Полупроводниковая память
| памяти компьютера и хранения данных компьютера Типы |
|---|
| Неустойчивый |
| Энергонезависимый |
Полупроводниковая память — это цифровое электронное полупроводниковое устройство , используемое для хранения цифровых данных , например компьютерная память . Обычно это относится к устройствам, в которых данные хранятся в металл-оксид-полупроводник (МОП) ячейках памяти на кремниевой с интегральной схемой микросхеме памяти . [1] [2] [3] Существует множество различных типов, использующих разные полупроводниковые технологии. Двумя основными типами оперативной памяти (ОЗУ) являются статическая ОЗУ (SRAM), в которой используется несколько транзисторов на ячейку памяти, и динамическая ОЗУ используется транзистор и МОП-конденсатор (DRAM), в которой на ячейку . Энергонезависимая память (такая как EPROM , EEPROM и флэш-память ) использует ячейки памяти с плавающим затвором , которые состоят из одного транзистора с плавающим затвором на ячейку.
Большинство типов полупроводниковой памяти обладают свойством произвольного доступа . [4] это означает, что для доступа к любой ячейке памяти требуется одинаковое количество времени, поэтому к данным можно эффективно обращаться в любом случайном порядке. [5] Это контрастирует с носителями данных, такими как компакт-диски , которые считывают и записывают данные последовательно, и поэтому доступ к данным можно получить только в той же последовательности, в которой они были записаны. Полупроводниковая память также имеет гораздо более быстрое время доступа , чем другие типы хранения данных; байт , тогда как время доступа к вращающимся хранилищам, таким как жесткие диски , данных может быть записан или прочитан из полупроводниковой памяти в течение нескольких наносекунд находится в диапазоне миллисекунд. По этим причинам он используется в качестве основного хранилища для хранения программ и данных, над которыми в данный момент работает компьютер, а также для других целей.
По состоянию на 2017 год [update]Продажи полупроводниковых микросхем памяти составляют 124 миллиарда долларов в год, что составляет 30% полупроводниковой промышленности . [6] Регистры сдвига , регистры процессора , буферы данных и другие небольшие цифровые регистры, которые не имеют механизма декодирования адреса памяти, обычно не называются памятью , хотя они также хранят цифровые данные.
Описание [ править ]
В полупроводниковой микросхеме памяти каждый бит двоичных данных хранится в крошечной схеме, называемой ячейкой памяти, состоящей из одного или нескольких транзисторов . Ячейки памяти расположены прямоугольными массивами на поверхности чипа. 1-битные ячейки памяти сгруппированы в небольшие единицы, называемые словами , доступ к которым осуществляется вместе как по одному адресу памяти. Память изготавливается с длиной слова , которая обычно равна степени двойки, обычно N = 1, 2, 4 или 8 бит.
Доступ к данным осуществляется посредством двоичного числа, называемого адресом памяти , нанесенного на адресные контакты микросхемы и указывающего, к какому слову в микросхеме необходимо получить доступ. Если адрес памяти состоит из М бит, количество адресов на кристалле равно 2. М , каждый из которых содержит N- битовое слово. Следовательно, объем данных, хранящихся в каждом чипе, равен N 2 М биты. [5] Емкость памяти для M адресных строк определяется выражением 2 М , которое обычно имеет степень двойки: 2, 4, 8, 16, 32, 64, 128, 256 и 512 и измеряется в килобитах , мегабитах , гигабитах или терабитах и т. д. По состоянию на 2014 год. [update]самые крупные полупроводниковые микросхемы памяти содержат несколько гигабит данных, но постоянно разрабатываются памяти большей емкости. Объединив несколько интегральных схем, память можно организовать в слово и/или адресное пространство большей длины, чем то, что предлагает каждый чип, часто, но не обязательно, в степени двойки . [5]
Двумя основными операциями, выполняемыми микросхемой памяти, являются « чтение », при котором содержимое слова памяти считывается (неразрушающим образом), и « запись », при котором данные сохраняются в слове памяти, заменяя любые данные, которые были ранее сохранены. хранится там. Чтобы увеличить скорость передачи данных, в некоторых новейших типах микросхем памяти, таких как DDR SDRAM, при каждой операции чтения или записи осуществляется доступ к нескольким словам.
