✖


Jump to content

Оперативная память

Страница полузащищенная
«ОЗУ» перенаправляется сюда. Чтобы узнать о других значениях, см. Ram .
Не путать с памятью произвольного доступа или машиной произвольного доступа .

памяти компьютера и хранения данных компьютера Типы
Общий
Неустойчивый
БАРАН
Исторический
Энергонезависимый
ПЗУ
NVRAM
ранней стадии NVRAM
Аналоговая запись
Оптический
В разработке
Исторический
64-битный кристалл микросхемы памяти, буферная память SP95 Phase 2, произведенная IBM в середине 60-х годов, в сравнении с железными кольцами ядра памяти .
Пример перезаписываемой энергозависимой оперативной памяти: синхронной динамической оперативной памяти Модули , в основном используемые в качестве основной памяти в персональных компьютерах , рабочих станциях и серверах .
объемом 8 ГБ DDR3 Оперативная память с белым радиатором

Оперативная память ( RAM ; / ræ . m / ) — это форма электронной компьютерной памяти которую можно читать и изменять в любом порядке, обычно используемую для хранения рабочих данных и машинного кода , [1] [2] Устройство памяти с произвольным доступом или записывать элементы данных позволяет считывать практически за одинаковое время независимо от физического расположения данных внутри памяти, в отличие от других носителей данных с прямым доступом (таких как жесткие диски и магнитные ленты). ), где время, необходимое для чтения и записи элементов данных, значительно варьируется в зависимости от их физического расположения на носителе записи из-за механических ограничений, таких как скорость вращения носителя и движение руки.

В современных технологиях оперативная память принимает форму микросхем интегральных схем (ИС) с МОП (металл-оксид-полупроводник) ячейками памяти . ОЗУ обычно связано с энергозависимыми типами памяти, в которых сохраненная информация теряется при отключении питания. Двумя основными типами энергозависимой полупроводниковой памяти с произвольным доступом являются статическая память с произвольным доступом (SRAM) и динамическая память с произвольным доступом (DRAM).

Также была разработана энергонезависимая оперативная память. [3] и другие типы энергонезависимой памяти допускают произвольный доступ для операций чтения, но либо не допускают операций записи, либо имеют другие ограничения. К ним относятся большинство типов флэш-памяти ROM и NOR .

Использование полупроводниковой оперативной памяти началось в 1965 году, когда IBM представила монолитный (однокристальный) 16-битный чип SP95 SRAM для своего компьютера System/360 Model 95 , а Toshiba использовала дискретные ячейки памяти DRAM для своего 180-битного Toscal BC-1411. электронный калькулятор , оба на основе биполярных транзисторов . Хотя биполярная DRAM предлагала более высокие скорости, чем память с магнитным сердечником , она не могла конкурировать с более низкой ценой доминирующей в то время памяти с магнитным сердечником. [4] Память на основе МОП-транзисторов была разработана в конце 1960-х годов и легла в основу всей ранней коммерческой полупроводниковой памяти. Первый коммерческий чип DRAM IC, 1K Intel 1103 , был представлен в октябре 1970 года. Синхронная динамическая память с произвольным доступом (SDRAM) позже дебютировала с чипом Samsung KM48SL2000 в 1992 году.

История

Эти счетные машины IBM середины 1930-х годов использовали механические счетчики для хранения информации.
1- мегабитный (Мбит) чип, одна из последних моделей, разработанных VEB Carl Zeiss Jena в 1989 году.

Ранние компьютеры использовали реле и механические счетчики. [5] или линии задержки для функций основной памяти. Ультразвуковые линии задержки представляли собой последовательные устройства , которые могли воспроизводить данные только в том порядке, в котором они были записаны. Память барабана можно расширить при относительно небольших затратах, но эффективное извлечение элементов памяти требует знания физического расположения барабана для оптимизации скорости. Защелки, построенные из ламповых триодов , а позже и из дискретных транзисторов , использовались для небольших и быстрых запоминающих устройств, таких как регистры. Такие регистры были относительно большими и слишком дорогими для хранения больших объемов данных; обычно можно было предоставить только несколько десятков или несколько сотен бит такой памяти.

Первой практической формой оперативной памяти стала трубка Вильямса, появившаяся в 1947 году. Она хранила данные в виде электрически заряженных пятен на лицевой стороне электронно-лучевой трубки . Поскольку электронный луч ЭЛТ мог считывать и записывать пятна на трубке в любом порядке, память имела произвольный доступ. Емкость трубки Вильямса составляла от нескольких сотен до примерно тысячи бит, но она была намного меньше, быстрее и энергоэффективнее, чем использование отдельных защелок электронных ламп. Разработанная в Манчестерском университете в Англии, трубка Вильямса стала средой, на которой первая программа, хранящаяся в электронном виде, была реализована в компьютере Manchester Baby , который впервые успешно запустил программу 21 июня 1948 года. [6] Фактически, вместо ламповой памяти Уильямса, разработанной для Baby, Baby был испытательным стендом для демонстрации надежности памяти. [7] [8]

Память на магнитном сердечнике была изобретена в 1947 году и развивалась до середины 1970-х годов. Это стало широко распространенной формой оперативной памяти, основанной на массиве намагниченных колец. Изменяя направление намагничивания каждого кольца, данные можно было хранить по одному биту на каждое кольцо. Поскольку каждое кольцо имело комбинацию адресных проводов для его выбора, чтения или записи, был возможен доступ к любой ячейке памяти в любой последовательности. Память с магнитным сердечником была стандартной формой компьютерной системы памяти ее не заменила твердотельная МОП- ( металл-оксид-кремний ) полупроводниковая память в интегральных схемах (ИС). , пока в начале 1970-х годов [9]

До разработки схем интегрированного постоянного запоминающего устройства (ПЗУ) постоянная (или только для чтения ) оперативная память часто конструировалась с использованием диодных матриц, управляемых декодерами адреса , или специально намотанных плоскостей памяти с сердечником . [ нужна ссылка ]

Полупроводниковая память началась в 1960-х годах с биполярной памяти, в которой использовались биполярные транзисторы . Хотя он был быстрее, он не мог конкурировать с более дешевой памятью на магнитном сердечнике. [10]

МОП-ОЗУ

Изобретение МОП-транзистора (полевого транзистора металл-оксид-полупроводник), также известного как МОП-транзистор, Мохамедом М. Аталлой и Давоном Кангом из Bell Labs в 1959 году. [11] привело к разработке памяти металл-оксид-полупроводник (МОП) Джоном Шмидтом из Fairchild Semiconductor в 1964 году. [9] [12] Помимо более высоких скоростей, полупроводниковая МОП-память была дешевле и потребляла меньше энергии, чем память на магнитных сердечниках. [9] Разработка с кремниевым затвором технологии МОП-интегральных схем (МОП-ИС) Федерико Фаггином из Fairchild в 1968 году позволила производить микросхемы МОП-памяти . [13] МОП-память обогнала память на магнитных сердечниках и стала доминирующей технологией памяти в начале 1970-х годов. [9]

Интегрированная биполярная статическая память с произвольным доступом (SRAM) была изобретена Робертом Х. Норманом в Fairchild Semiconductor в 1963 году. [14] За этим последовала разработка MOS SRAM Джоном Шмидтом из Fairchild в 1964 году. [9] SRAM стала альтернативой памяти на магнитных сердечниках, но для каждого бита данных требовалось шесть МОП-транзисторов. [15] Коммерческое использование SRAM началось в 1965 году, когда IBM представила чип памяти SP95 для System/360 Model 95 . [10]

