010 году. Ван был директором Центра характеристики наноструктур Технологического института Джорджии с 2000 по 2015 год. Он является директором-основателем, Директор и главный научный сотрудник Пекинского института наноэнергетики и наносистем Китайской академии наук с 2012 года. [3]

Наука и технология наногенераторов [ править ]

Ван изобрел пьезоэлектрические наногенераторы в 2006 году. [4] для генерации электричества из крошечной механической энергии, предлагаемой массивами нанопроволок ZnO.

До изобретения Вангом трибоэлектрических наногенераторов (ТЭНГ) в 2011 году [5] Сбор механической энергии в основном основывался на электромагнитном генераторе (ЭМГ), изобретенном Фарадеем в 1831 году. ЭМГ наиболее эффективен для высокочастотных механических движений, например, более 10–60 Гц. ТЭНы имеют преимущества перед ЭМГ в сборе низкочастотной механической энергии из окружающей среды. Эффективность преобразования энергии на основе ТЭН может достигать 50-85%. [6] [7] Максимальная плотность выходной мощности, полученная на данный момент, составляет до 500 Вт/м. 2 . [7]

Гибридная клетка. Ван представил гибридный элемент в 2009 году для одновременного сбора двух или более различных типов энергии, таких как солнечная и механическая энергия. [8]

Пироэлектрический наногенератор. В 2012 году на основе пироэлектрического эффекта Ван изобрел пироэлектрический наногенератор. [9]

Голубая энергия. В 2014 году Ван предложил идею голубой энергии, в которой используются миллионы единиц TENG для формирования сети TENG, плавающей на поверхности воды для крупномасштабного сбора энергии волн. [10] Если один ТЭН-блок может генерировать мощность 10 мВт, то теоретически прогнозируется, что общая мощность на территории, равной размеру штата Джорджия, и глубине воды 10 м составит 16 ТВт, что может удовлетворить мировые энергетические потребности. [11]

Теория наногенераторов на токе смещения Максвелла . В 1861 году Максвелл предложил термин ε 𝜕𝑬/𝜕𝑡 как ток смещения Максвелла. Ван предложил добавить дополнительный член 𝜕 𝑃 𝑠/𝜕𝑡 в ток смещения Максвелла для случаев, когда присутствует поверхностная поляризация. [12] [13] Недавно Ван предложил расширить уравнения Максвелла для движения заряженных сред. [14]

Истоки контактной электрификации . Ван утверждал [15] [16] [17] что перенос электронов между атомами/молекулами при контактной электрификации происходит из-за перекрытия электронного облака (или перекрытия волновой функции) между отталкивающими областями, поскольку межатомный потенциальный барьер может быть уменьшен. Затем была предложена модель гибридного слоя, раскрывающая процесс образования двойного электрического слоя между жидкостью и твердым телом. [18] Была обнаружена эмиссия фотонов в результате межфазного переноса и перехода электронов, что привело к рождению эмиссионной спектроскопии, индуцированной контактной электризацией (CEIIS). [19] Кроме того, перенос электронов между жидкими и твердыми поверхностями может быть использован для контактно-электрокатализа (КЭК). [20]

Энергия новой эры и энергия высокой энтропии. Ван предложил идею «энергии новой эры» в 2017 году, чтобы отличить распределенные источники энергии от хорошо известной новой энергии. [13] Недавно Ван изучил энтропийную теорию распределения и использования энергии в эпоху Интернета вещей. [21] «Упорядоченная» энергия, передаваемая от электростанций, используется для решения «упорядоченных» приложений для фиксированных объектов и части «неупорядоченных» приложений распределенной энергетики, тогда как «неупорядоченная» энергия, собранная из окружающей среды, в основном предназначена для решения распределенных приложений.