Помимо отдельных микросхем памяти, блоки полупроводниковой памяти являются неотъемлемой частью многих интегральных схем компьютеров и обработки данных. Например, микропроцессоры , на которых работают компьютеры, содержат кэш-память для хранения инструкций, ожидающих выполнения.
Типы [ править ]
Энергозависимая память [ править ]
Энергозависимая память теряет сохраненные данные при отключении питания микросхемы памяти. Однако это может быть быстрее и дешевле, чем энергонезависимая память. Этот тип используется для основной памяти в большинстве компьютеров, поскольку данные сохраняются на жестком диске , когда компьютер выключен. Основные типы: [7] [8]
ОЗУ ( оперативное запоминающее устройство ) — это стало общим термином для любой полупроводниковой памяти, в которую можно записывать и читать, в отличие от ПЗУ (ниже) , которое можно только читать. Вся полупроводниковая память, а не только оперативная память, обладает свойством произвольного доступа .
- DRAM ( динамическая оперативная память используются ячейки памяти , состоящие из одного МОП-транзистора (полевого МОП-транзистора) и одного МОП-конденсатора ) — для хранения каждого бита . Этот тип оперативной памяти является самым дешевым и имеет самую высокую плотность, поэтому его используют в качестве основной памяти в компьютерах. Однако электрический заряд , хранящий данные в ячейках памяти, медленно утекает, поэтому ячейки памяти необходимо периодически обновлять (перезаписывать), что требует дополнительных схем. Процесс обновления выполняется внутри компьютера и прозрачен для пользователя.
- FPM DRAM ( DRAM с быстрым страничным режимом ) — более старый тип асинхронной DRAM, улучшенный по сравнению с предыдущими типами, позволяющий выполнять повторный доступ к одной «странице» памяти с большей скоростью. Использовался в середине 1990-х годов.
- EDO DRAM ( DRAM с расширенным выводом данных ) — более старый тип асинхронной DRAM, который имел более быстрое время доступа, чем более ранние типы, благодаря возможности инициировать новый доступ к памяти, в то время как данные из предыдущего доступа все еще передавались. Использовался во второй половине 1990-х годов.
- VRAM ( оперативная память видео ) — старый тип двухпортовой когда-то использовавшийся для буферов кадров видеоадаптеров памяти , (видеокарт).
- SDRAM ( синхронная динамическая память с произвольным доступом компьютера ) — это дополнительная схема к чипу DRAM, которая синхронизирует все операции с тактовым сигналом, добавляемым на шину памяти . Это позволило чипу обрабатывать несколько запросов к памяти одновременно, используя конвейерную обработку , для увеличения скорости. Данные на чипе также разделены на банки , каждый из которых может одновременно выполнять операцию с памятью. Примерно к 2000 году этот тип компьютерной памяти стал доминирующим.
- DDR SDRAM ( SDRAM с двойной скоростью передачи данных ) — позволяет передавать вдвое больше данных (два последовательных слова) за каждый такт посредством двойной накачки (передача данных как по нарастающему, так и по спадающему фронту тактового импульса). Расширением этой идеи является текущий (2012 г.) метод, используемый для увеличения скорости и пропускной способности доступа к памяти. Поскольку дальнейшее увеличение внутренней тактовой частоты микросхем памяти оказывается затруднительным, эти микросхемы увеличивают скорость передачи за счет передачи большего количества слов данных за каждый такт.
- DDR2 SDRAM – передает 4 последовательных слова за внутренний такт.
- DDR3 SDRAM – передает 8 последовательных слов за внутренний такт.
- DDR4 SDRAM – передает 16 последовательных слов за внутренний такт.
- RDRAM ( Rambus DRAM ) — альтернативный стандарт памяти с двойной скоростью передачи данных, который использовался в некоторых системах Intel, но в конечном итоге уступил DDR SDRAM.
