Арсенид алюминия-галлия

Кристаллическая структура арсенида алюминия-галлия представляет собой цинковую обманку .

Арсенид алюминия-галлия (также арсенид галлия-алюминия ) ( Al _x Ga _1-x As ) представляет собой полупроводниковый материал с почти такой же постоянной решетки , что и GaAs , но с большей запрещенной зоной . X в собой число от 0 до 1 — это указывает на произвольный сплав GaAs AlAs и приведенной выше формуле представляет .

Химическую формулу AlGaAs следует рассматривать как сокращенную форму приведенной выше формулы, а не какое-либо конкретное соотношение.

Ширина запрещенной зоны варьируется от 1,42 эВ (GaAs) до 2,16 эВ (AlAs). При x < 0,4 запрещенная зона прямая .

Показатель преломления связан с шириной запрещенной зоны соотношениями Крамерса-Кронига и варьируется от 2,9 (x = 1) до 3,5 (x = 0). Это позволяет создавать зеркала Брэгга, используемые в VCSEL , RCLED и кристаллических покрытиях, переносимых на подложку.

Арсенид алюминия-галлия используется в качестве барьерного материала в гетероструктурных устройствах на основе GaAs. Слой AlGaAs удерживает электроны в области арсенида галлия. Примером такого устройства является инфракрасный фотодетектор с квантовой ямой ( QWIP ).

Он обычно используется в GaAs диапазона (700–1100 нм) на основе красного и ближнего инфракрасного с двойной гетероструктурой лазерных диодах .

Аспекты безопасности и токсичности

Токсикология AlGaAs до конца не изучена. Пыль раздражает кожу, глаза и легкие. об аспектах окружающей среды, здоровья и безопасности источников арсенида алюминия-галлия (таких как триметилгаллий и арсин ) и исследованиях мониторинга промышленной гигиены стандартных источников МОС-гидрид . Недавно в обзоре сообщалось ^[1]

Ссылки

^ Шенай-Хатхате, ДВ; Гойетт, Р.Дж.; ДиКарло, Р.Л. младший; Дриппс, Г. (2004). «Проблемы окружающей среды, здоровья и безопасности для источников, используемых при выращивании сложных полупроводников методом MOVPE». Журнал роста кристаллов . 272 (1–4): 816–821. Бибкод : 2004JCrGr.272..816S . дои : 10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007 .

Внешние ссылки

"Al _xGa _1−xAs" . Ioffe Database . Sankt-Peterburg: FTI im. A. F. Ioffe, RAN.

[1] Шенай-Хатхате, ДВ; Гойетт, Р.Дж.; ДиКарло, Р.Л. младший; Дриппс, Г. (2004). «Проблемы окружающей среды, здоровья и безопасности для источников, используемых при выращивании сложных полупроводников методом MOVPE». Журнал роста кристаллов . 272 (1–4): 816–821. Бибкод : 2004JCrGr.272..816S . дои : 10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007 .

[1]