✖


Jump to content

Тонкопленочный транзистор

Эта статья о технологии TFT. Информацию о жидкокристаллическом дисплее с тонкопленочным транзистором см. в разделе TFT LCD .

Тонкопленочный транзистор ( TFT ) — это особый тип полевого транзистора (FET), в котором транзистор изготавливается методом осаждения тонкой пленки . TFT выращиваются на несущей (но непроводящей) подложке , например на стекле . Это отличается от обычного полевого транзистора из объемного оксида металла ( MOSFET ), где полупроводниковым материалом обычно является подложка, например кремниевая пластина . [1] Традиционное применение TFT — жидкокристаллические TFT-дисплеи .

Проектирование и производство [ править ]

TFT могут быть изготовлены из самых разных полупроводниковых материалов. Поскольку он широко распространен и хорошо изучен, аморфный или поликристаллический кремний использовался (и до сих пор используется) в качестве полупроводникового слоя. Однако из-за малой подвижности аморфного кремния [2] и большие различия между устройствами, обнаруженные в поликристаллическом кремнии, [3] [4] [5] другие материалы были изучены для использования в TFT. К ним относятся селенид кадмия , [6] [7] оксиды металлов, такие как оксид индия, галлия, цинка (IGZO) или оксид цинка , [8] органические полупроводники , [9] углеродные нанотрубки , [10] или металлогалогенидные перовскиты . [11]

Схема поперечного сечения четырех распространенных структур тонкопленочных транзисторов

Поскольку TFT выращиваются на инертных подложках, а не на пластинах, полупроводник необходимо наносить с помощью специального процесса. Для нанесения полупроводников в TFT используются различные методы. К ним относятся химическое осаждение из паровой фазы (CVD), атомно-слоевое осаждение (ALD) и распыление . Полупроводник можно осаждать и из раствора. [12] с помощью таких методов, как печать [13] или напыление покрытия. [14] Ожидается, что методы, основанные на решениях, приведут к созданию недорогой и механически гибкой электроники. [15] Поскольку типичные подложки деформируются или плавятся при высоких температурах, процесс осаждения должен проводиться при относительно низких температурах по сравнению с традиционной обработкой электронных материалов. [16]

Некоторые полупроводники с широкой запрещенной зоной, особенно оксиды металлов, оптически прозрачны. [17] Используя также прозрачные подложки, такие как стекло, и прозрачные электроды , такие как оксид индия и олова (ITO), некоторые TFT-устройства могут быть полностью оптически прозрачными. [18] Такие прозрачные TFT (TTFT) можно использовать для проекционных дисплеев (например, на лобовом стекле автомобиля). О первых TTFT, обработанных в растворе, на основе оксида цинка , сообщили в 2003 году исследователи из Университета штата Орегон . [19] Португальская лаборатория CENIMAT в Новом университете Лиссабона изготовила первый в мире полностью прозрачный TFT-экран при комнатной температуре. [20] Компания CENIMAT также разработала первый бумажный транзистор. [21] что может привести к появлению таких приложений, как журналы и страницы журналов с движущимися изображениями.

Во многих дисплеях AMOLED используются TFT-транзисторы LTPO (низкотемпературный поликристаллический кремний и оксид). Эти транзисторы обеспечивают стабильность при низкой частоте обновления и переменной частоте обновления, что позволяет использовать энергосберегающие дисплеи без визуальных артефактов. [22] [23] [24] Вместо этого в больших OLED-дисплеях обычно используются TFT-транзисторы AOS (ампорфно-оксид-полупроводник), также называемые оксидными TFT. [25] и они обычно основаны на IGZO. [26]

Приложения [ править ]

Самое известное применение тонкопленочных транзисторов — это TFT ЖК-дисплеи , реализация технологии жидкокристаллических дисплеев . Транзисторы встроены в саму панель, уменьшая перекрестные помехи между пикселями и улучшая стабильность изображения.

По состоянию на 2008 год Многие цветные ЖК-телевизоры и мониторы используют эту технологию. TFT-панели часто используются в цифровой рентгенографии и общей рентгенографии. TFT используется как для прямого, так и для косвенного захвата. [ жаргон ] в качестве основы рецептора изображения в медицинской рентгенографии .

По состоянию на 2013 год Во всех современных высокого разрешения и высокого качества электронных устройствах визуального отображения на базе TFT используются дисплеи с активной матрицей . [27]

Дисплеи AMOLED также содержат слой TFT для адресации пикселей активной матрицы отдельных органических светодиодов .

