Память с высокой пропускной способностью
| памяти компьютера и хранения данных компьютера Типы |
|---|
| Неустойчивый |
| Энергонезависимый |
High Bandwidth Memory ( HBM ) — интерфейс компьютерной памяти для 3D-стековой синхронной динамической памяти с произвольным доступом (SDRAM) изначально от Samsung , AMD и SK Hynix . Он используется в сочетании с высокопроизводительными графическими ускорителями, сетевыми устройствами, высокопроизводительными микросхемами AI для центров обработки данных , а также в качестве встроенного кэша в процессорах. [1] и встроенная оперативная память в будущих процессорах, FPGA и некоторых суперкомпьютерах (таких как NEC SX-Aurora TSUBASA и Fujitsu A64FX ). [2] Первый чип памяти HBM был произведен компанией SK Hynix в 2013 году. [3] и первыми устройствами, использующими HBM, были графические процессоры AMD Fiji в 2015 году. [4] [5]
Память с высокой пропускной способностью была принята JEDEC в качестве отраслевого стандарта в октябре 2013 года. [6] Второе поколение, HBM2 , было принято JEDEC в январе 2016 года. [7] JEDEC официально анонсировал стандарт HBM3 27 января 2022 года. [8]
Технология [ править ]
HBM обеспечивает более высокую пропускную способность , чем DDR4 или GDDR5, при меньшем энергопотреблении и в значительно меньшем форм-факторе. [9] Это достигается за счет объединения до восьми DRAM кристаллов и дополнительного базового кристалла, который может включать в себя буферную схему и тестовую логику. [10] Стек часто подключается к контроллеру памяти на графическом процессоре или процессоре через подложку, например кремниевый переходник . [11] [12] Альтернативно, кристалл памяти может быть установлен непосредственно на чипе ЦП или графического процессора. Внутри стопки кристаллы вертикально соединены между собой сквозными кремниевыми переходами (TSV) и микровыступами . Технология HBM аналогична по принципу, но несовместима с интерфейсом Hybrid Memory Cube (HMC), разработанным Micron Technology . [13]
Шина памяти HBM очень широкая по сравнению с другими типами памяти DRAM, такими как DDR4 или GDDR5. Стек HBM из четырех кристаллов DRAM (4-Hi) имеет два 128-битных канала на кристалл, всего 8 каналов и общую ширину 1024 бита. Таким образом, видеокарта/графический процессор с четырьмя стеками 4-Hi HBM будет иметь шину памяти шириной 4096 бит. Для сравнения, ширина шины памяти GDDR составляет 32 бита, при этом у видеокарты с 512-битным интерфейсом памяти имеется 16 каналов. [14] HBM поддерживает до 4 ГБ на пакет.
Большее количество подключений к памяти по сравнению с DDR4 или GDDR5 потребовало нового метода подключения памяти HBM к графическому процессору (или другому процессору). [15] AMD и Nvidia использовали специально созданные кремниевые чипы, называемые интерпозерами , для соединения памяти и графического процессора. Этот промежуточный модуль имеет дополнительное преимущество, заключающееся в том, что память и процессор должны быть физически близки, что уменьшает количество путей к памяти. Однако, поскольку производство полупроводниковых устройств значительно дороже, чем производство печатных плат , это увеличивает стоимость конечного продукта.
