✖


Jump to content

Поликристаллический кремний

(Перенаправлено из процесса Siemens )
Слева : солнечные элементы из поликристаллического кремния. Правая сторона : стержень из поликремния (вверху) и его кусочки (внизу).

Поликристаллический кремний , или мультикристаллический кремний , также называемый поликремнием , поли-Si или mc-Si высокой чистоты , представляет собой поликристаллическую форму кремния , используемую в качестве сырья в солнечной фотоэлектрической и электронной промышленности .

Поликремний производится из кремния металлургического качества с помощью процесса химической очистки, называемого процессом Сименса . Этот процесс включает перегонку летучих соединений кремния и их разложение на кремний при высоких температурах. В новом альтернативном процессе переработки используется реактор с псевдоожиженным слоем . Фотоэлектрическая промышленность также производит улучшенный кремний металлургического качества (UMG-Si), используя металлургические, а не химические процессы очистки. [1] Поликремний, производимый для электронной промышленности, содержит примеси менее одной части на миллиард (ppb), в то время как поликристаллический кремний солнечного качества (SoG-Si), как правило, менее чистый. На долю нескольких компаний из Китая, Германии, Японии, Кореи и США, таких как GCL-Poly , Wacker Chemie , Tokuyama , OCI и Hemlock Semiconductor , а также на компанию REC со штаб-квартирой в Норвегии , приходилось большая часть мирового производства около 230 000 тонн в 2013 году. [2]

Исходное сырье из поликремния — большие стержни, обычно разбиваемые на куски определенного размера и перед отправкой упаковываемые в чистых помещениях — напрямую отливают в мультикристаллические слитки или подвергают процессу рекристаллизации для выращивания монокристаллических булей . Були затем нарезаются на тонкие кремниевые пластины и используются для производства солнечных элементов , интегральных схем и других полупроводниковых устройств .

Поликремний состоит из маленьких кристаллов , также известных как кристаллиты , которые придают материалу типичный эффект металлических чешуек . Хотя поликремний и мультикремний часто используются как синонимы, мультикристаллический обычно относится к кристаллам размером более одного миллиметра. Мультикристаллические солнечные элементы являются наиболее распространенным типом солнечных элементов на быстрорастущем рынке фотоэлектрических систем и потребляют большую часть поликремния, производимого в мире. (МВт) требуется около 5 тонн поликремния . 1 мегаватт Для производства одного обычного солнечного модуля мощностью [3] [ нужна ссылка ] Поликремний отличается от монокристаллического кремния и аморфного кремния .

Против монокристаллического кремния

[ редактировать ]
Сравнение поликристаллических (слева) и монокристаллических (справа) солнечных элементов.

В монокристаллическом кремнии, также известном как монокристаллический кремний , кристаллический каркас однороден, что можно узнать по равномерной внешней окраске. [4] Весь образец представляет собой один сплошной и непрерывный кристалл, поскольку его структура не содержит границ зерен . Большие монокристаллы редки в природе, и их также трудно получить в лаборатории (см. Также «Рекристаллизация »). Напротив, в аморфной структуре порядок атомных позиций ограничен ближним радиусом.

Поликристаллические и паракристаллические фазы состоят из ряда более мелких кристаллов или кристаллитов . Поликристаллический кремний (или полукристаллический кремний, поликремний, поли-Si или просто «поли») представляет собой материал, состоящий из множества мелких кристаллов кремния. Поликристаллические клетки можно распознать по видимому зерну, «эффекту металлических чешуек». Поликристаллический кремний полупроводникового качества (также солнечного качества) преобразуется в монокристаллический кремний – это означает, что случайно связанные кристаллиты кремния в поликристаллическом кремнии преобразуются в большой монокристалл. Монокристаллический кремний используется для изготовления большинства микроэлектронных устройств на основе Si. Поликристаллический кремний может иметь чистоту до 99,9999%. [5] Сверхчистый поли используется в полупроводниковой промышленности, начиная с полистержней длиной от двух до трех метров. В промышленности микроэлектроники (полупроводниковая промышленность) поли используется как на макро, так и на микроуровне. Монокристаллы выращивают методами Чохральского , зонной плавки и Бриджмена–Стокбаргера .

Компоненты

[ редактировать ]
Стержень из поликремния полупроводникового качества.

На уровне компонентов поликремний уже давно используется в качестве материала проводящего затвора в технологиях обработки МОП-транзисторов и КМОП . Для этих технологий он осаждается с использованием реакторов химического осаждения из паровой фазы низкого давления ( LPCVD ) при высоких температурах и обычно сильно легирован n-типом или p-типом .

