✖


Jump to content

Монокристалл

Кристаллизация
Основы
Концепции
Методы и технология


В материаловедении монокристалл ) (или монокристаллическое твердое тело , или монокристаллическое твердое тело — это материал, в котором кристаллическая решетка всего образца непрерывна и не нарушена до краев образца, без границ зерен . [1] Отсутствие дефектов, связанных с границами зерен, может придавать монокристаллам уникальные свойства, в частности механические, оптические и электрические, которые также могут быть анизотропными в зависимости от типа кристаллографической структуры. [2] Эти свойства, помимо того, что некоторые драгоценные камни делают драгоценные камни драгоценными, промышленно используются в технологических приложениях, особенно в оптике и электронике. [3]

Поскольку энтропийные эффекты благоприятствуют наличию некоторых дефектов в микроструктуре твердых тел , таких как примеси , неоднородная деформация и кристаллографические дефекты, такие как дислокации , совершенные монокристаллы значительного размера чрезвычайно редки в природе. [2] Необходимые лабораторные условия часто увеличивают стоимость производства. С другой стороны, несовершенные монокристаллы в природе могут достигать огромных размеров: известно, что некоторые минеральные виды, такие как берилл , гипс и полевые шпаты, образуют кристаллы диаметром несколько метров. [ нужна ссылка ]

Противоположностью монокристаллу является аморфная структура , в которой положение атома ограничено только ближним порядком. [4] Между двумя крайностями существуют поликристаллы , которые состоят из ряда более мелких кристаллов, известных как кристаллиты , и паракристаллические фазы. [5] Монокристаллы обычно имеют характерные плоские грани и некоторую симметрию, при которой углы между гранями определяют идеальную форму. Драгоценные камни часто представляют собой монокристаллы, искусственно ограненные по кристаллографическим плоскостям, чтобы воспользоваться преломляющими и отражающими свойствами. [5]

Методы производства

[ редактировать ]

Хотя нынешние методы чрезвычайно сложны с учетом современных технологий, истоки роста кристаллов можно проследить до очистки соли путем кристаллизации в 2500 году до нашей эры. Более продвинутый метод с использованием водного раствора был запущен в 1600 году нашей эры, а методы плавления и пара - около 1850 года нашей эры. [6]

Древовидная диаграмма методов выращивания монокристаллов

Основные методы выращивания кристаллов можно разделить на четыре категории в зависимости от того, из чего они выращиваются искусственно: расплав, твердое вещество, пар и раствор. [2] Конкретные методы производства крупных монокристаллов (также известных как були ) включают процесс Чохральского (CZ) , плавающую зону (или движение зоны) и технику Бриджмена . Доктор Тил и доктор Литтл из Bell Telephone Laboratories были первыми, кто использовал метод Чохральского для создания монокристаллов Ge и Si. [7] В зависимости от физических свойств вещества могут использоваться и другие методы кристаллизации, включая гидротермальный синтез , сублимацию или просто кристаллизацию на основе растворителя . [8] Например, модифицированный метод Киропулоса можно использовать для выращивания высококачественных монокристаллов сапфира массой 300 кг. [9] Метод Вернейля , также называемый методом плавления в пламени, использовался в начале 1900-х годов для изготовления рубинов до CZ. [6] Диаграмма справа иллюстрирует большинство традиционных методов. Произошли новые прорывы, такие как химическое осаждение из паровой фазы (CVD), а также различные вариации и модификации существующих методов. На схеме они не показаны.

Монокристаллический кварцевый слиток, выращенный гидротермальным методом.