Наиболее выгодным аспектом технологии TFT является использование отдельного транзистора для каждого пикселя дисплея. Поскольку каждый транзистор мал, количество заряда, необходимого для его управления, также невелико. Это позволяет очень быстро перерисовывать изображение.

Структура матрицы TFT-дисплея [ править ]

На этом изображении не показан сам источник света (обычно люминесцентные лампы с холодным катодом или белые светодиоды ), а только матрица TFT-дисплея.

История [ править ]

В феврале 1957 года Джон Уоллмарк из RCA подал патент на тонкопленочный МОП-транзистор, в котором в качестве диэлектрика затвора использовался монооксид германия. Пол К. Веймер , также из RCA, реализовал идеи Уолмарка и разработал тонкопленочный транзистор (TFT) в 1962 году, тип MOSFET, отличный от стандартных объемных MOSFET. Он был изготовлен из тонких пленок и селенида сульфида кадмия . В 1966 году Т.П. Броуди и Х.Е. Куниг из Westinghouse Electric изготовили МОП-транзисторы на основе арсенида индия (InAs) как в режиме обеднения, так и в режиме улучшения . [28] [29] [30] [31] [32] [33]

Идея жидкокристаллического дисплея (ЖКД) на основе TFT была предложена Бернардом Дж. Лехнером из RCA Laboratories в 1968 году. [34] Лехнер, Ф. Дж. Марлоу, Э. О. Нестер и Дж. Талтс продемонстрировали эту концепцию в 1968 году с помощью ЖК-дисплея с матрицей динамического рассеяния 18x2 , в котором использовались стандартные дискретные МОП-транзисторы, поскольку характеристики TFT в то время были недостаточными. [35] В 1973 году Т. Питер Броуди , Дж. Асарс и Дж. Д. Диксон из исследовательских лабораторий Westinghouse разработали TFT CdSe (селенид кадмия), который они использовали для демонстрации первого жидкокристаллического дисплея с тонкопленочным транзистором CdSe (TFT LCD). [31] [36] Группа Westinghouse также сообщила об использовании электролюминесценции (EL) TFT в 1973 году с использованием CdSe. [37] Броуди и Фан-Чен Луо продемонстрировали первый плоский жидкокристаллический дисплей с активной матрицей (AM LCD) с использованием CdSe в 1974 году, а затем Броуди ввел термин «активная матрица» в 1975 году. [34] Однако массовое производство этого устройства так и не было реализовано из-за сложностей в управлении свойствами тонкопленочного материала сложного полупроводника и надежностью устройства на больших площадях. [31]

Прорыв в исследованиях TFT произошел с разработкой аморфного кремния (a-Si) TFT П.Г. ле Комбером, У.Э. Спиром и А. Гейтом в Университете Данди в 1979 году. Они сообщили о первом функциональном TFT, изготовленном из гидрированного a-Si. с из нитрида кремния слоем затвора диэлектрическим . [31] [38] Вскоре было признано, что a-Si TFT более подходит для AM-ЖК-дисплеев большой площади. [31] Это привело к коммерческим исследованиям и разработкам (НИОКР) ЖК-панелей AM на основе a-Si TFT в Японии. [39]

К 1982 году в Японии были разработаны карманные телевизоры на основе технологии AM LCD. [40] В 1982 году Fujitsu компания S. Kawai из изготовила a-Si точечно-матричный дисплей , а Canon компания Y. Okubo из изготовила витой нематик (TN) из a-Si и гостевые ЖК-панели. В 1983 году компания К. Сузуки из Toshiba произвела матрицы a-Si TFT, совместимые с (ИС) КМОП (дополнительные металл-оксид-полупроводник) интегральными схемами панель a-Si , компания М. Сугата из Canon изготовила цветную ЖК- , а также совместную систему Sanyo и Команда Sanritsu , в которую вошли Мицухиро Ямасаки, С. Сухибути и Ю. Сасаки, изготовила 3-дюймовый цветной ЖК-телевизор a-SI. [39]

