✖


Jump to content

ГДР SDRAM

Эта статья о DDR SDRAM. Информацию о графической памяти DDR см. в разделе GDDR .
памяти компьютера и хранения данных компьютера Типы
Общий
Неустойчивый
БАРАН
Исторический
Энергонезависимый
ПЗУ
NVRAM
ранней стадии NVRAM
Аналоговая запись
Оптический
В разработке
Исторический
ГДР SDRAM
Синхронная динамическая память с произвольным доступом и двойной скоростью передачи данных
Сравнение модулей DDR для настольных ПК (DIMM)
Передняя и задняя часть модуля оперативной памяти DDR-400 объемом 1 ГБ для настольных ПК (DIMM)
Разработчик
Тип Синхронная динамическая оперативная память
Поколения
Дата выпуска
  • ГДР: 1998 г .; 26 лет назад ( 1998 )
  • ГДР2: 2003 г.
  • ДДР3: 2007 г.
  • DDR4: 2014 г.
  • DDR5: 2020 г.
Технические характеристики
Напряжение
  • ГДР: 2,5/2,6
  • ДДР2: 1,8
  • DDR3: 1,5/1,35
  • DDR4: 1,2/1,05
  • ДДР5: 1,1

Синхронная динамическая память с произвольным доступом с двойной скоростью передачи данных ( DDR SDRAM ) — это с двойной скоростью (DDR) динамической памяти с произвольным доступом передачи данных (SDRAM), класс синхронной используемый в компьютерах . DDR SDRAM, также задним числом называемая DDR1 SDRAM, была заменена DDR2 SDRAM , DDR3 SDRAM , DDR4 SDRAM и DDR5 SDRAM . Ни один из его преемников не имеет прямой или обратной совместимости DDR2, DDR3, DDR4 и DDR5 с DDR1 SDRAM, а это означает, что модули памяти оснащенных DDR1 не будут работать на материнских платах, , и наоборот.

По сравнению с SDRAM с одинарной скоростью передачи данных ( SDR DDR SDRAM ), интерфейс обеспечивает более высокую скорость передачи данных за счет более строгого контроля синхронизации электрических данных и тактовых сигналов. В реализациях часто приходится использовать такие схемы, как система фазовой автоподстройки частоты и самокалибровка, чтобы достичь требуемой точности синхронизации. [4] [5] Интерфейс использует двойную накачку (передачу данных как по нарастающему, так и по спадающему фронту тактового сигнала ) для удвоения пропускной способности шины данных без соответствующего увеличения тактовой частоты. Одним из преимуществ сохранения низкой тактовой частоты является снижение требований к целостности сигнала на плате, соединяющей память с контроллером. Название «двойная скорость передачи данных» относится к тому факту, что DDR SDRAM с определенной тактовой частотой обеспечивает почти вдвое большую пропускную способность , чем SDR SDRAM, работающая на той же тактовой частоте, из-за этой двойной накачки.

передаче данных по 64 бита При одновременной DDR SDRAM обеспечивает скорость передачи (в байтах/с) (тактовая частота шины памяти) × 2 (для двойной скорости) × 64 (количество передаваемых битов) / 8 (количество битов). /байт). Таким образом, при частоте шины 100 МГц DDR SDRAM дает максимальную скорость передачи данных 1600 МБ/с .

История [ править ]

Чип Samsung DDR SDRAM 64 Мбит

В конце 1980-х годов IBM создала DRAM с использованием функции двойной синхронизации и представила свои результаты на Международной конференции по твердотельным схемам в 1990 году. [6] [7]

Samsung продемонстрировала первый прототип памяти DDR в 1997 году. [1] и выпустила первый коммерческий чип DDR SDRAM (64   Мбит ) в июне 1998 года. [8] [2] [3] Вскоре в том же году последовала Hyundai Electronics (теперь SK Hynix ). [9] Разработка DDR началась в 1996 году, прежде чем ее спецификация была завершена JEDEC в июне 2000 года (JESD79). [10] JEDEC установил стандарты скорости передачи данных DDR SDRAM, разделенные на две части. Первая спецификация предназначена для микросхем памяти, а вторая — для модулей памяти. Первая материнская плата для ПК, использующая DDR SDRAM, была выпущена в августе 2000 года. [11]