В последнее время собственный и легированный поликремний используется в электронике большой площади в качестве активных и/или легированных слоев в тонкопленочных транзисторах . Хотя его можно наносить с помощью LPCVD , плазменного химического осаждения из паровой фазы (PECVD) или твердофазной кристаллизации аморфного кремния в определенных режимах обработки, эти процессы все равно требуют относительно высоких температур, по крайней мере, 300 ° C. Эти температуры делают возможным осаждение поликремния на стеклянные подложки, но не на пластиковые подложки.

Нанесение поликристаллического кремния на пластиковые подложки мотивировано желанием производить цифровые дисплеи на гибких экранах. Поэтому был разработан относительно новый метод, называемый лазерной кристаллизацией, для кристаллизации исходного материала аморфного кремния (a-Si) на пластиковой подложке без плавления или повреждения пластика. Короткие интенсивные ультрафиолетовые лазерные импульсы используются для нагрева осажденного материала a-Si до температуры, превышающей точку плавления кремния, без плавления всей подложки.

Поликристаллический кремний (используется для производства монокристаллов кремния методом Чохральского )

Расплавленный кремний затем кристаллизуется по мере охлаждения. Точно контролируя температурные градиенты, исследователи смогли вырастить очень большие зерна, в крайних случаях размером до сотен микрометров, хотя размеры зерен от 10 нанометров до 1 микрометра также являются обычным явлением. Однако для создания устройств на поликремнии на больших площадях для однородности устройств необходим размер кристаллического зерна, меньший, чем размер элемента устройства. Другой метод получения поли-Si при низких температурах - это кристаллизация, индуцированная металлом , при которой тонкая пленка аморфного кремния может кристаллизоваться при температуре до 150 ° C, если ее отжигать при контакте с пленкой другого металла, такого как алюминий , золото или серебро. .

Поликремний имеет множество применений в производстве СБИС . Одно из его основных применений — использование в качестве материала электрода затвора для МОП-устройств. Электропроводность поликремниевого затвора можно увеличить, нанеся на затвор металл (например, вольфрам) или силицид металла (например, силицид вольфрама). Поликремний также можно использовать в качестве резистора, проводника или омического контакта для неглубоких переходов, причем желаемая электропроводность достигается за счет легирования поликремниевого материала.

Одно из основных различий между поликремнием и a-Si заключается в том, что подвижность носителей заряда поликремния может быть на порядки выше, а материал также демонстрирует большую стабильность в электрическом поле и светоиндуцированном напряжении. Это позволяет создавать на стеклянной подложке более сложные высокоскоростные схемы вместе с устройствами a-Si, которые по-прежнему необходимы из-за их характеристик низкой утечки . Когда устройства из поликремния и a-Si используются в одном процессе, это называется гибридной обработкой. Полный процесс активного слоя поликремния также используется в некоторых случаях, когда требуется небольшой размер пикселя, например, в проекционных дисплеях .

Сырье для фотоэлектрической промышленности

[ редактировать ]
Основная статья: Кристаллический кремний

Поликристаллический кремний является ключевым сырьем в фотоэлектрической промышленности на основе кристаллического кремния и используется для производства обычных солнечных элементов . Впервые в 2006 году более половины мировых поставок поликремния использовалось производителями фотоэлектрических систем. [6] Солнечная промышленность серьезно пострадала из-за нехватки поликремниевого сырья и была вынуждена простаивать около четверти своих мощностей по производству элементов и модулей в 2007 году. [7] В 2008 году было известно, что только двенадцать заводов производили поликремний солнечного качества; однако к 2013 году их число увеличилось до более чем 100 производителей. [8] Монокристаллический кремний дороже и является более эффективным полупроводником, чем поликристаллический, поскольку он подвергся дополнительной рекристаллизации по методу Чохральского.

Методы осаждения

[ редактировать ]

поликремния, или процесс нанесения слоя поликристаллического кремния на полупроводниковую пластину, достигается путем химического разложения силана Осаждение (SiH 4 ) при высоких температурах от 580 до 650 °C. Этот процесс пиролиза выделяет водород.