Динамическая память с произвольным доступом (DRAM) позволила заменить схему защелки с 4 или 6 транзисторами одним транзистором для каждого бита памяти, что значительно увеличило плотность памяти за счет нестабильности. Данные хранились в крошечной емкости каждого транзистора, и их приходилось периодически обновлять каждые несколько миллисекунд, прежде чем заряд мог утечь. Toshiba Toscal BC-1411 компании Электронный калькулятор , представленный в 1965 году. [16] [17] [18] использовал форму емкостной биполярной DRAM, хранящей 180-битные данные в дискретных ячейках памяти , состоящих из германиевых биполярных транзисторов и конденсаторов. [17] [18] Хотя биполярная DRAM предлагала более высокие скорости, чем память с магнитным сердечником, она не могла конкурировать с более низкой ценой доминирующей в то время памяти с магнитным сердечником. [19]

Технология MOS является основой современной DRAM. В 1966 году доктор Роберт Х. Деннард из Исследовательского центра IBM Томаса Дж. Уотсона работал над MOS-памятью. Изучая характеристики МОП-технологии, он обнаружил, что она способна создавать конденсаторы , и что сохранение заряда или отсутствие заряда на МОП-конденсаторе может представлять собой 1 и 0 бита, в то время как МОП-транзистор может контролировать запись заряда в конденсатор. Это привело к разработке однотранзисторной ячейки памяти DRAM. [15] В 1967 году Деннард подал патент IBM на однотранзисторную ячейку памяти DRAM, основанную на технологии MOS. [20] Первым коммерческим чипом DRAM IC был Intel 1103 , который был изготовлен по 8   -мкм МОП-процессу и имел емкость 1   кбит и был выпущен в 1970 году. [9] [21] [22]

Синхронная динамическая память с произвольным доступом (SDRAM) была разработана компанией Samsung Electronics . Первым коммерческим чипом SDRAM был Samsung KM48SL2000, имевший емкость 16   Мбит . [23] Он был представлен компанией Samsung в 1992 году. [24] и выпущен в серийное производство в 1993 году. [23] Первым коммерческим чипом памяти DDR SDRAM ( SDRAM с двойной скоростью передачи данных ) был   чип DDR SDRAM объемом 64 Мбит от Samsung, выпущенный в июне 1998 года. [25] GDDR (графическая DDR) — это разновидность DDR SGRAM (синхронная графическая оперативная память), которая была впервые выпущена компанией Samsung в виде   чипа памяти емкостью 16 Мбит в 1998 году. [26]

Типы

Двумя широко используемыми формами современной оперативной памяти являются статическая оперативная память (SRAM) и динамическая оперативная память (DRAM). В SRAM бит данных сохраняется с использованием состояния шеститранзисторной , обычно с использованием шести МОП- транзисторов ячейки памяти . Эта форма оперативной памяти дороже в производстве, но, как правило, быстрее и требует меньше динамической мощности, чем DRAM. В современных компьютерах SRAM часто используется в качестве кэш-памяти ЦП . DRAM хранит немного данных с помощью пары транзисторов и конденсаторов (обычно MOSFET и MOS-конденсатор соответственно). [27] которые вместе составляют ячейку DRAM. Конденсатор удерживает высокий или низкий заряд (1 или 0 соответственно), а транзистор действует как переключатель, который позволяет схеме управления на чипе считывать состояние заряда конденсатора или изменять его. Поскольку производство этой формы памяти дешевле, чем статическая оперативная память, она является преобладающей формой компьютерной памяти, используемой в современных компьютерах.

Как статическая, так и динамическая ОЗУ считаются энергозависимыми , поскольку их состояние теряется или сбрасывается при отключении питания системы. Напротив, постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) хранит данные, постоянно включая или отключая выбранные транзисторы, так что память не может быть изменена. Варианты ПЗУ с возможностью записи (такие как EEPROM и флэш-память NOR ) имеют общие свойства как ПЗУ, так и ОЗУ, что позволяет данным сохраняться без питания и обновляться без необходимости специального оборудования. Память ECC (которая может быть SRAM или DRAM) включает в себя специальную схему для обнаружения и/или исправления случайных ошибок (ошибок памяти) в хранимых данных с использованием битов четности или кодов исправления ошибок .

В общем, термин «ОЗУ» относится исключительно к устройствам твердотельной памяти (DRAM или SRAM), а точнее, к основной памяти в большинстве компьютеров. В оптическом хранилище термин DVD-RAM употребляется неправильно, поскольку это не произвольный доступ; он ведет себя так же, как жесткий диск, хотя и несколько медленнее. Кроме того, в отличие от CD-RW или DVD-RW , DVD-RAM не нужно стирать перед повторным использованием.

Ячейка памяти

Основная статья: Ячейка памяти (вычисления)

Ячейка памяти является фундаментальным строительным блоком компьютерной памяти . Ячейка памяти представляет собой электронную схему , которая хранит один бит двоичной информации, и ее необходимо настроить на сохранение логической 1 (уровень высокого напряжения) и сбросить на сохранение логического 0 (уровень низкого напряжения). Его значение сохраняется/сохраняется до тех пор, пока оно не будет изменено процессом установки/сброса. Доступ к значению в ячейке памяти можно получить, прочитав его.

В SRAM ячейка памяти представляет собой тип триггерной схемы, обычно реализуемой с использованием полевых транзисторов . Это означает, что SRAM требует очень мало энергии, когда к ней не обращаются, но она дорогая и имеет низкую плотность хранения.

Второй тип, DRAM, основан на конденсаторе. Зарядка и разрядка этого конденсатора может сохранять в ячейке «1» или «0». Однако заряд этого конденсатора медленно утекает, и его необходимо периодически обновлять. Из-за этого процесса обновления DRAM потребляет больше энергии, но может обеспечить большую плотность хранения и меньшие затраты на единицу продукции по сравнению со SRAM.

Ячейка SRAM (6 транзисторов)
Ячейка DRAM (1 транзистор и один конденсатор)

Адресация

Чтобы быть полезными, ячейки памяти должны быть доступны для чтения и записи. В устройстве RAM для выбора ячеек памяти используются схемы мультиплексирования и демультиплексирования. Обычно устройство оперативной памяти имеет набор адресных строк. , и для каждой комбинации битов, которые могут быть применены к этим строкам, активируется набор ячеек памяти. Благодаря такой адресации устройства оперативной памяти практически всегда имеют объем памяти, равный степени двойки.

Обычно несколько ячеек памяти имеют один и тот же адрес. Например, 4-битная микросхема ОЗУ имеет 4 ячейки памяти для каждого адреса. Часто ширина памяти и ширина микропроцессора различаются, для 32-битного микропроцессора потребуется восемь 4-битных микросхем ОЗУ.

Часто требуется больше адресов, чем может предоставить устройство. В этом случае внешние мультиплексоры устройства используются для активации правильного устройства, к которому осуществляется доступ.

Иерархия памяти

Основная статья: Иерархия памяти

Можно читать и перезаписывать данные в оперативной памяти. Многие компьютерные системы имеют иерархию памяти, состоящую из регистров процессора , встроенных кэшей SRAM , внешних кэшей , DRAM , подкачки систем и виртуальной памяти или пространства подкачки на жестком диске. Весь этот пул памяти многие разработчики могут называть «ОЗУ», даже несмотря на то, что различные подсистемы могут иметь очень разное время доступа , что нарушает первоначальную концепцию термина произвольного доступа в ОЗУ. Даже на таком уровне иерархии, как DRAM, конкретная строка, столбец, банк, ранг , канал или чередующаяся организация компонентов делают время доступа переменным, хотя и не в такой степени, как время доступа к вращающимся носителям данных или ленте. . Общая цель использования иерархии памяти состоит в том, чтобы получить как можно более быстрое среднее время доступа при минимизации общей стоимости всей системы памяти (как правило, иерархия памяти соответствует времени доступа с быстрыми регистрами ЦП наверху и медленными регистрами жесткого диска). внизу).

Во многих современных персональных компьютерах оперативная память поставляется в виде легко модернизируемых модулей, называемых модулями памяти или модулями DRAM, размером примерно с несколько палочек жевательной резинки. Их можно быстро заменить в случае повреждения или при изменении потребностей, требующих увеличения емкости хранилища. Как было предложено выше, меньшие объемы оперативной памяти (в основном SRAM) также интегрированы в ЦП и другие микросхемы на материнской плате , а также в жесткие диски, компакт-диски и некоторые другие части компьютерной системы.