-
HBM DRAM кристалл -
Контроллеры HBM -
Память HBM в AMD Radeon R9 Nano графическом процессоре видеокарты
.jpg)
.jpg)
.jpg)
Интерфейс [ править ]
HBM DRAM тесно связана с вычислительным кристаллом хоста с помощью распределенного интерфейса. Интерфейс разделен на независимые каналы. Каналы полностью независимы друг от друга и не обязательно синхронны друг с другом. HBM DRAM использует архитектуру с широким интерфейсом для достижения высокоскоростной работы с низким энергопотреблением. HBM DRAM использует дифференциальную тактовую частоту CK_t/CK_c с частотой 500 МГц (где суффикс «_t» обозначает «истинный» или «положительный» компонент дифференциальной пары, а «_c» означает «дополнительный»). Команды регистрируются по нарастающему фронту CK_t, CK_c. Каждый канальный интерфейс поддерживает 128-битную шину данных, работающую с двойной скоростью передачи данных (DDR). HBM поддерживает скорость передачи 1 ГТ/с на контакт (передача 1 бита), что обеспечивает общую пропускную способность пакета 128 ГБ/с. [16]
HBM2 [ править ]
Второе поколение памяти с высокой пропускной способностью, HBM2, также поддерживает до восьми кристаллов на стек и удваивает скорость передачи данных до 2 ГТ/с . Сохраняя 1024-битный доступ, HBM2 способен достигать пропускной способности памяти 256 ГБ/с на пакет. Спецификация HBM2 допускает до 8 ГБ на пакет. Ожидается, что HBM2 будет особенно полезен для потребительских приложений, чувствительных к производительности, таких как виртуальная реальность . [17]
19 января 2016 года Samsung объявила о начале массового производства HBM2 объемом до 8 ГБ на стек. [18] [19] SK Hynix также объявила о доступности стеков емкостью 4 ГБ в августе 2016 года. [20]
-
Кристалл DRAM HBM2 -
Контроллер HBM2 -
Промежуточный элемент HBM2 графического процессора Radeon RX Vega 64 со снятыми кристаллами HBM; графический процессор все еще на месте
HBM2E [ править ]
В конце 2018 года JEDEC объявил об обновлении спецификации HBM2, обеспечивающем увеличение пропускной способности и емкости. [21] В официальной спецификации теперь поддерживается скорость до 307 ГБ/с на стек (эффективная скорость передачи данных 2,5 Тбит/с), хотя продукты, работающие на этой скорости, уже были доступны. Кроме того, в обновлении добавлена поддержка стеков 12‑Hi (12 кристаллов), что позволяет увеличить емкость до 24 ГБ на стек.
20 марта 2019 года Samsung анонсировала Flashbolt HBM2E с восемью кристаллами на стек, скоростью передачи данных 3,2 ГТ/с , что обеспечивает в общей сложности 16 ГБ и 410 ГБ/с на стек. [22]
12 августа 2019 года SK Hynix анонсировала HBM2E с восемью кристаллами на стек, скоростью передачи данных 3,6 ГТ/с , что обеспечивает в общей сложности 16 ГБ и 460 ГБ/с на стек. [23] [24] 2 июля 2020 года SK Hynix объявила о начале серийного производства. [25]
HBM3 [ править ]
В конце 2020 года Micron объявила, что стандарт HBM2E будет обновлен, а вместе с этим они представили следующий стандарт, известный как HBMnext (позже переименованный в HBM3). Это должно было стать большим скачком поколений от HBM2 и замены HBM2E. Эта новая видеопамять должна была появиться на рынке в четвертом квартале 2022 года. Скорее всего, она представит новую архитектуру, как следует из названия.
Хотя архитектура может быть пересмотрена, утечки указывают на то, что производительность будет аналогична производительности обновленного стандарта HBM2E. Эта оперативная память, скорее всего, будет использоваться в основном в графических процессорах центров обработки данных . [26] [27] [28] [29]
В середине 2021 года SK Hynix представила некоторые спецификации стандарта HBM3 со скоростью ввода-вывода 5,2 Гбит/с и пропускной способностью 665 ГБ/с на пакет, а также решениями 2.5D и 3D высотой до 16. [30] [31]
