Память компьютера

В памяти компьютера хранится информация, такая как данные и программы, для немедленного использования в компьютере . ^[2] Термин «память» часто является синонимом терминов «ОЗУ» , «основная память » или «основное хранилище» . Архаичные синонимы основной памяти включают ядро (для памяти на магнитном сердечнике) и хранилище . ^[3]

Основная память работает с более высокой скоростью по сравнению с запоминающими устройствами , которые медленнее, но дешевле за бит и имеют большую емкость. Помимо хранения открытых программ и активно обрабатываемых данных, память компьютера служит кэшем большой емкости и буфером записи для улучшения производительности чтения и записи. Операционные системы заимствуют объем оперативной памяти для кэширования до тех пор, пока это не требуется для запуска программного обеспечения. ^[4] При необходимости содержимое памяти компьютера можно перенести в хранилище; Обычный способ сделать это — использовать технику управления памятью, называемую виртуальной памятью .

Современная компьютерная память реализована в виде полупроводниковой памяти . ^[5]^[6] где данные хранятся в ячейках памяти , построенных из МОП-транзисторов и других компонентов интегральной схемы . ^[7] Существует два основных типа полупроводниковой памяти: энергозависимая и энергозависимая . Примерами энергонезависимой памяти являются флэш-память и ROM , PROM , EPROM и EEPROM память . Примерами энергозависимой памяти являются динамическая память с произвольным доступом (DRAM), используемая в качестве основного хранилища, и статическая память с произвольным доступом (SRAM), используемая в основном для кэша ЦП .

Большая часть полупроводниковой памяти организована в виде ячеек памяти, каждая из которых хранит один бит (0 или 1). Организация флэш-памяти включает как один бит на ячейку памяти, так и многоуровневую ячейку, способную хранить несколько битов на ячейку. Ячейки памяти группируются в слова фиксированной разрядности , например, 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64 или 128 бит. Доступ к каждому слову осуществляется по двоичному адресу из N бит, что позволяет хранить 2 ^Н слова в памяти.

История

В начале 1940-х годов технология памяти часто допускала емкость в несколько байт. Первый электронный программируемый цифровой компьютер , ЭНИАК , использующий тысячи электронных ламп , мог выполнять простые вычисления, включающие 20 чисел из десяти десятичных цифр, хранящихся в электронных лампах.

Следующим значительным достижением в области компьютерной памяти стала акустическая память с линией задержки , разработанная Дж. Преспером Эккертом в начале 1940-х годов. Благодаря конструкции стеклянной трубки, наполненной ртутью и закупоренной на каждом конце кристаллом кварца, линии задержки могут хранить биты информации в виде звуковых волн, распространяющихся через ртуть, при этом кристаллы кварца действуют как преобразователи для чтения и записи битов. . Память линии задержки была ограничена емкостью до нескольких тысяч бит.

Две альтернативы линии задержки, трубка Вильямса и трубка Селекрона , возникли в 1946 году, обе используют электронные лучи в стеклянных трубках в качестве средства хранения. Используя электронно-лучевые трубки , Фред Уильямс изобрел трубку Уильямса, которая стала первой компьютерной памятью с произвольным доступом . Трубка Вильямса могла хранить больше информации, чем трубка Селекрона (селекрон был ограничен 256 битами, тогда как трубка Вильямса могла хранить тысячи), и была дешевле. Тем не менее трубка Уильямса оказалась крайне чувствительной к воздействиям окружающей среды.

В конце 1940-х годов начались попытки найти энергонезависимую память . Память на магнитном сердечнике позволяла вызывать память после отключения питания. Он был разработан Фредериком В. Вие и Аном Вангом в конце 1940-х годов и улучшен Джеем Форрестером и Яном А. Райчманом в начале 1950-х годов, а затем был коммерциализирован вместе с компьютером Whirlwind I в 1953 году. ^[8] Память на магнитных сердечниках была доминирующей формой памяти до разработки полупроводниковой МОП- памяти в 1960-х годах. ^[9]