- XDR DRAM ( DRAM с экстремальной скоростью передачи данных )
- SGRAM ( синхронная графическая память ) — специализированный тип SDRAM, предназначенный для графических адаптеров (видеокарт). Он может выполнять операции, связанные с графикой, такие как маскирование битов и запись блоков, а также может открывать две страницы памяти одновременно.
- GDDR SDRAM ( Графическая DDR SDRAM )
- HBM ( High Bandwidth Memory ) — разработка SDRAM, используемая в видеокартах, которая может передавать данные с более высокой скоростью. Он состоит из нескольких микросхем памяти, расположенных друг над другом, с более широкой шиной данных.
- DDR SDRAM ( SDRAM с двойной скоростью передачи данных ) — позволяет передавать вдвое больше данных (два последовательных слова) за каждый такт посредством двойной накачки (передача данных как по нарастающему, так и по спадающему фронту тактового импульса). Расширением этой идеи является текущий (2012 г.) метод, используемый для увеличения скорости и пропускной способности доступа к памяти. Поскольку дальнейшее увеличение внутренней тактовой частоты микросхем памяти оказывается затруднительным, эти микросхемы увеличивают скорость передачи за счет передачи большего количества слов данных за каждый такт.
- PSRAM ( псевдостатическое ОЗУ ) — это DRAM, в котором есть схема для обновления памяти на кристалле, поэтому она действует как SRAM, позволяя отключать внешний контроллер памяти для экономии энергии. Он используется в некоторых игровых консолях, таких как Wii .
- SRAM ( статическая оперативная память ) – хранит каждый бит данных в схеме, называемой триггером , состоящей из 4–6 транзисторов. SRAM менее плотна и дороже за бит, чем DRAM, но быстрее и не требует обновления памяти . Он используется для кэш-памяти меньшего размера в компьютерах.
- CAM ( память с адресацией по содержимому ). Это специализированный тип, в котором вместо доступа к данным с использованием адреса применяется слово данных, и память возвращает местоположение, если слово хранится в памяти. Чаще всего он встроен в другие микросхемы, например микропроцессоры , где используется в качестве кэш-памяти .
Энергонезависимая память [ править ]
Энергонезависимая память (NVM) сохраняет хранящиеся в ней данные в периоды отключения питания чипа. Поэтому он используется для памяти в портативных устройствах, у которых нет дисков, а также для съемных карт памяти, среди прочего. Основные типы: [7] [8]
- ПЗУ ( постоянная память ) — предназначено для хранения постоянных данных и при нормальной работе только считывается, а не записывается. Хотя запись возможна во многие типы, процесс записи медленный, и обычно все данные в чипе приходится перезаписывать одновременно. Обычно он используется для хранения системного программного обеспечения , которое должно быть немедленно доступно компьютеру, например, программы BIOS , запускающей компьютер, и программного обеспечения ( микрокода ) для портативных устройств и встроенных компьютеров, таких как микроконтроллеры .
- MROM ( ПЗУ, программируемое по маске или ПЗУ по маске ). В этом типе данные программируются в чип при его изготовлении, поэтому он используется только для крупных производственных циклов. Его нельзя переписать новыми данными.
- PROM ( программируемое постоянное запоминающее устройство ). В этом типе данные записываются в существующую микросхему PROM до ее установки в схему, но запись может быть произведена только один раз. Данные записываются путем подключения чипа к устройству, называемому программатором PROM.
- EPROM ( Стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство или UVEPROM). В этом типе данные в нем можно перезаписать, удалив микросхему из печатной платы, подвергнув ее воздействию ультрафиолета для стирания существующих данных и подключив ее к программатору PROM. . Корпус микросхемы имеет небольшое прозрачное «окно» сверху для пропускания ультрафиолетового света. Он часто используется для прототипов и небольших серийных устройств, где программу в нем, возможно, придется изменить на заводе.
4M EPROM с прозрачным окном, используемым для стирания чипа. - EEPROM ( электрически стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство ) – в этом типе данные могут быть перезаписаны электрически, пока микросхема находится на плате, но процесс записи происходит медленно. Этот тип используется для хранения встроенного ПО , микрокода низкого уровня, который запускает аппаратные устройства, такие как программа BIOS на большинстве компьютеров, чтобы его можно было обновить.