Другие варианты использования оперативной памяти

Модуль оперативной памяти SO-DIMM для ноутбука, примерно вдвое меньше оперативной памяти настольного компьютера.

Помимо того, что оперативная память служит временным хранилищем и рабочим пространством для операционной системы и приложений, она используется многими другими способами.

Виртуальная память

Основная статья: Виртуальная память

В большинстве современных операционных систем используется метод расширения объема оперативной памяти, известный как «виртуальная память». компьютера Часть жесткого диска отведена для файла подкачки или рабочего раздела , а совокупность физической оперативной памяти и файла подкачки образует общую память системы. (Например, если на компьютере установлено 2 ГБ (1024 3 Б) ОЗУ и файл подкачки размером 1 ГБ; общая доступная операционная система память составляет 3 ГБ.) Когда в системе заканчивается физическая память, она может « подменить » части ОЗУ файлом подкачки, чтобы освободить место для новых. данные, а также для чтения ранее замененной информации обратно в ОЗУ. Чрезмерное использование этого механизма приводит к сбоям и, как правило, снижает общую производительность системы, главным образом потому, что жесткие диски намного медленнее, чем ОЗУ.

RAM-диск

Основная статья: RAM-накопитель

Программное обеспечение может «разбить» часть оперативной памяти компьютера, позволяя ей работать как гораздо более быстрый жесткий диск, который называется RAM-диском . RAM-диск теряет сохраненные данные при выключении компьютера, если только память не оборудована резервным источником питания или изменения на RAM-диске не записываются на энергонезависимый диск. RAM-диск перезагружается с физического диска при инициализации RAM-диска.

Теневая оперативная память

Иногда содержимое относительно медленной микросхемы ПЗУ копируется в память чтения/записи, чтобы сократить время доступа. Затем микросхема ПЗУ отключается, а инициализированные ячейки памяти включаются в один и тот же блок адресов (часто защищенный от записи). Этот процесс, иногда называемый теневым копированием , довольно распространен как в компьютерах, так и в встроенных системах .

Типичный пример: в BIOS типичных персональных компьютеров часто имеется опция «использовать теневой BIOS» или подобная. Если этот параметр включен, функции, которые полагаются на данные из ПЗУ BIOS, вместо этого используют ячейки DRAM (большинство из них также могут переключать затенение ПЗУ видеокарты или других разделов ПЗУ). В зависимости от системы это может не привести к увеличению производительности и может привести к несовместимости. Например, некоторое оборудование может быть недоступно для операционной системы, если используется теневая ОЗУ. В некоторых системах преимущество может быть гипотетическим, поскольку после загрузки BIOS не используется в пользу прямого доступа к оборудованию. Свободная память уменьшается на размер затененных ПЗУ. [28]

Стена памяти

«Стена памяти» — это растущее несоответствие скорости между процессором и временем отклика памяти (известное как задержка памяти ) за пределами чипа ЦП. Важной причиной этого несоответствия является ограниченная полоса пропускания связи за пределами чипа, которую также называют стеной полосы пропускания . С 1986 по 2000 год скорость ЦП увеличивалась на 55% в год, тогда как время отклика внешней памяти улучшалось только на 10%. Учитывая эти тенденции, ожидалось, что задержка памяти станет серьёзным узким местом в производительности компьютера. [29]

Другая причина несоответствия — колоссальное увеличение объема памяти с начала революции ПК в 1980-х годах. Первоначально ПК содержали менее 1 мегабайта ОЗУ, время отклика которого часто составляло 1 такт процессора, а это означает, что для него требовалось 0 состояний ожидания. Блоки памяти большего размера по своей природе медленнее, чем меньшие блоки того же типа, просто потому, что сигналам требуется больше времени для прохождения большей цепи. Построить блок памяти из многих гибибайтов с временем отклика в один такт сложно или невозможно. Современные процессоры часто все еще имеют мебибайт 0 кэш-памяти состояния ожидания, но он находится на том же кристалле, что и ядра процессора, из-за ограничений пропускной способности связи между чипами. Она также должна быть построена на основе статической оперативной памяти, которая намного дороже динамической оперативной памяти, используемой для памяти большего размера. Статическая оперативная память также потребляет гораздо больше энергии.

Повышение скорости ЦП значительно замедлилось отчасти из-за серьезных физических препятствий, а отчасти потому, что нынешние конструкции ЦП в некотором смысле уже уперлись в стену памяти. Intel суммировала эти причины в документе 2005 года. [30]

Во-первых, по мере уменьшения геометрии чипа и повышения тактовой частоты ток утечки транзистора увеличивается, что приводит к избыточному энергопотреблению и нагреву... Во-вторых, преимущества более высоких тактовых частот частично сводятся на нет задержкой памяти, поскольку время доступа к памяти увеличивается. не смогли угнаться за ростом тактовых частот. В-третьих, для некоторых приложений традиционные последовательные архитектуры становятся менее эффективными по мере того, как процессоры становятся быстрее (из-за так называемого узкого места фон Неймана ), что еще больше снижает любые выгоды, которые в противном случае можно было бы получить за счет увеличения частоты. Кроме того, отчасти из-за ограничений в средствах создания индуктивности в твердотельных устройствах, задержки при передаче сигнала из- за резистивно-емкостного сопротивления (RC) растут по мере уменьшения размеров элементов, создавая дополнительное узкое место, которое не устраняется увеличением частоты.

Задержки RC при передаче сигнала также были отмечены в статье «Тактовая частота в сравнении с IPC: конец пути для обычных микроархитектур». [31] который прогнозировал увеличение производительности процессора в среднем на 12,5% в период с 2000 по 2014 год.

Другой концепцией является разрыв в производительности процессора и памяти, который можно устранить с помощью 3D-интегральных схем , сокращающих расстояние между аспектами логики и памяти, которые находятся дальше друг от друга в 2D-чипе. [32] Проектирование подсистемы памяти требует внимания к разрыву, который со временем увеличивается. [33] Основным методом преодоления разрыва является использование кэшей ; небольшие объемы высокоскоростной памяти, в которой хранятся недавние операции и инструкции рядом с процессором, что ускоряет выполнение этих операций или инструкций в тех случаях, когда они выполняются часто. Чтобы справиться с растущим разрывом, были разработаны несколько уровней кэширования, а производительность современных высокоскоростных компьютеров зависит от развития методов кэширования. [34] Разница между ростом скорости процессора и отставанием скорости доступа к основной памяти может достигать 53%. [35]

Скорость твердотельных жестких дисков продолжает увеличиваться: с ~400 Мбит/с через SATA3 в 2012 году до ~3 ГБ/с через NVMe / PCIe в 2018 году, сокращая разрыв между скоростями оперативной памяти и жесткого диска, хотя объем оперативной памяти продолжает расти. быть на порядок быстрее: однополосная память DDR4 3200 обеспечивает скорость 25 ГБ/с, а современная GDDR — еще быстрее. Быстрые, дешевые и энергонезависимые твердотельные накопители заменили некоторые функции, которые раньше выполняла ОЗУ, например хранение определенных данных для немедленной доступности в серверных фермах : 1 терабайт SSD-накопителя можно приобрести за 200 долларов, а 1 ТБ ОЗУ обойдется в тысячи долларов. долларов. [36] [37]

Хронология

См. также: Флэш-память § Временная шкала , Постоянная память § Временная шкала и Количество транзисторов § Память.

