✖


Jump to content

ЭСППЗУ

Не путать с СППЗУ .
памяти компьютера и хранения данных компьютера Типы
Общий
Неустойчивый
БАРАН
Исторический
Энергонезависимый
ПЗУ
НВОЗУ
ранней стадии NVRAM
Аналоговая запись
Оптический
В разработке
Исторический
Поперечное сечение устаревшей структуры EPROM .
Верхний изолятор: ОНО
Нижний изолятор: туннельный   оксид
STMicro M24C02 I²C серийный тип EEPROM
Atmel AT93C46A Кристалл
AT90USB162 Микроконтроллер имеет 512-байтовую EEPROM.

ЭСППЗУ или Е 2 ППЗУ ( электрически стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство ) — это тип энергонезависимой памяти . Он используется в компьютерах, обычно интегрированных в микроконтроллеры , такие как смарт-карты и удаленные системы без ключа , или в качестве отдельного микросхемного устройства для хранения относительно небольших объемов данных, позволяя стирать и перепрограммировать отдельные байты.

EEPROM организованы как массивы транзисторов с плавающим затвором . EEPROM можно программировать и стирать внутри схемы, применяя специальные сигналы программирования. Первоначально EEPROM были ограничены однобайтовыми операциями, что делало их медленнее, но современные EEPROM позволяют выполнять многобайтовые страничные операции. EEPROM имеет ограниченный срок службы для стирания и перепрограммирования, в современных EEPROM он достигает миллиона операций. В EEPROM, который часто перепрограммируется, срок службы EEPROM является важным фактором при проектировании.

Флэш-память — это тип EEPROM, рассчитанный на высокую скорость и высокую плотность за счет больших блоков стирания (обычно 512 байт или больше) и ограниченного количества циклов записи (часто 10 000). Четкой границы, разделяющей эти два понятия, не существует, но термин «EEPROM» обычно используется для описания энергонезависимой памяти с небольшими блоками стирания (всего один байт) и длительным сроком службы (обычно 1 000 000 циклов). Многие прошлые микроконтроллеры включали в себя и то, и другое (флэш-память для прошивки и небольшую EEPROM для параметров), хотя в современных микроконтроллерах наблюдается тенденция эмуляции EEPROM с использованием флэш-памяти.

По состоянию на 2020 год флэш-память стоит намного меньше, чем байтово-программируемая EEPROM, и является доминирующим типом памяти везде, где системе требуется значительный объем энергонезависимой твердотельной памяти . Однако EEPROM по-прежнему используются в приложениях, которым требуется лишь небольшой объем памяти, например, при обнаружении последовательного присутствия . [1] [2]

История [ править ]

Механизм зарядки современной -памяти типа NOR флэш ячейки . Å = 10 -10 м .
Механизм разрядки современной -памяти типа NOR флэш ячейки

В начале 1970-х годов некоторые исследования, изобретения и разработки электрически перепрограммируемой энергонезависимой памяти различные компании и организации провели .В 1971 году самый ранний исследовательский отчет был представлен на 3-й конференции по твердотельным устройствам , в Токио Япония, Ясуо Таруи, Ютакой Хаяси и Киёко Нагаи в Электротехнической лаборатории ; японский национальный исследовательский институт. [3] Они изготовили устройство EEPROM в 1972 году. [4] и продолжал это исследование более 10 лет. [5] Эти статьи неоднократно цитировались в более поздних статьях и патентах. [6] [7]

Одно из их исследований включает технологию MONOS ( металл - оксид - нитрид -оксид- полупроводник ), [8] который использовал Renesas Electronics, интегрированную флэш-память в однокристальные микроконтроллеры . [9] [10] [11]

, изобрел разновидность электрически перепрограммируемой энергонезависимой памяти В 1972 году Фудзио Масуока из Toshiba, известный также как изобретатель флэш-памяти . [12] Большинство крупных производителей полупроводников, таких как Тошиба , [12] [6] Sanyo (позже ON Semiconductor ), [13] ИБМ , [14] Интел , [15] [16] NEC (позже Renesas Electronics ), [17] Philips (позже NXP Semiconductors ), [18] Siemens (позже Infineon Technologies ), [19] Honeywell (позже Atmel ), [20] Техасские инструменты , [21] изучал, изобрел и произвел несколько электрически перепрограммируемых энергонезависимых устройств до 1977 года.