20 октября 2021 года, до завершения разработки стандарта JEDEC для HBM3, SK Hynix стала первым поставщиком памяти, объявившим о завершении разработки устройств памяти HBM3. По данным SK Hynix, память будет работать со скоростью 6,4 Гбит/с на контакт, что вдвое превышает скорость передачи данных по стандарту JEDEC HBM2E, которая формально достигает максимальной скорости 3,2 Гбит/с на контакт, или на 78 % быстрее, чем собственная HBM2E SK Hynix со скоростью 3,6 Гбит/с на контакт. . Устройства поддерживают скорость передачи данных 6,4 Гбит/с, поэтому один стек HBM3 может обеспечить пропускную способность до 819 ГБ/с. Базовая ширина шины для HBM3 остается неизменной: ширина одного стека памяти составляет 1024 бита. SK Hynix будет предлагать свою память в двух объемах: 16 ГБ и 24 ГБ, что соответствует стекам 8-Hi и 12-Hi соответственно. Стеки состоят из 8 или 12 модулей DRAM емкостью 16 ГБ каждый толщиной 30 мкм, соединенных между собой с помощью сквозных кремниевых переходных отверстий (TSV). [32] [33] [34]
По словам Райана Смита из AnandTech , память HBM3 первого поколения SK Hynix имеет ту же плотность, что и память HBM2E последнего поколения, а это означает, что поставщикам устройств, стремящимся увеличить общий объем памяти для своих деталей следующего поколения, придется использовать память с 12 штампы/слои вместо 8-слойных стеков, которые они обычно использовали до этого. [32] По словам Антона Шилова из Tom's Hardware , высокопроизводительные вычислительные графические процессоры или FPGA обычно используют четыре или шесть стеков HBM, поэтому со стеками HBM3 SK Hynix по 24 ГБ они соответственно получат 3,2 ТБ/с или 4,9 ТБ/с пропускной способности памяти. Он также отметил, что чипы HBM3 компании SK Hynix имеют квадратную, а не прямоугольную форму, как чипы HBM2 и HBM2E. [33] По мнению Криса Меллора из The Register , поскольку JEDEC еще не разработала свой стандарт HBM3, это может означать, что SK Hynix придется модернизировать свою конструкцию до будущей и более быстрой. [34]
JEDEC официально анонсировал стандарт HBM3 27 января 2022 года. [8] Количество каналов памяти было увеличено вдвое: с 8 каналов по 128 бит в HBM2e до 16 каналов по 64 бита в HBM3. Таким образом, общее количество выводов данных интерфейса по-прежнему равно 1024. [35]
В июне 2022 года SK Hynix объявила, что начала массовое производство первой в отрасли памяти HBM3, которая будет использоваться с графическим процессором Nvidia H100, который, как ожидается, поступит в продажу в третьем квартале 2022 года. Эта память обеспечит H100 пропускную способность «до 819 ГБ/с». [36]
В августе 2022 года Nvidia объявила, что ее графический процессор Hopper H100 будет поставляться с пятью активными сайтами HBM3 (из шести на борту), предлагая 80 ГБ ОЗУ и пропускную способность памяти 3 ТБ/с (16 ГБ и 600 ГБ/с на сайт). ). [37]
HBM3E [ править ]
30 мая 2023 года SK Hynix представила свою память HBM3E со скоростью обработки данных 8 Гбит/с на контакт (на 25 % быстрее, чем HBM3), производство которой должно начаться в первой половине 2024 года. [38] При скорости 8 ГТ/с с 1024-битной шиной пропускная способность на стек увеличена с 819,2 ГБ/с, как в HBM3, до 1 ТБ/с.
26 июля 2023 года Micron анонсировала свою память HBM3E со скоростью обработки данных 9,6 Гбит/с на контакт (на 50 % быстрее, чем HBM3). [39] Память Micron HBM3E — это высокопроизводительная HBM, в которой используется техпроцесс 1β DRAM и усовершенствованная упаковка для достижения высочайшей производительности, емкости и энергоэффективности в отрасли. Он может хранить 24 ГБ на куб высотой 8 и обеспечивает передачу данных со скоростью 1,2 ТБ/с. В 2024 году появится 12-высотный куб емкостью 36 ГБ.
В августе 2023 года Nvidia анонсировала новую версию своего суперчипа GH200 Grace Hopper, который использует 141 ГБ (144 ГиБ физического) HBM3e по 6144-битной шине, обеспечивая на 50% более высокую пропускную способность памяти и на 75% большую емкость памяти по сравнению с версией HBM3. [40]
В мае 2023 года Samsung анонсировала HBM3P со скоростью до 7,2 Гбит/с, производство которого начнется в 2024 году. [41]
20 октября 2023 года Samsung анонсировала HBM3E «Shinebolt» с памятью до 9,8 Гбит/с. [42]
26 февраля 2024 года Micron объявила о массовом производстве памяти Micron HBM3E. [43]
18 марта 2024 года Nvidia анонсировала Blackwell с памятью HBM3E. серию графических процессоров [44]
19 марта 2024 года SK Hynix объявила о серийном производстве памяти HBM3E от SK Hynix. [45]
ХБМ-ПИМ [ править ]
