Испарение (осаждение)
Испарение — распространенный метод осаждения тонких пленок . Исходный материал испаряется в вакууме . Вакуум позволяет частицам пара перемещаться непосредственно к целевому объекту (подложке), где они конденсируются обратно в твердое состояние. Испарение используется в микрообработке и для изготовления крупномасштабных продуктов, таких как металлизированная пластиковая пленка.
История
[ редактировать ]Отложения в результате испарения впервые наблюдались в лампах накаливания в конце девятнадцатого века. Проблема потемнения лампочек была одним из главных препятствий на пути к созданию ламп с длительным сроком службы, и она тщательно изучалась Томасом Эдисоном и его компанией General Electric , а также многими другими, работавшими над собственными лампочками. Впервые это явление было адаптировано к процессу вакуумного осаждения Полем и Прингсхаймом в 1912 году. Однако оно не нашло особого применения до 1930-х годов, когда люди начали экспериментировать со способами изготовления зеркал с алюминиевым покрытием для использования в телескопах . Алюминий был слишком реактивным, чтобы его можно было использовать в методах химического мокрого осаждения или гальваники . Джону Д. Стронгу удалось изготовить первые алюминиевые зеркала для телескопов в 1930-х годах с использованием испарительного осаждения. Поскольку он создает аморфное (стеклянное) покрытие, а не кристаллическое, с высокой однородностью и точным контролем толщины, впоследствии этот процесс стал обычным процессом производства тонкопленочных оптических покрытий. из различных материалов, как металлических, так и неметаллических (диэлектриков), и был принят для многих других целей, таких как покрытие пластиковых игрушек и автомобильных деталей, производство полупроводников и микрочипов , а также майларовых пленок, которые используются в самых разных целях: от конденсаторов до Тепловой контроль космического корабля . [1]
Физический принцип
[ редактировать ]Испарение включает в себя два основных процесса: горячий источник испаряет материал и конденсирует его на более холодной подложке, температура которой ниже его температуры плавления. Это напоминает знакомый процесс, при котором жидкая вода появляется на крышке кипящей кастрюли. Однако газовая среда и источник тепла (см. ниже «Оборудование») различны. Жидкости, такие как вода, не могут существовать в вакууме, поскольку им требуется определенный уровень внешнего давления, чтобы удерживать атомы и молекулы вместе. В вакууме материалы сублимируются (испаряются), расширяются наружу и при контакте с поверхностью конденсируются обратно в твердое состояние ( осаждение ), даже не проходя через жидкое состояние. Таким образом, по сравнению с водой, этот процесс больше похож на образование инея на окне.
Испарение происходит в вакууме, т.е. пары, отличные от исходного материала, почти полностью удаляются до начала процесса. В высоком вакууме (с большой длиной свободного пробега ) испаренные частицы могут перемещаться непосредственно к мишени осаждения, не сталкиваясь с фоновым газом. (Напротив, в примере с кипящей кастрюлей водяной пар выталкивает воздух из кастрюли до того, как он достигнет крышки.) При типичном давлении 10 −4 Па, частица размером 0,4 нм имеет среднюю длину свободного пробега 60 м. Горячие предметы в испарительной камере, такие как нагревательные нити, производят нежелательные пары, которые ограничивают качество вакуума.
Испаренные атомы, столкнувшиеся с инородными частицами, могут вступить с ними в реакцию; например, если алюминий осаждается в присутствии кислорода, образуется оксид алюминия. Они также уменьшают количество пара, попадающего на подложку, что затрудняет контроль толщины.
Испаренные материалы осаждаются неравномерно, если подложка имеет шероховатую поверхность (как это часто бывает в интегральных схемах). Поскольку испаряемый материал воздействует на подложку преимущественно с одного направления, выступающие элементы блокируют испаряемый материал в некоторых областях. Это явление называется «затенением» или «ступенчатым охватом».
Когда испарение проводится в плохом вакууме или при давлении, близком к атмосферному, полученное осаждение обычно бывает неоднородным и не представляет собой сплошную или гладкую пленку. Скорее, осаждение будет выглядеть нечетким.
Оборудование
[ редактировать ]Любая система испарения включает в себя вакуумный насос . Он также включает в себя источник энергии, который испаряет наносимый материал. Существует множество различных источников энергии:
- При термическом методе металлический материал (в виде проволоки, окатышей, дроби) подается на нагретые полуметаллические (керамические) испарители, получившие из-за формы название «лодочки». В полости лодки образуется лужа расплавленного металла, которая испаряется в облако над источником. Альтернативно, исходный материал помещается в тигель , который нагревается радиационным путем с помощью электрической нити , или исходный материал можно подвешивать к самой нити ( испарение нити ).
- Молекулярно-лучевая эпитаксия — это усовершенствованная форма термического испарения.
- В электронно-лучевом методе источник нагревается электронным пучком с энергией до 15 кэВ .