Спецификация [ править ]

Один универсальный модуль памяти DDR
Четыре слота оперативной памяти DDR
Память Corsair DDR-400 с распределителями тепла
Физическая схема DDR
Сравнение модулей памяти для портативных/мобильных ПК ( SO-DIMM )

Модули [ править ]

Для увеличения объема памяти и пропускной способности чипы объединяются в модуль. Например, 64-битная шина данных для DIMM требует восьми 8-битных микросхем, адресуемых параллельно. Несколько микросхем с общими адресными линиями называются рангом памяти . Этот термин был введен во избежание путаницы с внутренними рядами и банками микросхем . Модуль памяти может иметь более одного ранга. Термин «стороны» также может сбить с толку, поскольку он неверно предполагает физическое размещение микросхем в модуле. Все ранги подключены к одной шине памяти (адрес + данные). Сигнал выбора чипа используется для выдачи команд определенному рангу.

Добавление модулей к единой шине памяти создает дополнительную электрическую нагрузку на ее драйверы. Чтобы смягчить возникающее в результате падение скорости передачи сигналов по шине и преодолеть узкое место в памяти , новые чипсеты используют многоканальную архитектуру.

Сравнение стандартов DDR SDRAM
Имя Чип Автобус Тайминги Напряжение
( V )
Стандартный Тип Модуль Тактовая частота
( МГц ) 		Время цикла
( нс ) [12] 		Тактовая частота
(МГц) 		Скорость перевода
(МТ/с) 		Пропускная способность
( МБ/с ) 		CL-T УЗО -
Т РП 		Задержка CAS
(нс)
ГДР-200 ПК-1600 100 10 100 200 1600 2-2-2 20 2.5±0.2
ГДР-266 ПК-2100 133 + 1 ⁄ 3 7.5 133 + 1 ⁄ 3 266.67 2133 + 1 ⁄ 3 2.5-3-3 18.75
ДДР-333 ПК-2700 166 + 2 ⁄ 3 6 166 + 2 ⁄ 3 333 + 1 ⁄ 3 2666 + 2 ⁄ 3 2.5-3-3 15
ДДР-400 А ПК-3200 200 5 200 400 3200 2.5-3-3 12.5 2.6±0.1
Б 3-3-3 15
С 3-4-4 15

Примечание. Все перечисленные выше элементы обозначены JEDEC как JESD79F. [13] Все скорости передачи данных ОЗУ, находящиеся между этими перечисленными спецификациями или превышающие их, не стандартизированы JEDEC — часто это просто оптимизация производителя с использованием более жестких допусков или перенапряжения микросхем. Размеры корпусов, в которых производится DDR SDRAM, также стандартизированы JEDEC.

Между модулями DDR SDRAM нет архитектурной разницы. Вместо этого модули предназначены для работы на разных тактовых частотах: например, модуль PC-1600 предназначен для работы на частоте 100 МГц , а PC-2100 — на частоте 133 МГц . Тактовая частота модуля определяет скорость передачи данных, с которой он гарантированно работает, поэтому он гарантированно работает на более низкой ( пониженной тактовой частоте ) и, возможно, может работать на более высокой ( разгонной ) тактовой частоте, чем те, для которых он был создан. [14]

Модули DDR SDRAM для настольных компьютеров, модули памяти с двойным расположением вывода (DIMM) , имеют 184 контакта (в отличие от 168 контактов в SDRAM или 240 контактов в DDR2 SDRAM) и могут отличаться от модулей DIMM SDRAM по количеству вырезов ( У DDR SDRAM один, у SDRAM — два). DDR SDRAM для ноутбуков, SO-DIMM , имеет 200 контактов, что соответствует количеству контактов DDR2 SO-DIMM. Эти две спецификации имеют очень похожие надрезы, и при вставке необходимо соблюдать осторожность, если вы не уверены в правильном совпадении. Большая часть DDR SDRAM работает при напряжении 2,5 В по сравнению с 3,3 В для SDRAM. Это может значительно снизить энергопотребление. Чипы и модули стандарта DDR-400/PC-3200 имеют номинальное напряжение 2,6 В.

