GDDR4 SDRAM
| Тип оперативной памяти | |
| Разработчик | ДЖЕДЕК |
|---|---|
| Тип | Синхронная динамическая оперативная память |
| Поколение | 4-е поколение |
| Предшественник | GDDR3 SDRAM |
| Преемник | GDDR5 SDRAM |
GDDR4 SDRAM , аббревиатура от Graphics Double Data Rate 4 Synchronous Dynamic Random-Access Memory , представляет собой тип видеокарты памяти (SGRAM), определенный стандартом полупроводниковой памяти JEDEC . [1] [2] Это конкурирующая среда с от Rambus XDR DRAM . GDDR4 основана на технологии DDR3 SDRAM и предназначалась для замены DDR2 на базе GDDR3 ее заменила GDDR5 , но в конечном итоге в течение года .
История [ править ]
- 26 октября 2005 года компания Samsung объявила о разработке первой памяти GDDR4 — 256- Мбитного чипа со скоростью 2,5 Гбит/с . Samsung также сообщила о планах по выборке и массовому производству GDDR4 SDRAM со скоростью 2,8 Гбит/с на вывод. [3]
- В 2005 году компания Hynix разработала первый чип памяти GDDR4 емкостью 512 Мбит. [4]
- 14 февраля 2006 года компания Samsung объявила о разработке 32-битной 512-Мбитной памяти GDDR4 SDRAM, способной передавать 3,2 Гбит/с на вывод или 12,8 ГБ/с для модуля. [5]
- 5 июля 2006 года Samsung объявила о серийном производстве 32-битной 512-Мбитной памяти GDDR4 SDRAM со скоростью 2,4 Гбит/с на контакт или 9,6 ГБ/с для модуля. Несмотря на то, что он спроектирован так, чтобы соответствовать производительности XDR DRAM в памяти с большим количеством контактов, он не сможет соответствовать производительности XDR в конструкциях с малым количеством контактов. [6]
- 9 февраля 2007 года Samsung объявила о серийном производстве 32-битной 512-Мбитной памяти GDDR4 SDRAM со скоростью 2,8 Гбит/с на контакт или 11,2 ГБ/с на модуль. Этот модуль использовался для некоторых карт AMD . [7]
- 23 февраля 2007 года Samsung анонсировала 32-битную 512-Мбитную память GDDR4 SDRAM с пропускной способностью 4,0 Гбит/с на контакт или 16 ГБ/с для модуля и ожидает, что эта память появится на коммерчески доступных видеокартах к концу 2007 года. [8]
Технологии [ править ]
GDDR4 SDRAM представила DBI (инверсию шины данных) и мультипреамбулу для уменьшения задержки передачи данных. Предварительная выборка была увеличена с 4 до 8 бит. Максимальное количество банков памяти для GDDR4 увеличено до 8. Напряжение ядра снижено до 1,5 В.
Инверсия шины данных добавляет дополнительный контакт DBI# с активным низким уровнем к адресной/командной шине и каждому байту данных. Если в байте данных содержится более четырех нулевых битов, байт инвертируется и сигнал DBI# передается с низким уровнем. Таким образом, количество нулевых битов на всех девяти выводах ограничивается четырьмя. [9] : 9 Это снижает энергопотребление и отскок земли .
Что касается сигнализации, GDDR4 расширяет буфер ввода-вывода чипа до 8 бит на два цикла, обеспечивая большую устойчивую полосу пропускания во время пакетной передачи, но за счет значительного увеличения задержки CAS (CL), определяемой главным образом двойным сокращением счетчика адресные/командные контакты и ячейки DRAM с половинной тактовой частотой по сравнению с GDDR3. Количество адресных контактов было уменьшено вдвое по сравнению с ядром GDDR3 и использовалось для питания и земли, что также увеличивает задержку. Еще одним преимуществом GDDR4 является энергоэффективность: при скорости 2,4 Гбит/с он потребляет на 45% меньше энергии по сравнению с чипами GDDR3, работающими со скоростью 2,0 Гбит/с.
В техническом описании GDDR4 SDRAM от Samsung она называлась «GDDR4 SGRAM» или «Графическая оперативная память с двойной скоростью передачи данных версии 4». Однако основная функция записи блоков недоступна, поэтому она не классифицируется как SGRAM .
Принятие [ править ]
Производитель видеопамяти Qimonda (ранее подразделение Infineon Memory Products) заявил, что «пропустит» разработку GDDR4 и перейдет непосредственно к GDDR5 . [10]
См. также [ править ]
Ссылки [ править ]
- ^ «Поиск стандартов и документов: sgram» . www.jedec.org . Проверено 9 сентября 2013 г.
- ^ «Поиск стандартов и документов: gddr4» . www.jedec.org . Проверено 9 сентября 2013 г.
- ^ «Samsung Electronics разрабатывает первую в отрасли сверхбыструю графическую память GDDR4» . Самсунг Полупроводник . Samsung . 26 октября 2005 года . Проверено 8 июля 2019 г.
- ^ «История: 2000-е» . СК Хайникс . Архивировано из оригинала 6 августа 2020 года . Проверено 8 июля 2019 г.
- ^ Samsung разрабатывает сверхбыструю графическую память: более совершенный GDDR4 с более высокой плотностью
- ^ Samsung отправляет графическую память GDDR4 в массовое производство
- ^ «Samsung выпускает самую быструю SGRAM GDDR-4» . Спрашивающий . Архивировано из оригинала 12 февраля 2007 г.
{{cite web}}: CS1 maint: неподходящий URL ( ссылка ) - ^ Samsung ускоряет видеопамять до 2000 МГц
- ^ Чой, Дж.С. (2011). Мини-семинар по DDR4 (PDF) . Server Memory Forum 2011. Эта презентация посвящена DDR4, а не GDDR4, но оба используют инверсию шины данных.
- ^ Отчет Softpedia