Дисилицид титана

Дисилицид титана ^[1]
Имена
	Название ИЮПАК Дисилицид титана
	Другие имена Силицид титана
Идентификаторы
Номер CAS	12039-83-7 ;
3D model ( JSmol )	Интерактивное изображение ;
Информационная карта ECHA	100.031.719
Номер ЕС	234-904-3 ;
ПабХим CID	6336889 ;
Панель управления CompTox ( EPA )	DTXSID70894998 ;
	показывать ИнЧИ
	показывать УЛЫБКИ
Характеристики
Химическая формула	ТиСи 2
Молярная масса	104.038 g/mol
Появление	черные орторомбические кристаллы
Плотность	4,02 г/см 3
Температура плавления	1470 ° C (2680 ° F; 1740 К)
Растворимость в воде	нерастворимый
Растворимость	растворим в HF
Опасности
	СГС Маркировка :
Пиктограммы
Сигнальное слово	Предупреждение
Заявления об опасности	Х228 , Х315 , Х319 , Х335
Меры предосторожности	P210 , P240 , P241 , P261 , P264 , P271 , P280 , P302+P352 , P304+P340 , P305+P351+P338 , P312 , P321 , P332+P313 , P337+P313 , P362 , 0+P378 , P403+P233 , П405 , П501
Паспорт безопасности (SDS)	[1]
Родственные соединения
Другие катионы	Дисилицид циркония ; Дисилицид гафния
	Если не указано иное, данные приведены для материалов в стандартном состоянии (при 25 °C [77 °F], 100 кПа). проверить ( что такое ?) Ссылки на инфобоксы

Дисилицид титана ( Ti Si ₂ ) — неорганическое соединение титана кремния и химическое .

Подготовка

Дисилицид титана можно получить в результате реакции титана или гидрида титана с кремнием. ^[2]

Ти + 2 Si → ТиSi ₂

Его можно также получить алюминотермическим путем прокаливанием порошка алюминия , серы , диоксида кремния и диоксида титана или гексафторотитаната калия K ₂ TiF ₆ , электролизом расплава гексафторотитаната калия и диоксида титана или реакцией титана с тетрахлорид кремния . ^[2]

Другой метод — реакция тетрахлорида титана с силаном , дихлорсиланом или кремнием. ^[3]

TiCl ₄ + 2 SiH ₄ → TiSi ₂ + 4 HCl + 2 H ₂

TiCl ₄ + 2 SiH ₂ Cl ₂ + 2 H ₂ → TiSi ₂ + 8 HCl

TiCl ₄ + 3 Si → TiCl ₂ + _SiCl

Использование

Силицид титана используется в полупроводниковой промышленности. Обычно его выращивают с помощью салицидной технологии на кремниевых и поликремниевых линиях для снижения поверхностного сопротивления соединений локальных транзисторов.В микроэлектронной промышленности его обычно используют в фазе C54.

Ссылки

^ Лиде, Дэвид Р. (1998), Справочник по химии и физике (87-е изд.), Бока-Ратон, Флорида: CRC Press, стр. 4–91, ISBN 0-8493-0594-2
^ Jump up to: ^а ^б Брауэр, Георг (1978). Справочник по препаративной неорганической химии, том II . Бодлер, Марианна (3-е изд.). Штутгарт: Энке. п. 1389. ИСБН 978-3-432-87813-3 . OCLC 310719490 .
^ Пирсон, Хью О. (1999). Справочник по химическому осаждению из паровой фазы: принципы, технология и применение (2-е изд.). Норидж, Нью-Йорк: Публикации Нойеса. п. 331. ИСБН 1-59124-030-1 . OCLC 49708617 .

[hand-1] Лиде, Дэвид Р. (1998), Справочник по химии и физике (87-е изд.), Бока-Ратон, Флорида: CRC Press, стр. 4–91, ISBN 0-8493-0594-2

[brauer-2] Jump up to: ^а ^б Брауэр, Георг (1978). Справочник по препаративной неорганической химии, том II . Бодлер, Марианна (3-е изд.). Штутгарт: Энке. п. 1389. ИСБН 978-3-432-87813-3 . OCLC 310719490 .

[3] Пирсон, Хью О. (1999). Справочник по химическому осаждению из паровой фазы: принципы, технология и применение (2-е изд.). Норидж, Нью-Йорк: Публикации Нойеса. п. 331. ИСБН 1-59124-030-1 . OCLC 49708617 .

[1]

[2]

[3]