В случае монокристаллов металлов методы изготовления также включают эпитаксию и аномальный рост зерен в твердых телах. [10] Эпитаксия используется для нанесения очень тонких (в масштабе от микрометра до нанометра) слоев одного и того же или разных материалов на поверхность существующего монокристалла. [11] Приложения этого метода лежат в области производства полупроводников с потенциальным использованием в других областях нанотехнологий и катализа. [12]

Вырастить монокристаллы полимеров чрезвычайно сложно. Это происходит главным образом из-за разной длины полимерных цепей и различных энтропийных причин. Однако топохимические реакции являются одним из простых способов получения монокристаллов полимера. [1]

Приложения

[ редактировать ]

Полупроводниковая промышленность

[ редактировать ]

Одним из наиболее часто используемых монокристаллов является кристалл кремния в полупроводниковой промышленности. Четыре основных метода производства полупроводниковых монокристаллов происходят из металлических растворов: жидкофазная эпитаксия (ЖФЭ), жидкофазная электроэпитаксия (ЖПЭЭ), метод бегущего нагревателя (ТНМ) и жидкофазная диффузия (ЛПД). [13] Однако помимо неорганических монокристаллов, способных быть полупроводниковыми, существует множество других монокристаллов, в том числе монокристаллические органические полупроводники .

высокой чистоты (99,999 %) Монокристалл тантала , изготовленный методом плавающей зоны , некоторые монокристаллические фрагменты тантала и высокочистый (99,99 % = 4N) 1 см 3 танталовый кубик для сравнения. Это фото было сделано Alchemist-hp.

Монокристаллический кремний , используемый в производстве полупроводников и фотогальваники, сегодня является крупнейшим применением монокристаллической технологии. [14] В фотоэлектрической энергетике наиболее эффективная кристаллическая структура обеспечивает максимальное преобразование света в электричество. [15] В квантовом масштабе, в котором работают микропроцессоры , наличие границ зерен окажет значительное влияние на функциональность полевых транзисторов, изменяя локальные электрические свойства. [16] Поэтому производители микропроцессоров вложили значительные средства в оборудование для производства крупных монокристаллов кремния. Метод Чохральского и плавающая зона являются популярными методами выращивания кристаллов кремния. [17]

Флуоресценция монокристалла (9H-карбазол-9-ил)(4-хлорфенил)метанона.

Другие неорганические полупроводниковые монокристаллы включают GaAs, GaP, GaSb, Ge, InAs, InP, InSb, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe и ZnTe. Большинство из них также можно настроить с помощью различных легирующих добавок для достижения желаемых свойств. [18] Монокристаллический графен также весьма востребован для применения в электронике и оптоэлектронике благодаря своей большой подвижности носителей заряда и высокой теплопроводности и остается предметом горячих исследований. [19] Одной из основных задач было выращивание однородных монокристаллов двухслойного или многослойного графена на больших площадях; эпитаксиальный рост и новый CVD (упомянутый выше) входят в число новых многообещающих методов, находящихся в стадии исследования. [20]

Органические полупроводниковые монокристаллы отличаются от неорганических кристаллов. Слабые межмолекулярные связи означают более низкие температуры плавления, более высокое давление пара и большую растворимость. [21] Для роста монокристаллов решающее значение имеет чистота материала, а производство органических материалов обычно требует многих этапов для достижения необходимой чистоты. [22] Проводятся обширные исследования по поиску термически стабильных материалов с высокой подвижностью носителей заряда. Прошлые открытия включают нафталин, тетрацен и 9,10-дифенилантацен (ДФА). [23] Производные трифениламина оказались многообещающими, и недавно, в 2021 году, монокристаллическая структура α-фенил-4'-(дифениламино)стильбена (TPA), выращенная методом растворения, продемонстрировала еще больший потенциал для использования в полупроводниках благодаря своей анизотропной способности переноса дырок. [24]

Оптическое применение

[ редактировать ]
Огромный кристалл KDP , дигидрофосфата калия, выращенный из затравочного кристалла в перенасыщенном водном растворе в LLNL , который нужно разрезать на ломтики и использовать в Национальной установке зажигания для удвоения и утроения частоты .