Первая полупроводниковая память была реализована в виде триггерной схемы в начале 1960-х годов с использованием биполярных транзисторов . ^[9] Полупроводниковая память, изготовленная из дискретных устройств, была впервые отправлена компанией Texas Instruments в ВВС США в 1961 году. В том же году концепция твердотельной памяти на интегральной схеме (ИС) была предложена инженером по приложениям Бобом Норманом из Fairchild. Полупроводник . ^[10] Первой биполярной полупроводниковой микросхемой памяти стал SP95, представленный IBM в 1965 году. ^[9] Хотя полупроводниковая память обеспечивала более высокую производительность по сравнению с памятью на магнитном сердечнике, она оставалась больше и дороже и не вытесняла память на магнитном сердечнике до конца 1960-х годов. ^[9]^[11]

МОП-память

Изобретение полевого транзистора металл-оксид-полупроводник ( MOSFET ) позволило практическое использование транзисторов металл-оксид-полупроводник (МОП) в качестве запоминающих элементов ячейки памяти . МОП-память была разработана Джоном Шмидтом в Fairchild Semiconductor в 1964 году. ^[12] Помимо более высокой производительности, полупроводниковая МОП-память была дешевле и потребляла меньше энергии, чем память на магнитных сердечниках. ^[13] В 1965 году Дж. Вуд и Р. Болл из Королевского радиолокационного института предложили цифровые системы хранения данных, в которых используются ячейки памяти КМОП (дополнительные МОП-транзисторы), в дополнение к силовым устройствам МОП-транзисторы для источника питания , переключаемой перекрестной связи, переключателям и линиям задержки. хранилище . ^[14] Разработка с кремниевым затвором технологии МОП-интегральных схем (МОП-ИС) Федерико Фаггином из Fairchild в 1968 году позволила производить микросхемы МОП-памяти . ^[15] NMOS Память была коммерциализирована компанией IBM в начале 1970-х годов. ^[16] МОП-память обогнала память на магнитных сердечниках и стала доминирующей технологией памяти в начале 1970-х годов. ^[13]

Двумя основными типами энергозависимой оперативной памяти (ОЗУ) являются статическая оперативная память (SRAM) и динамическая оперативная память (DRAM). Биполярная SRAM была изобретена Робертом Норманом в компании Fairchild Semiconductor в 1963 году. ^[9] за которым последовала разработка MOS SRAM Джоном Шмидтом в Fairchild в 1964 году. ^[13] SRAM стала альтернативой памяти на магнитных сердечниках, но для каждого бита данных требуется шесть транзисторов. ^[17] Коммерческое использование SRAM началось в 1965 году, когда IBM представила свой чип SRAM SP95 для System/360 Model 95 . ^[9]

Toshiba DRAM представила биполярные ячейки памяти для своего электронного калькулятора Toscal BC-1411 в 1965 году. ^[18]^[19] Хотя биполярная DRAM предлагала улучшенную производительность, она не могла конкурировать с более низкой ценой доминирующей в то время памяти с магнитным сердечником. ^[20] Технология MOS является основой современной DRAM. В 1966 году Роберт Х. Деннард из Исследовательского центра IBM Томаса Дж. Уотсона работал над MOS-памятью. Изучая характеристики МОП-технологии, он обнаружил, что можно создавать конденсаторы , и что сохранение заряда или отсутствие заряда на МОП-конденсаторе может представлять собой 1 и 0 бита, в то время как МОП-транзистор может контролировать запись заряда в конденсатор. Это привело к разработке однотранзисторной ячейки памяти DRAM. ^[17] В 1967 году Деннард подал патент на однотранзисторную ячейку памяти DRAM, основанную на технологии МОП. ^[21] Это привело к появлению в октябре 1970 года первого коммерческого чипа DRAM IC — Intel 1103 . ^[22]^[23]^[24] Синхронная динамическая память с произвольным доступом (SDRAM) позже дебютировала с чипом Samsung KM48SL2000 в 1992 году. ^[25]^[26]