СиХ
4 (г) → Si(s) + 2 H
2 (г) CVD при 500-800°С [9]

Слои поликремния можно наносить с использованием 100% силана при давлении 25–130 Па (0,19–0,98 Торр) или 20–30% силана (разбавленного азотом) при том же общем давлении. Оба этих процесса позволяют наносить поликремний на 10–200 пластин за один цикл со скоростью 10–20 нм/мин и с однородностью толщины ±5%. Критические переменные процесса для осаждения поликремния включают температуру, давление, концентрацию силана и концентрацию легирующей примеси. Было показано, что расстояние между пластинами и размер загрузки оказывают лишь незначительное влияние на процесс осаждения. Скорость осаждения поликремния быстро увеличивается с температурой, поскольку она следует поведению Аррениуса , то есть скорость осаждения = A·exp(–qE a /kT), где q — заряд электрона, а k — постоянная Больцмана . Энергия активации (E a ​​) осаждения поликремния составляет около 1,7 эВ. Согласно этому уравнению, скорость осаждения поликремния увеличивается с увеличением температуры осаждения. Однако будет существовать минимальная температура, при которой скорость осаждения становится выше скорости, с которой непрореагировавший силан достигает поверхности. За пределами этой температуры скорость осаждения больше не может увеличиваться с ростом температуры, поскольку теперь этому препятствует нехватка силана, из которого будет генерироваться поликремний. Такая реакция тогда называется «ограниченной массопереносом». Когда процесс осаждения поликремния становится ограниченным по массопереносу, скорость реакции становится зависеть в первую очередь от концентрации реагента, геометрии реактора и потока газа.

Когда скорость, с которой происходит осаждение поликремния, медленнее, чем скорость поступления непрореагировавшего силана, то говорят, что реакция ограничена поверхностной реакцией. Процесс осаждения, ограниченный поверхностной реакцией, в первую очередь зависит от концентрации реагента и температуры реакции. Процессы осаждения должны быть ограничены поверхностной реакцией, поскольку они приводят к превосходной однородности толщины и покрытию ступеней. График зависимости логарифма скорости осаждения от обратной величины абсолютной температуры в области, ограниченной поверхностной реакцией, представляет собой прямую линию с наклоном, равным –qE a /k.

При пониженном уровне давления при производстве СБИС скорость осаждения поликремния ниже 575 °C слишком медленна, чтобы быть практичной. При температуре выше 650 °C возникает плохая однородность осаждения и чрезмерная шероховатость из-за нежелательных реакций в газовой фазе и истощения силана. Давление внутри реактора низкого давления можно изменять либо путем изменения скорости откачки, либо путем изменения потока газа на входе в реактор. Если входящий газ состоит как из силана, так и из азота, поток входящего газа и, следовательно, давление в реакторе можно изменять либо путем изменения потока азота при постоянном потоке силана, либо путем изменения потока как азота, так и силана для изменения общего количества газа. поток, сохраняя при этом соотношение газов постоянным. Недавние исследования показали, что электронно-лучевое испарение с последующим SPC (при необходимости) может быть экономически эффективной и быстрой альтернативой производству тонких пленок поли-Si солнечного качества. [10] Показано, что модули, изготовленные таким методом, имеют фотоэлектрический КПД ~6%. [11]

Легирование поликремнием, если необходимо, также осуществляется в процессе осаждения, обычно путем добавления фосфина, арсина или диборана. Добавление фосфина или арсина приводит к замедлению осаждения, а добавление диборана увеличивает скорость осаждения. Однородность толщины осаждения обычно ухудшается при добавлении легирующих примесей во время осаждения.

Процесс Сименс

[ редактировать ]
«Процесс Сименс» перенаправляется сюда. Чтобы узнать о других целях, см. Химическое осаждение из паровой фазы § Поликремний и Процесс Сименса-Мартина .
Принципиальная схема традиционного Siemens и реактора с псевдоожиженным слоем. процесса очистки

Процесс Сименса является наиболее часто используемым методом производства поликремния, особенно для электроники. [12] по состоянию на 2005 год около 75% мирового производства использовали этот процесс. [13]

В ходе процесса MG Si преобразуется в SiHCl 3 , а затем в кремний в реакторе, удаляя таким образом примеси переходных металлов и легирующих примесей . [12] Процесс относительно дорогой и медленный. [12]

Это тип процесса химического осаждения из паровой фазы . [14]

Модернизированный кремний металлургического класса

[ редактировать ]

Модернизированный из кремния металлургического класса (UMG) (также известный как UMG-Si) солнечный элемент производится как дешевая альтернатива поликремнию, созданному по технологии Siemens . UMG-Si значительно снижает количество примесей различными способами, которые требуют меньше оборудования и энергии, чем процесс Siemens. [15] Его чистота составляет около 99%, что на три или более порядков ниже чистоты и примерно в 10 раз дешевле, чем поликремний (от 1,70 до 3,20 доллара за кг в период с 2005 по 2008 год по сравнению с 40–400 долларами за кг для поликремния). Он потенциально может обеспечить почти такую ​​же эффективность солнечных элементов при 1/5 капитальных затрат, половине требований к энергии и менее 15 долларов США за кг. [16]