- NVRAM ( Энергонезависимая оперативная память )
- FRAM ( сегнетоэлектрическое ОЗУ ) — один из типов энергонезависимой оперативной памяти.
- Флэш-память . В этом типе процесс записи занимает промежуточное положение по скорости между EEPROMS и RAM-памятью; в нее можно записывать, но она недостаточно быстрая, чтобы служить основной памятью. Его часто используют как полупроводниковую версию жесткого диска для хранения файлов. Он используется в портативных устройствах, таких как КПК, USB-накопителях и съемных картах памяти, используемых в цифровых камерах и мобильных телефонах .
.jpg)
История [ править ]
Ранняя компьютерная память состояла из памяти с магнитным сердечником , поскольку ранние твердотельные электронные полупроводники , включая транзисторы , такие как биполярный переходной транзистор (BJT), были непрактичны для использования в качестве цифровых элементов хранения ( ячеек памяти ). Самая ранняя полупроводниковая память появилась в начале 1960-х годов и представляла собой биполярную память, в которой использовались биполярные транзисторы. [9] Биполярная полупроводниковая память , изготовленная из дискретных устройств, была впервые отправлена компанией Texas Instruments в ВВС США в 1961 году. В том же году концепция твердотельной памяти на интегральной схеме (ИС) была предложена инженером по приложениям Бобом Норманом из Fairchild. Полупроводник . [10] Первой однокристальной микросхемой памяти была 16-битная BJT IBM SP95, изготовленная в декабре 1965 года и разработанная Полом Каструччи. [9] [10] Хотя биполярная память обеспечивала более высокую производительность по сравнению с памятью на магнитном сердечнике, она не могла конкурировать с более дешевой памятью на магнитном сердечнике, которая оставалась доминирующей до конца 1960-х годов. [9] Биполярная память не смогла заменить память на магнитных сердечниках, поскольку биполярные триггерные схемы были слишком большими и дорогими. [11]
MOS-память [ править ]
Появление полевого транзистора металл-оксид-полупроводник (MOSFET). [12] изобретен Мохамедом М. Аталлой и Давоном Кангом в Bell Labs в 1959 году, [13] позволило практическое использование транзисторов металл-оксид-полупроводник (МОП) в качестве запоминающих элементов ячеек памяти - функцию, которую ранее выполняли магнитные сердечники в компьютерной памяти . [12] МОП-память была разработана Джоном Шмидтом в Fairchild Semiconductor в 1964 году. [14] [15] Помимо более высокой производительности, MOS-память была дешевле и потребляла меньше энергии, чем память с магнитным сердечником. [14] Это привело к тому, что МОП-транзисторы в конечном итоге заменили магнитные сердечники в качестве стандартных запоминающих элементов в компьютерной памяти. [12]
В 1965 году Дж. Вуд и Р. Болл из Королевского радиолокационного учреждения предложили цифровые системы хранения данных, в которых используются ячейки памяти КМОП (дополнительные МОП-транзисторы), в дополнение к силовым устройствам МОП-транзисторы для подачи питания , коммутируемой перекрестной связи, переключателям и линиям задержки. хранилище . [16] Разработка с кремниевым затвором технологии МОП-интегральных схем (МОП-ИС) Федерико Фаггином из Fairchild в 1968 году позволила производить микросхемы МОП-памяти . [17] Память NMOS была коммерциализирована компанией IBM в начале 1970-х годов. [18] МОП-память обогнала память на магнитных сердечниках и стала доминирующей технологией памяти в начале 1970-х годов. [14]
Термин «память» при использовании в отношении компьютеров чаще всего относится к энергозависимой оперативной памяти (ОЗУ). Двумя основными типами энергозависимой оперативной памяти являются статическая оперативная память (SRAM) и динамическая оперативная память (DRAM). Биполярная SRAM была изобретена Робертом Норманом в компании Fairchild Semiconductor в 1963 году. [9] за которым последовала разработка MOS SRAM Джоном Шмидтом в Fairchild в 1964 году. [14] SRAM стала альтернативой памяти на магнитных сердечниках, но для каждого бита данных требовалось шесть МОП-транзисторов. [19] Коммерческое использование SRAM началось в 1965 году, когда IBM представила свой чип SRAM SP95 для System/360 Model 95 . [9]