пьезофототроника полупроводников поколения Пьезотроника и третьего

Пьезотронный эффект и пьезотроника . При приложении напряжения к материалу с нецентросимметричной кристаллической структурой пьезоэлектрический потенциал (пьезопотенциал) может возникнуть . Для нанопроволоки ZnO высота барьера Шоттки между нанопроволокой и ее металлическим контактом может эффективно регулироваться с помощью создаваемого внутреннего поля. Такое явление называется пьезотронным эффектом , который был открыт Вангом в 2007 году. [22] Область пьезотроники представляет собой электронику, в которой пьезопотенциал действует как напряжение на затворе. [23] Недавно также был продемонстрирован пьезотронный эффект в 2D-материалах. [24]

Пьезофототронный эффект и пьезофототроника. При приложении деформации пьезопотенциал, создаваемый поляризационными зарядами интерфейса, может значительно перестроить локальную зонную структуру и сместить зону обеднения заряда в pn-переходе. Разделение или рекомбинация носителей заряда на переходе может быть усилена при возбуждении фотоном. Такое явление называется пьезофототронным эффектом , открытым Вангом в 2009 году. [25] в котором оптоэлектронные процессы настраиваются и управляются созданным пьезопотенциалом. Используя этот эффект, матрицы датчиков давления/силы на основе светодиодов из отдельных нанопроволок, которые могут отображать деформацию с высоким разрешением и плотностью. были изготовлены [26] и повысить эффективность светодиодов. [27]

Пьезофотонный эффект. Ван теоретически предсказал эффект пьезоэлектрической эмиссии фотонов (пьезофотонный эффект) в 2008 году. [28] Фотоэмиссия может возникнуть в результате падения захваченных зарядов из вакансий/поверхностных состояний обратно в валентную зону при наличии пьезоэлектрического потенциала . Такой эффект был экспериментально обнаружен и подтвержден в его более поздних работах. [29]

Триботроника. Область триботроники представляет собой электронику, в которой трибоэлектрик действует как напряжение на затворе. [30]

Рост и наноструктур понимание ZnO

Ван обнаружил оксидные наноремни в 2001 году. [31]

in-situ TEM Наноизмерения в

В 1999 году Ван и его коллеги использовали трансмиссионную электронную микроскопию (ПЭМ) для измерения свойств отдельных углеродных нанотрубок, включая механические, электрические и автоэмиссионные. [32] Ван продемонстрировал технику нанобаланса и подход к наномеханике. [33]

Теория неупругого рассеяния в дифракции электронов и визуализации [ править ]

Ван провел небольшое исследование, чтобы понять неупругое рассеяние в дифракции электронов и визуализации. Он опубликовал учебник по упругому и неупругому рассеянию в электронной дифракции и визуализации (Plenum Press, 1995). [27] . В сканирующей просвечивающей электронной микроскопии (STEM) в кольцевом темном поле под большим углом (HAADF) (называемом Z-контрастом) доминирует тепловое диффузное рассеяние (TDS), и была разработана динамическая теория включения TDS в моделирование изображений HAADF. предложенный. [34]

Почести и признание [ править ]

  • Премия «Глобальная энергия» , 2023 г.
  • Лауреат лекции по Цельсию, 2020, Швеция
  • Всемирная премия Альберта Эйнштейна в области науки, присуждаемая Всемирным советом по культуре (2019 г.)
  • Премия за лекцию Дильса-Планка 2019 г. [35]
  • Премия ENI 2018 в области Energy Frontiers [36]
  • Американская химическая компания. Самый плодовитый автор публикации (2017)
  • Премия «Глобальная наноэнергетика» (2017 г.), Общество NANOSMAT, Великобритания (2017 г.)
  • Премия за выдающиеся исследования, фонд Пань Вэнь Юань (2017 г.)
  • Премия за выдающиеся достижения в области научных исследований, Технологический институт Джорджии (2016 г.)
  • Премия выдающемуся ученому от Исследовательской ассоциации юго-восточных университетов (США) (2016 г.)
  • Лауреат премии Thomson-Reuters в области физики (2015 г.) [37]
  • Премия выдающегося профессора (высшая награда факультета Технологического института Джорджии) (2014 г.)
  • Премия НАНОСМАТ (Великобритания) (2014 г.)
  • Премия Китая за международное сотрудничество в области науки и технологий (2014 г.)
  • Мировая премия в области технологий (материалы) (2014 г.)
  • Премия Джеймса К. МакГродди за новые материалы от Американского физического общества (2014 г.)
  • Лекция ACS Nano (2013)
  • Премия за лекцию памяти Эдварда Ортона, Американское керамическое общество (2012)
  • Медаль MRS Общества исследования материалов (2011 г.)
  • Премия Парди Американского керамического общества (2009 г.)
  • Почетная лекция Джона М. Коули, Университет штата Аризона (2012 г.)
  • NanoTech Briefs, награда Top50 (2005 г.)
  • Сигма Си поддерживает награды за исследования, Технологический институт Джорджии (2005 г.)
  • Награда выдающемуся автору исследований факультета Технологического института Джорджии (2004 г.)
  • Премия С.Т. Ли за выдающиеся достижения в области науки и техники (2001 г.)
  • Премия выдающемуся автору исследований, Технологический институт Джорджии (2000)
  • Медаль Бертона, Американское общество микроскопии (1999).