Первым коммерческим AM-ЖК-дисплеем на базе TFT стал 2,1-дюймовый Epson. [41] [42] [43] ЭТ-10 [37] (Epson Elf), первый карманный цветной ЖК-телевизор, выпущенный в 1984 году. [44] В 1986 году исследовательская группа Hitachi под руководством Акио Мимуры продемонстрировала процесс низкотемпературного поликристаллического кремния (LTPS) для изготовления n-канальных TFT на кремнии на изоляторе (SOI) при относительно низкой температуре 200   ° C. [45] Исследовательская группа Hosiden под руководством Т. Суната в 1986 году использовала a-Si TFT для разработки 7-дюймовой цветной AM-ЖК-панели. [46] и 9-дюймовая ЖК-панель AM. [47] В конце 1980-х годов компания Hosiden поставляла Apple Computer монохромные TFT ЖК-панели . [31] В 1988 году исследовательская группа Sharp под руководством инженера Т. Нагаясу использовала гидрированные a-Si TFT для демонстрации 14-дюймового полноцветного ЖК-дисплея. [34] [48] Это убедило электронную промышленность в том, что ЖК-дисплей в конечном итоге заменит электронно-лучевую трубку (ЭЛТ) в качестве стандартной технологии телевизионного дисплея . [34] В том же году Sharp выпустила ЖК-панели TFT для ноутбуков . [37] В 1992 году Toshiba и IBM Japan представили 12,1-дюймовую цветную SVGA- панель для первого коммерческого цветного ноутбука IBM . [37]

TFT также могут быть изготовлены из оксида индия-галлия-цинка ( IGZO ). TFT-ЖК-дисплеи с IGZO-транзисторами впервые появились в 2012 году и были впервые произведены корпорацией Sharp. IGZO обеспечивает более высокую частоту обновления и более низкое энергопотребление. [49] [50] подложке был изготовлен первый гибкий 32-битный микропроцессор В 2021 году по технологии IGZO TFT на полиимидной . [51]

См. также [ править ]

Ссылки [ править ]