- При мгновенном испарении тонкая проволока или порошок исходного материала непрерывно подается на горячий керамический или металлический стержень и испаряется при контакте.
- Резистивное испарение осуществляется путем пропускания большого тока через резистивную проволоку или фольгу, содержащую осаждаемый материал. Нагревательный элемент часто называют «источником испарения». Источники испарения проволочного типа изготавливаются из вольфрамовой проволоки и могут иметь форму нитей, корзин, нагревателей или точечных источников петлевой формы. Источники испарения лодочного типа изготавливаются из вольфрама, тантала, молибдена или материалов керамического типа, способных выдерживать высокие температуры.
- Испарение при индукционном нагреве предполагает нагрев исходного материала с помощью индукционного нагревателя . [3]
расположенном вне плоскости В некоторых системах подложка крепится на планетарном механизме, . Механизм вращает подложку одновременно вокруг двух осей, чтобы уменьшить затенение.
Оптимизация
[ редактировать ]- Чистота осаждаемой пленки зависит от качества вакуума и чистоты исходного материала.
- При данном вакуумном давлении чистота пленки будет выше при более высоких скоростях осаждения, поскольку это сводит к минимуму относительную скорость включения газообразных примесей.
- Толщина пленки будет варьироваться в зависимости от геометрии испарительной камеры. Столкновения с остаточными газами усугубляют неоднородность толщины.
- Проволочные нити для испарения не могут осаждать толстые пленки, поскольку размер нити ограничивает количество наносимого материала. Испарительные лодочки и тигли обеспечивают больший объем для получения более толстых покрытий. Термическое испарение обеспечивает более высокую скорость испарения, чем напыление . Мгновенное испарение и другие методы, в которых используются тигли, могут привести к образованию толстых пленок.
- Для осаждения материала система испарения должна быть способна испарять его. Это затрудняет осаждение тугоплавких материалов, таких как вольфрам, методами, не использующими электронно-лучевой нагрев.
- Электронно-лучевое испарение позволяет жестко контролировать скорость испарения. Таким образом, электронно-лучевая система с несколькими лучами и несколькими источниками может наносить химическое соединение или композитный материал известного состава.
- Покрытие шагов
Приложения
[ редактировать ]Важным примером испарительного процесса является производство упаковочной пленки из алюминизированной ПЭТ-пленки в рулонной рулонной системе . Часто слой алюминия в этом материале недостаточно толстый, чтобы быть полностью непрозрачным, поскольку более тонкий слой можно нанести дешевле, чем толстый. Основное назначение алюминия — изолировать изделие от внешней среды, создавая барьер для прохождения света , кислорода или водяного пара.
Испарение обычно используется в микротехнологиях для нанесения металлических пленок.
Сравнение с другими методами осаждения
[ редактировать ]- Альтернативы испарению, такие как напыление и химическое осаждение из паровой фазы , обеспечивают лучшее покрытие ступеней. Это может быть преимуществом или недостатком, в зависимости от желаемого результата.
- Распыление имеет тенденцию осаждать материал медленнее, чем испарение.
- При распылении используется плазма , которая производит множество высокоскоростных атомов, которые бомбардируют подложку и могут ее повредить. Испаренные атомы имеют максвелловское распределение энергии, определяемое температурой источника, что уменьшает количество высокоскоростных атомов. Однако электронные лучи имеют тенденцию производить рентгеновские лучи ( тормозное излучение ) и блуждающие электроны, каждый из которых также может повредить подложку.
Ссылки
[ редактировать ]- ^ Основы технологии вакуумного нанесения покрытий. Д. М. Маттокс - Springer, 2004 г., стр. 37.
- ^ Тронтл, В. Микшич; Плетикосич, И.; Милун, М.; Перван, П.; Лазич, П.; Шокчевич, Д.; Брако, Р. (16 декабря 2005 г.). «Экспериментальное и ab initio исследование структурных и электронных свойств пленок Ag субнанометровой толщины на Pd(111)» . Физический обзор B . 72 (23): 235418. doi : 10.1103/PhysRevB.72.235418 .
- ^ Кузьмичев Анатолий; Цыбульский, Леонид (14 февраля 2011 г.). Грундас, Станислав (ред.). «Испарители с индукционным нагревом и их применение» . ИнТех. дои : 10.5772/13934 . ISBN 978-953-307-522-8 .
{{cite journal}}
: Для цитирования журнала требуется|journal=
( помощь )
- Джагер, Ричард К. (2002). «Кинодепонирование». Введение в производство микроэлектроники (2-е изд.). Река Аппер-Седл: Прентис-Холл. ISBN 0-201-44494-1 .
- Полупроводниковые приборы: физика и технология, С.М. Зе, ISBN 0-471-33372-7 содержит особенно подробное обсуждение осаждения пленки путем испарения.
- Каталог источников испарения компании RD Mathis, компания RD Mathis, страницы с 1 по 7 и страница 12, 1992 г.