Селенид меди, индия, галлия

Селенид меди, индия, галлия
	; Элементарная ячейка CIGS. Красный = Cu, желтый = Se, синий = In/Ga
Идентификаторы
Номер CAS	12018-95-0 (КуИнСе 2 ) ;
ХимическийПаук	24774055 [ <удалить.>химический паук ] ;
Характеристики
Химическая формула	CuIn 1− x Ga x Se 2
Плотность	~5,7 г/см 3
Температура плавления	От 1070 до 990 ° C (от 1960 до 1810 ° F; от 1340 до 1260 К) ( x = 0–1)
Запрещенная зона	1,0–1,7 эВ ( х = 0–1)
Структура
Кристаллическая структура	тетрагональный, символ Пирсона tI16
Космическая группа	я 4 2д
Постоянная решетки	а = 0,56–0,58 нм ( х = 0–1), в = 1,10–1,15 нм ( х = 0–1)
	Если не указано иное, данные приведены для материалов в стандартном состоянии (при 25 °C [77 °F], 100 кПа). Ссылки на инфобоксы

Медь-индий-галлий (ди)селенид ( CIGS ) представляет собой I - III - VI _2, полупроводниковый материал состоящий из меди , индия , галлия и селена . Материал представляет собой твердый раствор селенида меди-индия (часто сокращенно «СНГ») и селенида меди-галлия . Он имеет химическую формулу CuIn _{1- x} Ga _x Se ₂ , где значение x может варьироваться от 0 (чистый селенид меди-индия) до 1 (чистый селенид меди-галлия). CIGS представляет собой полупроводник с тетраэдрическими связями с кристаллической структурой халькопирита , и шириной запрещенной зоны непрерывно изменяющейся в зависимости от x от примерно 1,0 эВ (для селенида меди-индия) до примерно 1,7 эВ (для селенида меди-галлия).

Структура

CIGS представляет собой полупроводник с тетраэдрическими связями и кристаллической структурой халькопирита . При нагревании он переходит в форму цинковой обманки , температура перехода снижается от 1045 °С при х = 0 до 805 °С при х = 1. ^[1]

Приложения

Он наиболее известен как материал для солнечных элементов CIGS — тонкопленочной технологии, используемой в фотоэлектрической промышленности. ^[2] В этой роли CIGS имеет то преимущество, что его можно наносить на гибкие материалы подложки, производя очень гибкие и легкие солнечные панели . Повышение эффективности сделало CIGS признанной технологией среди альтернативных клеточных материалов.

См. также

Ссылки

^ Jump up to: ^а ^б ^с ^д Тиноко, Т.; Ринкон, К.; Кинтеро, М.; Перес, Г. Санчес (1991). «Фазовая диаграмма и оптическая энергетическая щель для сплавов CuIn _y Ga _{1- y} Se ₂ ». Физический статус Солиди А. 124 (2): 427. Бибкод : 1991PSSAR.124..427T . дои : 10.1002/pssa.2211240206 .
^ «Экспертный обзор программы технологий солнечной энергетики Министерства энергетики» (PDF) . Министерство энергетики США, 2009 год . Проверено 10 февраля 2011 г.

[str-1] Jump up to: ^а ^б ^с ^д Тиноко, Т.; Ринкон, К.; Кинтеро, М.; Перес, Г. Санчес (1991). «Фазовая диаграмма и оптическая энергетическая щель для сплавов CuIn _y Ga _{1- y} Se ₂ ». Физический статус Солиди А. 124 (2): 427. Бибкод : 1991PSSAR.124..427T . дои : 10.1002/pssa.2211240206 .

[2] «Экспертный обзор программы технологий солнечной энергетики Министерства энергетики» (PDF) . Министерство энергетики США, 2009 год . Проверено 10 февраля 2011 г.

[1]

[2]