Термин «память» также часто используется для обозначения энергонезависимой памяти, включая постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) через современную флэш-память . Программируемое постоянное запоминающее устройство (PROM) было изобретено Вэнь Цин Чоу в 1956 году, когда он работал в подразделении Arma американской корпорации Bosch Arma. ^[27]^[28] В 1967 году Давон Кан и Саймон Зе из Bell Labs предложили плавающий затвор полупроводникового МОП- устройства использовать в качестве ячейки перепрограммируемого ПЗУ, что привело к тому, что Дов Фроман из Intel изобрел EPROM (стираемое PROM) в 1971 году. ^[29] EEPROM (электрически стираемое PROM) было разработано Ясуо Таруи, Ютакой Хаяси и Киёко Нагой в Электротехнической лаборатории в 1972 году. ^[30] Флэш-память была изобретена Фудзио Масуокой в Toshiba в начале 1980-х годов. ^[31]^[32] Масуока и его коллеги представили изобретение вспышки NOR в 1984 году. ^[33] а затем флэш-память NAND в 1987 году. ^[34] Toshiba начала коммерческое использование флэш-памяти NAND в 1987 году. ^[35]^[36]^[37]

Развитие технологий и эффект масштаба сделали возможным так называемое компьютеры с очень большой памятью (VLM). ^[37]

Энергозависимая память

Различные модули памяти, содержащие разные типы DRAM (сверху вниз): DDR SDRAM, SDRAM, EDO DRAM и FPM DRAM.

Энергозависимая память — это память компьютера, которой требуется питание для хранения хранимой информации. Большая часть современной полупроводниковой энергозависимой памяти представляет собой статическое ОЗУ (SRAM) или динамическое ОЗУ (DRAM). ^[а] DRAM доминирует среди системной памяти настольных компьютеров. SRAM используется для кэша процессора . SRAM также встречается в небольших встроенных системах, требующих мало памяти.

SRAM сохраняет свое содержимое до тех пор, пока подключено питание, и может использовать более простой интерфейс, но обычно использует шесть транзисторов на бит . Динамическое ОЗУ более сложно для взаимодействия и управления, оно требует регулярных циклов обновления, чтобы предотвратить потерю его содержимого, но использует только один транзистор и один конденсатор на бит, что позволяет достичь гораздо более высокой плотности и гораздо более низких затрат на бит. ^[2]^[23]^[37]

Энергонезависимая память

Энергонезависимая память может сохранять хранимую информацию даже при отсутствии питания. Примеры энергонезависимой памяти включают постоянное запоминающее устройство , флэш-память , большинство типов магнитных компьютерных запоминающих устройств (например, жесткие диски , дискеты и магнитная лента ), оптические диски и ранние компьютерные методы хранения данных, такие как магнитный барабан , бумажная лента. и перфокарты . ^[37]

Технологии энергонезависимой памяти, находящиеся в стадии разработки, включают сегнетоэлектрическое ОЗУ , программируемую ячейку металлизации , магнитное ОЗУ с передачей спинового момента , SONOS , резистивную память с произвольным доступом , память гоночной трассы , Nano-RAM , 3D XPoint и многоножку .

Полузависимая память

Третья категория памяти — полузависимая . Этот термин используется для описания памяти, которая имеет ограниченный срок энергонезависимости после отключения питания, но затем данные в конечном итоге теряются. Типичная цель при использовании полузависимой памяти — обеспечить высокую производительность и долговечность, присущие энергозависимой памяти, одновременно обеспечивая некоторые преимущества энергонезависимой памяти.

Например, некоторые типы энергонезависимой памяти изнашиваются при записи. элемент Изношенный имеет повышенную нестабильность, но в остальном продолжает работать. Таким образом, места данных, которые записываются часто, можно использовать для использования изношенных цепей. Пока местоположение обновляется в течение известного времени хранения, данные остаются действительными. По истечении определенного периода времени без обновления значение копируется в менее изношенную схему с более длительным сроком хранения. Запись в первую очередь в изношенную область обеспечивает высокую скорость записи, избегая при этом износа не изношенных цепей. ^[38]

В качестве второго примера: STT-RAM можно сделать энергонезависимым за счет создания больших ячеек, но это увеличивает стоимость бита и требования к мощности, а также снижает скорость записи. Использование небольших ячеек повышает стоимость, мощность и скорость, но приводит к полузависимому поведению. В некоторых приложениях повышенной энергозависимостью можно управлять, чтобы обеспечить множество преимуществ энергонезависимой памяти, например, отключив питание, но принудительно пробудившись до того, как данные будут потеряны; или путем кэширования данных, доступных только для чтения, и удаления кэшированных данных, если время отключения питания превышает порог энергонезависимости. ^[39]