Стандарт JEDEC № 21–C определяет три возможных рабочих напряжения для 184-контактного разъема DDR, что определяется положением шпоночного паза относительно его центральной линии. На странице 4.5.10-7 указано 2,5 В (слева), 1,8 В (в центре), TBD (справа), а на странице 4.20.5–40 указано 3,3 В для правого положения выреза. Ориентация модуля определения положения шпоночного паза: 52 контактных положения слева и 40 контактных положений справа.

Небольшое увеличение рабочего напряжения может увеличить максимальную скорость, но за счет увеличения рассеиваемой мощности и нагрева, а также с риском неисправности или повреждения.

Емкость
Количество устройств DRAM
Количество чипов кратно 8 для модулей без ECC и кратно 9 для модулей ECC. Чипы могут занимать одну сторону ( односторонний ) или обе стороны ( двусторонний ) модуля. Максимальное количество чипов на модуль DDR составляет 36 (9×4) для ECC и 32 (8x4) для не-ECC.
ECC против не-ECC
Модули, имеющие код исправления ошибок, обозначаются как ECC . Модули без кода исправления ошибок помечаются как не-ECC .
Тайминги
Задержка CAS (CL), время тактового цикла (t CK ), время цикла строки (t RC ), время цикла обновления строки (t RFC ), время активности строки (t RAS ).
Буферизация
Зарегистрированный (или буферизованный) и небуферизованный .
Упаковка
Обычно DIMM или SO-DIMM .
Потребляемая мощность
Испытание оперативной памяти DDR и DDR2 в 2005 году показало, что среднее энергопотребление составляло порядка 1–3 Вт на модуль емкостью 512 МБ; это увеличивается с тактовой частотой и при использовании, а не на холостом ходу. [15] Производитель выпустил калькуляторы для оценки мощности, используемой различными типами оперативной памяти. [16]

Характеристики модуля и чипа неразрывно связаны.

Общая емкость модуля представляет собой произведение мощности одного чипа и количества чипов. Модули ECC умножают это на 8/9 , потому что они используют 1 бит на байт (8 бит) для исправления ошибок. Таким образом, модуль любого конкретного размера можно собрать либо из 32 маленьких чипов (36 для памяти ECC), либо из 16(18) или 8(9) более крупных чипов.

Ширина шины памяти DDR на канал составляет 64 бита (72 для памяти ECC). Общая разрядность модуля — это произведение количества битов на чип и количества чипов. Оно также равно количеству рангов (строк), умноженному на ширину шины памяти DDR. Следовательно, модуль с большим количеством чипов или с использованием чипов ×8 вместо ×4 будет иметь больше рангов.

Пример: варианты зарегистрированного модуля DDR SDRAM PC2100 емкостью 1 ГБ с ECC.
Модуль
размер 		Число
чипсов 		Чип
размер 		Чип
организация 		Число
рангов
1 ГБ 36 256 0 64M×4 МБит 2
1 ГБ 18 512 0 64M×8 МБит 2
1 ГБ 18 512 128M×4 МБит 1

В этом примере сравниваются различные модули памяти реального сервера с общим размером 1 ГБ. С покупкой модулей памяти емкостью 1 ГБ определенно следует быть осторожным, поскольку все эти варианты могут продаваться по одной ценовой позиции без указания, являются ли они ×4 или ×8, одноранговыми или двухранговыми.

Существует распространенное мнение, что количество рангов модуля равно количеству сторон. Как показывают приведенные выше данные, это не так. Также можно найти 2-сторонние/1-ранговые модули. Можно даже подумать об одностороннем/двухранговом модуле памяти, имеющем 16 (18) микросхем на одной стороне по 8 штук каждый, но маловероятно, что такой модуль когда-либо производился.