В 2008 году несколько компаний рекламировали потенциал UMG-Si, но в 2010 году кредитный кризис значительно снизил стоимость поликремния, и несколько производителей UMG-Si приостановили планы. [17] [18] Процесс Siemens останется доминирующей формой производства в ближайшие годы благодаря более эффективному внедрению процесса Siemens. GT Solar утверждает, что новый процесс Siemens может производить продукцию по цене 27 долларов за кг, а через 5 лет может достичь 20 долларов за кг. GCL-Poly ожидает, что к концу 2011 года производственные затраты составят 20 долларов США/кг. [19] Elkem Solar оценивает затраты на UMG в 25 долларов США/кг при мощности в 6000 тонн к концу 2010 года. Calisolar ожидает, что технология UMG будет производить продукцию по цене 12 долларов США/кг через 5 лет с содержанием бора 0,3 частей на миллион и фосфора 0,6 частей на миллион. [20] При цене 50 долларов США/кг и 7,5 г/Вт производители модулей тратят на поликремний 0,37 доллара США/Вт. Для сравнения, если производитель CdTe платит спотовую цену за теллур (420 долларов США/кг в апреле 2010 года) и имеет толщину 3 мкм , их стоимость будет в 10 раз меньше, 0,037 доллара США/Ватт. При 0,1 г/Вт и 31 долларе США за унцию производители солнечной энергии из поликремния тратят на серебро 0,10 доллара США/Вт. [21]

Q-Cells, Canadian Solar и Calisolar использовали Timminco UMG. Timminco может производить UMG-Si с содержанием бора 0,5 ppm по цене $21/кг, но акционеры подали на нее в суд, поскольку они ожидали $10/кг. [22] RSI и Dow Corning также участвовали в судебных разбирательствах по поводу технологии UMG-Si. [23]

Возможные применения

[ редактировать ]
Изображение границ зерен поликремния. Каждое зерно кристаллическое по ширине зерна. Граница зерна разделяет зерна, где соседнее зерно имеет ориентацию, отличную от соседней. Граница зерна разделяет области различной кристаллической структуры и служит центром рекомбинации. Здесь «d» — характерный размер зерна, который следует максимизировать для максимальной эффективности солнечного элемента. Типичные значения d составляют около 1 микрометра.

В настоящее время поликремний обычно используется в качестве материалов проводящих затворов в полупроводниковых устройствах, таких как МОП-транзисторы ; однако у него есть потенциал для крупномасштабных фотоэлектрических устройств. [24] [25] Распространенность, стабильность и низкая токсичность кремния в сочетании с низкой стоимостью поликремния по сравнению с монокристаллами делают этот вид материала привлекательным для фотоэлектрического производства. [25] Было показано, что размер зерна влияет на эффективность поликристаллических солнечных элементов. Эффективность солнечных батарей увеличивается с увеличением размера зерна. Этот эффект обусловлен уменьшением рекомбинации в солнечном элементе. Рекомбинация, которая является ограничивающим фактором тока в солнечном элементе, чаще происходит на границах зерен, см. рисунок 1. [25]

Удельное сопротивление, подвижность и концентрация свободных носителей тока в монокристаллическом кремнии меняются в зависимости от концентрации легирования монокристаллического кремния. Хотя легирование поликристаллического кремния действительно влияет на удельное сопротивление, подвижность и концентрацию свободных носителей, эти свойства сильно зависят от размера поликристаллического зерна, который является физическим параметром, которым может манипулировать ученый-материаловед. [25] С помощью методов кристаллизации с образованием поликристаллического кремния инженер может контролировать размер поликристаллических зерен, что будет изменять физические свойства материала.

Новые идеи

[ редактировать ]

Использование поликристаллического кремния в производстве солнечных элементов требует меньше материала и, следовательно, обеспечивает более высокую прибыль и увеличение производительности производства. Поликристаллический кремний не обязательно наносить на кремниевую пластину для формирования солнечного элемента, его можно наносить на другие, более дешевые материалы, что снижает стоимость. Отсутствие необходимости в кремниевых пластинах смягчает нехватку кремния, с которой иногда сталкивается микроэлектронная промышленность. [26] Примером отказа от использования кремниевой пластины являются материалы кристаллического кремния на стекле (CSG). [26]