В феврале 2021 года Samsung объявила о разработке HBM с обработкой в памяти (PIM). Эта новая память объединяет в себе вычислительные возможности искусственного интеллекта, что позволяет увеличить объем крупномасштабной обработки данных. Внутри каждого банка памяти размещен механизм искусственного интеллекта, оптимизированный для DRAM, чтобы обеспечить параллельную обработку и минимизировать перемещение данных. Samsung утверждает, что это обеспечит удвоение производительности системы и снизит энергопотребление более чем на 70%, не требуя при этом каких-либо изменений аппаратного или программного обеспечения в остальной части системы. [46]
История [ править ]
Предыстория [ править ]
Многоуровневая память изначально была коммерциализирована в индустрии флэш-памяти . Toshiba представила чип флэш-памяти NAND с восемью расположенными друг над другом кристаллами в апреле 2007 года. [47] за ней в сентябре 2007 года последовала компания Hynix Semiconductor, представившая флэш-чип NAND с 24 расположенными друг над другом кристаллами. [48]
с трехмерным Память с произвольным доступом (ОЗУ) стеком с использованием технологии сквозного кремниевого соединения (TSV) была коммерциализирована компанией Elpida Memory , которая разработала первый емкостью 8 ГБ чип DRAM (собранный из четырех кристаллов DDR3 SDRAM ) в сентябре 2009 года и выпустила его в июне. 2011. В 2011 году SK Hynix представила память DDR3 объемом 16 ГБ ( класс 40 нм ) с использованием технологии TSV. [3] В сентябре Samsung Electronics представила 32- гигабайтную память DDR3 с 3D-стеком ( класс 30 нм ) на базе TSV, а затем в октябре Samsung и Micron Technology анонсировали Hybrid Memory Cube (HMC) на базе TSV. технологию [49]
JEDEC впервые выпустила стандарт JESD229 для памяти Wide IO. [50] предшественник HBM с четырьмя 128-битными каналами с единой скоростью передачи данных, выпущенный в декабре 2011 года после нескольких лет работы. Первый стандарт HBM JESD235 появился в октябре 2013 года.
Развитие [ править ]
Разработка памяти с высокой пропускной способностью началась в AMD в 2008 году для решения проблемы постоянно растущего энергопотребления и форм-фактора компьютерной памяти. В течение следующих нескольких лет AMD разработала процедуры для решения проблем штабелирования кристаллов вместе с командой, возглавляемой старшим научным сотрудником AMD Брайаном Блэком. [51] Чтобы помочь AMD реализовать свое видение HBM, они привлекли партнеров из отрасли памяти, в частности корейскую компанию SK Hynix . [51] у которых уже был опыт работы с 3D-памятью, [3] [48] а также партнеры из индустрии интерпозеров (тайваньская компания UMC ) и упаковочной промышленности ( Amkor Technology и ASE ). [51]
Разработка HBM завершилась в 2013 году, когда SK Hynix создала первый чип памяти HBM. [3] HBM был принят JEDEC в качестве отраслевого стандарта JESD235 в октябре 2013 года по предложению AMD и SK Hynix в 2010 году. [6] Крупносерийное производство началось на заводе Hynix в Ичхоне , Южная Корея, в 2015 году.
Первым графическим процессором, использующим HBM, был AMD Fiji, выпущенный в июне 2015 года и установленный на AMD Radeon R9 Fury X. [4] [52] [53]
В январе 2016 года Samsung Electronics начала раннее массовое производство HBM2. [18] [19] В том же месяце HBM2 был принят JEDEC в качестве стандарта JESD235a. [7] Первым чипом графического процессора, использующим HBM2, является Nvidia Tesla P100, официально анонсированный в апреле 2016 года. [54] [55]
В июне 2016 года Intel выпустила семейство процессоров Xeon Phi с 8 стеками HCDRAM, версии HBM от Micron. На выставке Hot Chips в августе 2016 года Samsung и Hynix анонсировали технологии памяти HBM нового поколения. [56] [57] Обе компании анонсировали высокопроизводительные продукты, которые, как ожидается, будут иметь повышенную плотность, увеличенную пропускную способность и более низкое энергопотребление. Samsung также объявила о разработке более дешевой версии HBM, ориентированной на массовые рынки. Удаление буферного кристалла и уменьшение количества TSV снижает стоимость, хотя и за счет уменьшения общей пропускной способности (200 ГБ/с).
22 марта 2022 года Nvidia анонсировала графический процессор Nvidia Hopper H100, первый в мире графический процессор, использующий HBM3. [58]
См. также [ править ]
- Сложенная DRAM
- eDRAM
- Многочиповый модуль стека микросхем
- Hybrid Memory Cube (HMC): стандарт многоуровневой памяти от Micron Technology (2011 г.).
