✖


Jump to content

Прозрачная проводящая пленка

Рисунок 1. Поперечное сечение тонкопленочного поликристаллического солнечного элемента. Прозрачное проводящее покрытие контактирует с полупроводником n-типа, пропуская ток.

Прозрачные проводящие пленки ( TCF ) представляют собой тонкие пленки из оптически прозрачного и электропроводящего материала. Они являются важным компонентом ряда электронных устройств, включая жидкокристаллические дисплеи , OLED , сенсорные экраны и фотоэлектрические устройства . [1] [2] Хотя оксид индия и олова (ITO) является наиболее широко используемым, альтернативы включают прозрачные проводящие оксиды более широкого спектра действия (TCO), [3] [4] проводящие полимеры , металлические сетки и случайные металлические сетки, [5] [6] [7] углеродные нанотрубки [8] [1] (УНТ), графен , [1] нанопроволочные сетки [1] и ультратонкие металлические пленки. [9]

TCF для фотоэлектрических применений изготавливаются как из неорганических , так и из органических материалов. Неорганические пленки обычно состоят из слоя прозрачного проводящего оксида (TCO). [10] чаще всего оксид индия и олова (ITO), оксид олова, легированный фтором (FTO), [11] анатаз, легированный ниобием TiO 2 (NTO) [12] или легированный оксид цинка . Органические пленки разрабатываются с использованием углеродных нанотрубок сеток и графена , который можно сделать очень прозрачным для инфракрасного света, а также сеток полимеров, таких как поли(3,4-этилендиокситиофен) и его производных.

Прозрачные проводящие пленки обычно используются в качестве электродов , когда ситуация требует электрических контактов с низким сопротивлением, не блокирующих свет (например, светодиоды, фотоэлектрические элементы). Прозрачные материалы обладают широкой запрещенной зоной , энергетическая ценность которой выше, чем у видимого света. Таким образом, фотоны с энергией ниже значения запрещенной зоны не поглощаются этими материалами, и видимый свет проходит сквозь них. В некоторых приложениях, таких как солнечные элементы, часто требуется более широкий диапазон прозрачности, чем видимый свет, чтобы эффективно использовать весь солнечный спектр.

Прозрачные проводящие оксиды

[ редактировать ]
Этот солнечный элемент, изготовленный из монокристаллического кремния , не имеет прозрачной проводящей пленки. Вместо этого он использует «сеточный контакт»: сеть очень тонких металлических проводов.

Обзор

[ редактировать ]

Прозрачные проводящие оксиды (TCO) — это легированные оксиды металлов, используемые в оптоэлектронных устройствах, таких как плоские дисплеи и фотоэлектрические устройства (включая неорганические устройства, органические устройства и солнечные элементы, сенсибилизированные красителями ). Большинство этих пленок изготавливаются с поликристаллической или аморфной микроструктурой. Обычно в этих приложениях используются электродные материалы, которые имеют коэффициент пропускания падающего света более 80%, а также электропроводность выше 10. 3 См /см для эффективной транспортировки носителя. В общем, TCO для использования в качестве тонкопленочных электродов в солнечных элементах должны иметь минимальную концентрацию носителей порядка 10 20 см −3 для низкого удельного сопротивления и ширины запрещенной зоны более 3,2 эВ, чтобы избежать поглощения света в большинстве солнечных спектров. [13] Подвижность в этих пленках обычно ограничена рассеянием ионизированных примесей из-за большого количества ионизированных атомов примеси и составляет порядка 40 см-1. 2 /(V·s) для наиболее эффективной совокупной стоимости владения. Современные прозрачные проводящие оксиды, используемые в промышленности, в основном представляют собой проводники n-типа, то есть их основная проводимость является донором электронов. Это связано с тем, что подвижность электронов обычно выше, чем подвижность дырок, что затрудняет поиск мелких акцепторов в оксидах с широкой запрещенной зоной для создания большой популяции дырок. Подходящие прозрачные проводящие оксиды p-типа все еще исследуются, хотя лучшие из них все еще на несколько порядков отстают от TCO n-типа. Более низкие концентрации носителей TCO по отношению к металлам смещают их плазмонный резонанс в ближний ИК- и SWIR- диапазон. [14]

На сегодняшний день отраслевым стандартом в ТСО является ITO, или оксид индия и олова . Этот материал имеет низкое удельное сопротивление ~10 −4 Ом·см и коэффициент пропускания более 80%. [ нужны разъяснения ] [15] У ITO есть тот недостаток, что он дорогой. Индий , основной металл фильма, встречается редко (6000 метрических тонн по всему миру в 2006 году), а его цена колеблется в зависимости от рыночного спроса (более 800 долларов за кг в 2006 году). [16] , легированный алюминием легированные бинарные соединения, такие как оксид цинка , легированный индием (AZO) и оксид кадмия По этой причине в качестве альтернативных материалов были предложены . AZO состоит из алюминия и цинка, двух распространенных и недорогих материалов, в то время как оксид кадмия, легированный индием, использует индий только в низких концентрациях. Некоторые примеси переходных металлов в оксиде индия, особенно молибдена, дают гораздо более высокую подвижность электронов и проводимость, чем полученные с оловом. [17] и Та является многообещающей альтернативной добавкой для оксида олова. [18] Другие новые прозрачные проводящие оксиды включают станнат бария и коррелированные оксиды металлов ванадат стронция и ванадат кальция.