СРАМ

Статическая оперативная память (SRAM)
Дата введения Название чипа Емкость ( бит ) Время доступа Тип SRAM Производитель(и) Процесс МОП-транзистор Ссылка
Март 1963 г. — 1 ? Биполярный ( клеточный ) Фэйрчайлд — — [10]
1965 ? 8 ? Биполярный ИБМ ? —
СП95 16 ? Биполярный ИБМ ? — [38]
? 64 ? МОП-транзистор Фэйрчайлд ? ПМОП [39]
1966 ТМС3162 16 ? Биполярный ( ТТЛ ) Транзитрон ? — [9]
? ? ? МОП-транзистор НЭК ? ? [40]
1968 ? 64 ? МОП-транзистор Фэйрчайлд ? ПМОП [40]
144 ? МОП-транзистор НЭК ? НМОП
512 ? МОП-транзистор ИБМ ? НМОП [39]
1969 ? 128 ? Биполярный ИБМ ? — [10]
1101 256 850 нс МОП-транзистор Интел 12 000 нм ПМОП [41] [42] [43] [44]
1972 2102 1 кбит ? МОП-транзистор Интел ? НМОП [41]
1974 5101 1 кбит 800 нс МОП-транзистор Интел ? КМОП [41] [45]
2102А 1 кбит 350 нс МОП-транзистор Интел ? NMOS ( истощение ) [41] [46]
1975 2114 4 кбит 450 нс МОП-транзистор Интел ? НМОП [41] [45]
1976 2115 1 кбит 70 нс МОП-транзистор Интел ? НМОС ( ХМОС ) [41] [42]
2147 4 кбит 55 нс МОП-транзистор Интел ? НМОС (HMOS) [41] [47]
1977 ? 4 кбит ? МОП-транзистор Тошиба ? КМОП [42]
1978 ХМ6147 4 кбит 55 нс МОП-транзистор Хитачи 3000 нм КМОП ( двухлуночный ) [47]
ТМС4016 16 кбит ? МОП-транзистор Техасские инструменты ? НМОП [42]
1980 ? 16 кбит ? МОП-транзистор Хитачи, Тошиба ? КМОП [48]
64 кбит ? МОП-транзистор Мацусита
1981 ? 16 кбит ? МОП-транзистор Техасские инструменты 2500 нм НМОП [48]
Октябрь 1981 г. ? 4 кбит 18 нс МОП-транзистор Мацусита, Тошиба 2000 нм КМОП [49]
1982 ? 64 кбит ? МОП-транзистор Интел 1500 нм НМОС (HMOS) [48]
февраль 1983 г. ? 64 кбит 50 нс МОП-транзистор Мицубиси ? КМОП [50]
1984 ? 256 кбит ? МОП-транзистор Тошиба 1200 нм КМОП [48] [43]
1987 ? 1 Мбит ? МОП-транзистор Сони , Хитачи, Мицубиси , Тошиба ? КМОП [48]
декабрь 1987 г. ? 256 кбит 10 нс БиМОП Техасские инструменты 800 нм БиКМОП [51]
1990 ? 4 Мбит 15–23 нс МОП-транзистор НЭК, Тошиба, Хитачи, Мицубиси ? КМОП [48]
1992 ? 16 Мбит 12–15 нс МОП-транзистор Фуджицу , НЭК 400 нм
декабрь 1994 г. ? 512 кбит 2,5 нс МОП-транзистор ИБМ ? КМОП ( СОИ ) [52]
1995 ? 4 Мбит 6 нс Кэш ( SyncBurst ) Хитачи 100 нм КМОП [53]
256 Мбит ? МОП-транзистор Хюндай ? КМОП [54]

ДРАМ

Динамическая оперативная память (DRAM)
Дата введения Название чипа Емкость ( бит ) Тип DRAM Производитель(и) Процесс МОП-транзистор Область Ссылка
1965 — 1 бит ДРАМ ( ячейка ) Тошиба — — — [17] [18]
1967 — 1 бит ДРАМ (ячейка) ИБМ — нет — [20] [40]
1968 ? 256 бит ДРАМ ( ИС ) Фэйрчайлд ? ПМОП ? [9]
1969 — 1 бит ДРАМ (ячейка) Интел — ПМОП — [40]
1970 1102 1 кбит ДРАМ (ИК) Интел, Ханивелл ? ПМОП ? [40]
1103 1 кбит ДРАМ Интел 8000 нм ПМОП 10 мм 2 [55] [56] [21]
1971 μPD403 1 кбит ДРАМ НЭК ? НМОП ? [57]
? 2 кбит ДРАМ Общий инструмент ? ПМОП 13 мм 2 [58]
1972 2107 4 кбит ДРАМ Интел ? НМОП ? [41] [59]
1973 ? 8 кбит ДРАМ ИБМ ? ПМОП 19 мм 2 [58]
1975 2116 16 кбит ДРАМ Интел ? НМОП ? [60] [9]
1977 ? 64 кбит ДРАМ НТТ ? НМОП 35 мм 2 [58]
1979 МК4816 16 кбит ПСРАМ Мост ? НМОП ? [61]
? 64 кбит ДРАМ Сименс ? ВМОС 25 мм 2 [58]
1980 ? 256 кбит ДРАМ НЭК, НТТ 1000–1500 нм НМОП 34–42 мм 2 [58]
1981 ? 288 кбит ДРАМ ИБМ ? нет 25 мм 2 [62]
1983 ? 64 кбит ДРАМ Интел 1500 нм КМОП 20 мм 2 [58]
256 кбит ДРАМ НТТ ? КМОП 31 мм 2
5 января 1984 г. ? 8 Мбит ДРАМ Хитачи ? нет ? [63] [64]
февраль 1984 г. ? 1 Мбит ДРАМ Хитачи, Северная Каролина 1000 нм НМОП 74–76 мм 2 [58] [65]
НТТ 800 нм КМОП 53 мм 2 [58] [65]
1984 ТМС4161 64 кбит DPRAM ( ВОЗУ ) Техасские инструменты ? НМОП ? [66] [67]
Январь 1985 г. μPD41264 256 кбит DPRAM (ВОЗУ) НЭК ? НМОП ? [68] [69]
июнь 1986 г. ? 1 Мбит ПСРАМ Тошиба ? КМОП ? [70]
1986 ? 4 Мбит ДРАМ НЭК 800 нм НМОП 99 мм 2 [58]
Техасские инструменты, Тошиба 1000 нм КМОП 100–137 мм 2
1987 ? 16 Мбит ДРАМ НТТ 700 нм КМОП 148 мм 2 [58]
Октябрь 1988 г. ? 512 кбит HSDRAM ИБМ 1000 нм КМОП 78 мм 2 [71]
1991 ? 64 Мбит ДРАМ Мацусита , Мицубиси , Фуджицу , Тошиба 400 нм КМОП ? [48]
1993 ? 256 Мбит ДРАМ Хитачи, Северная Каролина 250 нм КМОП ?
1995 ? 4 Мбит DPRAM (ВОЗУ) Хитачи ? КМОП ? [53]
9 января 1995 г. ? 1 Гбит ДРАМ НЭК 250 нм КМОП ? [72] [53]
Хитачи 160 нм КМОП ?
1996 ? 4 Мбит ВПЕРЕД Samsung ? НМОП ? [73]
1997 ? 4ГБ КЛК НЭК 150 нм КМОП ? [48]
1998 ? 4ГБ ДРАМ Хюндай ? КМОП ? [54]
июнь 2001 г. TC51W3216XB 32 Мбит ПСРАМ Тошиба ? КМОП ? [74]
февраль 2001 г. ? 4ГБ ДРАМ Samsung 100 нм КМОП ? [48] [75]