Ссылки [ править ]
- ^ Шилов Антон (30 декабря 2020 г.). «Intel подтверждает встроенную поддержку памяти HBM для Sapphire Rapids» . Аппаратное обеспечение Тома . Проверено 1 января 2021 г.
- ^ Тенденции ISSCC 2014. Архивировано 6 февраля 2015 г. на Wayback Machine, стр. 118 «DRAM с высокой пропускной способностью».
- ^ Перейти обратно: а б с д «История: 2010-е» . СК Хайникс . Проверено 7 марта 2023 г.
- ^ Перейти обратно: а б Смит, Райан (2 июля 2015 г.). «Обзор AMD Radeon R9 Fury X» . Анандтех . Проверено 1 августа 2016 г.
- ^ Морган, Тимоти Прикетт (25 марта 2014 г.). «Будущие графические процессоры Nvidia Pascal оснащены 3D-памятью и собственным межсетевым соединением» . ЭнтерпрайзТех . Проверено 26 августа 2014 г.
Nvidia будет использовать вариант многослойной DRAM с высокой пропускной способностью (HBM), разработанный AMD и Hynix.
- ^ Перейти обратно: а б DRAM памяти с высокой пропускной способностью (HBM) (JESD235) , JEDEC, октябрь 2013 г.
- ^ Перейти обратно: а б «JESD235a: Память с высокой пропускной способностью 2» . 12 января 2016 г.
- ^ Перейти обратно: а б «JEDEC публикует обновление HBM3 для стандарта памяти с высокой пропускной способностью (HBM)» . JEDEC (Пресс-релиз). Арлингтон, Вирджиния. 27 января 2022 г. . Проверено 11 декабря 2022 г.
- ^ HBM: Решение для памяти для процессоров, требующих пропускной способности. Архивировано 24 апреля 2015 г. на Wayback Machine , Джунён Ким и Юнсу Ким, SK Hynix // Hot Chips 26, август 2014 г.
- ^ Зон и др. (Samsung) (январь 2017 г.). «DRAM HBM 1,2 В, 20 нм, 307 ГБ/с, со скоростной схемой тестирования ввода-вывода на уровне пластины и адаптивным обновлением с учетом распределения температуры» . Журнал IEEE твердотельных схем . 52 (1): 250–260. Бибкод : 2017IJSSC..52..250S . дои : 10.1109/JSSC.2016.2602221 . S2CID 207783774 .
- ^ «Что будет дальше с памятью с высокой пропускной способностью» . 17 декабря 2019 г.
- ^ «Интерпозеры» .
- ^ Куда движутся интерфейсы DRAM? Архивировано 15 июня 2018 г. в Wayback Machine // EETimes, 18 апреля 2014 г. « Гибридный куб памяти (HMC) и конкурирующая технология под названием High-Bandwidth Memory (HBM) нацелены на вычислительные и сетевые приложения. Эти подходы сочетаются друг с другом. несколько микросхем DRAM поверх логического чипа » .
- ^ Основные характеристики стандарта памяти HighBandwidth (HBM) . Майк О'Коннор, старший научный сотрудник NVidia // Форум памяти – 14 июня 2014 г.
- ^ Смит, Райан (19 мая 2015 г.). «AMD углубляется в память с высокой пропускной способностью – что HBM принесет AMD?» . Анандтех . Проверено 12 мая 2017 г. .
- ^ «Память с высокой пропускной способностью (HBM)» (PDF) . АМД. 01.01.2015 . Проверено 10 августа 2016 г.
- ^ Валич, Тео (16 ноября 2015 г.). «NVIDIA представляет графический процессор Pascal: 16 ГБ памяти, пропускная способность 1 ТБ/с» . VR-мир . Проверено 24 января 2016 г.
- ^ Перейти обратно: а б «Samsung начинает массовое производство самой быстрой в мире памяти DRAM на основе новейшего интерфейса памяти с высокой пропускной способностью (HBM)» . news.samsung.com .
- ^ Перейти обратно: а б «Samsung объявляет о массовом производстве памяти HBM2 следующего поколения – ExtremeTech» . 19 января 2016 г.
- ^ Шилов, Антон (1 августа 2016 г.). «SK Hynix добавляет HBM2 в каталог» . Анандтех . Проверено 1 августа 2016 г.