  1. ^ Сзе, С.М.; Нг, Квок К. (10 апреля 2006 г.). Физика полупроводниковых приборов . дои : 10.1002/0470068329 . ISBN  9780470068328 .
  2. ^ Пауэлл, MJ (1989). «Физика тонкопленочных транзисторов из аморфного кремния» . Транзакции IEEE на электронных устройствах . 36 (12): 2753–2763. Бибкод : 1989ITED...36.2753P . дои : 10.1109/16.40933 . ISSN   1557-9646 .
  3. ^ Рана, В.; Исихара, Р.; Хиросима, Ю.; Абэ, Д.; Иноуэ, С.; Симода, Т.; Метселаар, В.; Бенаккер, К. (2005). «Зависимость характеристик ТПТ монокристаллического Si от положения канала внутри локационно-контролируемого зерна» . Транзакции IEEE на электронных устройствах . 52 (12): 2622–2628. Бибкод : 2005ITED...52.2622R . дои : 10.1109/TED.2005.859689 . ISSN   1557-9646 . S2CID   12660547 .
  4. ^ Кимура, Муцуми; Нодзава, Рёичи; Иноуэ, Сатоши; Симода, Тацуя; Луи, Бэзил; Тэм, Саймон Винг-Бан; Мильорато, Пьеро (1 сентября 2001 г.). «Извлечение ловушечных состояний на границе раздела оксид-кремний и границе зерен для тонкопленочных транзисторов из поликристаллического кремния» . Японский журнал прикладной физики . 40 (9R): 5227. Бибкод : 2001JaJAP..40.5227K . дои : 10.1143/jjap.40.5227 . ISSN   0021-4922 . S2CID   250837849 .
  5. ^ Луи, Бэзил; Тэм, юго-запад Б.; Мильорато, П.; Симода, Т. (1 июня 2001 г.). «Метод определения объемной и интерфейсной плотности состояний в тонкопленочных транзисторах» . Журнал прикладной физики . 89 (11): 6453–6458. Бибкод : 2001JAP....89.6453L . дои : 10.1063/1.1361244 . ISSN   0021-8979 .
  6. ^ Броуди, Т. Питер (ноябрь 1984 г.). «Тонкопленочный транзистор - позднее расцвет». Транзакции IEEE на электронных устройствах . 31 (11): 1614–1628. Бибкод : 1984ITED...31.1614B . дои : 10.1109/T-ED.1984.21762 . S2CID   35904114 .
  7. ^ Броуди, Т. Питер (1996). "Рождение и раннее детство активной матрицы - личные воспоминания". Журнал СИД . 4/3 : 113–127.
  8. ^ Петти, Луиза; Мюнценридер, Нико; Фогт, Кристиан; Фабер, Хендрик; Бюте, Ларс; Кантарелла, Джузеппе; Боттакки, Франческа; Антопулос, Томас Д.; Трёстер, Герхард (01 июня 2016 г.). «Металооксидно-полупроводниковые тонкопленочные транзисторы для гибкой электроники» . Обзоры прикладной физики . 3 (2): 021303. Бибкод : 2016AppPRv...3b1303P . дои : 10.1063/1.4953034 . HDL : 20 500 11850/117450 .
  9. ^ Лэмпорт, Закари А.; Ханиф, Хамна Ф.; Ананд, Саджант; Уолдрип, Мэтью; Юрческу, Оана Д. (17 августа 2018 г.). «Учебное пособие: Органические полевые транзисторы: Материалы, устройство и работа» . Журнал прикладной физики . 124 (7): 071101. Бибкод : 2018JAP...124g1101L . дои : 10.1063/1.5042255 . ISSN   0021-8979 . S2CID   116392919 .
  10. ^ Джаривала, Дип; Сангван, Винод К.; Лаухон, Линкольн Дж.; Маркс, Тобин Дж.; Херсам, Марк К. (11 марта 2013 г.). «Углеродные наноматериалы для электроники, оптоэлектроники, фотовольтаики и сенсорики» . Обзоры химического общества . 42 (7): 2824–2860. arXiv : 1402.0046 . дои : 10.1039/C2CS35335K . ISSN   1460-4744 . ПМИД   23124307 . S2CID   26123051 .
  11. ^ Линь, Йен-Хун; Паттанасаттаявонг, Пичая; Антопулос, Томас Д. (2017). «Металло-галогенид-перовскитные транзисторы для печатной электроники: проблемы и возможности» . Продвинутые материалы . 29 (46): 1702838. Бибкод : 2017AdM....2902838L . дои : 10.1002/adma.201702838 . hdl : 10754/625882 . ISSN   1521-4095 . ПМИД   29024040 . S2CID   205281664 .
  12. ^ Томас, Стюарт Р.; Паттанасаттаявонг, Пичая; Антопулос, Томас Д. (22 июля 2013 г.). «Металоксидные полупроводники, обрабатываемые в растворе, для применения в тонкопленочных транзисторах» . Обзоры химического общества . 42 (16): 6910–6923. дои : 10.1039/C3CS35402D . ISSN   1460-4744 . ПМИД   23770615 .