Термин «полузависимый» также используется для описания полузависимого поведения, созданного на основе других типов памяти, таких как nvSRAM , который объединяет SRAM и энергонезависимую память на одном кристалле , где внешний сигнал копирует данные из энергозависимой памяти в энергозависимую. энергонезависимая память, но если отключить питание до того, как произойдет копирование, данные будут потеряны. Другим примером является ОЗУ с батарейным питанием , которое использует внешнюю батарею для питания устройства памяти в случае потери внешнего питания. Если питание отключено в течение длительного периода времени, аккумулятор может разрядиться, что приведет к потере данных. ^[37]

Управление

Правильное управление памятью жизненно важно для правильной работы компьютерной системы. Современные операционные системы имеют сложные системы для правильного управления памятью. Несоблюдение этого требования может привести к ошибкам или снижению производительности.

Ошибки

Неправильное управление памятью является распространенной причиной ошибок и уязвимостей безопасности, включая следующие типы:

Утечка памяти происходит, когда программа запрашивает память у операционной системы и никогда не возвращает ее после завершения работы. Программа с этой ошибкой будет постепенно требовать все больше и больше памяти, пока программа не выйдет из строя из-за исчерпания операционной системы.
возникает Ошибка сегментации , когда программа пытается получить доступ к памяти, на доступ к которой у нее нет разрешения. Обычно программа, делающая это, завершается операционной системой.
происходит Переполнение буфера , когда программа записывает данные в конец выделенного ей пространства, а затем продолжает записывать данные за его пределы в память, выделенную для других целей. Это может привести к нестабильному поведению программы, включая ошибки доступа к памяти, неверные результаты, сбой или нарушение безопасности системы. Таким образом, они являются основой многих уязвимостей программного обеспечения и могут быть использованы злоумышленниками.

Виртуальная память

Виртуальная память — это система, в которой физическая память управляется операционной системой, как правило, с помощью блока управления памятью , который является частью многих современных процессоров . Это позволяет использовать несколько типов памяти. Например, некоторые данные могут храниться в оперативной памяти, в то время как другие данные хранятся на жестком диске (например, в файле подкачки ), действуя как расширение иерархии кэша . Это дает несколько преимуществ. Программистам больше не нужно беспокоиться о том, где физически хранятся их данные или будет ли на компьютере пользователя достаточно памяти. Операционная система будет размещать активно используемые данные в оперативной памяти, что происходит гораздо быстрее, чем на жестких дисках. Когда объема оперативной памяти недостаточно для запуска всех текущих программ, это может привести к ситуации, когда компьютер тратит больше времени на перемещение данных из оперативной памяти на диск и обратно, чем на выполнение задач; это известно как треш .

Защищенная память

Защищенная память — это система, в которой каждой программе выделяется область памяти для использования, и выход за пределы этого диапазона не допускается. Если операционная система обнаруживает, что программа попыталась изменить память, которая ей не принадлежит, программа завершается (или иным образом ограничивается или перенаправляется). Таким образом, происходит сбой только программы-нарушителя, а другие программы не страдают от неправильного поведения (случайного или преднамеренного). Использование защищенной памяти значительно повышает надежность и безопасность компьютерной системы.

Без защищенной памяти возможно, что ошибка в одной программе приведет к изменению памяти, используемой другой программой. Это приведет к тому, что другая программа будет использовать поврежденную память с непредсказуемыми результатами. Если память операционной системы повреждена, вся компьютерная система может выйти из строя, и ее придется перезагрузить . Иногда программы намеренно изменяют память, используемую другими программами. Это делается с помощью вирусов и вредоносных программ, захватывающих компьютеры. Его также можно безобидно использовать желательными программами, которые предназначены для изменения других программ, отладчиков , например, для вставки точек останова или перехватчиков.

См. также

Геометрия памяти
Иерархия памяти
Организация памяти
Регистры процессора хранят данные, но обычно не считаются памятью, поскольку хранят только одно слово и не включают механизм адресации.

Примечания

^ Другие технологии энергозависимой памяти, которые пытались конкурировать или заменить SRAM и DRAM, включают Z-RAM и A-RAM .