Монокристаллы обладают уникальными физическими свойствами, поскольку представляют собой единое зерно со строгим расположением молекул и отсутствием границ зерен. [2] Сюда входят оптические свойства, а монокристаллы кремния также используются в качестве оптических окон из-за их прозрачности в определенных длинах волн инфракрасного (ИК) диапазона , что делает их очень полезными для некоторых инструментов. [4]

Сапфиры : Монокристаллы сапфира, также известные ученым как альфа-фаза оксида алюминия (Al 2 O 3 ), широко используются в высокотехнологичной технике. Его можно выращивать из газообразной, твердой фазы или фазы раствора. [9] Диаметр кристаллов, полученных в результате метода выращивания, важен при рассмотрении последующего использования в электронной промышленности. Они используются в лазерах и нелинейной оптике . Некоторые известные применения - это окно биометрического считывателя отпечатков пальцев, оптические диски для долговременного хранения данных и рентгеновский интерферометр. [2]

Фосфид индия : эти монокристаллы особенно подходят для объединения оптоэлектроники с высокоскоростной электроникой в ​​виде оптического волокна с подложками большого диаметра. [25] Другие фотонные устройства включают лазеры, фотодетекторы, лавинные фотодиоды, оптические модуляторы и усилители, устройства обработки сигналов, а также оптоэлектронные и фотонные интегральные схемы. [26]

Кристаллы оксида алюминия

Германий : это был материал в первом транзисторе, изобретенном Бардином, Браттеном и Шокли в 1947 году. Он используется в некоторых детекторах гамма-излучения и инфракрасной оптике. [27] Теперь он стал центром внимания сверхбыстрых электронных устройств из-за присущей ему мобильности носителей. [26]

Арсенид : Арсенид III можно комбинировать с различными элементами, такими как B, Al, Ga и In, при этом соединение GaAs пользуется большим спросом для пластин. [26]

Теллурид кадмия : кристаллы CdTe имеют несколько применений в качестве подложек для ИК-изображений, электрооптических устройств и солнечных элементов . [28] Сплавив CdTe и ZnTe, можно получить детекторы рентгеновского и гамма-излучения, работающие при комнатной температуре. [26]

Электрические проводники

[ редактировать ]

Металлы могут производиться в монокристаллической форме и позволяют понять конечные характеристики металлических проводников. Это жизненно важно для понимания фундаментальных наук, таких как каталитическая химия, физика поверхности, электроны и монохроматоры . [29] Производство металлических монокристаллов предъявляет самые высокие требования к качеству и выращивается или вытягивается в виде стержней. [30] Некоторые компании могут производить канавки, отверстия и опорные поверхности определенной геометрии, а также различные диаметры. [18]

Из всех металлических элементов серебро и медь обладают лучшей проводимостью при комнатной температуре, устанавливая планку производительности. [31] Размер рынка, а также колебания предложения и стоимости создали сильные стимулы для поиска альтернатив или поиска способов их меньшего использования за счет повышения производительности.

Проводимость коммерческих проводников часто выражается относительно Международного стандарта отожженной меди , согласно которому самая чистая медная проволока, доступная в 1914 году, имела около 100%. Самый чистый современный медный провод является лучшим проводником, его показатель по этой шкале составляет более 103%. Выгоды происходят из двух источников. Во-первых, современная медь более чистая. Однако этот путь к улучшению, похоже, подходит к концу. Повышение чистоты меди по-прежнему не приводит к существенному улучшению. Во-вторых, отжиг были улучшены и другие процессы. Отжиг уменьшает количество дислокаций и других дефектов кристалла, которые являются источниками сопротивления. Но полученные провода по-прежнему поликристаллические. Границы зерен и оставшиеся кристаллические дефекты ответственны за некоторое остаточное сопротивление. Это можно оценить количественно и лучше понять, исследуя монокристаллы.