Бинарные соединения оксидов металлов без каких-либо преднамеренных примесей также были разработаны для использования в качестве ТСО. Эти системы обычно относятся к n-типу с концентрацией носителей порядка 10 20 см −3 , обеспечиваемый межузельными ионами металлов и кислородными вакансиями, которые действуют как доноры. Однако эти простые ТСО не нашли практического применения из-за высокой зависимости их электрических свойств от температуры и парциального давления кислорода. [13]

В текущих исследованиях лаборатории стремятся оптимизировать электрические и оптические характеристики некоторых TCO. Исследователи наносят TCO на образец с помощью распылительной машины. Цели были изменены, и исследователи рассматривают такие материалы, как IZO (оксид индия-цинка), ITO (оксид индия-олова) и AZO (оксид алюминия-цинка), и они оптимизируют эти материалы, изменяя параметры в машине для напыления. Когда исследователи варьируют такие параметры, как концентрация газов при распылении, давление внутри распылительной машины, мощность распыления и давление, они могут добиться различных концентраций носителей и удельного сопротивления листов внутри машины. Концентрация носителей влияет на ток короткого замыкания образца, а изменение удельного сопротивления листа влияет на коэффициент заполнения образца. Исследователи достаточно варьировали параметры и нашли комбинации, которые оптимизируют ток короткого замыкания, а также коэффициент заполнения для TCO, таких как оксид индия и олова. [ нужна ссылка ]

Изготовление

[ редактировать ]

Легированные оксиды металлов для использования в качестве прозрачных проводящих слоев в фотоэлектрических устройствах обычно выращиваются на стеклянной подложке. Эта стеклянная подложка, помимо обеспечения основы, на которой может расти оксид, имеет дополнительное преимущество, заключающееся в блокировании большинства инфракрасных волн длиной более 2 мкм для большинства силикатов и преобразовании их в тепло в слое стекла. Это, в свою очередь, помогает поддерживать низкую температуру активной области солнечного элемента, производительность которой ухудшается по мере нагревания. Пленки TCO можно наносить на подложку с помощью различных методов осаждения, включая осаждение металлоорганических химикатов из паровой фазы , осаждение металлорганических молекулярных лучей, осаждение из раствора, распылительный пиролиз, с помощью ультразвукового сопла и воздушное напыление Ag Nanowire. распыление оксида графена [19] и импульсное лазерное осаждение (PLD), однако традиционные методы изготовления обычно включают магнетронное распыление пленки. Процесс распыления очень неэффективен: только 30% плоского материала мишени доступно для осаждения на подложку. Цилиндрические мишени обеспечивают загрузку около 80%. В случае ITO для экономичного производства необходима переработка неиспользованного целевого материала. Для распыления AZO или ZnAl материал мишени достаточно недорог, поэтому восстановление использования материалов не вызывает беспокойства. Существуют некоторые опасения, что существует физический предел доступного индия для ITO. [20] Выращивание обычно проводят в восстанавливающей среде для компенсации акцепторных дефектов внутри пленки (например, металлических вакансий), которые ухудшают концентрацию носителей (если n-типа). [13]

Для осаждения тонких пленок AZO метод реактивного магнетронного распыления является очень экономичным и практичным способом массового производства. В этом методе мишень из цинка и алюминия распыляется в атмосфере кислорода, так что ионы металла окисляются, когда достигают поверхности подложки. Используя металлическую мишень вместо оксидной мишени, можно использовать магнетронное распыление постоянного тока, что обеспечивает гораздо более высокую скорость осаждения.

Теория

[ редактировать ]

Носители заряда в этих оксидах n-типа возникают из трех фундаментальных источников: примесей межузельных ионов металлов, кислородных вакансий и легирующих ионов. Первые два источника всегда выступают донорами электронов; действительно, некоторые TCO создаются исключительно с использованием этих двух внутренних источников в качестве генераторов несущей. Когда в решетке присутствует кислородная вакансия, она действует как двухзарядный донор электронов. В ITO, например, каждая кислородная вакансия вызывает появление соседней In 3+ 5s-орбитали иона должны стабилизироваться из 5s-зоны проводимости за счет недостающих связей с ионом кислорода, в то время как два электрона захватываются на этом месте из-за эффектов зарядовой нейтральности. Эта стабилизация 5s-орбиталей приводит к образованию донорного уровня иона кислорода, который, по определению, находится на 0,03 эВ ниже зоны проводимости. [21] Таким образом, эти дефекты действуют как мелкие доноры объемного кристалла. Обычным обозначением этого допинга является обозначение Крегера – Винка , которое записывается как:

Здесь «O» в нижних индексах указывает на то, что как первоначально связанный кислород, так и образовавшаяся вакансия лежат в кислородном узле решетки, а верхние индексы у кислорода и вакансии указывают на заряд. Таким образом, для улучшения своих электрических свойств пленки ITO и другие прозрачные проводящие оксиды выращивают в восстановительной среде, которая способствует образованию кислородных вакансий.