Ссылки

^ Прочтите, Дженнифер (5 ноября 2020 г.). «Эра DDR5 официально начнется в 2021 году, поскольку рынок DRAM в настоящее время находится в процессе перехода от одного поколения к другому, сообщает TrendForce» . ЭМС Сейчас . Проверено 2 ноября 2022 г.
^ Jump up to: ^а ^б Хеммендингер, Дэвид (15 февраля 2016 г.). «Память компьютера» . Британская энциклопедия . Проверено 16 октября 2019 г.
^ А. М. Тьюринг и Р. А. Брукер (1952). Справочник программиста для Манчестерского электронного компьютера Mark II. Архивировано 2 января 2014 г. в Wayback Machine . Университет Манчестера.
^ «Документация для /proc/sys/vm/» .
^ «Рынок МОП-памяти» (PDF) . Корпорация по разработке интегральных схем . Смитсоновский институт . 1997. Архивировано (PDF) из оригинала 25 июля 2003 г. Проверено 16 октября 2019 г.
^ «Тенденции рынка МОП-памяти» (PDF) . Корпорация по разработке интегральных схем . Смитсоновский институт . 1998. Архивировано (PDF) из оригинала 16 октября 2019 г. Проверено 16 октября 2019 г.
^ «1960 — Демонстрация металлооксидно-полупроводникового (МОП) транзистора» . Кремниевый двигатель . Музей истории компьютеров .
^ «1953: Компьютер Whirlwind дебютирует с основной памятью» . Музей истории компьютеров . Проверено 2 августа 2019 г.
^ Jump up to: ^а ^б ^с ^д ^и ^ж «1966: Полупроводниковые ОЗУ удовлетворяют потребности в высокоскоростных запоминающих устройствах» . Музей истории компьютеров . Проверено 19 июня 2019 г.
^ «1953: Транзисторы обеспечивают быструю память | Механизм хранения данных | Музей истории компьютеров» . www.computerhistory.org . Проверено 14 ноября 2019 г.
^ Ортон, Джон В. (2009). Полупроводники и информационная революция: волшебные кристаллы, которые сделали это возможным . Академическая пресса . п. 104. ИСБН 978-0-08-096390-7 .
^ Твердотельное проектирование - Том. 6 . Дом Горизонт. 1965.
^ Jump up to: ^а ^б ^с «1970: Динамическая MOS-память конкурирует с памятью на магнитных сердечниках по цене» . Музей истории компьютеров . Проверено 29 июля 2019 г.
^ Вуд, Дж.; Болл, Р. (февраль 1965 г.). «Использование полевых транзисторов с изолированным затвором в цифровых системах хранения данных». 1965 Международная конференция IEEE по твердотельным схемам. Сборник технических статей . 1965 Международная конференция IEEE по твердотельным схемам. Сборник технических статей. Том. VIII. стр. 82–83. дои : 10.1109/ISSCC.1965.1157606 .
^ «1968: Разработана технология кремниевых затворов для микросхем» . Музей истории компьютеров . Проверено 10 августа 2019 г.
^ Кричлоу, Д.Л. (2007). «Воспоминания о масштабировании MOSFET». Информационный бюллетень Общества твердотельных схем IEEE . 12 (1): 19–22. дои : 10.1109/N-SSC.2007.4785536 .
^ Jump up to: ^а ^б «ДРАМ» . IBM100 . ИБМ . 9 августа 2017 года . Проверено 20 сентября 2019 г.
^ «Спецификация Toshiba «TOSCAL» BC-1411» . Веб-музей старого калькулятора . Архивировано из оригинала 3 июля 2017 года . Проверено 8 мая 2018 г.
^ «Настольный калькулятор Toshiba «Toscal» BC-1411» . Архивировано из оригинала 20 мая 2007 г.
^ «1966: Полупроводниковые ОЗУ удовлетворяют потребности в высокоскоростных запоминающих устройствах» . Музей истории компьютеров .
^ «Роберт Деннард» . Британская энциклопедия . Проверено 8 июля 2019 г.