Ссылки [ править ]

  1. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б «王中林 (Чжун Линь Ван)» . Архивировано из оригинала 5 июня 2019 г. Проверено 15 июня 2019 г.
  2. ^ «Чжун Линь Ван | Школа материаловедения и инженерии» . www.mse.gatech.edu/people/zhong-lin-wang .
  3. ^ «Пекинский институт наноэнергетики и систем Китайской академии наук www.binn.cas.cn. »
  4. ^ Ван, Чжун Линь; Сун, Цзиньхуэй (14 апреля 2006 г.). «Пьезоэлектрические наногенераторы на основе массивов нанопроволок оксида цинка» . Наука . 312 (5771): 242–246. Бибкод : 2006Sci...312..242W . дои : 10.1126/science.1124005 . ISSN   0036-8075 . ПМИД   16614215 . S2CID   4810693 .
  5. ^ Фан, Фэн-Ру; Тянь, Чжун-Цюнь; Линь Ван, Чжун (март 2012 г.). «Гибкий трибоэлектрический генератор» . Нано Энергия . 1 (2): 328–334. Бибкод : 2012NEne....1..328F . дои : 10.1016/j.nanoen.2012.01.004 . S2CID   59434593 .
  6. ^ Се, Яннан; Ван, Сихонг; Ню, Симиао; Лин, Лонг; Цзин, Циншэнь; Ян, Джин; Ву, Чжэнъюнь; Ван, Чжун Линь (25 августа 2014 г.). «Отдельностоящий наногенератор с трибоэлектрическим слоем с решетчатой ​​структурой для сбора механической энергии с общим КПД преобразования 85%» . Продвинутые материалы . 26 (38): 6599–6607. Бибкод : 2014AdM....26.6599X . дои : 10.1002/adma.201402428 . ISSN   0935-9648 . ПМИД   25156128 . S2CID   30685667 .
  7. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б Чжу, Гуан; Чжоу, Юй Шэн; Бай, Пэн; Мэн, Сиань Сун; Цзин, Циншэнь; Чен, Цзюнь; Ван, Чжун Линь (01 апреля 2014 г.). «Подход на основе тонких пленок, адаптирующийся к форме, для 50% высокоэффективной генерации энергии за счет скользящей электрификации с помощью микрорешеток» . Продвинутые материалы . 26 (23): 3788–3796. Бибкод : 2014AdM....26.3788Z . дои : 10.1002/adma.201400021 . ISSN   0935-9648 . ПМИД   24692147 . S2CID   22199444 .
  8. ^ Сюй, Чен; Ван, Сюдун; Ван, Чжун Линь (1 апреля 2009 г.). «Гибридная ячейка с нанопроволокой для одновременного поглощения солнечной и механической энергии» . Журнал Американского химического общества . 131 (16): 5866–5872. дои : 10.1021/ja810158x . ISSN   0002-7863 . ПМИД   19338339 . S2CID   40091940 .
  9. ^ Ян, Я; Го, Вэньси; Прадель, Кен С.; Чжу, Гуан; Чжоу, Юшэн; Чжан, Ян; Ху, Юфан; Лин, Лонг; Ван, Чжун Линь (13 июня 2012 г.). «Пироэлектрические наногенераторы для сбора термоэлектрической энергии» . Нано-буквы . 12 (6): 2833–2838. Бибкод : 2012NanoL..12.2833Y . дои : 10.1021/nl3003039 . ISSN   1530-6984 . ПМИД   22545631 .
  10. ^ Ван, Чжун Линь (2014). «Трибоэлектрические наногенераторы как новая энергетическая технология и автономные датчики – Принципы, проблемы и перспективы» . Фарадей Обсудить . 176 : 447–458. Бибкод : 2014FaDi..176..447W . дои : 10.1039/c4fd00159a . ISSN   1359-6640 . ПМИД   25406406 . S2CID   22048783 .
  11. ^ Ван, Чжун Линь (9 февраля 2017 г.). «Ловить силу волн плавучими сетями» . Природа . 542 (7640): 159–160. Бибкод : 2017Natur.542..159W . дои : 10.1038/542159а . ISSN   0028-0836 . ПМИД   28179678 . S2CID   4461713 .
  12. ^ Ван, Чжун Линь (февраль 2020 г.). «О первых принципах теории наногенераторов на основе уравнений Максвелла» . Нано Энергия . 68 : 104272. Бибкод : 2020NEne...6804272W . дои : 10.1016/j.nanoen.2019.104272 . ISSN   2211-2855 . S2CID   210249178 .
  13. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б Ван, Чжун Линь; Цзян, Тао; Сюй, Лян (сентябрь 2017 г.). «На пути к мечте о голубой энергетике с помощью сетей трибоэлектрических наногенераторов» . Нано Энергия . 39 : 9–23. Бибкод : 2017NEne...39....9W . дои : 10.1016/j.nanoen.2017.06.035 . ISSN   2211-2855 .