Ионизация легирующей примеси внутри оксида происходит так же, как и в других полупроводниковых кристаллах. Мелкие доноры вблизи зоны проводимости (n-тип) позволяют электронам термически возбуждаться в зону проводимости, тогда как акцепторы вблизи валентной зоны (p-тип) позволяют электронам перепрыгивать из валентной зоны на акцепторный уровень, заселяя валентную зону. с дырками. Важно отметить, что рассеяние носителей заряда в этих оксидах происходит в основном за счет рассеяния на ионизированных примесях при высоких уровнях легирующей примеси (>1 ат%). Заряженные ионы примесей и точечные дефекты имеют сечения рассеяния, значительно превышающие их нейтральные аналоги. Увеличение рассеяния уменьшает длину свободного пробега носителей заряда в оксиде, что приводит к низкой подвижности электронов и высокому удельному сопротивлению. Эти материалы можно достаточно хорошо смоделировать с помощью модели свободных электронов, предполагая параболическую зону проводимости и уровни легирования выше критерия Мотта . Этот критерий гласит, что изолятор, такой как оксид, может испытывать индуцированный составом переход в металлическое состояние при минимальной концентрации легирования n. с , определяется:

где a H * — средний радиус Бора в основном состоянии . Для ITO это значение требует минимальной концентрации легирования примерно 10 19 см −3 . Выше этого уровня тип проводимости материала меняется с полупроводникового на металлический. [21]

Прозрачные проводящие полимеры

[ редактировать ]
Рисунок 2. Полимерный фотоэлектрический элемент с использованием прозрачных проводящих полимеров.

О проводящих полимерах сообщалось в середине 20 века как производных полианилина. [22] Исследования таких полимеров продолжались в 1960-х и 70-х годах и продолжались на рубеже XXI века. [23] [24] Большинство проводящих полимеров являются производными полиацетилена , полианилина , полипиррола или политиофена . [25] Эти полимеры имеют сопряженные двойные связи , которые обеспечивают проводимость. Манипулируя зонной структурой, политиофены были модифицированы для достижения разделения ВЗМО-НСМО ( зонная зона ), достаточно большого, чтобы сделать их прозрачными для видимого света.

Приложения

[ редактировать ]

Прозрачные проводящие полимеры используются в качестве электродов в светодиодах и фотоэлектрических устройствах. [26] Их проводимость ниже, чем у прозрачных проводящих оксидов, но низкое поглощение видимого спектра, что позволяет им действовать в качестве прозрачного проводника в этих устройствах. Однако, поскольку прозрачные проводящие полимеры поглощают часть видимого спектра и значительные количества среднего и ближнего ИК-диапазона, они снижают эффективность фотоэлектрических устройств. [ нужна ссылка ]

Из прозрачных проводящих полимеров можно изготавливать гибкие пленки, что делает их желательными, несмотря на их более низкую проводимость. Это делает их полезными при разработке гибкой электроники , где традиционные прозрачные проводники не работают.

Поли(3,4-этилендиокситиофен) (ПЭДОТ)

[ редактировать ]

Поли(3,4-этилендиокситиофен) (PEDOT) имеет проводимость примерно до 1000 См/см. [27] Тонкие окисленные пленки PEDOT имеют плотность ок. Поглощение 10% или менее в видимом спектре и отличная стабильность. [28] Однако ПЭДОТ нерастворим в воде, что делает обработку более сложной и дорогостоящей.

Ширина запрещенной зоны PEDOT может варьироваться от 1,4 до 2,5 эВ, изменяя степень π-перекрытия вдоль основной цепи. [28] Это можно сделать путем добавления заместителей вдоль цепи, что приводит к стерическим взаимодействиям, предотвращающим π-перекрытие. Заместители также могут быть электроноакцепторными или донорными, что изменяет электронный характер и, таким образом, изменяет запрещенную зону. Это позволяет сформировать проводник с широкой запрещенной зоной, прозрачный для видимого спектра.

ПЭДОТ получают путем смешивания мономера ЭДТ с окислителем, таким как FeCl 3 . Окислитель действует как инициатор полимеризации. Исследования показали, что увеличение соотношения [FeCl 3 ]/[мономер] снижает растворимость PEDOT. [28] Считается, что это является результатом повышенной сшивки полимера, что затрудняет его растворение в растворителе.