Теоретической основой этих устройств является лавинная инжекция горячих носителей . Но в целом программируемые запоминающие устройства, включая EPROM, начала 1970-х годов имели проблемы с надежностью и долговечностью, такие как периоды хранения данных и количество циклов стирания/записи. [22]

В 1975 году NEC подразделение по производству полупроводников , позже NEC Electronics, в настоящее время Renesas Electronics , подало товарного знака название EEPROM® в Патентное ведомство Японии . [23] [24] В 1978 году это право на товарный знак было предоставлено и зарегистрировано под номером 1 342 184 в Японии и действует по состоянию на март 2018 года.

В феврале 1977 года Элияху Харари из Hughes Aircraft Company изобрел новую технологию EEPROM, использующую туннелирование Фаулера-Нордхайма через тонкий слой диоксида кремния между плавающим затвором и пластиной .Хьюз продолжил производство новых устройств EEPROM. [25] Однако этот патент [26] упомянул вклад IBM в технологию EEPROM и изобретение NEC EEPROM®. [27] [17]

опубликовали важные результаты исследований В мае 1977 года компании Fairchild и Siemens . Они использовали структуру SONOS ( полисиликон - оксинитрид - нитрид - оксид - кремний ) с толщиной диоксида кремния менее 30 Å и структуру SIMOS с многоуровневой инжекцией ( МОП ) соответственно для использования туннельной инъекции горячих носителей Фаулера-Нордхайма . [28] [29]

Примерно в 1976–1978 годах команда Intel, включая Джорджа Перлегоса , сделала несколько изобретений для улучшения этого туннелирования. 2 Технология ПРОМ. [30] [31] В 1978 году они разработали 16К (2К слов × 8) бит чип Intel 2816 с тонким слоем диоксида кремния , толщина которого составляла менее 200 Å . [32] В 1980 году эта структура была публично представлена ​​как FLOTOX ; с плавающими воротами туннельный оксид . [33] Структура FLOTOX повысила надежность циклов стирания/записи на байт до 10 000 раз. [34] Но этому устройству требовалось дополнительное ПП 20–22 В для стирания байта, за исключением операций чтения 5 В. напряжение смещения [35] : 5–86  В 1981 году Перлегос и еще двое участников покинули Intel и основали компанию Seeq Technology . [36] в котором использовались встроенные в устройство зарядные насосы для подачи высокого напряжения, необходимого для программирования E. 2 ПРОМЫ.В 1984 году Perlogos покинул Seeq Technology и основал Atmel , затем компания Seeq Technology была приобретена Atmel. [37] [38]

Электрически изменяемое постоянное запоминающее устройство (EAROM) — это тип EEPROM, который можно модифицировать по одному или нескольким битам за раз. [39] Запись — очень медленный процесс, и для него также требуется более высокое напряжение (обычно около 12 В ), чем для чтения. EAROM предназначены для приложений, требующих нечастой и лишь частичной перезаписи.

Теоретические основы структуры ФЛОТОКС [ править ]

Как описано в предыдущем разделе, старые EEPROM основаны на лавинного пробоя тока на основе инжекции горячих носителей с высоким напряжением обратного пробоя . Но FLOTOX теоретической основой является туннельная инжекция горячего носителя Фаулера-Нордхайма через тонкий слой диоксида кремния между плавающим затвором и пластиной. Другими словами, он использует туннельный переход . [40]

Теоретическая основа самого физического явления такая же, как и у современной флэш-памяти . Но каждая структура FLOTOX связана с другим транзистором управления чтением, поскольку сам плавающий затвор просто программирует и стирает один бит данных. [41]

Структура устройства Intel FLOTOX улучшила надежность EEPROM, другими словами, продолжительность циклов записи и стирания, а также период хранения данных. материал исследования единичного эффекта ФЛОТОКСа. Доступен [42]

Сегодня подробное научное объяснение устройства устройства ФЛОТОКС можно найти в различных материалах. [43] [44] [45]

Сегодняшняя структура EEPROM [ править ]

В настоящее время EEPROM используется для встроенных микроконтроллеров , а также для стандартных продуктов EEPROM.EEPROM по-прежнему требует структуры с двумя транзисторами на бит для стирания выделенного байта в памяти, тогда как флэш-память имеет 1 транзистор на бит для стирания области памяти. [46]

Средства безопасности [ править ]

Внутри SIM-карты

Поскольку технология EEPROM используется для некоторых устройств безопасности, таких как кредитные карты, SIM-карты, вход без ключа и т. д., некоторые устройства имеют механизмы защиты, такие как защита от копирования. [46] [47]

Электрический интерфейс [ править ]

Устройства EEPROM используют последовательный или параллельный интерфейс для ввода/вывода данных.