Основной проблемой в фотоэлектрической промышленности является эффективность элементов. Однако достаточная экономия средств от производства элементов может компенсировать снижение эффективности в полевых условиях, например, при использовании более крупных массивов солнечных элементов по сравнению с более компактными/более эффективными конструкциями. Такие конструкции, как CSG, привлекательны из-за низкой себестоимости производства даже при сниженной эффективности. [26] Устройства с более высокой эффективностью позволяют получить модули, которые занимают меньше места и более компактны; однако эффективность типичных устройств CSG на уровне 5–10% по-прежнему делает их привлекательными для установки на крупных станциях центрального обслуживания, таких как электростанции. [26] Вопрос эффективности и стоимости – это ценностное решение относительно того, требуется ли «энергоплотный» солнечный элемент или имеется достаточная площадь для установки менее дорогих альтернатив. Например, солнечный элемент, используемый для выработки электроэнергии в удаленном месте, может потребовать более высокоэффективного солнечного элемента, чем тот, который используется для приложений с низким энергопотреблением, таких как солнечное акцентное освещение или карманные калькуляторы, или вблизи установленных электросетей.

Производители

[ редактировать ]

Емкость

[ редактировать ]

Производство поликремния по странам в 2013 г. (штаб-квартира компании, а не местонахождение производства). Всего в мире 227 000 тонн. [2]

  Китай (36,1%)
  США (25,9%)
  Южная Корея (11,4%)
  Германия (21,6%)
  Япония (4,9%)
Химическая переработка на заводе поликремния ПСТ

Рынок производства поликремния быстро растет. По данным Digitimes , в июле 2011 года общий объем производства поликремния в 2010 году составил 209 000 тонн. На долю поставщиков первого эшелона приходится 64% рынка, а на долю китайских фирм по производству поликремния приходится 30% рынка. Общий объем производства, вероятно, увеличится на 37,4% до 281 000 тонн к концу 2011 года. [27] В 2012 году EETimes Asia прогнозирует производство 328 000 тонн при спросе всего 196 000 тонн, при этом спотовые цены, как ожидается, упадут на 56%. Хотя это и хорошо для перспектив возобновляемой энергетики, последующее падение цен может оказаться жестоким для производителей. [28] По состоянию на конец 2012 года SolarIndustryMag сообщает, что к концу 2012 года будет достигнута мощность в 385 000 тонн. [29]

Но по мере того, как признанные производители (упомянутые ниже) расширяют свои мощности, на рынок выходят новые игроки – многие из Азии. Даже давние игроки в этой области в последнее время столкнулись с трудностями при расширении производства растений. Пока неясно, какие компании смогут производить продукцию с достаточно низкими издержками, чтобы быть прибыльными после резкого падения спотовых цен в последние месяцы. [30] [31]

Ведущие производители

[ редактировать ]

Компания Wacker's прогнозирует, что к 2014 году ее общие мощности по производству сверхчистого поликремния вырастут до 67 000 метрических тонн благодаря новому заводу по производству поликремния в Кливленде, штат Теннесси (США), с годовой мощностью 15 000 метрических тонн. [32] [33]

Крупнейшие производители поликремния в 2013 г. (доля рынка в %)
GCL-Поли Энерджи Китай 65 000 тонн 22%
Вакер Хеми Германия 52 000 тонн 17%
ЗКИ Южная Корея 42 000 тонн 14%
Болиголов Полупроводниковый олень 36 000 тонн 12%
РЭЦ Норвегия 21 500 тонн 7%
Источник: Market Realist сообщает, что мировая производственная мощность в 2013 году составила 300 000 тонн. [3]
BNEF оценил фактическое производство в 2013 году в 227 000 тонн. [2]
Другие производители

Цена

[ редактировать ]
История спотовых цен на поликремний

Цены на поликремний часто делятся на две категории: контрактные и спотовые цены, причем более высокая чистота требует более высоких цен. В период бурного роста монтажных работ наблюдается рост цен на поликремний. Не только спотовые цены превосходят контрактные цены на рынке; но также трудно получить достаточное количество поликремния. Покупатели примут первоначальный взнос и долгосрочные соглашения на приобретение достаточно большого объема поликремния. Напротив, спотовые цены будут ниже контрактных цен, как только количество солнечных фотоэлектрических установок начнет снижаться. В конце 2010 года бурный рост установок привел к росту спотовых цен на поликремний. В первой половине 2011 года цены на поликремний оставались высокими благодаря политике FIT Италии. Компания PVinsights, занимающаяся исследованием цен на солнечные фотоэлектрические системы и исследованием рынка, [46] сообщили, что цены на поликремний могут снизиться из-за отсутствия установки во второй половине 2011 года. [47] Еще в 2008 году цены превысили 400 долларов за кг, поднявшись с уровня около 200 долларов за кг, а в 2013 году они упали до 15 долларов за кг. [48]

Демпинг

[ редактировать ]

США и Южной Кореи Китайское правительство обвинило производителей в хищническом ценообразовании или «демпинге» . Как следствие, в 2013 году оно ввело импортные пошлины в размере 57 процентов на поликремний, поставляемый из этих двух стран, чтобы предотвратить продажу продукта ниже себестоимости. [49]

Напрасно тратить

[ редактировать ]

Из-за быстрого роста производства в Китае и отсутствия нормативного контроля поступали сообщения о сбросе отходов тетрахлорида кремния . [50] Обычно отходы тетрахлорида кремния перерабатываются, но это увеличивает стоимость производства, поскольку его необходимо нагревать до 1800 ° F (980 ° C).