Поли(3,4-этилендиокситиофен) PEDOT: поли(стиролсульфонат) PSS

[ редактировать ]

Легирование PEDOT поли(стиролсульфонатом) может улучшить свойства по сравнению с немодифицированным PEDOT. Соединение PEDOT:PSS стало лидером отрасли в области производства прозрачных проводящих полимеров. PEDOT:PSS растворим в воде, что упрощает обработку. [29] PEDOT:PSS имеет проводимость от 400 до 600 См/см, при этом пропуская ~80% видимого света. [30] Обработка на воздухе при температуре 100 °C в течение более 1000 часов приведет к минимальному изменению проводимости. [31] Недавно сообщалось, что проводимость PEDOT:PSS можно повысить до более чем 4600 См/см. [32]

ПЭДОТ:ПСС получают полимеризацией мономера ЭДТ в водном растворе ПСС с использованием Na 2 S 2 O 8 в качестве окислителя. Затем этот водный раствор наносят методом центрифугирования и сушат для получения пленки. [31]

Поли(4,4-диоктилциклопентадитиофен)

[ редактировать ]

Поли(4,4-диоктилциклопентадитиофен) можно легировать йодом или 2,3-дихлор-5,6-дициано-1,4-бензохиноном (DDQ) для образования прозрачного проводника. Легированный полимер имеет низкое поглощение видимого спектра с полосой поглощения с центром около 1050 нм. При легировании йодом можно достичь проводимости 0,35 См/см. Однако йод имеет тенденцию диффундировать в воздух, что делает поли(4,4-диоктилциклопентадитиофен, легированный йодом), нестабильным. [33]

Сам DDQ имеет проводимость 1,1 См/см. Однако поли(4,4-диоктилциклопентадитиофен), легированный ДДХ, также имеет тенденцию снижать свою проводимость на воздухе. Полимер, допированный DDQ, имеет лучшую стабильность, чем полимер, допированный йодом, но стабильность все еще ниже, чем у PEDOT. Таким образом, поли(4,4-диоктилциклопентадитиофен) имеет худшие свойства по сравнению с PEDOT и PEDOT:PSS, которые необходимо улучшить для реалистичного применения.

Поли(4,4-диоктилциклопентадитиофен) представляет собой полимеризуемый в растворе путем соединения мономера с хлоридом железа(III) . После завершения полимеризации легирование осуществляется путем воздействия на полимер паров йода или раствора DDQ. [33]

Углеродные нанотрубки

[ редактировать ]

Преимущества

[ редактировать ]

Прозрачные проводники хрупкие и имеют тенденцию выходить из строя из-за усталости. Наиболее часто используемым TCO является оксид индия-олова (ITO) из-за его хороших электрических свойств и простоты изготовления. Однако эти тонкие пленки обычно хрупкие, и такие проблемы, как несоответствие решеток и ограничения растяжения-деформации, приводят к ограничениям в возможном использовании TCF. Было показано, что ITO со временем разрушается под воздействием механических напряжений. Недавнее увеличение стоимости также заставляет многих рассматривать пленки из углеродных нанотрубок как потенциальную альтернативу.

Углеродные нанотрубки (УНТ) привлекли большое внимание из-за свойств их материалов, включая высокий модуль упругости (~ 1–2 ТПа), высокую прочность на разрыв (~ 13–53 ГПа) и высокую проводимость (металлические трубки теоретически могут нести плотность электрического тока 4×10 9 А/см 2 , что в ~1000 раз выше, чем для других металлов, таких как медь ). [34] Тонкие пленки УНТ использовались в качестве прозрачных электродов в ТКФ из-за их хороших электронных свойств.

Приготовление тонких пленок УНТ

[ редактировать ]
Рисунок 3. УНТ различного диаметра, разделенные внутри центрифужной пробирки. Каждый отдельный диаметр имеет свой цвет.

Подготовка тонких пленок УНТ для ТКФ состоит из трех этапов: процесса выращивания УНТ, помещения УНТ в раствор и, наконец, создания тонкой пленки УНТ. Нанотрубки можно выращивать с помощью лазерной абляции , электродугового разряда или различных форм химического осаждения из паровой фазы (например, PECVD). Однако нанотрубки выращиваются массово, при этом нанотрубки разной киральности слипаются вместе из-за притяжения Ван-дер-Ваальса . Ультрацентрифугирование в градиенте плотности (DGU) недавно было использовано для решения этой проблемы. [35] С помощью ДГУ были построены прозрачные проводники, состоящие только из металлических трубок. Поскольку DGU допускает разделение по плотности, были выбраны трубки с похожими оптическими свойствами (из-за схожего диаметра) и использованы для изготовления проводящих пленок УНТ разных цветов.

Чтобы разделить выращенные трубки, УНТ смешивают с поверхностно-активным веществом и водой и обрабатывают ультразвуком до тех пор, пока не произойдет удовлетворительное разделение. Затем этот раствор распыляется на нужную подложку для создания тонкой пленки УНТ. Затем пленку промывают в воде, чтобы избавиться от излишков ПАВ.