Характеристики чипа [ править ]

Кристалл корпуса Samsung DDR-SDRAM 64 Мбит
Плотность оперативной памяти
Размер чипа измеряется в мегабитах . Большинство материнских плат распознают только модули емкостью 1 ГБ, если они содержат 64M×8 чипы ( низкая плотность ). Если 128M×4 ( высокая плотность используются модули ) по 1 ГБ, они, скорее всего, не будут работать. Стандарт JEDEC допускает 128M×4 только для зарегистрированных модулей, разработанных специально для серверов, но некоторые производители не соблюдают его. [17] [ нужна проверка ]
Организация
Обозначение типа 64M×4 означает, что матрица памяти имеет 64 миллиона (произведение банков x строк x столбцов ) 4-битных ячеек памяти. Существуют ×4, ×8 и ×16 чипы DDR . Чипы ×4 позволяют использовать расширенные функции исправления ошибок, такие как Chipkill , очистка памяти и Intel SDDC, в серверных средах, тогда как чипы ×8 и ×16 несколько дешевле. Чипы x8 в основном используются в настольных компьютерах/ноутбуках, но постепенно выходят на рынок серверов. Обычно имеется 4 банка, и в каждом банке может быть активна только одна строка.

передачи данных (DDR двойной скоростью Спецификация SDRAM с )

Из бюллетеня JCB-99-70 и измененных многочисленными другими бюллетенями Совета директоров, составленными с согласия комитета JC-42.3 по параметрам DRAM.

Журнал изменений Стандарта № 79:

  • Выпуск 1, июнь 2000 г.
  • Выпуск 2, май 2002 г.
  • Выпуск C, март 2003 г. – Стандарт JEDEC № 79C. [18]

«Этот комплексный стандарт определяет все необходимые аспекты DDR SDRAM от 64 МБ до 1 ГБ с интерфейсами данных X4/X8/X16, включая функции, функциональность, параметры постоянного и переменного тока, корпуса и назначения контактов. Впоследствии эта область применения будет расширена и официально применима к устройствам x32. , а также устройства с более высокой плотностью».

Организация [ править ]

PC3200 — это DDR SDRAM, предназначенная для работы на частоте 200 МГц с использованием чипов DDR-400 с пропускной способностью 3200 МБ/с. Поскольку память PC3200 передает данные как по нарастающему, так и по спадающему фронту тактовой частоты, ее эффективная тактовая частота составляет 400 МГц.

Модули PC3200 без ECC емкостью 1 ГБ обычно состоят из 16 чипов по 512 Мбит, по 8 с каждой стороны (512 Мбит × 16 чипов) / (8 бит (на байт)) = 1024 МБ. Отдельные микросхемы, составляющие модуль памяти емкостью 1 ГБ, обычно организованы как 2 26 8-битные слова, обычно выражаемые как 64M×8. Память, изготовленная таким образом, представляет собой ОЗУ низкой плотности и обычно совместима с любой материнской платой, на которой установлена ​​память PC3200 DDR-400. [19] [ нужна ссылка ]

Поколения [ править ]

На смену DDR ​​(DDR1) пришла DDR2 SDRAM , которая имела модификации для более высокой тактовой частоты и снова удвоила пропускную способность, но работала по тому же принципу, что и DDR. Конкурентом DDR2 была Rambus XDR DRAM . DDR2 доминировала из-за факторов стоимости и поддержки. DDR2, в свою очередь, была заменена DDR3 SDRAM , которая предлагала более высокую производительность при увеличении скорости шины и новых функциях. На смену DDR3 пришла DDR4 SDRAM , которая была впервые выпущена в 2011 году и чьи стандарты все еще менялись (2012 год) со значительными архитектурными изменениями.