  14. ^ Ван, Чжун Линь (декабрь 2021 г.). «О расширенных уравнениях Максвелла для движущейся системы заряженных сред – Общая теория, математические решения и приложения в ТЭН» . Материалы сегодня . 52 : 348–363. дои : 10.1016/j.mattod.2021.10.027 . ISSN   1369-7021 . S2CID   245105522 .
  15. ^ Сюй, Чэн; Ван, Аурелия Чи; Цзоу, Хайян; Хэ, Сюй; Ван, И-Чэн; Ли, Давэй (апрель 2018 г.). ). О механизме переноса электрона в эффекте контактной электрификации» . . 10.1002 30 (15): 1706790. Bibcode : ....3006790X doi : « /adma.201706790 . PMID   29508454. . 57981   . 2018AdM
  16. ^ Сюй, Ченг; Ван, Аурелия Чи; Цзоу, Хайян; Чжан, Бинбин; Чжан, Чуньли; Цзы, Юньлун; Пан, Лунь; Ван, Пейхун; Фэн, Пэйчжун; Линь, Чжицюнь; Ван, Чжун Линь (9 августа 2018 г.). «Повышение рабочей температуры трибоэлектрического наногенератора путем гашения электронной термоэлектронной эмиссии при контактной электрификации» . Продвинутые материалы . 30 (38): 1803968. Бибкод : 2018AdM....3003968X . дои : 10.1002/adma.201803968 . ISSN   0935-9648 . ПМИД   30091484 . S2CID   51940860 .
  17. ^ Ван, Чжун Линь; Ван, Аурелия Чи (ноябрь 2019 г.). «О происхождении контактной электрификации» . Материалы сегодня . 30 : 34–51. дои : 10.1016/j.mattod.2019.05.016 . ISSN   1369-7021 . S2CID   189987682 .
  18. ^ Линь, Шицюань; Чен, Сянъюй; Ван, Чжун Линь (23 июня 2021 г.). «Контактная электрификация на границе раздела жидкость-твердое тело» . Химические обзоры . 122 (5): 5209–5232. doi : 10.1021/acs.chemrev.1c00176 . ISSN   0009-2665 . ПМИД   34160191 . S2CID   235609525 .
  19. ^ Ли, Дин; Сюй, Ченг; Ляо, Яньцзюнь; Цай, Вэньчжэ; Чжу, Юнцяо; Ван, Чжун Линь (24 сентября 2021 г.). «Интерфейс межатомного электронного перехода, индуцированного эмиссией фотонов при контактной электрификации» . Достижения науки . 7 (39): eabj0349. Бибкод : 2021SciA....7..349L . дои : 10.1126/sciadv.abj0349 . ISSN   2375-2548 . ПМЦ   8462885 . ПМИД   34559569 . S2CID   237628400 .
  20. ^ Ван, Цзымин; Бербилль, Энди; Фэн, Явэй; Ли, Сайт; Чжу, Лайпань; Тан, Вэй; Ван, Чжун Линь (2022). «Контактный электрокатализ разложения органических загрязнителей с использованием чистого диэлектрического порошка» . Природные коммуникации . 13 (1): 130. Бибкод : 2022NatCo..13..130W . дои : 10.1038/s41467-021-27789-1 . ПМЦ   8748705 . ПМИД   35013271 . S2CID   245839613 .
  21. ^ Ван, Чжун Линь (апрель 2019 г.). «Энтропийная теория распределенной энергии для Интернета вещей» . Нано Энергия . 58 : 669–672. Бибкод : 2019NEne...58..669W . дои : 10.1016/j.nanoen.2019.02.012 . ISSN   2211-2855 . S2CID   139527230 .
  22. ^ Ван, ЗЛ (19 марта 2007 г.). «Нанопьезотроника» . Продвинутые материалы . 19 (6): 889–892. Бибкод : 2007AdM....19..889W . дои : 10.1002/adma.200602918 .
  23. ^ У, Вэньчжо; Вэнь, Сяонань; Ван, Чжун Линь (24 мая 2013 г.). «Таксель-адресуемая матрица пьезотронных транзисторов с вертикальной нанопроволокой для активного и адаптивного тактильного изображения» . Наука . 340 (6135): 952–957. Бибкод : 2013Sci...340..952W . дои : 10.1126/science.1234855 . ISSN   0036-8075 . ПМИД   23618761 . S2CID   206547682 .
  24. ^ У, Вэньчжо; Ван, Лей; Ли, Илей; Чжан, Фань; Лин, Лонг; Ню, Симиао; Шене, Дэниел; Чжан, Сиань; Хао, Юфэн; Хайнц, Тони Ф.; Хоун, Джеймс (октябрь 2014 г.). «Пьезоэлектричество одноатомного слоя MoS2 для преобразования энергии и пьезотроники» . Природа . 514 (7523): 470–474. Бибкод : 2014Natur.514..470W . дои : 10.1038/nature13792 . ISSN   0028-0836 . ПМИД   25317560 . S2CID   4448528 .