Одним из методов осаждения распылением, используемым для создания пленки УНТ, является ультразвуковое сопло для распыления УНТ в растворе с образованием слоев ПЭДОТ. [36] [37]

Путем оптимизации параметров распыления, включая поверхностно-активное вещество, размер капель (определяемый частотой ультразвукового сопла) и скорость потока раствора, можно настроить характеристики сопротивления листа. Благодаря ультразвуковой вибрации самого сопла этот метод также обеспечивает дополнительный уровень обработки ультразвуком во время процесса распыления для дополнительного разделения агломерированных УНТ.

Сравнение CNT и TCO

[ редактировать ]

УНТ также могут использоваться в дополнение к прозрачным проводящим оксидам (ТСО) в тонкопленочных фотоэлектрических устройствах . Часто используются два TCO: ZnO/Al и In 2 O 3 /Sn оксид индия и олова (ITO). Фотоэлектрические устройства, изготовленные с использованием этих TCO, достигли эффективности преобразования энергии 19,5% в солнечных элементах на основе CuIn 1-x Ga x Se 2 ( CIGS ) и 16,5% в солнечных элементах на основе CdTe . Эти фотоэлектрические устройства имели гораздо более высокий КПД по сравнению с устройствами, изготовленными из тонких пленок УНТ: Britz et al. сообщают о КПД 8% при напряжении холостого хода (V oc ) 0,676 В и потоке короткого замыкания (J sc ) 23,9 мА/см. 2 и коэффициент заполнения 45,48%. [38] Однако тонкие пленки УНТ обладают многими преимуществами перед другими прозрачными электродами в ИК-диапазоне. Сообщалось, что тонкие пленки УНТ имеют коэффициент пропускания более 90% в этом диапазоне (400 нм – 22 мкм). Это открывает путь к новым применениям, указывая на то, что тонкие пленки УНТ могут использоваться в качестве рассеивателей тепла в солнечных элементах из-за такого высокого коэффициента пропускания.

Как указывалось ранее, хиральность нанотрубок важна для определения ее потенциальной пользы для этих устройств. Прежде чем начнется массовое производство, необходимы дополнительные исследования по изучению значения диаметра трубки и хиральности для прозрачных проводящих пленок в фотоэлектрических приложениях. Ожидается, что проводимость тонких пленок ОСНТ будет увеличиваться с увеличением длины и чистоты УНТ. Как указывалось ранее, пленки УНТ изготавливаются с использованием случайно ориентированных пучков УНТ. Заказ этих трубок также должен увеличить проводимость, поскольку это минимизирует потери на рассеяние и улучшит контакт между нанотрубками.

Использование нанопроводных сетей и металлической сетки в качестве гибких прозрачных электродов.

[ редактировать ]
Рисунок 4. Схема прозрачных проводящих электродов на основе металлической сетки. Электрический транспорт осуществляется через просачивающуюся металлическую сетку, а оптическое пропускание осуществляется через пустоты. Источник: Диссертация Анкуша Кумара (JNCASR).

Хаотически проводящие сети проводов или металлические сетки, полученные из шаблонов, представляют собой прозрачные электроды нового поколения. В этих электродах коллектором заряда является нанопроволока или металлическая сетка, а пустоты между ними прозрачны для света. [39] Их получают путем осаждения серебряных или медных нанопроволок или путем осаждения металлов в шаблоны, такие как иерархические структуры случайных трещин, жилкование листьев, границы зерен и т. д. Эти металлические сетки могут быть изготовлены на гибких подложках и действовать как гибкие прозрачные электроды. [40] Для лучшей производительности этих электродов на основе проводящей сети необходимо использовать оптимизированную плотность нанопроводов, поскольку избыточная плотность приводит к теневым потерям в солнечных элементах, в то время как более низкая плотность проводов приводит к более высокому поверхностному сопротивлению и большим рекомбинационным потерям носителей заряда. вырабатывается в солнечных батареях. [41] [42]