Toshiba представила биполярные ячейки памяти DRAM для своего электронного калькулятора Toscal BC-1411 в 1965 году. [20] [21] Хотя биполярная DRAM предлагала улучшенную производительность по сравнению с памятью с магнитным сердечником, она не могла конкурировать с более низкой ценой доминирующей в то время памяти с магнитным сердечником. [22] Технология MOS является основой современной DRAM. В 1966 году доктор Роберт Х. Деннард из Исследовательского центра IBM Томаса Дж. Уотсона работал над MOS-памятью. Изучая характеристики МОП-технологии, он обнаружил, что она способна создавать конденсаторы , и что сохранение заряда или отсутствие заряда на МОП-конденсаторе может представлять собой 1 и 0 бита, в то время как МОП-транзистор может контролировать запись заряда в конденсатор. Это привело к разработке однотранзисторной ячейки памяти DRAM. [19] В 1967 году Деннард подал патент IBM на однотранзисторную ячейку памяти DRAM, основанную на технологии MOS. [23] первого коммерческого чипа DRAM IC — Intel 1103 . Это привело к появлению в октябре 1970 года [24] [25] [26] Синхронная динамическая память с произвольным доступом (SDRAM) позже дебютировала с чипом Samsung KM48SL2000 в 1992 году. [27] [28]
Термин «память» также часто используется для обозначения энергонезависимой памяти , в частности флэш-памяти . Он берет свое начало в постоянной памяти (ПЗУ). Программируемое постоянное запоминающее устройство (PROM) было изобретено Вэнь Цин Чоу в 1956 году, когда он работал в подразделении Arma американской корпорации Bosch Arma. [29] [30] В 1967 году Давон Кан и Саймон Зе из Bell Labs предположили, что плавающий затвор полупроводникового МОП- устройства можно использовать в качестве ячейки перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства (ПЗУ), что привело к тому, что Дов Фроман из Intel изобрел EPROM (стираемое PROM). ) в 1971 году. [31] EEPROM Японии Министерства международной торговли и промышленности (MITI) (электрически стираемый PROM) был разработан Ясуо Таруи, Ютакой Хаяси и Киёко Нагой в электротехнической лаборатории в 1972 году. [32] Флэш-память была изобретена Фудзио Масуокой в Toshiba в начале 1980-х годов. [33] [34] Масуока и его коллеги представили изобретение вспышки NOR в 1984 году. [35] а затем флэш-память NAND в 1987 году. [36] Toshiba начала коммерческое использование флэш-памяти NAND в 1987 году. [37] [38]
Приложения [ править ]
См. также [ править ]
Ссылки [ править ]
- ^ «Рынок MOS-памяти» (PDF) . Корпорация по разработке интегральных схем . Смитсоновский институт . 1997 год . Проверено 16 октября 2019 г.
- ^ «Тенденции рынка МОП-памяти» (PDF) . Корпорация по разработке интегральных схем . Смитсоновский институт . 1998 год . Проверено 16 октября 2019 г.
- ^ Вендрик, Гарри Дж. М. (2017). Нанометровые КМОП-ИС: от основ к ASIC . Спрингер. стр. 314–5. ISBN 9783319475974 .
- ^ Линь, Вэнь К. (1990). Справочник CRC по проектированию цифровых систем, второе издание . ЦРК Пресс. п. 225. ИСБН 0849342724 . Архивировано из оригинала 27 октября 2016 года . Проверено 4 января 2016 г.
- ^ Перейти обратно: а б с Давуд, Давуд Шенуда; Р. Пеплоу (2010). Проектирование цифровой системы — использование микроконтроллера . Речное издательство. стр. 255–258. ISBN 978-8792329400 . Архивировано из оригинала 6 июля 2014 г.
- ^ «Годовой объем продаж полупроводников увеличился на 21,6 процента и впервые превысил 400 миллиардов долларов» . Ассоциация полупроводниковой промышленности . 5 февраля 2018 года . Проверено 29 июля 2019 г.