Монокристаллическая медь действительно имела лучшую проводимость, чем поликристаллическая медь. [32]

Удельное электрическое сопротивление ρ для материалов серебра (Ag)/меди (Cu) при комнатной температуре (293 К) [33]
Материал ρ (мкОм∙см) МАКО [34]
Монокристаллическое серебро, легированное 3 мол% Cu. 1.35 127%
Монокристаллическая медь, подвергнутая дальнейшей обработке [35] 1.472 117.1%
Монокристалл Ag 1.49 115.4%
Монокристаллическая медь 1.52 113.4%
Проволока Ag высокой чистоты (поликристаллическая) 1.59 108%
Медная проволока высокой чистоты (поликристаллическая) 1.67 ˃ 103%

Однако монокристаллическая медь не только стала лучшим проводником, чем поликристаллическое серебро высокой чистоты, но при предписанной термообработке и давлении могла превзойти даже монокристаллическое серебро. Хотя примеси обычно плохо влияют на проводимость, лучшим оказался монокристалл серебра с небольшим количеством замещений меди.

По состоянию на 2009 год монокристаллическая медь не производится в промышленных масштабах, но методы производства отдельных кристаллов очень больших размеров для медных проводников используются для высокопроизводительных электрических применений. Их можно считать метамонокристаллами, имеющими всего несколько кристаллов на метр длины.

Пигтейл из монокристаллической лопаточной отливки

Монокристаллические лопатки турбины

[ редактировать ]

Другое применение монокристаллических твердых тел — в материаловедении при производстве высокопрочных материалов с низкой термической ползучестью , например лопаток турбин . [36] Здесь отсутствие границ зерен фактически приводит к снижению предела текучести, но, что более важно, уменьшает степень ползучести, что имеет решающее значение для высокотемпературных деталей с жесткими допусками. [37] Исследователь Барри Пирси обнаружил, что изгиб литейной формы под прямым углом уменьшит количество столбчатых кристаллов, а позже ученый Джамеи использовал это, чтобы создать монокристаллическую структуру лопатки турбины. [38]

В исследованиях

[ редактировать ]

Монокристаллы необходимы в исследованиях, особенно в физике конденсированного состояния и всех аспектах материаловедения, таких как наука о поверхности . [2] Детальное изучение кристаллической структуры материала с помощью таких методов, как дифракция Брэгга и рассеяние атомов гелия, легче проводить с помощью монокристаллов, поскольку можно изучить направленную зависимость различных свойств и сравнить их с теоретическими предсказаниями. [39] Более того, методы макроскопического усреднения, такие как фотоэмиссионная спектроскопия с угловым разрешением или дифракция низкоэнергетических электронов, возможны или имеют смысл только на поверхностях монокристаллов. [40] [41] В сверхпроводимости были случаи материалов, в которых сверхпроводимость наблюдалась только в монокристаллических образцах. [42] Их можно выращивать для этой цели, даже если в противном случае материал необходим только в поликристаллической форме.

Таким образом, многочисленные новые материалы изучаются в их монокристаллической форме. Молодая область металлоорганических каркасов (МОФ) — одна из многих, которые могут иметь монокристаллы. В январе 2021 года доктор Донг и доктор Фэн продемонстрировали, как можно оптимизировать полициклические ароматические лиганды для получения больших монокристаллов 2D MOF размером до 200 мкм. Это может означать, что ученые смогут изготавливать монокристаллические устройства и определять внутреннюю электропроводность и механизм переноса заряда. [43]

Область фотоуправляемой трансформации также может быть связана с монокристаллами с так называемым превращением монокристалл-монокристалл (SCSC). Они обеспечивают прямое наблюдение за молекулярным движением и понимание деталей механизма. [44] Такое фотопереключение также наблюдалось в передовых исследованиях нефоточувствительных моноядерных мономолекулярных магнитов на основе лантаноидов (SMM). [45]

См. также

[ редактировать ]