Ссылки

[ редактировать ]
  1. ^ Jump up to: а б с д Хехт, Д.С.; Ху; Ирвин, Г. (2011). «Новые прозрачные электроды на основе тонких пленок углеродных нанотрубок, графена и металлических наноструктур». Продвинутые материалы . 23 (13): 1482–1513. Бибкод : 2011AdM....23.1482H . дои : 10.1002/adma.201003188 . ПМИД   21322065 . S2CID   197299452 .
  2. ^ Манвани, К; Панда, Э (2021). «Изменения в валентности, зонах проводимости и оптоэлектронных свойствах нелегированных и легированных Nb тонких пленок анатаза TiO 2 , вызванные толщиной ». Материаловедение в области обработки полупроводников . 134 : 106048. doi : 10.1016/j.mssp.2021.106048 .
  3. ^ Дхакал, Тара и др. «Пропускание от видимого до среднего инфракрасного диапазона в пленках AZO, выращенных с помощью системы атомно-слоевого осаждения». Солнечная энергия 86.5 (2012): 1306-1312. | https://doi.org/10.1016/j.solener.2012.01.022
  4. ^ Ван, Дж; Сюй, Ю; Оздемир, Б (2017). «Перестраиваемый широкополосный наноуглеродный прозрачный проводник путем электрохимической интеркаляции». АСУ Нано . 11 (1): 788–796. Бибкод : 2017Nano...11..788W . дои : 10.1021/acsnano.6b07191 . ПМИД   28033469 .
  5. ^ Гао, Цзиньвэй (12 февраля 2014 г.). «Однородная самоформирующаяся металлическая сеть как высокоэффективный прозрачный проводящий электрод». Продвинутые материалы . 26 (6): 873–877. Бибкод : 2014AdM....26..873H . дои : 10.1002/adma.201302950 . ПМИД   24510662 . S2CID   205251636 .
  6. ^ Гао, Цзиньвэй (28 ноября 2014 г.). «Биосети для оптоэлектронных приложений» . Природные коммуникации . 5 (5674): 5674. Бибкод : 2014NatCo...5.5674H . дои : 10.1038/ncomms6674 . ПМИД   25430671 .
  7. ^ Гао, Цзиньвэй (26 сентября 2016 г.). «Оптимизация иерархической структуры и наномасштабной плазмонной рефракции для оконных электродов в фотогальванике» . Природные коммуникации . 7 (12825): 12825. Бибкод : 2016NatCo...712825H . дои : 10.1038/ncomms12825 . ПМК   5052667 . ПМИД   27667099 .
  8. ^ Ву, Чжуанчунь и др. «Прозрачные проводящие пленки из углеродных нанотрубок». Science 305.5688 (2004): 1273-1276.
  9. ^ Рен, Синган (2015). «Оптически улучшенные полупрозрачные органические солнечные элементы с помощью гибридной наноструктуры металл/наночастицы/диэлектрик». Нано Энергия . 17 : 187–195. дои : 10.1016/j.nanoen.2015.08.014 .
  10. ^ Тонкие проводящие оксидные пленки. Архивировано 3 октября 2013 г. в техническом документе Wayback Machine Materion, «Прозрачные проводящие оксидные тонкие пленки».
  11. ^ Ласточка, ДЖЕН; и др. (2017). «Самокомпенсация в прозрачном проводящем SnO 2 , легированном фтором » . Передовые функциональные материалы . 28 (4): 1701900. doi : 10.1002/adfm.201701900 .
  12. ^ Манвани, К; Панда, Э (2021). «Изменения в валентности, зонах проводимости и оптоэлектронных свойствах нелегированных и легированных Nb тонких пленок анатаза TiO 2 , вызванные толщиной ». Материаловедение в области обработки полупроводников . 134 : 106048. doi : 10.1016/j.mssp.2021.106048 .
  13. ^ Jump up to: а б с Минами, Тадацугу (2005). «Прозрачные проводящие оксидные полупроводники для прозрачных электродов». Полупроводниковая наука и технология . 20 (4): С35–С44. Бибкод : 2005SeScT..20S..35M . дои : 10.1088/0268-1242/20/4/004 . S2CID   93242002 .
  14. ^ Доминичи, Л; Микелотти, Ф; Браун, ТМ; и др. (2009). «Плазмон-поляритоны в ближнем инфракрасном диапазоне на пленках оксида олова, легированного фтором» . Оптика Экспресс . 17 (12): 10155–67. Бибкод : 2009OExpr..1710155D . дои : 10.1364/OE.17.010155 . ПМИД   19506669 .
  15. ^ Чен, Чжансянь (2013). «Изготовление высокопрозрачных и проводящих тонких пленок оксида индия-олова с высокой добротностью путем обработки раствора». Ленгмюр . 29 (45): 13836–13842. дои : 10.1021/la4033282 . ПМИД   24117323 .
  16. ^ Цена на индий поддерживается спросом на ЖК-дисплеи и новыми видами использования металла
  17. ^ Ласточка, ДЖЕН; и др. (сентябрь 2019 г.). «Резонансное легирование прозрачных проводников высокой подвижности» . Горизонты материалов . дои : 10.1039/c9mh01014a .