  13. ^ Тейхлер, Анке; Перелаер, Йолке; Шуберт, Ульрих С. ​​(14 февраля 2013 г.). «Струйная печать органической электроники – сравнение технологий нанесения и современных разработок» . Журнал химии материалов C. 1 (10): 1910–1925. дои : 10.1039/C2TC00255H . ISSN   2050-7534 .
  14. ^ Башир, Аника; Вёбкенберг, Пол Х.; Смит, Джереми; Болл, Джеймс М.; Адамопулос, Джордж; Брэдли, Донал, округ Колумбия; Антопулос, Томас Д. (2009). «Высокоэффективные оксидно-цинковые транзисторы и схемы, изготовленные методом распылительного пиролиза в окружающей атмосфере» . Продвинутые материалы . 21 (21): 2226–2231. Бибкод : 2009AdM....21.2226B . дои : 10.1002/adma.200803584 . hdl : 10044/1/18897 . ISSN   1521-4095 . S2CID   137260075 .
  15. ^ Боннасье, Иван; Брабец, Кристоф Дж.; Цао, Юн; Кармайкл, Триша Брин; Чабиник, Майкл Л.; Ченг, Гуан-Тин; Чо, Гёджин; Чанг, Анджунг; Кобб, Кори Л.; Дистлер, Андреас; Эгельхааф, Ханс-Иоахим (2021). «Дорожная карта гибкой и печатной электроники на 2021 год» . Гибкая и печатная электроника . 6 (2): 023001. doi : 10.1088/2058-8585/abf986 . hdl : 10754/669780 . ISSN   2058-8585 . S2CID   235288433 .
  16. ^ Браттон, SD (2013). Введение в тонкопленочные транзисторы: физика и технология тонкопленочных транзисторов . Международное издательство Спрингер. ISBN  978-3-319-00001-5 .
  17. ^ Камия, Тошио; Хосоно, Хидео (2010). «Характеристики материалов и применение прозрачных аморфно-оксидных полупроводников» . Материалы НПГ Азия . 2 (1): 15–22. дои : 10.1038/asiamat.2010.5 . ISSN   1884-4057 .
  18. ^ Номура, Кенджи; Охта, Хиромичи; Уэда, Казусигэ; Камия, Тошио; Хирано, Масахиро; Хосоно, Хидео (23 мая 2003 г.). «Тонкопленочный транзистор, изготовленный из монокристаллического прозрачного оксидного полупроводника» . Наука . 300 (5623): 1269–1272. Бибкод : 2003Sci...300.1269N . дои : 10.1126/science.1083212 . ПМИД   12764192 . S2CID   20791905 .
  19. ^ Вейгер, Джон. Инженеры OSU создали первый в мире прозрачный транзистор. Архивировано 15 сентября 2007 г. в Wayback Machine . Инженерный колледж Университета штата Орегон, Корваллис, Орегон: OSU News & Communication, 2003. 29 июля 2007 г.
  20. ^ Фортунато, EMC; Баркинья, ЧВК; Пиментел, ACMBG; Гонсалвес, АМФ; Маркес, AJS; Перейра, LMN; Мартинс, RFP (март 2005 г.). «Полностью прозрачный тонкопленочный транзистор ZnO, изготовленный при комнатной температуре». Продвинутые материалы . 17 (5): 590–594. Бибкод : 2005AdM....17..590F . дои : 10.1002/adma.200400368 . S2CID   137441513 .
  21. ^ Фортунато, Э.; Коррейя, Н.; Баркинья, П.; Перейра, Л.; Гонсалвес, Г.; Мартинс, Р. (сентябрь 2008 г.). «Высокоэффективные гибкие гибридные полевые транзисторы на основе целлюлозно-волокнистой бумаги» (PDF) . Письма об электронных устройствах IEEE . 29 (9): 988–990. Бибкод : 2008IEDL...29..988F . дои : 10.1109/LED.2008.2001549 . hdl : 10362/3242 . S2CID   26919164 .
  22. ^ Чанг, Тин-Куо; Линь, Чин-Вэй; Чанг, Шичан (2019). «39-3: Приглашенный доклад: Технология LTPO TFT для AMOLED † " . Сборник технических документов симпозиума Сида . 50 : 545–548. doi : 10.1002/sdtp.12978 . S2CID   191192447 .
  23. ^ Чен, Цянь; Су, Юэ; Ши, Сювэнь; Лю, Дунъян; Гун, Юйсинь; Дуань, Синьлв; Джи, Хансай; Гэн, Ди; Ли, Линг; Лю, Мин (2019). «P-1.1: Новая пиксельная схема компенсации с LTPO TFTS» . Сборник технических статей симпозиума Сида . 50 : 638–639. дои : 10.1002/sdtp.13595 . S2CID   210522411 .
  24. ^ Ло, Хаоцзюнь; Ван, Шаовэнь; Кан, Цзяхао; Ван, Ю-Мин; Чжао, Цзиган; Цонг, Тина; Лу, Пин; Гупта, Амит; Ху, Вэньбин; Ву, Хуанда; Чжан, Шэнву; Ким, Джиха; Чиу, Чан Мин; Ли, Бонг-Гым; Юань, Цзэ; Ю, Сяоцзюнь (2020). «24-3: Дополнительная технология LTPO, пиксельные схемы и интегрированные драйверы затворов для дисплеев AMOLED, поддерживающих переменную частоту обновления» . Сборник технических статей симпозиума Сида . 51 : 351–354. дои : 10.1002/sdtp.13876 . S2CID   225488161 .