- ^ Перейти обратно: а б Годзе, АП; Д.А.Годзе (2008). Основы вычислений и программирования . Индия: Технические публикации. п. 1.35. ISBN 978-8184315097 . Архивировано из оригинала 6 июля 2014 г.
- ^ Перейти обратно: а б Арора, Ашок (2006). Основы информатики . Публикации Лакшми. стр. 39–41. ISBN 8170089719 . Архивировано из оригинала 6 июля 2014 г.
- ^ Перейти обратно: а б с д Это «1966: Полупроводниковые ОЗУ удовлетворяют потребности в высокоскоростных запоминающих устройствах» . Музей истории компьютеров . Проверено 19 июня 2019 г.
- ^ Перейти обратно: а б «Примечания к временной шкале полупроводниковой памяти» (PDF) . Музей истории компьютеров . 8 ноября 2006 года . Проверено 2 августа 2019 г.
- ^ Ортон, Джон В. (2009). Полупроводники и информационная революция: волшебные кристаллы, которые сделали это возможным . Академическая пресса . п. 104. ИСБН 978-0-08-096390-7 .
- ^ Перейти обратно: а б с «Транзисторы – обзор» . НаукаДирект . Проверено 8 августа 2019 г.
- ^ «1960 - Демонстрация металлооксидно-полупроводникового (МОП) транзистора» . Кремниевый двигатель . Музей истории компьютеров .
- ^ Перейти обратно: а б с д «1970: Динамическая MOS-память конкурирует с памятью на магнитных сердечниках по цене» . Музей истории компьютеров . Проверено 29 июля 2019 г.
- ^ Твердотельный дизайн. Том. 6 . Дом Горизонт. 1965.
- ^ Вуд, Дж.; Болл, Р. (февраль 1965 г.). Использование полевых транзисторов с изолированным затвором в цифровых системах хранения данных . 1965 Международная конференция IEEE по твердотельным схемам. Сборник технических статей. Том. VIII. стр. 82–83. дои : 10.1109/ISSCC.1965.1157606 .
- ^ «1968: Разработана технология кремниевых затворов для микросхем» . Музей истории компьютеров . Проверено 10 августа 2019 г.
- ^ Кричлоу, Д.Л. (2007). «Воспоминания о масштабировании МОП-транзисторов» . Информационный бюллетень Общества твердотельных схем IEEE . 12 (1): 19–22. дои : 10.1109/N-SSC.2007.4785536 .
- ^ Перейти обратно: а б «ДРАМ» . IBM100 . ИБМ . 9 августа 2017 года . Проверено 20 сентября 2019 г.
- ^ «Спецификация Toshiba «TOSCAL» BC-1411» . Веб-музей старого калькулятора . Архивировано из оригинала 3 июля 2017 года . Проверено 8 мая 2018 г.
- ^ Настольный калькулятор Toshiba "Toscal" BC-1411. Архивировано 20 мая 2007 г. на Wayback Machine.
- ^ «1966: Полупроводниковые ОЗУ удовлетворяют потребности в высокоскоростных запоминающих устройствах» . Музей истории компьютеров .
- ^ «Роберт Деннард» . Британская энциклопедия . Проверено 8 июля 2019 г.
- ^ «Intel: 35 лет инноваций (1968–2003)» (PDF) . Интел. 2003. Архивировано из оригинала (PDF) 4 ноября 2021 года . Проверено 26 июня 2019 г.
- ^ Память DRAM Роберта Деннарда . история-компьютер.com.
- ^ Лоек, Бо (2007). История полупроводниковой техники . Springer Science & Business Media . стр. 362–363. ISBN 9783540342588 .
i1103 был изготовлен по 6-масковой технологии P-MOS с кремниевым затвором и минимальной толщиной 8 мкм. Полученный продукт имел размер 2400 мкм, 2 ячейки памяти и размер кристалла чуть менее 10 мм. 2 и продавались примерно за 21 доллар.
- ^ «Технический паспорт KM48SL2000-7» . Samsung . Август 1992 года . Проверено 19 июня 2019 г.