  18. ^ Уильямсон, ПЛОХО; и др. (февраль 2020 г.). «Резонансное легирование Та для повышения подвижности прозрачного проводящего SnO2» . Химия материалов . 32 (5): 1964–1973. doi : 10.1021/acs.chemmater.9b04845 . ПМЦ   7147269 . ПМИД   32296264 .
  19. ^ Ён-Хуэй Коа, Джу-Вон Либ, Вон-Кук Чойк, Сунг-Рёнг Ким, 2014, « Наносимый ультразвуком оксид графена и распыленная воздухом серебряная нанопроволока для приготовления гибких прозрачных проводящих пленок », Химическое общество Японии
  20. ^ Индий , отчет Геологической службы США
  21. ^ Jump up to: а б Эдвардс, ПП; Порч, А.; Джонс, Миссури; Морган, Д.В.; Перкс, РМ (2004). «Основы материалофизики прозрачных проводящих оксидов». Далтон Транзакции (19): 2995–3002. дои : 10.1039/b408864f . ПМИД   15452622 .
  22. ^ Нобелевская премия по химии, 2000 г.: Проводящие полимеры.
  23. ^ «Историческая справка (или нет ничего нового под солнцем)» в книге Дьёрдя Инзельта «Проводящие полимеры» Springer, 2008, Берлин, Гейдельберг. дои : 10.1007/978-3-540-75930-0
  24. ^ Тише, Ноэль С. (2003). «Обзор первых полувека молекулярной электроники». Анналы Нью-Йоркской академии наук . 1006 (1): 1–20. Бибкод : 2003NYASA1006....1H . дои : 10.1196/анналы.1292.016 . ПМИД   14976006 . S2CID   24968273 .
  25. ^ Скотхайм, Терье А. Рейнольд, Джон «Справочник по проводящим полимерам» CRC Press, 1998 ISBN   0-8247-0050-3
  26. ^ Преган, Б; Гратцель, М. (1991). «Недорогой высокоэффективный солнечный элемент на основе сенсибилизированных красителем коллоидных пленок TiO 2 ». Природа . 353 (6346): 737–740. Бибкод : 1991Natur.353..737O . дои : 10.1038/353737a0 . S2CID   4340159 .
  27. ^ Ху, Лянбин; Хехт, Дэвид С.; Грюнер, Джордж (2009). «Инфракрасно-прозрачные тонкие пленки из углеродных нанотрубок». Письма по прикладной физике . 94 (8): 081103. Бибкод : 2009ApPhL..94h1103H . дои : 10.1063/1.3075067 .
  28. ^ Jump up to: а б с Грёнендал, Л.; Йонас, Ф.; Фрайтаг, Д.; Пиеларцик, Х.; Рейнольдс, младший (2000). «Поли (3,4-этилендиокситиофен) и его производные: прошлое, настоящее и будущее». Продвинутые материалы . 12 (7): 481–494. doi : 10.1002/(SICI)1521-4095(200004)12:7<481::AID-ADMA481>3.0.CO;2-C .
  29. ^ Сагаи, Джабер; Фаллахзаде, Али; Сагаи, Тайебе (сентябрь 2015 г.). «Органические солнечные элементы без ITO с использованием анодов PEDOT: PSS с высокой проводимостью, обработанных фенолом». Органическая электроника . 24 : 188–194. дои : 10.1016/j.orgel.2015.06.002 .
  30. ^ Луве, Ф; Грёнендал, Л.; Дхаен, Дж.; Манка, Дж.; Ван Люппен, Дж.; Вердонк, Э.; Лендерс, Л. (2003). «PEDOT/PSS: синтез, характеристика, свойства и применение». Синтетические металлы . 135–136: 115–117. дои : 10.1016/S0379-6779(02)00518-0 .
  31. ^ Jump up to: а б Оуян, Дж.; Чу, Ч.-В.; Чен, Ф.-К.; Сюй, Кью; Ян, Ю. (2005). «Высокопроводящая пленка поли(3,4-этилендиокситиофен):поли(стиролсульфонат) и ее применение в полимерных оптоэлектронных устройствах» . Передовые функциональные материалы . 15 (2): 203–208. дои : 10.1002/adfm.200400016 . S2CID   95522337 .
  32. ^ Уорфолк, Брайан Дж.; Эндрюс, Шон С.; Парк, Стив; Рейнспах, Джулия; Лю, Нэн; Тони, Майкл Ф.; Маннсфельд, Стефан CB; Бао, Чжэнань (17 ноября 2015 г.). «Сверхвысокая электропроводность в полимерных прозрачных пленках, сдвигаемых в растворе» . Труды Национальной академии наук . 112 (46): 14138–14143. Бибкод : 2015PNAS..11214138W . дои : 10.1073/pnas.1509958112 . ISSN   0027-8424 . ПМЦ   4655535 . ПМИД   26515096 .
  33. ^ Jump up to: а б Коппо, П; Шредер, Рауль; Грелль, Мартин; Тернер, Майкл Л. (2004). «Исследование тонких пленок поли(4,4-диоктилциклопентадитиофена), обработанных в растворе, в качестве прозрачных проводников». Синтетические металлы . 143 (2): 203–206. дои : 10.1016/j.synthmet.2003.12.001 .
  34. ^ Хон, Сынхун; Мён, Сон (2007). «Нанотрубная электроника: гибкий подход к мобильности». Природные нанотехнологии . 2 (4): 207–8. Бибкод : 2007NatNa...2..207H . дои : 10.1038/nnano.2007.89 . ПМИД   18654263 .
  35. ^ Грин, Александр А.; Херсам, Марк К. (2008). «Цветные полупрозрачные проводящие покрытия, состоящие из монодисперсных металлических одностенных углеродных нанотрубок». Нано-буквы . 8 (5): 1417–22. Бибкод : 2008NanoL...8.1417G . дои : 10.1021/nl080302f . ПМИД   18393537 .