SDRAM

Часть этого раздела исключена из синхронной динамической оперативной памяти . ( редактировать | история )
Синхронная динамическая оперативная память (SDRAM)
Дата введения Название чипа Емкость ( бит ) [76] Тип SDRAM Производитель(и) Процесс МОП-транзистор Область Ссылка
1992 КМ48SL2000 16 Мбит СДР Samsung ? КМОП ? [77] [23]
1996 МСМ5718C50 18 Мбит РДРАМ Сократить ? КМОП 325 мм 2 [78]
N64 РДОЗУ 36 Мбит РДРАМ НЭК ? КМОП ? [79]
? 1024 Мбит СДР Мицубиси 150 нм КМОП ? [48]
1997 ? 1024 Мбит СДР Хюндай ? СЕБЯ ? [54]
1998 MD5764802 64 Мбит РДРАМ Сократить ? КМОП 325 мм 2 [78]
март 1998 г. Прямая РДОЗУ 72 Мбит РДРАМ Рамбус ? КМОП ? [80]
июнь 1998 г. ? 64 Мбит ГДР Samsung ? КМОП ? [81] [82] [83]
1998 ? 64 Мбит ГДР Хюндай ? КМОП ? [54]
128 Мбит СДР Samsung ? КМОП ? [84] [82]
1999 ? 128 Мбит ГДР Samsung ? КМОП ? [82]
1024 Мбит ГДР Samsung 140 нм КМОП ? [48]
2000 GS eDRAM 32 Мбит eDRAM Сони , Тошиба 180 нм КМОП 279 мм 2 [85]
2001 ? 288 Мбит РДРАМ Хайникс ? КМОП ? [86]
? DDR2 Samsung 100 нм КМОП ? [83] [48]
2002 ? 256 Мбит СДР Хайникс ? КМОП ? [86]
2003 EE+GS eDRAM 32 Мбит eDRAM Сони, Тошиба 90 нм КМОП 86 мм 2 [85]
? 72 Мбит DDR3 Samsung 90 нм КМОП ? [87]
512 Мбит DDR2 Хайникс ? КМОП ? [86]
Эльпида 110 нм КМОП ? [88]
1024 Мбит DDR2 Хайникс ? КМОП ? [86]
2004 ? 2048 Мбит DDR2 Samsung 80 нм КМОП ? [89]
2005 EE+GS eDRAM 32 Мбит eDRAM Сони, Тошиба 65 нм КМОП 86 мм 2 [90]
Ксенос eDRAM 80 Мбит eDRAM НЭК 90 нм КМОП ? [91]
? 512 Мбит DDR3 Samsung 80 нм КМОП ? [83] [92]
2006 ? 1024 Мбит DDR2 Хайникс 60 нм КМОП ? [86]
2008 ? ? ЛПДДР2 Хайникс ?
апрель 2008 г. ? 8192 Мбит DDR3 Samsung 50 нм КМОП ? [93]
2008 ? 16384 Мбит DDR3 Samsung 50 нм КМОП ?
2009 ? ? DDR3 Хайникс 44 нм КМОП ? [86]
2048 Мбит DDR3 Хайникс 40 нм
2011 ? 16384 Мбит DDR3 Хайникс 40 нм КМОП ? [94]
2048 Мбит DDR4 Хайникс 30 нм КМОП ? [94]
2013 ? ? ЛПДДР4 Samsung 20 нм КМОП ? [94]
2014 ? 8192 Мбит ЛПДДР4 Samsung 20 нм КМОП ? [95]
2015 ? 12 Гбит ЛПДДР4 Samsung 20 нм КМОП ? [84]
2018 ? 8192 Мбит ЛПДДР5 Samsung 10 нм ФинФЕТ ? [96]
128Гб DDR4 Samsung 10 нм ФинФЕТ ? [97]

СГРАМ и HBM

Синхронная графическая память с произвольным доступом (SGRAM) и память с высокой пропускной способностью (HBM)
Дата введения Название чипа Емкость ( бит ) [76] Тип SDRAM Производитель(и) Процесс МОП-транзистор Область Ссылка
ноябрь 1994 г. ХМ5283206 8 Мбит СГРАМ ( СПЗ ) Хитачи 350 нм КМОП 58 мм 2 [98] [99]
декабрь 1994 г. μPD481850 8 Мбит СГРАМ (СПЗ) НЭК ? КМОП 280 мм 2 [100] [101]
1997 μPD4811650 16 Мбит СГРАМ (СПЗ) НЭК 350 нм КМОП 280 мм 2 [102] [103]
сентябрь 1998 г. ? 16 Мбит СГРАМ( ГДДР ) Samsung ? КМОП ? [81]
1999 КМ4132G112 32 Мбит СГРАМ (СПЗ) Samsung ? КМОП ? [104]
2002 ? 128 Мбит SRAM ( GDDR2 ) Samsung ? КМОП ? [105]
2003 ? 256 Мбит SRAM (GDDR2) Samsung ? КМОП ? [105]
SRAM ( GDDR3 )
март 2005 г. K4D553238F 256 Мбит СГРАМ(ГДДР) Samsung ? КМОП 77 мм 2 [106]
октябрь 2005 г. ? 256 Мбит SRAM ( GDDR4 ) Samsung ? КМОП ? [107]
2005 ? 512 Мбит SRAM (GDDR4) Хайникс ? КМОП ? [86]
2007 ? 1024 Мбит SRAM ( GDDR5 ) Хайникс 60 нм
2009 ? 2048 Мбит SRAM (GDDR5) Хайникс 40 нм
2010 К4В1Г1646Г 1024 Мбит SRAM (GDDR3) Samsung ? КМОП 100 мм 2 [108]
2012 ? 4096 Мбит SRAM (GDDR3) СК Хайникс ? КМОП ? [94]
2013 ? ? ХБМ
Март 2016 г. МТ58К256М32Я 8Гб SRAM ( GDDR5X ) микрон 20 нм КМОП 140 мм 2 [109]
июнь 2016 г. ? 32Гб НБМ2 Samsung 20 нм КМОП ? [110] [111]
2017 ? 64Гб НБМ2 Samsung 20 нм КМОП ? [110]
январь 2018 г. К4ЗАФ325БМ 16 Гбит SRAM ( GDDR6 ) Samsung 10 нм ФинФЕТ 225 мм 2 [112] [113] [114]