Устройства последовательной шины [ править ]

Распространенными последовательными интерфейсами являются SPI , I²C , Microwire , UNI/O и 1-Wire . Они используют от 1 до 4 контактов устройства и позволяют устройствам использовать корпуса с 8 контактами или меньше.

Типичный последовательный протокол EEPROM состоит из трех фаз: фазы OP-кода , фазы адреса и фазы данных. OP-код обычно представляет собой первые 8 бит, вводимые на последовательный входной контакт устройства EEPROM (или в большинстве устройств I²C он неявный); за которыми следуют от 8 до 24 бит адресации, в зависимости от глубины устройства, затем данные чтения или записи.

Каждое устройство EEPROM обычно имеет свой собственный набор инструкций OP-кода, сопоставленных с различными функциями. Общие операции с устройствами SPI EEPROM:

  • Разрешение записи (WRENAL)
  • Запрет записи (WRDI)
  • Чтение регистра состояния (RDSR)
  • Регистр состояния записи (WRSR)
  • Чтение данных (ЧТЕНИЕ)
  • Запись данных (WRITE)

Другие операции, поддерживаемые некоторыми устройствами EEPROM:

  • Программа
  • Удаление сектора
  • Команды стирания чипа

Устройства параллельной шины [ править ]

Параллельные устройства EEPROM обычно имеют 8-битную шину данных и адресную шину, достаточную для покрытия всей памяти. Большинство устройств имеют контакты выбора чипа и защиты от записи. Некоторые микроконтроллеры также имеют встроенную параллельную EEPROM.

Работа с параллельной EEPROM проще и быстрее по сравнению с последовательной EEPROM, но эти устройства больше по размеру из-за большего количества контактов (28 контактов или более), и их популярность снижается в пользу последовательной EEPROM или флэш-памяти.

Другие устройства [ править ]

Память EEPROM используется для реализации функций других типов продуктов, которые не являются строго памятью. Такие продукты, как часы реального времени , цифровые потенциометры , цифровые датчики температуры и другие, могут иметь небольшой объем EEPROM для хранения информации о калибровке или других данных, которые должны быть доступны в случае отключения питания.Он также использовался в картриджах для видеоигр для сохранения хода игры и конфигураций до использования внешней и внутренней флэш-памяти.

Режимы отказа [ править ]

Есть два ограничения хранимой информации: долговечность и сохранение данных.

Во время перезаписи оксид затвора транзисторов с плавающим затвором постепенно накапливает захваченные электроны. Электрическое поле захваченных электронов добавляется к электронам в плавающем затворе, уменьшая окно между пороговыми напряжениями для нулей и единиц. После достаточного количества циклов перезаписи разница становится слишком маленькой, чтобы ее можно было распознать, ячейка застревает в запрограммированном состоянии, и происходит отказ выносливости. Производители обычно указывают максимальное количество перезаписей — 1 миллион и более. [48]

Во время хранения электроны, инжектированные в плавающий затвор, могут дрейфовать через изолятор, особенно при повышенной температуре, и вызывать потерю заряда, возвращая ячейку в стертое состояние. Производители обычно гарантируют сохранение данных в течение 10 и более лет. [49]

Родственные типы [ править ]

Флэш-память — это более поздняя форма EEPROM. В отрасли принято использовать термин EEPROM для обозначения побайтовой стираемой памяти, а не блочной стираемой флэш-памяти. EEPROM занимает большую площадь кристалла, чем флэш-память той же емкости, поскольку каждая ячейка обычно нуждается в транзисторе чтения, записи и стирания , в то время как схемы стирания флэш-памяти используются совместно большими блоками ячеек (часто 512×8).