  36. ^ Лонакер, Ганеш С.; Махаджан, Мрунал С.; Гош, Санджай С.; Сали, Джейдип В. (2012). «Моделирование образования тонких пленок методом ультразвукового распыления: пример тонких пленок PEDOT: PSS». Органическая электроника . 13 (11): 2575–2581. дои : 10.1016/j.orgel.2012.07.013 .
  37. ^ Штайрер, К. Ксеркс; Риз, Мэтью О.; Руперт, Бенджамин Л.; Копидакис, Никос; Олсон, Дана С.; Коллинз, Рубен Т.; Джинли, Дэвид С. (2008). «Ультразвуковое напыление для производства органических солнечных элементов» (PDF) . Материалы для солнечной энергии и солнечные элементы . 93 (4): 447–453. дои : 10.1016/j.solmat.2008.10.026 .
  38. ^ Контрерас, Массачусетс; Барнс, Т.; Ванделагемаат, Дж.; Рамблс, Г.; Куттс, Ти Джей; Уикс, К.; Глатковский, П.; Левицкий И.; и др. (2007). «Замена прозрачных проводящих оксидов одностенными углеродными нанотрубками в солнечных элементах на основе Cu(In,Ga)Se2». Журнал физической химии C. 111 (38): 14045–14048. дои : 10.1021/jp075507b .
  39. ^ Рао, КДМ; Гупта, Риту; Кулкарни, Гиридхар У. (11 мая 2014 г.). «Изготовление высокопроизводительных прозрачных проводящих электродов большой площади с использованием спонтанно образующейся сети кракле в качестве шаблона». Расширенные интерфейсы материалов . 1 (6): 1400090. doi : 10.1002/admi.201400090 . ISSN   2196-7350 . S2CID   137671656 .
  40. ^ Гупта, Риту; Рао, КДМ; Шривастава, Картикея; Кумар, Анкуш; Кирутика, С.; Кулкарни, Гиридхар У. (8 июля 2014 г.). «Напыление шаблонов трещин для изготовления прозрачных проводников и нагревателей на плоских и изогнутых поверхностях». Прикладные материалы и интерфейсы ACS . 6 (16): 13688–13696. дои : 10.1021/am503154z . ISSN   1944-8244 . ПМИД   25001064 .
  41. ^ Кумар, Анкуш (3 января 2017 г.). «Прогнозирование эффективности солнечных элементов на основе прозрачных проводящих электродов». Журнал прикладной физики . 121 (1): 014502. Бибкод : 2017JAP...121a4502K . дои : 10.1063/1.4973117 . ISSN   0021-8979 .
  42. ^ Рао, КДМ; Голод, Кристоф; Гупта, Риту; Кулкарни, Гиридхар У.; Телаккат, Мукундан (2014). «Металлическая сетка с шаблоном из растрескавшегося полимера в качестве прозрачного проводящего электрода для органических солнечных элементов, не содержащих ITO» . Физ. хим. хим. Физ . 16 (29): 15107–15110. Бибкод : 2014PCCP...1615107R . дои : 10.1039/C4CP02250E . ISSN   1463-9076 . ПМИД   24958552 .
Retrieved from "https://en.wikipedia.org/w/index.php?title=Transparent_conducting_film&oldid=1218369480#Transparent_conducting_oxides"
Arc.Ask3.Ru: конец переведенного документа.
Arc.Ask3.Ru
Номер скриншота №: 5ab175fee17b9751e68ebf04fbd59751__1712816520
URL1:https://arc.ask3.ru/arc/aa/5a/51/5ab175fee17b9751e68ebf04fbd59751.html
Заголовок, (Title) документа по адресу, URL1:
Transparent conducting film - Wikipedia
Данный printscreen веб страницы (снимок веб страницы, скриншот веб страницы), визуально-программная копия документа расположенного по адресу URL1 и сохраненная в файл, имеет: квалифицированную, усовершенствованную (подтверждены: метки времени, валидность сертификата), открепленную ЭЦП (приложена к данному файлу), что может быть использовано для подтверждения содержания и факта существования документа в этот момент времени. Права на данный скриншот принадлежат администрации Ask3.ru, использование в качестве доказательства только с письменного разрешения правообладателя скриншота. Администрация Ask3.ru не несет ответственности за информацию размещенную на данном скриншоте. Права на прочие зарегистрированные элементы любого права, изображенные на снимках принадлежат их владельцам. Качество перевода предоставляется как есть. Любые претензии, иски не могут быть предъявлены. Если вы не согласны с любым пунктом перечисленным выше, вы не можете использовать данный сайт и информация размещенную на нем (сайте/странице), немедленно покиньте данный сайт. В случае нарушения любого пункта перечисленного выше, штраф 55! (Пятьдесят пять факториал, Денежную единицу (имеющую самостоятельную стоимость) можете выбрать самостоятельно, выплаичвается товарами в течение 7 дней с момента нарушения.)