См. также

[ редактировать ]

Ссылки

[ редактировать ]
  1. ^ Мендес, Лаура; Форньес, Эдуардо; Гаррен, Дэниел; Перес Васкес, Антонио; Соуто, Алехандро; Власенко Тимур (1 октября 2021 г.). «Модернизированный кремний и поликремний металлургического качества для производства солнечной электроэнергии: сравнительная оценка жизненного цикла». Наука об общей окружающей среде . 789 : 147969. arXiv : 2102.11571 . Бибкод : 2021ScTEn.78947969M . doi : 10.1016/j.scitotenv.2021.147969 . ПМИД   34082204 . S2CID   232013656 .
  2. ^ Перейти обратно: а б с «Solar Insight, Исследовательская записка – Производство фотоэлектрических систем в 2013 году: всецело азиатское дело» (PDF) . Bloomberg New Energy Finance. 16 апреля 2014 г. стр. 2–3. Архивировано (PDF) из оригинала 30 июня 2014 года.
  3. ^ Перейти обратно: а б «Китай: Новая кремниевая долина – поликремний» . 2 февраля 2015 года. Архивировано из оригинала 25 апреля 2015 года . Проверено 30 апреля 2015 г.
  4. ^ «Солнечная азбука» . Solarworld.de . Архивировано из оригинала 25 января 2009 года . Проверено 10 апреля 2018 г.
  5. ^ Колич, Ю. (1995). «Электронно-порошковые ленточные пластины поликристаллического кремния, используемые для изготовления пористых слоев». Тонкие твердые пленки . 255 (1–2): 159. Бибкод : 1995TSF...255..159K . дои : 10.1016/0040-6090(94)05644-S .
  6. ^ «Фотовольтаика: дешевеет» . nyecospaces.com . Архивировано из оригинала 2 января 2015 года . Проверено 10 апреля 2018 г.
  7. ^ The Wall Street Journal, Нехватка солнечной энергии . 29 апреля 2006 г.
  8. ^ ООО, ЭНФ. ООО «ЭНФ» . www.enfsolar.com . Проверено 10 апреля 2018 г.
  9. ^ Морган, Д.В.; Совет, К. (1991). Введение в полупроводниковую микротехнологию (2-е изд.). Чичестер, Западный Суссекс, Англия: John Wiley & Sons. п. 27. ISBN  0471924784 .
  10. ^ К.Беккер, Микроструктура и фотоэлектрические характеристики тонких пленок поликристаллического кремния на термостабильных слоях ZnO:Al. Дж. Прил. Физ. 106, 084506 (2009), DOI:10.1063/1.3240343
  11. ^ [35-я конференция специалистов по фотоэлектрической энергии IEEE, 614 (2010)]
  12. ^ Перейти обратно: а б с Карл В. Бур (6 декабря 2012 г.). Достижения в области солнечной энергетики: Ежегодный обзор исследований и разработок, Том 1 · 1982 . Springer Science & Business Media. стр. 153–. ISBN  978-1-4684-8992-7 .
  13. ^ Веселинка Петрова-Кох (2009). Высокоэффективная и недорогая фотоэлектрическая энергия: последние разработки . Springer Science & Business Media. стр. 47–. ISBN  978-3-540-79358-8 .
  14. ^ «Производство поликремния: процесс Сименс» . Исследования Бернройтера . 29 июня 2020 г. Проверено 29 июня 2024 г.
  15. ^ Является ли модернизированный кремний металлургического качества единственной надеждой для производителей фотоэлектрических солнечных элементов? – Новости ГЛГ . Glgroup.com (20 мая 2008 г.). Проверено 2 апреля 2011 г.
  16. ^ Dow Corning остановила производство кремния UMG Solar Grade . ГЮНТЕР Портфолио (29 апреля 2010 г.). Проверено 2 апреля 2011 г.
  17. ^ Dow Corning остановила производство кремния UMG Solar Grade . ГЮНТЕР Портфолио (29 апреля 2010 г.). Проверено 2 апреля 2011 г.