  25. ^ https://www.corning.com/media/worldwide/global/documents/Markets_Display_Wager%20Information%20Display%202020.pdf .
  26. ^ Достижения в области полупроводниковых технологий: избранные темы, выходящие за рамки обычных КМОП . Джон Уайли и сыновья. 11 октября 2022 г. ISBN  978-1-119-86958-0 .
  27. ^ Браттон, SD (2013). Введение в тонкопленочные транзисторы: физика и технология тонкопленочных транзисторов . Springer Science & Business Media . п. 74. ИСБН  9783319000022 .
  28. ^ Вудалл, Джерри М. (2010). Основы полупроводниковых МОП-транзисторов III-V . Спрингер. стр. 2–3. ISBN  9781441915474 .
  29. ^ Броуди, ТП; Куниг, HE (октябрь 1966 г.). «ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ТРАНЗИСТОР InAs С ВЫСОКИМ УВЕЛИЧЕНИЕМ» . Письма по прикладной физике . 9 (7): 259–260. Бибкод : 1966АпФЛ...9..259Б . дои : 10.1063/1.1754740 . ISSN   0003-6951 .
  30. ^ Веймер, Пол К. (июнь 1962 г.). «TFT — новый тонкопленочный транзистор». Труды ИРЭ . 50 (6): 1462–9. дои : 10.1109/JRPROC.1962.288190 . ISSN   0096-8390 . S2CID   51650159 .
  31. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б с д и ж Куо, Юэ (1 января 2013 г.). «Технология тонкопленочных транзисторов — прошлое, настоящее и будущее» (PDF) . Интерфейс электрохимического общества . 22 (1): 55–61. Бибкод : 2013ECSIn..22a..55K . дои : 10.1149/2.F06131if . ISSN   1064-8208 .
  32. ^ Лоек, Бо (2007). История полупроводниковой техники . Спрингер. стр. 322–4. ISBN  978-3540342588 .
  33. ^ Ричард Аронс (2012). «Промышленные исследования в области микросхем в RCA: первые годы, 1953–1963». IEEE Анналы истории вычислений . 12 (1): 60–73.
  34. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б с д Кавамото, Х. (2012). «Изобретатели ЖК-дисплея с активной матрицей TFT получают медаль Нисидзавы IEEE 2011». Журнал дисплейных технологий . 8 (1): 3–4. Бибкод : 2012JDisT...8....3K . дои : 10.1109/JDT.2011.2177740 . ISSN   1551-319Х .
  35. ^ Кастеллано, Джозеф А. (2005). Жидкое золото: история жидкокристаллических дисплеев и создания индустрии . Всемирная научная . стр. 41–2. ISBN  9789812389565 .
  36. ^ Броуди, Т. Питер ; Асарс, Дж.А.; Диксон, Джорджия (ноябрь 1973 г.). «Жидкокристаллический дисплей размером 6 × 6 дюймов, 20 строк на дюйм». Транзакции IEEE на электронных устройствах . 20 (11): 995–1001. Бибкод : 1973ITED...20..995B . дои : 10.1109/T-ED.1973.17780 . ISSN   0018-9383 .
  37. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б с д Сук, Джун; Морозуми, Синдзи; Ло, Фан-Чен; Бита, Ион (2018). Производство плоских дисплеев . Уайли. стр. 2–3. ISBN  9781119161356 .
  38. ^ Комбер, П.Г. ле; Копье, МЫ; Гейт, А. (1979). «Полевой прибор из аморфного кремния и возможности его применения». Электронные письма . 15 (6): 179–181. Бибкод : 1979ElL....15..179L . дои : 10.1049/эл:19790126 . ISSN   0013-5194 .
  39. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б Кастеллано, Джозеф А. (2005). Жидкое золото: история жидкокристаллических дисплеев и создания индустрии . Всемирная научная . стр. 180, 181, 188. ISBN.  9789812565846 .
  40. ^ Морозуми, Синдзи; Огучи, Коичи (12 октября 1982 г.). «Текущее состояние развития ЖК-телевизоров в Японии». Молекулярные кристаллы и жидкие кристаллы . 94 (1–2): 43–59. дои : 10.1080/00268948308084246 . ISSN   0026-8941 .
  41. ^ US6580129B2 , Луи, Бэзил; Мильорато, Пьеро и Юдасака, Ичио и др., «Тонкопленочный транзистор и метод его изготовления», выпущено 17 июня 2003 г.  
  42. ^ US6548356B2 , Он, Василий; Мильорато, Пьеро и Юдасака, Ичио и др., «Тонкопленочный транзистор», выпущено 15 апреля 2003 г.  