Новые технологии энергонезависимой памяти, такие как FeRAM и MRAM, постепенно заменяют EEPROM в некоторых приложениях, но, как ожидается, в обозримом будущем они останутся небольшой частью рынка EEPROM.

Сравнение с EPROM и EEPROM/flash [ править ]

Разница между EPROM и EEPROM заключается в способе программирования и стирания памяти. EEPROM можно запрограммировать и стереть электрически с использованием автоэлектронной эмиссии (более известной в отрасли как «туннелирование Фаулера – Нордхейма»).

СППЗУ нельзя стереть электрическим способом, и они программируются путем введения горячего носителя в плавающий затвор. Стирание осуществляется с помощью источника ультрафиолетового света, хотя на практике многие СППЗУ заключены в пластик, непроницаемый для ультрафиолетового света, что делает их «одноразовыми программируемыми».

Большая часть флэш-памяти NOR представляет собой гибридный стиль: программирование осуществляется посредством введения горячих носителей , а стирание осуществляется посредством туннелирования Фаулера-Нордхайма .

Тип Ввести электроны в затвор
(в основном интерпретируется как бит=0) 		Продолжительность Удалить электроны из затвора
(в основном интерпретируется как бит=1) 		Продолжительность/режим
ЭСППЗУ полевая электронная эмиссия 0,1—5 мс, побайтно полевая электронная эмиссия 0,1—5 мс, поблочно
Флэш-память NOR инжекция горячих носителей 0,01—1 мс полевая электронная эмиссия 0,01—1 мс, поблочно
СППЗУ инжекция горячих носителей 3–50 мс, побайтно УФ-свет 5-30 минут, весь чип

См. также [ править ]

Ссылки [ править ]