^ «Intel: 35 лет инноваций (1968–2003)» (PDF) . Интел. 2003. Архивировано из оригинала (PDF) 4 ноября 2021 года . Проверено 26 июня 2019 г.
^ Jump up to: ^а ^б Память DRAM Роберта Деннарда History-Computer.com
^ Лоек, Бо (2007). История полупроводниковой техники . Springer Science & Business Media . стр. 362–363. ISBN 9783540342588 . i1103 был изготовлен по 6-масковой технологии P-MOS с кремниевым затвором и минимальной толщиной 8 мкм. Полученный продукт имел размер 2400 мкм, 2 ячейки памяти, размер кристалла чуть менее 10 мм² и продавался примерно за 21 доллар.
^ «Технический паспорт KM48SL2000-7» . Samsung . Август 1992 года . Проверено 19 июня 2019 г.
^ «Электронный дизайн» . Электронный дизайн . 41 (15–21). Издательская компания Хайден. 1993. Первая коммерческая синхронная DRAM, 16-Мбитная память Samsung KM48SL2000, использует однобанковую архитектуру, которая позволяет разработчикам систем легко переходить от асинхронных к синхронным системам.
^ Хан-Вэй Хуан (5 декабря 2008 г.). Проектирование встроенной системы с C805 . Cengage Обучение. п. 22. ISBN 978-1-111-81079-5 . Архивировано из оригинала 27 апреля 2018 года.
^ Мари-Од Офор; Эстебан Зиманьи (17 января 2013 г.). Бизнес-аналитика: Вторая европейская летняя школа, eBISS 2012, Брюссель, Бельгия, 15-21 июля 2012 г., Учебные лекции . Спрингер. п. 136. ИСБН 978-3-642-36318-4 . Архивировано из оригинала 27 апреля 2018 года.
^ «1971: Представлено многоразовое полупроводниковое ПЗУ» . Музей истории компьютеров . Проверено 19 июня 2019 г.
^ Таруи, Ю.; Хаяши, Ю.; Нагай, К. (1972). «Электрически перепрограммируемая энергонезависимая полупроводниковая память». Журнал IEEE твердотельных схем . 7 (5): 369–375. Бибкод : 1972IJSSC...7..369T . дои : 10.1109/JSSC.1972.1052895 . ISSN 0018-9200 .
^ Фулфорд, Бенджамин (24 июня 2002 г.). «Невоспетый герой» . Форбс . Архивировано из оригинала 3 марта 2008 года . Проверено 18 марта 2008 г.
^ США 4531203 Фудзио Масуока
^ «Toshiba: изобретатель флэш-памяти» . Тошиба . Проверено 20 июня 2019 г.
^ Масуока, Ф.; Момодоми, М.; Ивата, Ю.; Широта, Р. (1987). «Международная встреча по электронным устройствам 1987 года». Встреча электронных устройств, Международная конференция 1987 г. IEDM 1987. IEEE . стр. 552–555. дои : 10.1109/IEDM.1987.191485 .
^ «1987: Toshiba выпускает флэш-память NAND» . электронная неделя . 11 апреля 2012 года . Проверено 20 июня 2019 г.
^ «1971: Представлено многоразовое полупроводниковое ПЗУ» . Музей истории компьютеров . Проверено 19 июня 2019 г.
^ Jump up to: ^а ^б ^с ^д ^и Станек, Уильям Р. (2009). Windows Server 2008 наизнанку . О'Рейли Медиа, Инк. с. 1520. ИСБН 978-0-7356-3806-8 . Архивировано из оригинала 27 января 2013 г. Проверено 20 августа 2012 г. [...] Windows Server Enterprise поддерживает кластеризацию с числом кластеров до восьми узлов и конфигурации очень большого объема памяти (VLM) до 32 ГБ в 32-битных системах и 2 ТБ в 64-битных системах.
^ Монтьерт, Бриггс, Кейтли. «Полузависимая флэш-память NAND» . Проверено 20 мая 2018 г. {{cite web}}: CS1 maint: несколько имен: список авторов ( ссылка )
^ Кеппель, Наими, Насрулла. «Способ и устройство управления спин-переносной моментной памятью» . Гугл Патенты . Проверено 20 мая 2018 г. {{cite web}}: CS1 maint: несколько имен: список авторов ( ссылка )