Глубина буфера предварительной выборки DDR составляет 2 (бита), а в DDR2 — 4. Хотя эффективная тактовая частота DDR2 выше, чем у DDR, общая производительность не была выше в ранних реализациях, в первую очередь из-за высоких задержек первых модулей DDR2. DDR2 начала действовать к концу 2004 года, когда стали доступны модули с меньшими задержками. [20]

Производители памяти заявили, что массовое производство памяти DDR1 с эффективной скоростью передачи данных выше 400 МГц (т.е. 400 МТ/с и внешней тактовой частотой 200 МГц) нецелесообразно из-за внутренних ограничений скорости. DDR2 начинает работу там, где заканчивается DDR1, используя внутреннюю тактовую частоту, аналогичную DDR1, но доступна с эффективной скоростью передачи 400 МГц и выше. Усовершенствования DDR3 расширили возможности сохранения внутренней тактовой частоты, обеспечивая при этом более высокую эффективную скорость передачи данных за счет повторного удвоения глубины предварительной выборки.

DDR4 SDRAM — это высокоскоростная динамическая память с произвольным доступом, внутренне сконфигурированная как 16 банков, 4 группы банков по 4 банка в каждой группе банков для ×4/×8 и 8 банков, 2 группы банков по 4 банка в каждой группе банков для ×16 ОЗУ.DDR4 SDRAM использует архитектуру предварительной выборки 8 n для достижения высокоскоростной работы. сочетается Архитектура предварительной выборки 8n синтерфейс, предназначенный для передачи двух слов данных за такт на контакты ввода-вывода. Одна операция чтения или записи для DDR4 SDRAM состоит из одной передачи данных размером 8 n -бит в течение 4 тактовых импульсов во внутреннем ядре DRAM и 8 соответствующих в n передач данных в течение половины такта шириной -бит на входе/выходе. булавки. [21]

RDRAM была особенно дорогой альтернативой DDR SDRAM, и большинство производителей отказались от ее поддержки в своих чипсетах. Цены на память DDR1 существенно выросли по сравнению со вторым кварталом 2008 года, тогда как цены на DDR2 снизились. В январе 2009 года 1 ГБ DDR1 стоил в 2–3 раза дороже, чем 1 ГБ DDR2. [ нужна ссылка ]