  18. ^ Пресс-релиз . Тимминко. Проверено 2 апреля 2011 г.Примечание относительно Timminco: 14 мая 2009 г. Timminco Limited, Photon Consulting LLC, Rogol Energy Consulting LLC, Майкл Рогол, доктор Хайнц Шиммельбуш, Роберт Дитрих, Рене Буасвер, Артур Р. Спектор, Джек Л. Мессман, Джон К. Фокс , Майкл Д. Уинфилд, Микки П. Якиш и Джон П. Уолш были названы ответчиками по иску. Иск был на сумму 500 миллионов долларов плюс штрафные санкции.С решением Верховного суда в пользу ответчиков можно ознакомиться здесь:https://www.canlii.org/en/on/onsc/doc/2016/2016onsc3124/2016onsc3124.htmlАпелляция в Верховный суд Онтарио доступна по следующей ссылке. Суд снова вынес решение в пользу ответчиков и присудил соответствующие расходы.https://www.canlii.org/en/on/onca/doc/2017/2017onca369/2017onca369.htmlБыла подана апелляция в Верховный суд Канады. Окончательное решение Верховного суда Канады полностью подтверждает позицию ответчиков с частичной компенсацией ответчикам. Окончательное решение доступно здесь:https://scc-csc.lexum.com/scc-csc/scc-l-csc-a/en/16947/1/document.doКраткое изложение этого дела доступно здесь:https://www.canadianunderwriter.ca/insurance/court-shuts-door-case-may-muddied-water-limitation- periods-1004126598/
  19. ^ Солнечный сервер | Интернет-портал возобновляемых источников энергии
  20. ^ http://www.bernreuter.com/fileadmin/user_upload/samples/SWE_6-2010_Solar_Silicon_Conference.pdf [ пустой URL PDF ]
  21. ^ «Новости личных финансов, статьи, советы и рекомендации по управлению своими деньгами - myfinances.co.uk» (PDF) . Мои финансы . Проверено 10 апреля 2018 г.
  22. ^ Кто есть кто в производстве солнечного кремния , компании, технологии, стоимость, мощности, глобальные перспективы до 2012 года
  23. ^ Судебный процесс по солнечной энергии: Dow Corning против RSI Silicon . ГЮНТЕР Портфель. Проверено 2 апреля 2011 г.
  24. ^ Стритман, Б.Г. и Банерджи, С. (2000), Твердотельные электронные устройства (5-е изд.), Нью-Джерси: Прентис Холл, ISBN  0-13-025538-6
  25. ^ Перейти обратно: а б с д Гош, Амаль К.; Фишман, Чарльз и Фенг, Том (1980), «Теория электрических и фотоэлектрических свойств поликристаллического кремния», Журнал прикладной физики , 51 (1): 446, Бибкод : 1980JAP....51..446G , doi : 10.1063/1.327342
  26. ^ Перейти обратно: а б с д Басор, Пенсильвания (2006), «CSG-2: Расширение производства новой фотоэлектрической технологии из поликристаллического кремния» (PDF) , Материалы 21-й Европейской конференции по фотоэлектрической солнечной энергии
  27. ^ ЦИФРЫ (19 июля 2011 г.). «Войти в архив и исследования DIGITIMES» . www.digittimes.com . Проверено 10 апреля 2018 г.
  28. ^ «Избыток поликремния, как ожидается, приведет к снижению цен, - говорит аналитик» . www.eetasia.com . Проверено 10 апреля 2018 г.
  29. ^ «Производители солнечного поликремния наращивают поставки, несмотря на потери - Солнечная промышленность» . Solarindustrymag.com . 2 октября 2012 года . Проверено 10 апреля 2018 г.
  30. ^ Исследование акций Commerzbank, Роберт Шрамм, Лорен Ликуанан: Обратная связь с конференции Solar Silicon Conference . 28 апреля 2010 г.
  31. ^ Citigroup Global Markets, Тимоти Лам: Asia Solar View – май 2010 г. , 3 мая 2010 г.
  32. ^ http://www.wacker.com Часто задаваемые вопросы WACKER TENNESSEE , 2015 г.
  33. ^ «EANS-News: Wacker Chemie AG / ЗАПУСК ПРОИЗВОДСТВА ПОЛИКРЕМНИЯ НА ПЛОЩАДКЕ WACKER'SBURGHAUSEN» . presseportal.de . 21 апреля 2010 года . Проверено 10 апреля 2018 г.
  34. ^ «404 не найден» . www.ldksolar.com . Проверено 10 апреля 2018 г. {{cite web}}: Cite использует общий заголовок ( справка )
  35. ^ Солнечный сервер | Интернет-портал возобновляемых источников энергии
  36. ^ «ТОКУЯМА:О нас:Деятельность деятельности:Специальная продукция Подразделение деятельности:Электронные материалы» . Архивировано из оригинала 6 апреля 2011 г. Проверено 3 апреля 2011 г.
  37. ^ «Архивная копия» (PDF) . Архивировано из оригинала (PDF) 15 декабря 2010 г. Проверено 3 апреля 2011 г. {{cite web}}: CS1 maint: архивная копия в заголовке ( ссылка )