См. также

Ссылки

  1. ^ "БАРАН" . Кембриджский словарь английского языка . Проверено 11 июля 2019 г.
  2. ^ "БАРАН" . Оксфордский словарь для продвинутых учащихся . Проверено 11 июля 2019 г.
  3. ^ Галлахер, Шон (4 апреля 2013 г.). «Память, которая никогда не забывает: на рынке появляются энергонезависимые модули DIMM» . Арс Техника . Архивировано из оригинала 8 июля 2017 года.
  4. ^ «1966: Полупроводниковые ОЗУ удовлетворяют потребности в высокоскоростных запоминающих устройствах» . Музей истории компьютеров .
  5. ^ «Архивы IBM — часто задаваемые вопросы по продуктам и услугам» . IBM.com . Архивировано из оригинала 23 октября 2012 г.
  6. ^ Нэппер, Брайан, Компьютер 50: Манчестерский университет празднует рождение современного компьютера , заархивировано из оригинала 4 мая 2012 г. , получено 26 мая 2012 г.
  7. ^ Уильямс, ФК; Килберн, Т. (сентябрь 1948 г.), «Электронные цифровые компьютеры», Nature , 162 (4117): 487, Бибкод : 1948Natur.162..487W , doi : 10.1038/162487a0 , S2CID   4110351 . Перепечатано в «Происхождении цифровых компьютеров» .
  8. ^ Уильямс, ФК; Килберн, Т.; Тутилл, Г.К. (февраль 1951 г.), «Универсальные высокоскоростные цифровые компьютеры: маломасштабная экспериментальная машина» , Proc. IEE , 98 (61): 13–28, doi : 10.1049/pi-2.1951.0004 , заархивировано из оригинала 17 ноября 2013 г.
  9. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б с д и ж г час я «1970: Полупроводники конкурируют с магнитными сердечниками» . Музей истории компьютеров . Проверено 19 июня 2019 г.
  10. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б с д «1966: Полупроводниковые ОЗУ удовлетворяют потребности в высокоскоростных запоминающих устройствах» . Музей истории компьютеров . Проверено 19 июня 2019 г.
  11. ^ «1960 - Демонстрация металлооксидно-полупроводникового (МОП) транзистора» . Кремниевый двигатель . Музей истории компьютеров .
  12. ^ Твердотельное проектирование - Том. 6 . Дом Горизонт. 1965.
  13. ^ «1968: Разработана технология кремниевых затворов для микросхем» . Музей истории компьютеров . Проверено 10 августа 2019 г.
  14. ^ Патент США 3562721 , Роберт Х. Норман, «Твердотельное устройство переключения и памяти», опубликован 9 февраля 1971 г.  
  15. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б «ДРАМ» . IBM100 . ИБМ . 9 августа 2017 года . Проверено 20 сентября 2019 г.
  16. ^ Калькулятор Toscal BC-1411 . Архивировано 29 июля 2017 г. в Wayback Machine , Музей науки, Лондон .
  17. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б с «Спецификация Toshiba «TOSCAL» BC-1411» . Веб-музей старого калькулятора . Архивировано из оригинала 3 июля 2017 года . Проверено 8 мая 2018 г.
  18. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б с Настольный калькулятор Toshiba "Toscal" BC-1411. Архивировано 20 мая 2007 г. на Wayback Machine.
  19. ^ «1966: Полупроводниковые ОЗУ удовлетворяют потребности в высокоскоростных запоминающих устройствах» . Музей истории компьютеров .
  20. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б «Роберт Деннард» . Британская энциклопедия . Проверено 8 июля 2019 г.
  21. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б Лоек, Бо (2007). История полупроводниковой техники . Springer Science & Business Media . стр. 362–363. ISBN  9783540342588 . i1103 был изготовлен по 6-масковой технологии P-MOS с кремниевым затвором и минимальной толщиной 8 мкм. Полученный продукт имел толщину 2400 мкм. 2 размер ячейки памяти, размер кристалла чуть менее 10 мм 2 и продавались примерно за 21 доллар.
  22. ^ Беллис, Мэри. «Изобретение Intel 1103» . Архивировано из оригинала 14 марта 2020 г. Проверено 11 июля 2015 г.
  23. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б с «Электронный дизайн» . Электронный дизайн . 41 (15–21). Издательская компания Хайден. 1993. Первая коммерческая синхронная память DRAM, 16-Мбит KM48SL2000 от Samsung, использует однобанковую архитектуру, которая позволяет разработчикам систем легко переходить от асинхронных к синхронным системам.
  24. ^ «Технический паспорт KM48SL2000-7» . Samsung . Август 1992 года . Проверено 19 июня 2019 г.
  25. ^ «Samsung Electronics разрабатывает первую SDRAM емкостью 128 МБ с возможностью производства DDR/SDR» . Самсунг Электроникс . Samsung . 10 февраля 1999 года . Проверено 23 июня 2019 г.
  26. ^ «Samsung Electronics представляет сверхбыстрые 16-мегабайтные DDR SGRAM» . Самсунг Электроникс . Samsung . 17 сентября 1998 года . Проверено 23 июня 2019 г.
  27. ^ Сзе, Саймон М. (2002). Полупроводниковые приборы: физика и технологии (PDF) (2-е изд.). Уайли . п. 214. ИСБН  0-471-33372-7 .
  28. ^ «Теневой баран» . Архивировано из оригинала 29 октября 2006 г. Проверено 24 июля 2007 г.
  29. ^ Этот термин был придуман в «Архивная копия» (PDF) . Архивировано (PDF) из оригинала 6 апреля 2012 г. Проверено 14 декабря 2011 г. {{cite web}}: CS1 maint: архивная копия в заголовке ( ссылка ) .
  30. ^ «Платформа 2015: эволюция процессоров и платформ Intel на следующее десятилетие» (PDF) . 2 марта 2005 г. Архивировано (PDF) из оригинала 27 апреля 2011 г.
  31. ^ Агарвал, Викас; Хришикеш, М.С.; Кеклер, Стивен В.; Бургер, Дуг (10–14 июня 2000 г.). «Тактовая частота и IPC: конец пути обычных микроархитектур» (PDF) . Материалы 27-го ежегодного международного симпозиума по компьютерной архитектуре . 27-й ежегодный международный симпозиум по компьютерной архитектуре . Ванкувер, Британская Колумбия . Проверено 14 июля 2018 г.
  32. ^ Райнер Васер (2012). Наноэлектроника и информационные технологии . Джон Уайли и сыновья. п. 790. ИСБН  9783527409273 . Архивировано из оригинала 1 августа 2016 года . Проверено 31 марта 2014 г.
  33. ^ Крис Джессхоп и Колин Иган (2006). Достижения в архитектуре компьютерных систем: 11-я Азиатско-Тихоокеанская конференция, ACSAC 2006, Шанхай, Китай, 6-8 сентября 2006 г., Материалы . Спрингер. п. 109. ИСБН  9783540400561 . Архивировано из оригинала 1 августа 2016 года . Проверено 31 марта 2014 г.
  34. ^ Ахмед Амин Джеррайя и Уэйн Вольф (2005). Многопроцессорные системы на кристаллах . Морган Кауфманн. стр. 90–91. ISBN  9780123852519 . Архивировано из оригинала 1 августа 2016 года . Проверено 31 марта 2014 г.
  35. ^ Селсо К. Рибейро и Симона Л. Мартинс (2004). Экспериментальные и эффективные алгоритмы: Третий международный семинар, WEA 2004, Ангра-Дус-Рейс, Бразилия, 25-28 мая 2004 г., Труды, Том 3 . Спрингер. п. 529. ИСБН  9783540220671 . Архивировано из оригинала 1 августа 2016 года . Проверено 31 марта 2014 г.
  36. ^ «Цены на твердотельные накопители продолжают падать, теперь обновите свой жесткий диск!» . Миниинструмент . 03.09.2018 . Проверено 28 марта 2019 г.
  37. ^ Коппок, Марк (31 января 2017 г.). «Если вы покупаете или модернизируете свой компьютер, рассчитывайте заплатить больше за оперативную память» . www.digitaltrends.com . Проверено 28 марта 2019 г.
  38. ^ IBM впервые в мире микросхем памяти . Корпорация IBM. 1965 год . Проверено 19 июня 2019 г. {{cite book}}: |website= игнорируется ( помогите )
  39. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б Сах, Чи-Тан (октябрь 1988 г.). «Эволюция МОП-транзистора - от концепции до СБИС» (PDF) . Труды IEEE . 76 (10): 1280–1326 (1303). Бибкод : 1988IEEP..76.1280S . дои : 10.1109/5.16328 . ISSN   0018-9219 .
  40. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б с д и «Конец 1960-х: Начало МОП-памяти» (PDF) . Музей истории полупроводников Японии . 23 января 2019 г. Проверено 27 июня 2019 г.
  41. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б с д и ж г час «Хронологический список продуктов Intel. Продукты отсортированы по дате» (PDF) . Музей Интел . Корпорация Интел. Июль 2005 г. Архивировано из оригинала (PDF) 9 августа 2007 г. Проверено 31 июля 2007 г.
  42. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б с д «1970-е: эволюция SRAM» (PDF) . Музей истории полупроводников Японии . Проверено 27 июня 2019 г.
  43. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б Пимбли, Дж. (2012). Передовая технология КМОП-процесса . Эльзевир . п. 7. ISBN  9780323156806 .
  44. ^ «Интел Память» . Интел Винтаж . Архивировано из оригинала 19 марта 2022 г. Проверено 06 июля 2019 г.
  45. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б Каталог данных компонентов (PDF) . Интел . 1978. с. 3 . Проверено 27 июня 2019 г.
  46. ^ «Кремниевые ворота МОП 2102А» . Интел . Проверено 27 июня 2019 г.
  47. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б «1978: Быстрая CMOS SRAM с двумя лунками (Hitachi)» (PDF) . Музей истории полупроводников Японии . Проверено 5 июля 2019 г.
  48. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б с д и ж г час я дж к л «Память» . STOL (Полупроводниковые технологии онлайн) . Проверено 25 июня 2019 г.
  49. ^ Исобе, Мицуо; Учида, Юкимаса; Маэгути, Кендзи; Мотидзуки, Т.; Кимура, М.; Хатано, Х.; Мизутани, Ю.; Танго, Х. (октябрь 1981 г.). «Статическая оперативная память CMOS/SOS 4K 18 нс». Журнал IEEE твердотельных схем . 16 (5): 460–465. Бибкод : 1981IJSSC..16..460I . дои : 10.1109/JSSC.1981.1051623 . S2CID   12992820 .
  50. ^ Ёсимото, М.; Анами, К.; Синохара, Х.; Ёшихара, Т.; Такаги, Х.; Нагао, С.; Каяно, С.; Накано, Т. (1983). «Полная КМОП-ОЗУ объемом 64 КБ с разделенной структурой строк слов». 1983 Международная конференция IEEE по твердотельным схемам. Сборник технических статей . Том. XXVI. стр. 58–59. дои : 10.1109/ISSCC.1983.1156503 . S2CID   34837669 .
  51. ^ Хавеманн, Роберт Х.; Эклунд, Р.Э.; Тран, Хип В.; Хакен, РА; Скотт, Д.Б.; Фунг, ПК; Хэм, TE; Фавро, ДП; Викус, Р.Л. (декабрь 1987 г.). «Технология BiCMOS SRAM 0,8 мкм 256K». 1987 Международная встреча по электронным устройствам . стр. 841–843. дои : 10.1109/IEDM.1987.191564 . S2CID   40375699 .
  52. ^ Шахиди, Гавам Г .; Давари, Бижан ; Деннард, Роберт Х .; Андерсон, Калифорния; Чаппелл, бакалавр; и др. (декабрь 1994 г.). «КМОП 0,1 мкм на КНИ при комнатной температуре». Транзакции IEEE на электронных устройствах . 41 (12): 2405–2412. Бибкод : 1994ITED...41.2405S . дои : 10.1109/16.337456 . S2CID   108832941 .
  53. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б с «Профили японских компаний» (PDF) . Смитсоновский институт . 1996 год . Проверено 27 июня 2019 г.