Сравнение поколений DDR SDRAM
Имя Выпускать
год 		Чип Автобус Напряжение
(V) 		Булавки
Gen Стандартный Тактовая частота
(МГц) 		Время цикла
(нс) 		Предварительный
принести 		Тактовая частота
(МГц) 		Скорость перевода
( МТ/с ) 		Пропускная способность
(МБ/с) 		DIMM ТАК-
DIMM 		Микро-
DIMM
ГДР ГДР-200 1998 100 10 2н 100 200 1600 2.5 184 200 172
ГДР-266 133 7.5 133 266 2133 + 1 ⁄ 3
ДДР-333 166 + 2 ⁄ 3 6 166 + 2 ⁄ 3 333 2666 + 2 ⁄ 3
ДДР-400 200 5 200 400 3200 2.6
DDR2 DDR2-400 2003 100 10 4n 200 400 3200 1.8 240 200 214
DDR2-533 133 + 1 ⁄ 3 7.5 266 + 2 ⁄ 3 533 + 1 ⁄ 3 4266 + 2 ⁄ 3
DDR2-667 166 + 2 ⁄ 3 6 333 + 1 ⁄ 3 666 + 2 ⁄ 3 5333 + 1 ⁄ 3
DDR2-800 200 5 400 800 6400
DDR2-1066 266 + 2 ⁄ 3 3.75 533 + 1 ⁄ 3 1066 + 2 ⁄ 3 8533 + 1 ⁄ 3
DDR3 DDR3-800 2007 100 10 8н 400 800 6400 1.5/1.35 240 204 214
DDR3-1066 133 + 1 ⁄ 3 7.5 533 + 1 ⁄ 3 1066 + 2 ⁄ 3 8533 + 1 ⁄ 3
DDR3-1333 166 + 2 ⁄ 3 6 666 + 2 ⁄ 3 1333 + 1 ⁄ 3 10600 + 2 ⁄ 3
DDR3-1600 200 5 800 1600 12800
DDR3-1866 233 + 1 ⁄ 3 4.29 933 + 1 ⁄ 3 1866 + 2 ⁄ 3 14933 + 1 ⁄ 3
DDR3-2133 266 + 2 ⁄ 3 3.75 1066 + 2 ⁄ 3 2133 + 1 ⁄ 3 17066 + 2 ⁄ 3
DDR4 DDR4-1600 2014 200 5 8н 800 1600 12800 1.2/1.05 288 260 -
DDR4-1866 233 + 1 ⁄ 3 4.29 933 + 1 ⁄ 3 1866 + 2 ⁄ 3 14933 + 1 ⁄ 3
DDR4-2133 266 + 2 ⁄ 3 3.75 1066 + 2 ⁄ 3 2133 + 1 ⁄ 3 17066 + 2 ⁄ 3
DDR4-2400 300 3 + 1 ⁄ 3 1200 2400 19200
DDR4-2666 333 + 1 ⁄ 3 3 1333 + 1 ⁄ 3 2666 + 2 ⁄ 3 21333 + 1 ⁄ 3
DDR4-2933 366 + 2 ⁄ 3 2.73 1466 + 2 ⁄ 3 2933 + 1 ⁄ 3 23466 + 2 ⁄ 3
DDR4-3200 400 2.5 1600 3200 25600
DDR5 DDR5-3200 2020 200 5 16н 1600 3200 25600 1.1 288 262
DDR5-3600 225 4.44 1800 3600 28800
DDR5-4000 250 4 2000 4000 32000
DDR5-4800 300 3 + 1 ⁄ 3 2400 4800 38400
DDR5-5000 312 + 1 ⁄ 2 3.2 2500 5000 40000
DDR5-5120 320 3 + 1 ⁄ 8 2560 5120 40960
DDR5-5333 333 + 1 ⁄ 3 3 2666 + 2 ⁄ 3 5333 + 1 ⁄ 3 42666 + 2 ⁄ 3
DDR5-5600 350 2.86 2800 5600 44800
DDR5-6400 400 2.5 3200 6400 51200
DDR5-7200 450 2.22 3600 7200 57600