  38. ^ «404 — Страница не найдена: SunEdison Semiconductor» . www.memc.com . Проверено 10 апреля 2018 г. {{cite web}}: Cite использует общий заголовок ( справка )
  39. ^ «Samsung Fine Chemicals и MEMC подписывают соглашение о совместном предприятии по производству поликремния» . www.chemicalonline.com . Проверено 10 апреля 2018 г.
  40. ^ Солнечный сервер | Интернет-портал возобновляемых источников энергии
  41. ^ «Нитол Солар» (PDF) . РусТек . Университет штата Аризона. Ноябрь 2010 г. Архивировано (PDF) из оригинала 24 января 2023 г. Проверено 23 января 2023 г.
  42. ^ Перейти обратно: а б «Поликремний – цепочка создания стоимости солнечной энергии» . www.greenrhinoenergy.com . Проверено 10 апреля 2018 г.
  43. ^ [1] [ мертвая ссылка ]
  44. ^ «Пекин Лиер планирует проект поликремния стоимостью 1,4 миллиарда юаней в провинции Хэнань» . Блумберг . 12 июля 2011 г.
  45. ^ Gulf Times Рас Лаффан получит завод по производству поликремния стоимостью 1 миллиард долларов
  46. ^ «ПВинсайтс» . www.pvinsights.com . Проверено 10 апреля 2018 г.
  47. ^ Снижение цен на цепочку поставок солнечных фотоэлектрических систем распространяется, и цена на поликремний может быть снижена другими
  48. ^ DIGITIMES (23 ноября 2012 г.). «Войти в архив и исследования DIGITIMES» . www.digittimes.com . Проверено 10 апреля 2018 г.
  49. ^ «Китай вводит пошлины на поликремний из США и Южной Кореи» . Блумберг . 18 июля 2013 г. Архивировано из оригинала 14 марта 2017 г. Проверено 14 марта 2017 г.
  50. ^ «Фирмы, занимающиеся солнечной энергетикой, оставляют отходы в Китае» . Вашингтон Пост . 9 марта 2008 года . Проверено 8 марта 2015 г.
[ редактировать ]
На Wikimedia Commons есть СМИ, связанные с солнечными элементами из поликристаллического кремния .
Retrieved from "https://en.wikipedia.org/w/index.php?title=Polycrystalline_silicon&oldid=1232694217#Siemens_process"
Arc.Ask3.Ru: конец переведенного документа.
Arc.Ask3.Ru
Номер скриншота №: 5ca3f80e1c57c6def12421ef21ae88fe__1720138320
URL1:https://arc.ask3.ru/arc/aa/5c/fe/5ca3f80e1c57c6def12421ef21ae88fe.html
Заголовок, (Title) документа по адресу, URL1:
Polycrystalline silicon - Wikipedia
Данный printscreen веб страницы (снимок веб страницы, скриншот веб страницы), визуально-программная копия документа расположенного по адресу URL1 и сохраненная в файл, имеет: квалифицированную, усовершенствованную (подтверждены: метки времени, валидность сертификата), открепленную ЭЦП (приложена к данному файлу), что может быть использовано для подтверждения содержания и факта существования документа в этот момент времени. Права на данный скриншот принадлежат администрации Ask3.ru, использование в качестве доказательства только с письменного разрешения правообладателя скриншота. Администрация Ask3.ru не несет ответственности за информацию размещенную на данном скриншоте. Права на прочие зарегистрированные элементы любого права, изображенные на снимках принадлежат их владельцам. Качество перевода предоставляется как есть. Любые претензии, иски не могут быть предъявлены. Если вы не согласны с любым пунктом перечисленным выше, вы не можете использовать данный сайт и информация размещенную на нем (сайте/странице), немедленно покиньте данный сайт. В случае нарушения любого пункта перечисленного выше, штраф 55! (Пятьдесят пять факториал, Денежную единицу (имеющую самостоятельную стоимость) можете выбрать самостоятельно, выплаичвается товарами в течение 7 дней с момента нарушения.)