  54. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б с д «История: 1990-е годы» . СК Хайникс . Архивировано из оригинала 5 февраля 2021 года . Проверено 6 июля 2019 г.
  55. ^ «Intel: 35 лет инноваций (1968–2003)» (PDF) . Интел. 2003 . Проверено 26 июня 2019 г.
  56. ^ DRAM-память Роберта Деннарда History-Computer.com
  57. ^ «Производители из Японии выходят на рынок DRAM, и плотность интеграции повышается» (PDF) . Музей истории полупроводников Японии . Проверено 27 июня 2019 г.
  58. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б с д и ж г час я дж Гелоу, Джеффри Карл (10 августа 1990 г.). «Влияние технологии обработки на конструкцию усилителя DRAM Sense» (PDF) . Массачусетский технологический институт . стр. 149–166 . Проверено 25 июня 2019 г. - через CORE .
  59. ^ «Кремниевые ворота МОП 2107А» . Интел . Проверено 27 июня 2019 г.
  60. ^ «Одна из самых успешных динамических ОЗУ 16 КБ: 4116» . Национальный музей американской истории . Смитсоновский институт . Архивировано из оригинала 31 мая 2023 г. Проверено 20 июня 2019 г.
  61. ^ Книга данных памяти и руководство для дизайнера (PDF) . Мостэк . Март 1979 г., стр. 9 и 183.
  62. ^ «Передовые технологии интегральных схем: первая динамическая оперативная память емкостью 294 912 бит (288 КБ)» . Национальный музей американской истории . Смитсоновский институт . Проверено 20 июня 2019 г.
  63. ^ «История компьютера за 1984 год» . Компьютерная надежда . Проверено 25 июня 2019 г.
  64. ^ «Японские технические рефераты» . Японские технические рефераты . 2 (3–4). Университетские микрофильмы: 161. 1987. Анонс 1M DRAM в 1984 году положил начало эпохе мегабайт.
  65. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б Робинсон, Артур Л. (11 мая 1984 г.). «Экспериментальные чипы памяти достигают 1 мегабита: по мере того, как они становятся больше, память становится все более важной частью бизнеса интегральных схем, как с технологической, так и с экономической точки зрения». Наука . 224 (4649): 590–592. дои : 10.1126/science.224.4649.590 . ISSN   0036-8075 . ПМИД   17838349 .
  66. ^ Книга данных MOS-памяти (PDF) . Техасские инструменты . 1984. стр. 4–15 . Проверено 21 июня 2019 г.
  67. ^ «Известные графические чипы: TI TMS34010 и VRAM» . Компьютерное общество IEEE . 10 января 2019 года . Проверено 29 июня 2019 г.
  68. ^ «Двухпортовый графический буфер μPD41264, 256 КБ» (PDF) . НЭК Электроникс . Проверено 21 июня 2019 г.
  69. ^ «Схема сенсорного усилителя для переключения нескольких входов при малой мощности» . Гугл Патенты . Проверено 21 июня 2019 г.
  70. ^ «Точные методы КМОП позволяют создать 1 МБ VSRAM» . Японские технические рефераты . 2 (3–4). Университетские микрофильмы: 161. 1987.
  71. ^ Ханафи, Хусейн И.; Лу, Ники СиСи; Чао, Х.Х.; Хван, Вэй; Хенкельс, штат Вашингтон; Радживакумар, ТВ; Терман, Л.М.; Франч, Роберт Л. (октябрь 1988 г.). «Высокоскоростная DRAM, 128 кбит*4, 20 нс и скорость передачи данных 330 Мбит/с». Журнал IEEE твердотельных схем . 23 (5): 1140–1149. Бибкод : 1988IJSSC..23.1140L . дои : 10.1109/4.5936 .
  72. ^ Преодолевая гигабитный барьер, DRAM в ISSCC предвещают серьезное влияние на проектирование систем. (динамическая оперативная память; Международная конференция по твердотельным схемам; исследования и разработки Hitachi Ltd. и NEC Corp.) , 9 января 1995 г.
  73. ^ Скотт, Дж. Ф. (2003). «Нано-сегнетоэлектрики» . В Цакалакосе, Томас; Овидько Илья Александрович; Васудеван, Асури К. (ред.). Наноструктуры: синтез, функциональные свойства и применение . Springer Science & Business Media . стр. 584–600 (597). ISBN  9789400710191 .
  74. ^ «Новая псевдо-SRAM емкостью 32 МБ от Toshiba — не подделка» . Инженер . 24 июня 2001 г. Архивировано из оригинала 29 июня 2019 г. Проверено 29 июня 2019 г.
  75. ^ «Исследование индустрии DRAM» (PDF) . Массачусетский технологический институт . 8 июня 2010 г. Проверено 29 июня 2019 г.
  76. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б Здесь K , M , G или T относятся к двоичным префиксам, основанным на степени 1024.
  77. ^ «Технический паспорт KM48SL2000-7» . Samsung . Август 1992 года . Проверено 19 июня 2019 г.
  78. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б «MSM5718C50/MD5764802» (PDF) . Оки Полупроводник . Февраль 1999 г. Архивировано (PDF) из оригинала 21 июня 2019 г. Проверено 21 июня 2019 г.
  79. ^ «Ультра 64 Технические характеристики». Следующее поколение . № 14. Imagine Media . Февраль 1996 г. с. 40.
  80. ^ «Прямая RDRAM» (PDF) . Рамбус . 12 марта 1998 г. Архивировано (PDF) из оригинала 21 июня 2019 г. Проверено 21 июня 2019 г.
  81. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б «Samsung Electronics представляет сверхбыстрые 16-мегабайтные DDR SGRAM» . Самсунг Электроникс . Samsung . 17 сентября 1998 года . Проверено 23 июня 2019 г.
  82. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б с «Samsung Electronics разрабатывает первую SDRAM емкостью 128 МБ с возможностью производства DDR/SDR» . Самсунг Электроникс . Samsung . 10 февраля 1999 года . Проверено 23 июня 2019 г.
  83. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б с «Samsung демонстрирует первый в мире прототип памяти DDR 3» . Физика.орг . 17 февраля 2005 г. Проверено 23 июня 2019 г.
  84. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б «История» . Самсунг Электроникс . Samsung . Проверено 19 июня 2019 г.
  85. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б «EMOTION ENGINE И ГРАФИЧЕСКИЙ СИНТЕЗАТОР, ИСПОЛЬЗУЕМЫЙ В ЯДРЕ PLAYSTATION, СТАНОВЯТСЯ ОДНИМ ЧИПОМ» (PDF) . Сони . 21 апреля 2003 г. Архивировано (PDF) из оригинала 27 февраля 2017 г. Проверено 26 июня 2019 г.
  86. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б с д и ж г «История: 2000-е» . az5miao . Проверено 4 апреля 2022 г.
  87. ^ «Samsung разрабатывает самую быструю в отрасли SRAM DDR3 для высокопроизводительных электронных данных и сетевых приложений» . Самсунг Полупроводник . Samsung . 29 января 2003 года . Проверено 25 июня 2019 г.
  88. ^ «Elpida поставляет модули DDR2 емкостью 2 ГБ» . Спрашивающий . 4 ноября 2003 г. Архивировано из оригинала 10 июля 2019 г. . Проверено 25 июня 2019 г. {{cite news}}: CS1 maint: неподходящий URL ( ссылка )
  89. ^ «Samsung представляет первую в отрасли 2-гигабитную память DDR2 SDRAM» . Самсунг Полупроводник . Samsung . 20 сентября 2004 года . Проверено 25 июня 2019 г.
  90. ^ иен за 3 года» pc.watch.impress.co.jp . Инвестиции в размере 200 миллиардов «Sony представляет полупроводниковое оборудование, совместимое с техпроцессом 65 нм Архивировано из оригинала 13 августа 2016 г.
  91. ^ Инженеры ATI через Дэйва Бауманна из Beyond 3D.
  92. ^ «Наше гордое наследие с 2000 по 2009 год» . Самсунг Полупроводник . Samsung . Проверено 25 июня 2019 г.
  93. ^ «Чипы Samsung DDR3 емкостью 2 ГБ, изготовленные по 50-нм техпроцессу, являются самыми маленькими в отрасли» . СлэшГир . 29 сентября 2008 года . Проверено 25 июня 2019 г.
  94. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б с д «История: 2010-е» . az5miao . Проверено 4 апреля 2022 г.
  95. ^ «Наше гордое наследие с 2010 года по настоящее время» . Самсунг Полупроводник . Samsung . Проверено 25 июня 2019 г.
  96. ^ «Samsung Electronics объявляет о выпуске первой в отрасли оперативной памяти LPDDR5 емкостью 8 ГБ для мобильных приложений 5G и искусственного интеллекта» . Samsung . 17 июля 2018 г. Проверено 8 июля 2019 г.
  97. ^ «Samsung представляет вместительную оперативную память DDR4 объемом 256 ГБ» . Аппаратное обеспечение Тома . 6 сентября 2018 года. Архивировано из оригинала 21 июня 2019 года . Проверено 4 апреля 2022 г.
  98. ^ Технический паспорт HM5283206 . Хитачи . 11 ноября 1994 года . Проверено 10 июля 2019 г.
  99. ^ «Hitachi HM5283206FP10 8 Мбит SGRAM» (PDF) . Смитсоновский институт . Архивировано (PDF) из оригинала 16 июля 2003 г. Проверено 10 июля 2019 г.
  100. ^ Технический паспорт μPD481850 . НЭК . 6 декабря 1994 года . Проверено 10 июля 2019 г.
  101. ^ Специальная память NEC . НЭК . Осень 1995 г. с. 359 . Проверено 21 июня 2019 г.
  102. ^ UPD4811650 Технический паспорт . НЭК . Декабрь 1997 года . Проверено 10 июля 2019 г.
  103. ^ Такеучи, Кей (1998). «16 МБИТ СИНХРОННОЙ ГРАФИЧЕСКОЙ ОЗУ: μPD4811650» . NEC Device Technology International (48) . Проверено 10 июля 2019 г.
  104. ^ «Samsung анонсирует первую в мире SGRAM с частотой 222 МГц и 32 Мбит для 3D-графики и сетевых приложений» . Самсунг Полупроводник . Samsung . 12 июля 1999 года . Проверено 10 июля 2019 г.
  105. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б «Samsung Electronics объявляет о выпуске JEDEC-совместимой памяти GDDR2 емкостью 256 МБ для 3D-графики» . Самсунг Электроникс . Samsung . 28 августа 2003 года . Проверено 26 июня 2019 г.
  106. ^ «Технический паспорт K4D553238F» . Самсунг Электроникс . Март 2005 года . Проверено 10 июля 2019 г.
  107. ^ «Samsung Electronics разрабатывает первую в отрасли сверхбыструю графическую память GDDR4» . Самсунг Полупроводник . Samsung . 26 октября 2005 года . Проверено 8 июля 2019 г.
  108. ^ «Техническое описание K4W1G1646G-BC08» (PDF) . Самсунг Электроникс . Ноябрь 2010 г. Архивировано (PDF) из оригинала 24 января 2022 г. Проверено 10 июля 2019 г.
  109. ^ Шилов Антон (29 марта 2016 г.). «Micron начинает тестировать память GDDR5X и раскрывает характеристики чипов» . АнандТех . Проверено 16 июля 2019 г.
  110. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б Шилов Антон (19 июля 2017 г.). «Samsung увеличивает объемы производства чипов HBM2 емкостью 8 ГБ из-за растущего спроса» . АнандТех . Проверено 29 июня 2019 г.
  111. ^ «ХБМ» . Самсунг Полупроводник . Samsung . Проверено 16 июля 2019 г.
  112. ^ «Samsung Electronics начинает производство первой в отрасли 16-гигабитной памяти GDDR6 для передовых графических систем» . Samsung . 18 января 2018 года . Проверено 15 июля 2019 г.
  113. ^ Киллиан, Зак (18 января 2018 г.). «Samsung запускает свои заводы для массового производства памяти GDDR6» . Технический отчет . Проверено 18 января 2018 г.
  114. ^ «Samsung начинает производство самой быстрой памяти GDDR6 в мире» . Wccftech . 18 января 2018 года . Проверено 16 июля 2019 г.

