Дисилицид молибдена
 | |
| Имена | |
|---|---|
| Название ИЮПАК Дисилицид молибдена | |
| Другие имена Силицид молибдена(VIII) | |
| Идентификаторы | |
| Информационная карта ECHA | 100.032.016 |
ПабХим CID | |
Панель управления CompTox ( EPA ) | |
| Характеристики | |
| МоСи 2 | |
| Молярная масса | 152.11 g/mol |
| Появление | серый металлик, сплошной |
| Плотность | 6,26 г/см 3 [1] [2] |
| Температура плавления | 2030 ° C (3690 ° F; 2300 К) [2] |
| Структура | |
| четырехугольный [1] | |
| И4/ммм (№139), тИ6 | |
а = 0,32112 нм, с = 0,7845 нм | |
Формульные единицы ( Z ) | 2 |
| Опасности | |
| точка возгорания | Невоспламеняющийся |
| Родственные соединения | |
Другие катионы | Дисилицид хрома Дисилицид вольфрама |
Если не указано иное, данные приведены для материалов в стандартном состоянии (при 25 °C [77 °F], 100 кПа). | |
Дисилицид молибдена ( MoSi 2 , или силицид молибдена ), интерметаллическое соединение , силицид молибдена , — тугоплавкая керамика , преимущественно используемая в нагревательных элементах . Он имеет умеренную плотность , температуру плавления 2030 °C и является электропроводным . При высоких температурах образует пассивирующий слой диоксида кремния , защищающий его от дальнейшего окисления. Термическая стабильность MoSi 2 наряду с его высокой излучательной способностью делает этот материал, наряду с WSi 2, привлекательным для применения в качестве покрытий с высокой излучательной способностью в теплозащитных экранах для входа в атмосферу . [3] MoSi 2 — серый материал металлического вида с тетрагональной кристаллической структурой (альфа-модификация); его бета-модификация гексагональна и нестабильна. [4] Он нерастворим в большинстве кислот, но растворим в азотной и плавиковой кислоте .
Хотя MoSi 2 обладает превосходной стойкостью к окислению и высоким модулем Юнга при температуре выше 1000 °C, он становится хрупким при более низких температурах. Кроме того, при температуре выше 1200 °C он теряет ползучести сопротивление . Эти свойства ограничивают его использование в качестве конструкционного материала , но могут быть компенсированы использованием его вместе с другим материалом в качестве композиционного материала .
Дисилицид молибдена и материалы на основе MoSi 2 обычно получают методом спекания . Плазменным напылением можно получить его плотные монолитные и композиционные формы; материал, полученный таким способом, может содержать некоторую долю β-MoSi 2 из-за его быстрого охлаждения.
Нагревательные элементы из дисилицида молибдена могут использоваться при температуре до 1800 °С, в электрических печах, используемых в лабораторных и производственных условиях при производстве стекла , стали , электроники , керамики , а также при термообработке материалов. Несмотря на то, что элементы хрупкие, они могут работать на большой мощности без старения, а их удельное электрическое сопротивление не увеличивается со временем эксплуатации. Их максимальную рабочую температуру приходится снижать в атмосферах с низким содержанием кислорода из-за разрушения пассивационного слоя. [5]
Другие керамические материалы, используемые для нагревательных элементов, включают карбид кремния , титанат бария и из титаната свинца композитные материалы .
Дисилицид молибдена применяется в микроэлектронике в качестве контактного материала. Его часто используют в качестве шунта над поликремниевыми линиями для увеличения их проводимости и увеличения скорости прохождения сигнала.
Ссылки
[ редактировать ]- ^ Jump up to: а б А. Норлунд Кристенсен (1993). «Рост кристаллов и характеристика силицидов переходных металлов MoSi 2 и WSi 2 ». Журнал роста кристаллов . 129 (1–2): 266–268. Бибкод : 1993JCrGr.129..266N . дои : 10.1016/0022-0248(93)90456-7 .
- ^ Jump up to: а б Су-Джин Пак; Мин Кан Со (2011). Наука о интерфейсах и композиты . Академическая пресса. стр. 563–. ISBN 978-0-12-375049-5 .
- ^ Покрытия с высоким коэффициентом излучения на волокнистой керамике для многоразовых космических систем Corrosion Science 2019
- ^ FM d'Heurle, CS Petersson и MY Tsai (1980). «Наблюдения за гексагональной формой пленок MoSi 2 и WSi 2 , полученных методом ионной имплантации, и за связанными с ней эффектами снегоочистителя». Дж. Прил. Физ . 51 (11): 5976–5980. Бибкод : 1980JAP....51.5976D . дои : 10.1063/1.327517 .
{{cite journal}}: CS1 maint: несколько имен: список авторов ( ссылка ) - ^ Парк, SJ; Со, МК (2011). Наука о интерфейсах и композиты . Интерфейс науки и технологий. Эльзевир Наука. п. 563. ИСБН 978-0-12-375049-5 . Проверено 9 сентября 2023 г.