Мобильная DDR [ править ]

Основная статья: ЛПДДР

MDDR — это аббревиатура, которую некоторые предприятия используют для Mobile DDR SDRAM — типа памяти, используемого в некоторых портативных электронных устройствах, таких как мобильные телефоны , карманные компьютеры и цифровые аудиоплееры . Благодаря технологиям, включающим пониженное напряжение питания и расширенные возможности обновления, Mobile DDR может достичь большей энергоэффективности.

См. также [ править ]

Ссылки [ править ]

  1. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б «Обзор Samsung 30 нм Green PC3-12800 Low Profile 1,35 В DDR3» . TechPowerUp . 8 марта 2012 года . Проверено 25 июня 2019 г.
  2. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б «Samsung Electronics представляет сверхбыстрые 16-мегабайтные DDR SGRAM» . Samsung . 17 сентября 1998 года . Проверено 23 июня 2019 г.
  3. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б «Samsung демонстрирует первый в мире прототип памяти DDR 3» . Физика.орг . 17 февраля 2005 г. Проверено 23 июня 2019 г.
  4. ^ Техническое описание Northwest Logic DDR Phy. Архивировано 21 августа 2008 г. на Wayback Machine.
  5. ^ «Сбор данных интерфейсов памяти с использованием метода прямой синхронизации (заметки по применению Xilinx)» (PDF) . xilinx.com .
  6. ^ Джейкоб, Б.; Нг, ЮЗ; Ван, DT (2008). Системы памяти: кэш, DRAM, диск . Морган Кауфманн. п. 333. ИСБН  9780080553849 .
  7. ^ Кальтер, Х.Л.; Стаппер, CH; Барт, Дж. Э.; Дилоренцо, Дж.; Дрейк, CE; Файфилд, Дж.А.; Келли, Джорджия; Льюис, Южная Каролина; ван дер Хувен, Всемирный банк; Янкоски, Дж. А. (1990). «DRAM 50 нс, 16 МБ, скорость передачи данных 10 нс и встроенный ECC». Журнал IEEE твердотельных схем . 25 (5): 1118. Бибкод : 1990IJSSC..25.1118K . дои : 10.1109/4.62132 .
  8. ^ «Samsung Electronics разрабатывает первую SDRAM емкостью 128 МБ с возможностью производства DDR/SDR» . Samsung . 10 февраля 1999 года . Проверено 23 июня 2019 г.
  9. ^ «История: 1990-е годы» . СК Хайникс . Архивировано из оригинала 5 февраля 2021 года . Проверено 6 июля 2019 г.
  10. ^ «Отношения любви и ненависти к контроллерам DDR SDRAM» .
  11. ^ «Я представлю первую материнскую плату DDR» . PCStats.com . Архивировано из оригинала 07.11.2016 . Проверено 9 сентября 2019 г.
  12. ^ Время цикла обратно пропорционально тактовой частоте шины ввода-вывода; например, 1/(100 МГц) = 10 нс за такт.
  13. ^ «СТАНДАРТ ДВОЙНОЙ СКОРОСТИ ДАННЫХ (DDR) SDRAM — JEDEC» . www.jedec.org .
  14. ^ «В чем разница между PC-2100 (DDR-266), PC-2700 (DDR-333) и PC-3200 (DDR-400)?» . Микронная технология. Архивировано из оригинала 3 декабря 2013 г. Проверено 1 июня 2009 г.
  15. ^ Майк Чин: Распределение мощности на шести компьютерах .
  16. ^ Micron: Калькуляторы мощности системы , заархивировано 26 января 2016 г. на Wayback Machine.
  17. ^ «Модули памяти с низкой плотностью и с высокой плотностью» . ебэй . Архивировано из оригинала 3 марта 2012 г. Проверено 21 января 2009 г.
  18. ^ http://www.jedec.org/download/search/JESD79F.pdf СПЕЦИФИКАЦИЯ SDRAM ДВОЙНОЙ СКОРОСТИ ПЕРЕДАЧИ ДАННЫХ (DDR) (Выпуск F)
  19. ^ «Побайтовый доступ к оперативной памяти» . Супер пользователь . Проверено 21 октября 2018 г.
  20. ^ DDR2 против DDR: Revenge Gained. Архивировано 21 ноября 2006 г. на Wayback Machine.
  21. ^ «Стандарт DDR4 SDRAM JESD79-4B» .

Внешние ссылки [ править ]

Retrieved from "https://en.wikipedia.org/w/index.php?title=DDR_SDRAM&oldid=1188972038"
Arc.Ask3.Ru: конец переведенного документа.
Arc.Ask3.Ru
Номер скриншота №: 3b3e41ac188831f402f8cc1c7196917c__1702061160
URL1:https://arc.ask3.ru/arc/aa/3b/7c/3b3e41ac188831f402f8cc1c7196917c.html
Заголовок, (Title) документа по адресу, URL1:
DDR SDRAM - Wikipedia
Данный printscreen веб страницы (снимок веб страницы, скриншот веб страницы), визуально-программная копия документа расположенного по адресу URL1 и сохраненная в файл, имеет: квалифицированную, усовершенствованную (подтверждены: метки времени, валидность сертификата), открепленную ЭЦП (приложена к данному файлу), что может быть использовано для подтверждения содержания и факта существования документа в этот момент времени. Права на данный скриншот принадлежат администрации Ask3.ru, использование в качестве доказательства только с письменного разрешения правообладателя скриншота. Администрация Ask3.ru не несет ответственности за информацию размещенную на данном скриншоте. Права на прочие зарегистрированные элементы любого права, изображенные на снимках принадлежат их владельцам. Качество перевода предоставляется как есть. Любые претензии, иски не могут быть предъявлены. Если вы не согласны с любым пунктом перечисленным выше, вы не можете использовать данный сайт и информация размещенную на нем (сайте/странице), немедленно покиньте данный сайт. В случае нарушения любого пункта перечисленного выше, штраф 55! (Пятьдесят пять факториал, Денежную единицу (имеющую самостоятельную стоимость) можете выбрать самостоятельно, выплаичвается товарами в течение 7 дней с момента нарушения.)