  25. ^ Ху, Юфан; Чанг, Яньлин; Фэй, Пэн; Снайдер, Роберт Л.; Ван, Чжун Линь (15 января 2010 г.). «Проектирование электротранспортных характеристик микро/нанопроволочных устройств ZnO путем сочетания пьезоэлектрических эффектов и эффектов фотовозбуждения» . АСУ Нано . 4 (2): 1234–1240. дои : 10.1021/nn901805g . ISSN   1936-0851 . ПМИД   20078071 .
  26. ^ Пан, Цаофэн; Донг, Лин; Чжу, Гуан; Ню, Симиао; Ю, Руомэн; Ян, Цин; Лю, Ин; Ван, Чжун Линь (11 августа 2013 г.). «Электролюминесцентное изображение распределения давления с использованием пьезоэлектрической светодиодной матрицы нанопроводов» . Природная фотоника . 7 (9): 752–758. Бибкод : 2013NaPho...7..752P . дои : 10.1038/nphoton.2013.191 . ISSN   1749-4885 . S2CID   4128581 .
  27. ^ Ян, Цин; Лю, Ин; Пан, Цаофэн; Чен, Цзюнь; Вэнь, Сяонань; Ван, Чжун Линь (24 января 2013 г.). «Значительно повышенная эффективность гибридного неорганического/органического ультрафиолетового светоизлучающего диода нанопроволоки ZnO/p-полимера за счет пьезофототронного эффекта» . Нано-буквы . 13 (2): 607–613. Бибкод : 2013NanoL..13..607Y . дои : 10.1021/nl304163n . ISSN   1530-6984 . ПМИД   23339573 .
  28. ^ Ван, Чжун Линь (24 ноября 2008 г.). «На пути к автономным наносистемам: от наногенераторов к нанопьезотронике» . Передовые функциональные материалы . 18 (22): 3553–3567. дои : 10.1002/adfm.200800541 . ISSN   1616-301X . S2CID   43937604 .
  29. ^ Ван, Сяньди; Чжан, Ханьлу; Ю, Руомэн; Донг, Лин; Пэн, Дэнфэн; Чжан, Айхуа; Чжан, Ян; Лю, Хун; Пан, Цаофэн; Ван, Чжун Линь (25 февраля 2015 г.). «Картирование динамического давления персонализированного почерка с помощью гибкой сенсорной матрицы на основе процесса механолюминесценции» . Продвинутые материалы . 27 (14): 2324–2331. Бибкод : 2015AdM....27.2324W . дои : 10.1002/adma.201405826 . ISSN   0935-9648 . ПМИД   25711141 . S2CID   205259440 .
  30. ^ Чжан, Чи; Тан, Вэй; Чжан, Лимин; Хан, Чанбао; Ван, Чжун Линь (26 августа 2014 г.). «Полевой транзистор контактной электрификации» . АСУ Нано . 8 (8): 8702–8709. дои : 10.1021/nn5039806 . ISSN   1936-0851 . ПМИД   25119657 .
  31. ^ Пан, ZW; Дай, ЗР; Ван, ЗЛ (9 марта 2001 г.). «Наноремни полупроводниковых оксидов» . Наука . 291 (5510): 1947–1949. Бибкод : 2001Sci...291.1947P . дои : 10.1126/science.1058120 . ISSN   0036-8075 . ПМИД   11239151 . S2CID   16880233 .
  32. ^ Пончараль, Филипп; Ван, ЗЛ; Угарте, Дэниел; де Хир, Уолт А. (5 марта 1999 г.). «Электростатические отклонения и электромеханические резонансы углеродных нанотрубок» . Наука . 283 (5407): 1513–1516. Бибкод : 1999Sci...283.1513P . дои : 10.1126/science.283.5407.1513 . ISSN   0036-8075 . ПМИД   10066169 .
  33. ^ Гао, Жуйпин; Ван, Чжун Л.; Бай, Чжиган; де Хир, Уолтер А.; Дай, Лиминг; Гао, Мэй (17 июля 2000 г.). «Наномеханика отдельных углеродных нанотрубок из пиролитически выращенных массивов» . Письма о физических отзывах . 85 (3): 622–625. Бибкод : 2000PhRvL..85..622G . дои : 10.1103/physrevlett.85.622 . hdl : 1853/9276 . ISSN   0031-9007 . ПМИД   10991355 .
  34. ^ Ван, ЗЛ; Коули, Дж. М. (декабрь 1989 г.). «Моделирование кольцевых изображений ствола в темном поле под большим углом, включая неупругое тепловое диффузное рассеяние» . Ультрамикроскопия . 31 (4): 437–453. дои : 10.1016/0304-3991(89)90340-9 . ISSN   0304-3991 .
  35. ^ «Лекция Дильса-Планка 2019» . www.kinsis.uni-kiel.de . 24 октября 2023 г.
  36. ^ «Победители премии Eni Awards 2018» . www.eni.com .
  37. ^ «Thomson Reuters прогнозирует лауреатов Нобелевской премии | Thomson Reuters» . Thomsonreuters.com .