- ^ «JEDEC обновляет революционный стандарт памяти с высокой пропускной способностью (HBM)» (пресс-релиз). ДЖЕДЕК. 17 декабря 2018 г. Проверено 18 декабря 2018 г.
- ^ «Samsung Electronics представляет новую технологию памяти с высокой пропускной способностью, специально разработанную для центров обработки данных, графических приложений и искусственного интеллекта | Глобальный веб-сайт Samsung Semiconductor» . www.samsung.com . Проверено 22 августа 2019 г.
- ^ «SK Hynix разрабатывает самую быструю в мире память с высокой пропускной способностью, HBM2E» . www.skhynix.com . 12 августа 2019 г. . Проверено 22 августа 2019 г.
- ^ «SK Hynix анонсирует свои продукты памяти HBM2E со скоростью 460 ГБ/с и 16 ГБ на стек» .
- ^ «SK hynix начинает массовое производство высокоскоростной памяти DRAM «HBM2E» » . 2 июля 2020 г.
- ^ «Micron представляет HBMnext, преемника HBM2e» . ВидеоКардз . 14 августа 2020 г. . Проверено 11 декабря 2022 г.
- ^ Хилл, Брэндон (14 августа 2020 г.). «Micron объявляет о HBMnext как о возможной замене HBM2e в высокопроизводительных графических процессорах» . Горячее оборудование . Проверено 11 декабря 2022 г.
- ^ Грушка, Джоэл (14 августа 2020 г.). «Micron представляет HBMnext, GDDR6X и подтверждает RTX 3090» . ЭкстримТех . Проверено 11 декабря 2022 г.
- ^ Гарреффа, Энтони (14 августа 2020 г.). «Micron представляет HBMnext, преемника HBM2e для графических процессоров следующего поколения» . ТвикТаун . Проверено 11 декабря 2022 г.
- ^ «SK Hynix ожидает наличия памяти HBM3 с пропускной способностью 665 ГБ/с» .
- ^ Шилов, Антон (9 июня 2021 г.). «HBM3 достигнет максимальной пропускной способности 665 ГБ/с на чип, говорит SK Hynix» . Аппаратное обеспечение Тома . Проверено 11 декабря 2022 г.
- ^ Перейти обратно: а б Смит, Райан (20 октября 2021 г.). «SK Hynix анонсирует свою первую память HBM3: стеки по 24 ГБ, тактовая частота до 6,4 Гбит/с» . АнандТех . Проверено 22 октября 2021 г.
- ^ Перейти обратно: а б Шилов, Антон (20 октября 2021 г.). «SK Hynix разрабатывает DRAM HBM3: 24 ГБ со скоростью 6,4 ГТ/с по 1024-битной шине» . Аппаратное обеспечение Тома . Проверено 22 октября 2021 г.
- ^ Перейти обратно: а б Меллор, Крис (20 октября 2021 г.). «SK Hynix представляет DRAM HBM3 со скоростью 819 ГБ/с» . Регистр . Проверено 24 октября 2021 г.
- ^ Прикетт Морган, Тимоти (6 апреля 2022 г.). «Дорожная карта HBM3 только начинается» . Следующая платформа . Проверено 4 мая 2022 г.
- ^ «SK hynix поставит NVIDIA первую в отрасли DRAM HBM3» . СК Хайникс . 8 июня 2022 г. Проверено 11 декабря 2022 г.
- ^ Робинсон, Клифф (22 августа 2022 г.). «Подробности о бункере NVIDIA H100 на HC34 в ожидании процессоров следующего поколения» . Сервис TheHome . Проверено 11 декабря 2022 г.
- ^ «SK hynix приступает к первому в отрасли процессу проверки совместимости серверной DRAM DDR5 объемом 1 млрд.м» . 30 мая 2023 г.
- ^ «Память HBM3 HBM3 Gen2» . 26 июля 2023 г.
- ^ Боншор, Гэвин (8 августа 2023 г.). «NVIDIA представляет обновленный суперчип GH200 Grace Hopper с памятью HBM3e, поставка которого запланирована на второй квартал 2024 года» . АнандТех . Проверено 9 августа 2023 г.
- ^ «Samsung выпустит память HBM3P под кодовым названием Snowbolt с пропускной способностью до 5 ТБ/с на стек» . Wccftech . 4 мая 2023 г. Проверено 21 августа 2023 г.
- ^ «Samsung Electronics проводит День технологий памяти 2023 года, представляя новые инновации, которые возглавят эпоху гипермасштабного искусственного интеллекта» .