  1. ^ «TN-04-42: Обнаружение последовательного присутствия модуля памяти» (PDF) . Микронная технология. 2002.
  2. ^ «Обнаружение последовательного присутствия (SPD)» . ТехТаржет . Июль 2015.
  3. ^ Таруи, Ясуо; Хаяси, Ютака; Нагай, Киёко (1 сентября 1971 г.). «Предложение электрически перепрограммируемой энергонезависимой полупроводниковой памяти». Материалы 3-й конференции по твердотельным устройствам, Токио . Японское общество прикладной физики: 155–162.
  4. ^ Таруи, Ю.; Хаяши, Ю.; Нагай, К. (1972). «Электрически перепрограммируемая энергонезависимая полупроводниковая память». Журнал IEEE твердотельных схем . 7 (5): 369–375. Бибкод : 1972IJSSC...7..369T . дои : 10.1109/JSSC.1972.1052895 . ISSN   0018-9200 .
  5. ^ Таруи, Ясуо; Нагай, Киёко; Хаяси, Ютака (19 июля 1974 г.). «Энергонезависимая полупроводниковая память» (PDF) . Ойо Бутури . 43 (10): 990–1002. дои : 10.11470/oubutsu1932.43.990 . ISSN   2188-2290 . Архивировано (PDF) из оригинала 12 марта 2018 г.
  6. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б Иидзука, Х.; Масуока, Ф.; Сато, Тай; Исикава, М. (1976). «Электрически изменяемая МОП-память лавинного типа, доступная только для чтения, со структурой многоуровневых затворов». Транзакции IEEE на электронных устройствах . 23 (4): 379–387. Бибкод : 1976ITED...23..379I . дои : 10.1109/T-ED.1976.18415 . ISSN   0018-9383 . S2CID   30491074 .
  7. ^ Росслер, Б. (1977). «Электрически стираемая и перепрограммируемая постоянная память с использованием n-канальной однотранзисторной ячейки SIMOS». Транзакции IEEE на электронных устройствах . 24 (5): 606–610. Бибкод : 1977ITED...24..606R . дои : 10.1109/T-ED.1977.18788 . ISSN   0018-9383 . S2CID   33203267 .
  8. ^ Сузуки, Э.; Хираиси, Х.; Исии, К.; Хаяши, Ю. (1983). «Низковольтная перестраиваемая EEPROM со структурами металл-оксид-нитрид-оксид-полупроводник (МОНОС)». Транзакции IEEE на электронных устройствах . 30 (2): 122–128. Бибкод : 1983ITED...30..122S . дои : 10.1109/T-ED.1983.21085 . ISSN   0018-9383 . S2CID   31589165 .
  9. ^ XTECH, НИККЕЙ. «Renesas встраивает 40-нм флэш-память в чип» . НИККЕЙ ХТЕК . Архивировано из оригинала 13 марта 2018 г.
  10. ^ «Renesas Electronics разрабатывает однотранзисторную технологию флэш-памяти MONOS по техпроцессу 90 нм для ускорения интеллектуального управления автомобильными системами управления» . Деловой провод . 03.01.2016. Архивировано из оригинала 13 марта 2018 г.
  11. ^ Тайто, Ю.; Коно, Т.; Накано, М.; Сайто, Т.; Ито, Т.; Ногучи, К.; Хидака, Х.; Ямаути, Т. (2015). «Встроенный флэш-макрос Split-Gate MONOS (SG-MONOS) по технологии 28 нм для автомобильной промышленности, обеспечивающий пропускную способность чтения 6,4 ГБ/с при операции чтения без ожидания на частоте 200 МГц и пропускную способность записи 2,0 МБ/с при Tj 170 ° C». Журнал IEEE твердотельных схем . 51 (1): 213–221. Бибкод : 2016IJSSC..51..213. . дои : 10.1109/JSSC.2015.2467186 . ISSN   0018-9200 . S2CID   23597256 .
  12. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б Масуока, Фудзио (31 августа 1972 г.). «Мос-память типа лавинного впрыска» . {{cite journal}}: Для цитирования журнала требуется |journal= ( помощь )
  13. ^ Рай, Ясуки; Сасами, Терутоши; Хасэгава, Юдзуру; Окадзоэ, Масару (18 мая 1973 г.). «Электрически перепрограммируемое энергонезависимое полупроводниковое запоминающее устройство с плавающим затвором и способ его работы» . Архивировано из оригинала 3 мая 2018 г. {{cite journal}}: Для цитирования журнала требуется |journal= ( помощь )
  14. ^ Аббас, Шакир А.; Бариле, Конрад А.; Лейн, Ральф Д.; Лю., Питер Т. (16 марта 1973 г.). «US3836992A; Электрически стираемая ячейка памяти с плавающим затвором» . pdfpiw.uspto.gov . Ведомство США по патентам и товарным знакам. Архивировано из оригинала 9 марта 2018 г.
  15. ^ Фроман, Бенчковски Д. (19 октября 1973 г.). «Электрически изменяемые плавающие затворы и способ их изменения» . {{cite journal}}: Для цитирования журнала требуется |journal= ( помощь )
  16. ^ Чжоу, Сунлинь (26 февраля 1973 г.). «Устройство стираемых плавающих ворот» . {{cite journal}}: Для цитирования журнала требуется |journal= ( помощь )
  17. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б Ойя, Шуичи; Кикучи, Масанори (27 декабря 1974 г.). «Энергонезависимое полупроводниковое запоминающее устройство» . {{cite journal}}: Для цитирования журнала требуется |journal= ( помощь )
  18. ^ Верви, Дж. Ф.; Крамер, Р.П. (1974). «Atmos — электрически перепрограммируемое постоянное запоминающее устройство». Транзакции IEEE на электронных устройствах . 21 (10): 631–636. Бибкод : 1974ITED...21..631V . дои : 10.1109/T-ED.1974.17981 . ISSN   0018-9383 .
  19. ^ Б., Росслер; Р.Г., Мюллер (1975). «Стираемая и электрически перепрограммируемая постоянная память с использованием N-канальной однотранзисторной ячейки SIMOS». Siemens Forschungs und Entwicklungsberichte . 4 (6): 345–351. Бибкод : 1975SiFoE...4..345R .
  20. ^ Джек, С; Хуанг, Т. (8 сентября 1975 г.). «Полупроводниковая ячейка памяти» . {{cite journal}}: Для цитирования журнала требуется |journal= ( помощь )
  21. ^ Госни, WM (1977). «DIFMOS — технология электрически стираемой энергонезависимой полупроводниковой памяти с плавающим затвором». Транзакции IEEE на электронных устройствах . 24 (5): 594–599. Бибкод : 1977ITED...24..594G . дои : 10.1109/T-ED.1977.18786 . ISSN   0018-9383 . S2CID   45636024 .