- ^ «Электронный дизайн» . Электронный дизайн . 41 (15–21). Издательская компания Хайден. 1993.
Первая коммерческая синхронная память DRAM, 16-Мбит KM48SL2000 от Samsung, использует однобанковую архитектуру, которая позволяет разработчикам систем легко переходить от асинхронных к синхронным системам.
- ^ Хан-Вэй Хуан (5 декабря 2008 г.). Проектирование встроенной системы с C805 . Cengage Обучение. п. 22. ISBN 978-1-111-81079-5 . Архивировано из оригинала 27 апреля 2018 года.
- ^ Мари-Од Офор; Эстебан Зиманьи (17 января 2013 г.). Бизнес-аналитика: Вторая европейская летняя школа, eBISS 2012, Брюссель, Бельгия, 15–21 июля 2012 г., Учебные лекции . Спрингер. п. 136. ИСБН 978-3-642-36318-4 . Архивировано из оригинала 27 апреля 2018 года.
- ^ «1971: Представлено многоразовое полупроводниковое ПЗУ» . Музей истории компьютеров . Проверено 19 июня 2019 г.
- ^ Таруи, Ю.; Хаяши, Ю.; Нагай, К. (1972). «Электрически перепрограммируемая энергонезависимая полупроводниковая память». Журнал IEEE твердотельных схем . 7 (5): 369–375. Бибкод : 1972IJSSC...7..369T . дои : 10.1109/JSSC.1972.1052895 . ISSN 0018-9200 .
- ^ Фулфорд, Бенджамин (24 июня 2002 г.). "Невоспетый герой" . Форбс . Архивировано из оригинала 3 марта 2008 года . Проверено 18 марта 2008 г.
- ^ США 4531203 Фудзио Масуока.
- ^ «Toshiba: изобретатель флэш-памяти» . Тошиба . Проверено 20 июня 2019 г.
- ^ Масуока, Ф.; Момодоми, М.; Ивата, Ю.; Широта, Р. (1987). «Новая СППЗУ сверхвысокой плотности и флэш-ЭСППЗУ с ячейкой структуры NAND». Встреча электронных устройств, Международная конференция 1987 г. IEDM 1987. IEEE . дои : 10.1109/IEDM.1987.191485 .
- ^ «1987: Toshiba выпускает флэш-память NAND» . электронная неделя . 11 апреля 2012 года . Проверено 20 июня 2019 г.
- ^ «1971: Представлено многоразовое полупроводниковое ПЗУ» . Музей истории компьютеров . Проверено 19 июня 2019 г.
- ^ Перейти обратно: а б с д Это ж г час Вендрик, Гарри (2000). Глубоко-субмикронные КМОП-ИС: от основ к ASIC (PDF) (2-е изд.). Академическое издательство Kluwer . стр. 267–8. ISBN 9044001116 . Архивировано из оригинала (PDF) 6 декабря 2020 г. Проверено 14 ноября 2019 г.
- ^ Перейти обратно: а б с д Это ж г час Вендрик, Гарри Дж. М. (2017). Нанометровые КМОП-ИС: от основ к ASIC (2-е изд.). Спрингер. п. 315. ИСБН 9783319475974 .
- ^ Вендрик, Гарри Дж. М. (2017). Нанометровые КМОП-ИС: от основ к ASIC (2-е изд.). Спрингер. п. 264. ИСБН 9783319475974 .
- ^ Ричард Шуп (2001). «SuperPaint: ранняя графическая система с кадровым буфером» (PDF) . Анналы истории вычислительной техники . IEEE. Архивировано из оригинала (PDF) 12 июня 2004 г.
- ^ Гольдвассер, С.М. (июнь 1983 г.). Компьютерная архитектура для интерактивного отображения сегментированных изображений . Компьютерные архитектуры для пространственно распределенных данных. Springer Science & Business Media . стр. 75–94 (81). ISBN 9783642821509 .
- ^ Виндбахер, Томас (июнь 2010 г.). "Флэш-память" . ТУ Вена . Проверено 20 декабря 2019 г.