Ссылки

[ редактировать ]
  1. ^ " "Прочитайте дополнительные материалы – монокристаллы" " . Читай . Проверено 28 февраля 2021 г.
  2. ^ Перейти обратно: а б с д и ж Форнари, Роберто (2018). Монокристаллы электронных материалов: рост и свойства . Сан-Диего: Elsevier Science & Technology. ISBN  978-0-08-102097-5 . OCLC   1055046791 . [ нужна страница ]
  3. ^ «Монокристаллы – Альфа-химия» . www.alfa-chemistry.com . Проверено 28 февраля 2021 г.
  4. ^ Перейти обратно: а б «4.1: Введение». Инженерные свободные тексты . 08.02.2019. Проверено 28 февраля 2021 г.
  5. ^ Перейти обратно: а б «DoITPoMS - атомарная структура материалов библиотеки TLP». www.doitpoms.ac.uk . Проверено 28 февраля 2021 г.
  6. ^ Перейти обратно: а б «Выращивание монокристаллов». Керамические материалы . 2007. стр. 507–526. дои : 10.1007/978-0-387-46271-4_29 . ISBN  978-0-387-46270-7 . S2CID   240461586 .
  7. ^ Тил, Г.К. и Литтл, Дж.Б. (1950) «Выращивание монокристаллов германия», Phys. Rev. 78, 647. Тил и Литтл из Bell Telephone Laboratories первыми произвели монокристаллы Ge и Si методом Cz. Цитируется в «Выращивание монокристаллов». Керамические материалы . 2007. стр. 507–526. дои : 10.1007/978-0-387-46271-4_29 . ISBN  978-0-387-46270-7 . S2CID   240461586 .
  8. ^ Миядзаки, Нориюки (2015). «Термический стресс и дислокации при объемном росте кристаллов». Справочник по выращиванию кристаллов . стр. 1049–1092. дои : 10.1016/b978-0-444-63303-3.00026-2 . ISBN  9780444633033 .
  9. ^ Перейти обратно: а б Заложный, Евгений (13 июля 2015 г.). «Монокристалл позволяет использовать крупномасштабные светодиодные и оптические приложения с помощью сапфировых кристаллов KY весом 300 кг». Журнал LED . Проверено 27 февраля 2021 г.
  10. ^ Джин, Сонхван; Руофф, Родни С. (1 октября 2019 г.). «Приготовление и использование монокристаллической металлической фольги большой площади» . Материалы АПЛ . 7 (10): 100905. Бибкод : 2019APLM....7j0905J . дои : 10.1063/1.5114861 . S2CID   208729868 .
  11. ^ Чжан, Кай; Питнер, Сюэ Бай; Ян, Руи; Никс, Уильям Д.; Пламмер, Джеймс Д.; Фан, Джонатан А. (23 января 2018 г.). «Рост монокристаллов металлов на аморфных изоляционных подложках» . Труды Национальной академии наук . 115 (4): 685–689. Бибкод : 2018PNAS..115..685Z . дои : 10.1073/pnas.1717882115 . ПМЦ   5789947 . ПМИД   29311332 .
  12. ^ «Монокристаллические подложки – Альфа-химия» . www.alfa-chemistry.com . Проверено 11 марта 2021 г.
  13. ^ Дост, Садик; Лент, Брайан (01 января 2007 г.), Дост, Садик; Лент, Брайан (ред.), «Глава 1 – ВВЕДЕНИЕ» , Выращивание монокристаллов полупроводников из металлических растворов , Амстердам: Elsevier, стр. 3–14, doi : 10.1016/b978-044452232-0/50002-x , ISBN  978-0-444-52232-0 , получено 11 марта 2021 г.
  14. ^ Кернс, Джоэл К. (01.01.2019), Форнари, Роберто (ред.), «2 – Монокристаллы кремния» , Монокристаллы электронных материалов , Серия публикаций Woodhead Publishing по электронным и оптическим материалам, Woodhead Publishing, стр. 5 –56, номер домена : 10.1016/b978-0-08-102096-8.00002-1 , ISBN  978-0-08-102096-8 , S2CID   139380571 , получено 11 марта 2021 г.
  15. ^ "Вафли CZ-Si - Нанография" . nanografi.com . Проверено 28 февраля 2021 г.
  16. ^ Дои, Тосиро; Маринеску, Иоан Д.; Курокава, Сюхей, ред. (01.01.2012), «Глава 3 – Текущая ситуация в сверхточной технологии – монокристаллы кремния как пример» , Достижения в технологиях полировки CMP , Оксфорд: Издательство William Andrew: 15–111, doi : 10.1016/b978 -1-4377-7859-5.00003-x , ISBN  978-1-4377-7859-5 , получено 11 марта 2021 г.