Внешние ссылки [ править ]

Retrieved from "https://en.wikipedia.org/w/index.php?title=Zhong_Lin_Wang&oldid=1226730557"
Arc.Ask3.Ru: конец переведенного документа.
Arc.Ask3.Ru
Номер скриншота №: 5340a57b83354fa554738de0d8efd876__1717237920
URL1:https://arc.ask3.ru/arc/aa/53/76/5340a57b83354fa554738de0d8efd876.html
Заголовок, (Title) документа по адресу, URL1:
Zhong Lin Wang - Wikipedia
Данный printscreen веб страницы (снимок веб страницы, скриншот веб страницы), визуально-программная копия документа расположенного по адресу URL1 и сохраненная в файл, имеет: квалифицированную, усовершенствованную (подтверждены: метки времени, валидность сертификата), открепленную ЭЦП (приложена к данному файлу), что может быть использовано для подтверждения содержания и факта существования документа в этот момент времени. Права на данный скриншот принадлежат администрации Ask3.ru, использование в качестве доказательства только с письменного разрешения правообладателя скриншота. Администрация Ask3.ru не несет ответственности за информацию размещенную на данном скриншоте. Права на прочие зарегистрированные элементы любого права, изображенные на снимках принадлежат их владельцам. Качество перевода предоставляется как есть. Любые претензии, иски не могут быть предъявлены. Если вы не согласны с любым пунктом перечисленным выше, вы не можете использовать данный сайт и информация размещенную на нем (сайте/странице), немедленно покиньте данный сайт. В случае нарушения любого пункта перечисленного выше, штраф 55! (Пятьдесят пять факториал, Денежную единицу (имеющую самостоятельную стоимость) можете выбрать самостоятельно, выплаичвается товарами в течение 7 дней с момента нарушения.)