Трифторсилан
 | |||
| |||
| Имена | |||
|---|---|---|---|
| Название ИЮПАК Трифторсилан | |||
| Идентификаторы | |||
3D model ( JSmol ) | |||
| ХимическийПаук | |||
ПабХим CID | |||
Панель управления CompTox ( EPA ) | |||
| Характеристики | |||
| HFHF3Si Si | |||
| Молярная масса | 86.09 g/mol | ||
| Появление | Бесцветный газ | ||
| Плотность | 1,86 г/см 3 | ||
| Температура плавления | -131 ° C (-204 ° F; 142 К) | ||
| Точка кипения | -97,5 ° C (-143,5 ° F; 175,7 К) | ||
Если не указано иное, данные приведены для материалов в стандартном состоянии (при 25 °C [77 °F], 100 кПа). | |||
Трифторсилан — химическое соединение с формулой F 3 H Si . При стандартных температуре и давлении трифторсилан представляет собой бесцветный газ. [1] Обратите внимание, что свободный радикал F 3 Si часто также называют трифторсиланом, хотя правильнее называть трифторсилилом.
Подготовка
[ редактировать ]Трифторсилан очищен и отделен низкотемпературной перегонкой в высоком вакууме. Один из способов получения использует продукты реакции между SbF 3 и HSiCl 3 . [2] HSiCl 3 получают катализируемой медью реакцией между HCl и кремнием при 200-400 °C.
Сообщалось также об образовании при некоторых операциях травления кремния. [3]
Характеристики
[ редактировать ]Электрический дипольный момент трифторсилана равен 1,26 Дебая . [4] Длина связи кремний-фтор составляет 1,555 Å, длина Si-H — 1,55 Å, а ∠FSiF — 110°. [5]
Ссылки
[ редактировать ]- ^ Перри, Дейл Л. (15 июня 2011 г.). Справочник неорганических соединений, второе издание . ЦРК Пресс. ISBN 9781439814628 .
- ^ Цукерман, Джей-Джей (17 сентября 2009 г.). Неорганические реакции и методы. Образование связей с галогенами . Джон Уайли и сыновья. ISBN 9780470145388 .
- ^ Липпольд, Маркус; Бёме, Уве; Гондек, Кристоф; Кронштейн, Мартин; Патциг-Кляйн, Себастьян; Везер, Мартин; Крок, Эдвин (декабрь 2012 г.). «Травление кремния смесями HF-HNO 3 -H 2 SO 4 /H 2 O - беспрецедентное образование трифторсилана, гексафтордисилоксана и поверхностных групп Si-F» . Европейский журнал неорганической химии . 2012 (34): 5714–5721. дои : 10.1002/ejic.201200674 . ISSN 1434-1948 . Проверено 27 августа 2014 г.
- ^ Гош, С.Н.; Трамбаруло, Ральф; Горди, Уолтер (февраль 1953 г.). «Электрические дипольные моменты нескольких молекул по эффекту Штарка». Журнал химической физики . 21 (2): 308–310. Бибкод : 1953ЖЧФ..21..308Г . дои : 10.1063/1.1698877 .
- ^ Шеридан, Джон; Горди, Уолтер (1 марта 1950 г.). «Микроволновые спектры и молекулярные константы производных трифторсилана. Si F 3 H, Si F 3 CH 3 , Si F 3 Cl и Si F 3 Br». Физический обзор . 77 (5): 719. Бибкод : 1950ФРв...77..719С . дои : 10.1103/PhysRev.77.719 .
Дальнейшее чтение
[ редактировать ]- Демеисон, Дж.; Маргулес, Л.; Брейдунг, Дж.; Тиль, В.; Бюргер, Х. (10 ноября 1999 г.). «Ангармоническое силовое поле Ab initio, спектроскопические параметры и равновесная структура трифторсилана». Молекулярная физика . 97 (9): 1053–1067. Бибкод : 1999МолФ..97.1053Д . дои : 10.1080/00268979909482906 .