  17. ^ Фридрих, Йохен; фон Аммон, Вильфрид; Мюллер, Георг (2015). «Выращивание кристаллов кремния по методу Чохральского». Справочник по выращиванию кристаллов . стр. 45–104. дои : 10.1016/B978-0-444-63303-3.00002-X . ISBN  9780444633033 .
  18. ^ Перейти обратно: а б «Полупроводниковые монокристаллы» . Принстон Сайентифик . Проверено 8 февраля 2021 г.
  19. ^ Ма, Тенг; Рен, Венцай; Чжан, Сююнь; Лю, Жибо; Гао, Ян; Инь, Ли-Чанг; Ма, Сю-Лян; Дин, Фэн; Ченг, Хуэй-Мин (2013). «Управляемый по краям рост и кинетика монокристаллических графеновых доменов методом химического осаждения из паровой фазы» . Труды Национальной академии наук Соединенных Штатов Америки . 110 (51): 20386–20391. Бибкод : 2013PNAS..11020386M . дои : 10.1073/pnas.1312802110 . JSTOR   23761563 . ПМК   3870701 . ПМИД   24297886 .
  20. ^ Ван, Мэйхуэй; Ло, Да; Ван, Бин; Руофф, Родни С. (январь 2021 г.). «Синтез монокристаллического графена большой площади» . Тенденции в химии . 3 (1): 15–33. дои : 10.1016/j.trechm.2020.10.009 . S2CID   229501087 .
  21. ^ Ю, Панпан; Чжэнь, Юнган; Донг, Хуанли; Ху, Вэньпин (ноябрь 2019 г.). «Кристаллотехника органических оптоэлектронных материалов» . Хим . 5 (11): 2814–2853. Бибкод : 2019Chem....5.2814Y . дои : 10.1016/j.chempr.2019.08.019 .
  22. ^ Чжоу, Ли-Хуэй; На, Яэна; Пак, Чон Хёй; Пак, Мин Су; Осака, Итару; Ким, Феликс Сунджу; Лю, Чэн-Лян (март 2020 г.). «Полупроводниковые смеси малых молекул и полимеров для органических транзисторов». Полимер . 191 : 122208. doi : 10.1016/j.polymer.2020.122208 . S2CID   213570529 .
  23. ^ Трипати, АК; Генрих, М.; Зигрист, Т.; Пфлаум, Дж. (17 августа 2007 г.). «Рост и электронный транспорт в монокристаллах 9,10-дифенилантрацена — органическом полупроводнике с высокой подвижностью электронов и дырок». Продвинутые материалы . 19 (16): 2097–2101. Бибкод : 2007АдМ....19.2097Т . дои : 10.1002/adma.200602162 . S2CID   97631495 .
  24. ^ Мацуда, Сёфу; Ито, Масамичи; Итагаки, Чикара; Имакубо, Тацуро; Умеда, Минору (февраль 2021 г.). «Характеристика монокристалла α-фенил-4'-(дифениламино)стильбена и его анизотропной проводимости» . Материаловедение и инженерия: Б . 264 : 114949. doi : 10.1016/j.mseb.2020.114949 .
  25. ^ «Фосфид индия ПОС» . Оптические компоненты 100G, когерентные, PIC, DWDM . Проверено 12 марта 2021 г.
  26. ^ Перейти обратно: а б с д Форнари, Роберто (18 сентября 2018 г.). Монокристаллы электронных материалов: рост и свойства . Вудхед. ISBN  978-0-08-102097-5 . OCLC   1054250691 . [ нужна страница ]
  27. ^ Гафни, Г.; Азулай, М.; Шайло, К.; Нотер, Ю.; Сая, А.; Галрон, Х.; Рот, М. (10 ноября 1987 г.). Спиро, Ирвинг Дж. (ред.). Монокристаллы германия большого диаметра для ИК-оптики . 31-й ежегодный технический симпозиум по оптическим и оптоэлектронным прикладным наукам и технике. Инфракрасная технология XIII. Том. 0819. Сан-Диего , Калифорния, США. п. 96. Бибкод : 1987SPIE..819...96G . дои : 10.1117/12.941806 . S2CID   136334692 .
  28. ^ Белас, Э.; Укса, Ш.; Гриль, Р.; Хлидек, П.; Шедивый, Л.; Бугар, М. (14 сентября 2014 г.). «Высокотемпературный край оптического поглощения монокристалла CdTe». Журнал прикладной физики . 116 (10): 103521. Бибкод : 2014JAP...116j3521B . дои : 10.1063/1.4895494 .
  29. ^ «Монокристаллы чистых элементов - Альфа-химия» . www.alfa-chemistry.com . Проверено 28 февраля 2021 г.
  30. ^ «Ученые дуют горячим и холодным, чтобы получить монокристаллический металл» . Материалы сегодня . Проверено 12 марта 2021 г.