  22. ^ Московиц, Сэнфорд Л. (2016). «reliability%20problems»+EPROM+1970s&pg=PA187 Инновации в области передовых материалов: управление глобальными технологиями в 21 веке . Джон Уайли и сыновья. ISBN  9781118986097 .
  23. ^ «ЭСППРОМ» . ТМВью . Архивировано из оригинала 10 марта 2018 г.
  24. ^ «Рег. № 1342184 – АКТУАЛЬНО – РЕГИСТРАЦИЯ – Выдан и активен» .
  25. ^ "1027459330501acc.pdf" (PDF) . Архивировано (PDF) из оригинала 7 февраля 2015 г. Проверено 5 февраля 2015 г.
  26. ^ Харари, Элияху (22 февраля 1977 г.). «Электрически стираемая энергонезависимая полупроводниковая память» . Архивировано из оригинала 3 мая 2018 года. {{cite journal}}: Для цитирования журнала требуется |journal= ( помощь )
  27. ^ Августа, Бенджамин (30 мая 1972 г.). «Способ формирования самовыравнивающегося полевого транзистора и устройства с зарядовой связью» . Архивировано из оригинала 3 мая 2018 года. {{cite journal}}: Для цитирования журнала требуется |journal= ( помощь )
  28. ^ Чен, PCY (май 1977 г.). «МОП-устройства Si-gate с изменяемым порогом». Транзакции IEEE на электронных устройствах . 24 (5): 584–586. Бибкод : 1977ITED...24..584C . дои : 10.1109/T-ED.1977.18783 . ISSN   0018-9383 . S2CID   25586393 .
  29. ^ Росслер, Б. (май 1977 г.). «Электрически стираемая и перепрограммируемая постоянная память с использованием n-канальной однотранзисторной ячейки SIMOS». Транзакции IEEE на электронных устройствах . 24 (5): 606–610. Бибкод : 1977ITED...24..606R . дои : 10.1109/T-ED.1977.18788 . ISSN   0018-9383 . S2CID   33203267 .
  30. ^ Симко, Ричард Т. (17 марта 1977 г.). «Электрически программируемая и электрически стираемая ячейка памяти МОП» .
  31. ^ Фроман-Бенчковски, Дов; Мар, Джерри; Перлегос, Джордж; Джонсон, Уильям С. (15 декабря 1978 г.). «Электрически программируемое и стираемое МОП-устройство памяти с плавающим затвором, использующее туннелирование и способ его изготовления» .
  32. ^ Даммер, GWA (2013). Электронные изобретения и открытия: электроника от зарождения до наших дней . Эльзевир. ISBN  9781483145211 .
  33. ^ Джонсон, В.; Перлегос, Г.; Реннингер, А.; Кун, Г.; Ранганатх, Т. (1980). «Электрически стираемая энергонезависимая память емкостью 16 КБ». 1980 Международная конференция IEEE по твердотельным схемам. Сборник технических статей . Том. XXIII. стр. 152–153. дои : 10.1109/ISSCC.1980.1156030 . S2CID   44313709 .
  34. ^ Юзент, Б.; Борута, Н.; Ли, Дж.; Дженк, К. (1981). «Аспекты надежности плавающих ворот Е2 ПРОМ». 19-й Международный симпозиум по физике надежности : 11–16. дои : 10.1109/ИРПС.1981.362965 . S2CID   41116025 . Intel 2816 использует структуру FLOTOX, которая подробно обсуждается в литературе. По сути, здесь используется оксид толщиной менее 200 А между плавающим затвором из поликремния и областью N+, как показано на рисунке 1.
  35. ^ 2816A-2 Техническое описание в формате PDF — Корпорация Intel — Datasheets360.com . Интел. Октябрь 1983 года.
  36. ^ «Seeq Technology» AntiqueTech» . Архивировано из оригинала 2 октября 2014 г.
  37. ^ Росткий, Георгий (2 июля 2002 г.). «Вспоминая рыцарей ПРОМА Intel» . ЭЭ Таймс . Архивировано из оригинала 29 сентября 2007 года . Проверено 8 февраля 2007 г.
  38. ^ Техническое описание Atmel AT28C16 (PDF) (изд. 0540B). Октябрь 1998 г. Архивировано (PDF) из оригинала 29 августа 2017 г.
  39. ^ Чиарсия, Стив (1981). Подвал Циарсии . Цепь подвала. ISBN  978-0-07-010963-6 .
  40. ^ Гутманн, Питер (15 августа 2001 г.). «Остаточная намагниченность данных в полупроводниковых устройствах» . 10-й СИМПОЗИУМ USENIX ПО БЕЗОПАСНОСТИ . Исследовательский центр IBM TJ Watson: 39–54. Архивировано из оригинала 12 октября 2016 г.
  41. ^ Джанвадкар, Судханшу (24 октября 2017 г.). «Изготовление плавающих затворов МОП (FLOTOX)» . www.slideshare.net .
  42. ^ Кога, Р.; Тран, В.; Джордж, Дж.; Кроуфорд, К.; Крейн, С.; Закшевский, М.; Ю, П. «Чувствительность SEE выбранных расширенных флэш-памяти и памяти в порядке очереди» (PDF) . Аэрокосмическая корпорация. Архивировано (PDF) из оригинала 14 марта 2018 г.
  43. ^ Фуллер, доктор Линн (22 февраля 2012 г.). Варианты процесса КМОП Технология изготовления EEPROM . Микроэлектронная инженерия, Рочестерский технологический институт.
  44. ^ Грозенекен, Г.; Мэйс, HE; ВанХаудт, Дж.; Уиттерс, Дж. С. Основы энергонезависимых полупроводниковых устройств памяти . CiteSeerX   10.1.1.111.9431 .
  45. ^ Бержемон, Альберт; Чи, Мин-Хва (5 мая 1997 г.). «Патент США 5856222: Способ изготовления ячейки EEPROM высокой плотности» . патенты.google.com . Национальная корпорация полупроводников.
  46. ↑ Перейти обратно: Перейти обратно: а б Скоробогатов, Сергей (2017). «Как микрозондирование может атаковать зашифрованную память» (PDF) . Конференция Euromicro 2017 по проектированию цифровых систем (DSD) . Конференция Euromicro 2017 по проектированию цифровых систем (DSD). Вена. стр. 244–251. дои : 10.1109/DSD.2017.69 . ISBN  978-1-5386-2146-2 .
  47. ^ «Взлом защиты от копирования в микроконтроллерах» . www.cl.cam.ac.uk. ​ Архивировано из оригинала 22 октября 2017 г.
  48. ^ «Часто задаваемые вопросы – ROHM Semiconductor» . Архивировано из оригинала 19 февраля 2011 г.
  49. ^ Системная интеграция - от проектирования транзисторов до крупномасштабных интегральных схем