Внешние ссылки

Retrieved from "https://en.wikipedia.org/w/index.php?title=Random-access_memory&oldid=1229936257"
Arc.Ask3.Ru: конец переведенного документа.
Arc.Ask3.Ru
Номер скриншота №: dbff12b27f5eef7911a466008a74942e__1718798640
URL1:https://arc.ask3.ru/arc/aa/db/2e/dbff12b27f5eef7911a466008a74942e.html
Заголовок, (Title) документа по адресу, URL1:
Random-access memory - Wikipedia
Данный printscreen веб страницы (снимок веб страницы, скриншот веб страницы), визуально-программная копия документа расположенного по адресу URL1 и сохраненная в файл, имеет: квалифицированную, усовершенствованную (подтверждены: метки времени, валидность сертификата), открепленную ЭЦП (приложена к данному файлу), что может быть использовано для подтверждения содержания и факта существования документа в этот момент времени. Права на данный скриншот принадлежат администрации Ask3.ru, использование в качестве доказательства только с письменного разрешения правообладателя скриншота. Администрация Ask3.ru не несет ответственности за информацию размещенную на данном скриншоте. Права на прочие зарегистрированные элементы любого права, изображенные на снимках принадлежат их владельцам. Качество перевода предоставляется как есть. Любые претензии, иски не могут быть предъявлены. Если вы не согласны с любым пунктом перечисленным выше, вы не можете использовать данный сайт и информация размещенную на нем (сайте/странице), немедленно покиньте данный сайт. В случае нарушения любого пункта перечисленного выше, штраф 55! (Пятьдесят пять факториал, Денежную единицу (имеющую самостоятельную стоимость) можете выбрать самостоятельно, выплаичвается товарами в течение 7 дней с момента нарушения.)