  31. ^ «Инновации TIBTECH: Сравнение свойств металлов: электропроводность, теплопроводность, плотность, температура плавления» . www.tibtech.com . Проверено 12 марта 2021 г.
  32. ^ Чо, Ён Чан; Сынхун Ли; Мухаммад Аджмал; Вон-Гён Ким; Чэ Рён Чо; Се Ён Чжон; Юнг Хун Пак; Парк Санг Эон; Парк Сонгюн; Хёк-Кю Пак; Хён Чан Ким (22 марта 2010 г.). «Медь лучше серебра: электрическое сопротивление беззерновой монокристаллической медной проволоки». Рост и дизайн кристаллов . 10 (6): 2780–2784. дои : 10.1021/cg1003808 .
  33. ^ Джи Ён Ким; Мин-Ук О; Сынхун Ли; Ён Чан Чо; Чан Хи Юн; Гын У Ли; Чэ-Рён Чо; Парк Чул Хонг; Се Ён Чжон (26 июня 2014 г.). «Аномальное падение электросопротивления при примесном легировании монокристаллического Ag» . Научные отчеты . 4 : 5450. Бибкод : 2014NatSR...4E5450K . дои : 10.1038/srep05450 . ПМК   4071311 . ПМИД   24965478 .
  34. ^ «Международный стандарт отожженной меди» . Ресурсный центр по неразрушающему контролю . Сотрудничество в области образования в области неразрушающего контроля, Университет штата Айова. нд . Проверено 14 ноября 2016 г.
  35. ^ Мухаммад Аджмал; Сынхун Ли; Ён Чан Чо; Су Джэ Ким; Парк Санг Эон; Че Рён Чоа; Се Ён Чжон (2012). «Изготовление лучшего проводника из монокристаллической меди и вклад границ зерен в температуру Дебая». CrystEngComm . 14 (4): 1463–1467. дои : 10.1039/C1CE06026K .
  36. ^ Спиттл, Питер. «Газотурбинные технологии» Rolls-Royce plc , 2003. Дата обращения: 21 июля 2012.
  37. ^ Драгоценности короны - Эти кристаллы являются жемчужинами эффективности турбин. Архивировано 25 марта 2010 г. в Wayback Machine. Статья о монокристаллических лопатках турбины memagazine.com.
  38. ^ «Каждое лезвие — отдельный кристалл» . Американский учёный . 06 февраля 2017 г. Проверено 8 февраля 2021 г.
  39. ^ «Монокристалл серебра» . Центр материалов . Проверено 12 марта 2021 г.
  40. ^ Ван, Кэ; Экер, Бен; Гао, Юнли (сентябрь 2020 г.). «Фотоэмиссионное исследование зонной структуры органических монокристаллов с угловым разрешением» . Кристаллы . 10 (9): 773. doi : 10.3390/cryst10090773 .
  41. ^ «6.2: Дифракция электронов низкой энергии (LEED)» . Химия LibreTexts . 11 февраля 2015 г. Проверено 12 марта 2021 г.
  42. ^ Чен, Цзяшэн; Гамжа, Моника Б.; Банда, Хасинта; Мерфи, Кейрон; Таррант, Джеймс; Брандо, Мануэль; Гроше, Ф. Мальте (30 ноября 2020 г.). «Нетрадиционная объемная сверхпроводимость в монокристаллах YFe 2 Ge 2» . Письма о физических отзывах . 125 (23): 237002. arXiv : 2007.13584 . doi : 10.1103/PhysRevLett.125.237002 . ПМИД   33337220 . S2CID   220793188 .
  43. ^ Донг, Ренхао; Фэн, Синьлян (февраль 2021 г.). «Изготовление больших монокристаллов из 2D MOF». Природные материалы . 20 (2): 122–123. Бибкод : 2021NatMa..20..122D . дои : 10.1038/s41563-020-00912-1 . ПМИД   33504985 . S2CID   231745364 .
  44. ^ Хуан, Шэн-Ли; Хор, Т.С. Энди; Цзинь, Го-Синь (сентябрь 2017 г.). «Фотоуправляемое превращение монокристалла в монокристалл» . Обзоры координационной химии . 346 : 112–122. дои : 10.1016/j.ccr.2016.06.009 .
  45. ^ Ходжорат, Махер; Аль Сабеа, Хасан; Норел, Люси; Бернот, Кевин; Руанель, Тьерри; Гендрон, Фредерик; Генник, Борис Ле; Тжоп, Эльжбета; Колле, Эрик; Лонг, Джеффри Р.; Риго, Стефан (15 января 2020 г.). «Гистерезисная фотомодуляция посредством изомеризации монокристаллов в монокристаллы фотохромной цепи одномолекулярных магнитов диспрозия» (PDF) . Журнал Американского химического общества . 142 (2): 931–936. дои : 10.1021/jacs.9b10584 . ПМИД   31880442 . S2CID   209490756 .