  43. ^ Кимура, Муцуми; Иноуэ, Сатоши; Симода, Тацуя; Луи, Бэзил; Френч, Уильям; Камохара, Итару; Мильорато, Пьеро (2001). «Разработка моделей поликремниевых TFT для моделирования устройств: модель ловушки в плоскости и модель термоэлектронной эмиссии» . Протокол конференции SID Международной конференции по исследованию дисплеев (на японском языке): 423–426. ISSN   1083-1312 .
  44. ^ «ЭТ-10» . Эпсон . Проверено 29 июля 2019 г.
  45. ^ Мимура, Акио; Охаяши, М.; Оуэ, М.; Овада, Дж.; Хосокава, Ю. (1986). «SOI TFT с прямым контактом с ITO». Письма об электронных устройствах IEEE . 7 (2): 134–6. Бибкод : 1986IEDL....7..134M . дои : 10.1109/EDL.1986.26319 . ISSN   0741-3106 . S2CID   36089445 .
  46. ^ Суната, Т.; Юкава, Т.; Мияке, К.; Мацусита, Ю.; Мураками, Ю.; Угай, Ю.; Тамамура, Дж.; Аоки, С. (1986). «Цветной ЖК-дисплей с активной матрицей и высоким разрешением большой площади на базе a-Si TFT». Транзакции IEEE на электронных устройствах . 33 (8): 1212–1217. Бибкод : 1986ITED...33.1212S . дои : 10.1109/T-ED.1986.22644 . ISSN   0018-9383 . S2CID   44190988 .
  47. ^ Суната, Т.; Мияке, К.; Ясуи, М.; Мураками, Ю.; Угай, Ю.; Тамамура, Дж.; Аоки, С. (1986). «ЖК-дисплей с активной матрицей размером 640 × 400 пикселей на основе a-Si TFT». Транзакции IEEE на электронных устройствах . 33 (8): 1218–21. Бибкод : 1986ITED...33.1218S . дои : 10.1109/T-ED.1986.22645 . ISSN   0018-9383 . S2CID   6356531 .
  48. ^ Нагаясу, Т.; Окетани, Т.; Хиробе, Т.; Като, Х.; Мидзусима, С.; Возьми, Х.; Яно, К.; Хидзикигава, М.; Васизука, И. (октябрь 1988 г.). «Полноцветный ЖК-дисплей a-Si TFT с диагональю 14 дюймов». Протокол конференции Международной конференции по исследованию дисплеев 1988 года . стр. 56–58. дои : 10.1109/DISPL.1988.11274 . S2CID   20817375 .
  49. ^ Орланд, Кайл (8 августа 2019 г.). «Что технология дисплея Sharp IGZO будет означать для Nintendo Switch» . Арс Техника .
  50. ^ «Технология отображения IGZO — Sharp» . www.sharpsma.com .
  51. ^ Биггс, Джон; и др. (21 июля 2021 г.). «Гибкий 32-битный микропроцессор Arm» . Природа . 595 (7868): 532–6. Бибкод : 2021Natur.595..532B . doi : 10.1038/s41586-021-03625-w . ПМИД   34290427 .
Retrieved from "https://en.wikipedia.org/w/index.php?title=Thin-film_transistor&oldid=1225590662"
Arc.Ask3.Ru: конец переведенного документа.
Arc.Ask3.Ru
Номер скриншота №: bc3ab0e113804f6d986e63aa1b75ba45__1716631200
URL1:https://arc.ask3.ru/arc/aa/bc/45/bc3ab0e113804f6d986e63aa1b75ba45.html
Заголовок, (Title) документа по адресу, URL1:
Thin-film transistor - Wikipedia
Данный printscreen веб страницы (снимок веб страницы, скриншот веб страницы), визуально-программная копия документа расположенного по адресу URL1 и сохраненная в файл, имеет: квалифицированную, усовершенствованную (подтверждены: метки времени, валидность сертификата), открепленную ЭЦП (приложена к данному файлу), что может быть использовано для подтверждения содержания и факта существования документа в этот момент времени. Права на данный скриншот принадлежат администрации Ask3.ru, использование в качестве доказательства только с письменного разрешения правообладателя скриншота. Администрация Ask3.ru не несет ответственности за информацию размещенную на данном скриншоте. Права на прочие зарегистрированные элементы любого права, изображенные на снимках принадлежат их владельцам. Качество перевода предоставляется как есть. Любые претензии, иски не могут быть предъявлены. Если вы не согласны с любым пунктом перечисленным выше, вы не можете использовать данный сайт и информация размещенную на нем (сайте/странице), немедленно покиньте данный сайт. В случае нарушения любого пункта перечисленного выше, штраф 55! (Пятьдесят пять факториал, Денежную единицу (имеющую самостоятельную стоимость) можете выбрать самостоятельно, выплаичвается товарами в течение 7 дней с момента нарушения.)