Внешние ссылки [ править ]

Retrieved from "https://en.wikipedia.org/w/index.php?title=EEPROM&oldid=1208805871"
Arc.Ask3.Ru: конец переведенного документа.
Arc.Ask3.Ru
Номер скриншота №: 02d9d67fd66aeeeb9c39f25dd9fd19b1__1708292940
URL1:https://arc.ask3.ru/arc/aa/02/b1/02d9d67fd66aeeeb9c39f25dd9fd19b1.html
Заголовок, (Title) документа по адресу, URL1:
EEPROM - Wikipedia
Данный printscreen веб страницы (снимок веб страницы, скриншот веб страницы), визуально-программная копия документа расположенного по адресу URL1 и сохраненная в файл, имеет: квалифицированную, усовершенствованную (подтверждены: метки времени, валидность сертификата), открепленную ЭЦП (приложена к данному файлу), что может быть использовано для подтверждения содержания и факта существования документа в этот момент времени. Права на данный скриншот принадлежат администрации Ask3.ru, использование в качестве доказательства только с письменного разрешения правообладателя скриншота. Администрация Ask3.ru не несет ответственности за информацию размещенную на данном скриншоте. Права на прочие зарегистрированные элементы любого права, изображенные на снимках принадлежат их владельцам. Качество перевода предоставляется как есть. Любые претензии, иски не могут быть предъявлены. Если вы не согласны с любым пунктом перечисленным выше, вы не можете использовать данный сайт и информация размещенную на нем (сайте/странице), немедленно покиньте данный сайт. В случае нарушения любого пункта перечисленного выше, штраф 55! (Пятьдесят пять факториал, Денежную единицу (имеющую самостоятельную стоимость) можете выбрать самостоятельно, выплаичвается товарами в течение 7 дней с момента нарушения.)