Дальнейшее чтение

[ редактировать ]
Retrieved from "https://en.wikipedia.org/w/index.php?title=Single_crystal&oldid=1235341232"
Arc.Ask3.Ru: конец переведенного документа.
Arc.Ask3.Ru
Номер скриншота №: bb83744578357cbfd5a3a49e56a15b32__1721322420
URL1:https://arc.ask3.ru/arc/aa/bb/32/bb83744578357cbfd5a3a49e56a15b32.html
Заголовок, (Title) документа по адресу, URL1:
Single crystal - Wikipedia
Данный printscreen веб страницы (снимок веб страницы, скриншот веб страницы), визуально-программная копия документа расположенного по адресу URL1 и сохраненная в файл, имеет: квалифицированную, усовершенствованную (подтверждены: метки времени, валидность сертификата), открепленную ЭЦП (приложена к данному файлу), что может быть использовано для подтверждения содержания и факта существования документа в этот момент времени. Права на данный скриншот принадлежат администрации Ask3.ru, использование в качестве доказательства только с письменного разрешения правообладателя скриншота. Администрация Ask3.ru не несет ответственности за информацию размещенную на данном скриншоте. Права на прочие зарегистрированные элементы любого права, изображенные на снимках принадлежат их владельцам. Качество перевода предоставляется как есть. Любые претензии, иски не могут быть предъявлены. Если вы не согласны с любым пунктом перечисленным выше, вы не можете использовать данный сайт и информация размещенную на нем (сайте/странице), немедленно покиньте данный сайт. В случае нарушения любого пункта перечисленного выше, штраф 55! (Пятьдесят пять факториал, Денежную единицу (имеющую самостоятельную стоимость) можете выбрать самостоятельно, выплаичвается товарами в течение 7 дней с момента нарушения.)