- ^ «Micron начинает массовое производство ведущего в отрасли решения HBM3E для ускорения развития искусственного интеллекта» . www.investors.micron.com . 26 февраля 2024 г. Проверено 7 июня 2024 г.
- ^ Джаред Уолтон (18 марта 2024 г.). «Графический процессор Nvidia нового поколения с искусственным интеллектом в 4 раза быстрее, чем Hopper: графический процессор Blackwell B200 обеспечивает вычислительную мощность до 20 петафлопс и другие значительные улучшения» . Аппаратное обеспечение Тома . Проверено 19 марта 2024 г.
- ^ https://news.skhynix.com/sk-hynix-begins-volume-production-of-industry-first-hbm3e/
- ^ «Samsung разрабатывает первую в отрасли память с высокой пропускной способностью и вычислительной мощностью искусственного интеллекта» .
- ^ «TOSHIBA ВЫВОДИТ НА коммерцию ВСТРАИВАЕМУЮ ФЛЕШ-ПАМЯТЬ NAND ВЫСОКОЙ ЕМКОСТИ ДЛЯ МОБИЛЬНЫХ ПОТРЕБИТЕЛЬСКИХ ТОВАРОВ» . Тошиба . 17 апреля 2007. Архивировано из оригинала 23 ноября 2010 года . Проверено 23 ноября 2010 г.
- ^ Перейти обратно: а б «Hynix удивляет индустрию чипов NAND» . Корея Таймс . 5 сентября 2007 года . Проверено 8 июля 2019 г.
- ^ Када, Морихиро (2015). «История исследований и разработок технологии трехмерной интеграции» . Трехмерная интеграция полупроводников: обработка, материалы и приложения . Спрингер. стр. 15–8. ISBN 9783319186757 .
- ^ «ШИРОКИЙ ВВОД-ВЫВОД ОДНОЙ СКОРОСТИ ДАННЫХ (ШИРОКИЙ ВВОД-ВЫВОД SDR) стандарт JESD229» (PDF) .
- ^ Перейти обратно: а б с Память с высокой пропускной способностью (HBM) от AMD: создание красивой памяти , AMD
- ^ Смит, Райан (19 мая 2015 г.). «Глубокий обзор AMD HBM» . Анандтех . Проверено 1 августа 2016 г.
- ^ [1] AMD открывает новую эру компьютерных игр, включая первое в мире семейство видеокарт с революционной технологией HBM.
- ^ Смит, Райан (5 апреля 2016 г.). «Nvidia анонсирует ускоритель Tesla P100» . Анандтех . Проверено 1 августа 2016 г.
- ^ «NVIDIA Tesla P100: самый совершенный графический процессор для центров обработки данных из когда-либо созданных» . www.nvidia.com .
- ^ Смит, Райан (23 августа 2016 г.). «Горячие чипы 2016: производители памяти обсуждают идеи будущих технологий памяти — DDR5, дешевый HBM и многое другое» . Анандтех . Проверено 23 августа 2016 г. .
- ^ Уолтон, Марк (23 августа 2016 г.). «HBM3: дешевле, до 64 ГБ в упаковке и пропускная способность в терабайтах в секунду» . Арс Техника . Проверено 23 августа 2016 г. .
- ^ «NVIDIA анонсирует архитектуру Hopper, следующее поколение ускоренных вычислений» .
Внешние ссылки [ править ]
- DRAM памяти с высокой пропускной способностью (HBM) (JESD235) , JEDEC, октябрь 2013 г.
- Ли, Донг Ук; Ким, Кён Ван; Ким, Кван Веон; Ким, Хончжун; Ким, Джу Ён; и другие. (9–13 февраля 2014 г.). «25,2 1,2 В, 8 ГБ, 8-канальная, 128 ГБ/с, многоуровневая DRAM-память (HBM) с эффективными методами тестирования ввода-вывода с микроударами с использованием 29-нм техпроцесса и TSV». Сборник технических статей Международной конференции по твердотельным схемам IEEE 2014 (ISSCC) . IEEE (опубликовано 6 марта 2014 г.). стр. 432–433. дои : 10.1109/ISSCC.2014.6757501 . ISBN 978-1-4799-0920-9 . S2CID 40185587 .
- Сравнение памяти HBM, HBM2, GDDR5 и GDDR5X