Дальнейшее чтение

Миллер, Стивен В. (1977), Технология памяти и хранения , Montvale: AFIPS Press.
Технологии памяти и хранения , Александрия, Вирджиния: Time Life Books, 1988.

[38] Другие технологии энергозависимой памяти, которые пытались конкурировать или заменить SRAM и DRAM, включают Z-RAM и A-RAM .

[1] Прочтите, Дженнифер (5 ноября 2020 г.). «Эра DDR5 официально начнется в 2021 году, поскольку рынок DRAM в настоящее время находится в процессе перехода от одного поколения к другому, сообщает TrendForce» . ЭМС Сейчас . Проверено 2 ноября 2022 г.

[:1-2] Jump up to: ^а ^б Хеммендингер, Дэвид (15 февраля 2016 г.). «Память компьютера» . Британская энциклопедия . Проверено 16 октября 2019 г.

[3] А. М. Тьюринг и Р. А. Брукер (1952). Справочник программиста для Манчестерского электронного компьютера Mark II. Архивировано 2 января 2014 г. в Wayback Machine . Университет Манчестера.

[4] «Документация для /proc/sys/vm/» .

[5] «Рынок МОП-памяти» (PDF) . Корпорация по разработке интегральных схем . Смитсоновский институт . 1997. Архивировано (PDF) из оригинала 25 июля 2003 г. Проверено 16 октября 2019 г.

[6] «Тенденции рынка МОП-памяти» (PDF) . Корпорация по разработке интегральных схем . Смитсоновский институт . 1998. Архивировано (PDF) из оригинала 16 октября 2019 г. Проверено 16 октября 2019 г.

[computerhistory-7] «1960 — Демонстрация металлооксидно-полупроводникового (МОП) транзистора» . Кремниевый двигатель . Музей истории компьютеров .

[8] «1953: Компьютер Whirlwind дебютирует с основной памятью» . Музей истории компьютеров . Проверено 2 августа 2019 г.

[computerhistory1966-9] Jump up to: ^а ^б ^с ^д ^и ^ж «1966: Полупроводниковые ОЗУ удовлетворяют потребности в высокоскоростных запоминающих устройствах» . Музей истории компьютеров . Проверено 19 июня 2019 г.

[10] «1953: Транзисторы обеспечивают быструю память | Механизм хранения данных | Музей истории компьютеров» . www.computerhistory.org . Проверено 14 ноября 2019 г.

[11] Ортон, Джон В. (2009). Полупроводники и информационная революция: волшебные кристаллы, которые сделали это возможным . Академическая пресса . п. 104. ИСБН 978-0-08-096390-7 .

[12] Твердотельное проектирование - Том. 6 . Дом Горизонт. 1965.

[computerhistory1970-13] Jump up to: ^а ^б ^с «1970: Динамическая MOS-память конкурирует с памятью на магнитных сердечниках по цене» . Музей истории компьютеров . Проверено 29 июля 2019 г.

[14] Вуд, Дж.; Болл, Р. (февраль 1965 г.). «Использование полевых транзисторов с изолированным затвором в цифровых системах хранения данных». 1965 Международная конференция IEEE по твердотельным схемам. Сборник технических статей . 1965 Международная конференция IEEE по твердотельным схемам. Сборник технических статей. Том. VIII. стр. 82–83. дои : 10.1109/ISSCC.1965.1157606 .

[15] «1968: Разработана технология кремниевых затворов для микросхем» . Музей истории компьютеров . Проверено 10 августа 2019 г.

[16] Кричлоу, Д.Л. (2007). «Воспоминания о масштабировании MOSFET». Информационный бюллетень Общества твердотельных схем IEEE . 12 (1): 19–22. дои : 10.1109/N-SSC.2007.4785536 .

[ibm100-17] Jump up to: ^а ^б «ДРАМ» . IBM100 . ИБМ . 9 августа 2017 года . Проверено 20 сентября 2019 г.

[bc-spec-18] «Спецификация Toshiba «TOSCAL» BC-1411» . Веб-музей старого калькулятора . Архивировано из оригинала 3 июля 2017 года . Проверено 8 мая 2018 г.

[bc-19] «Настольный калькулятор Toshiba «Toscal» BC-1411» . Архивировано из оригинала 20 мая 2007 г.

[20] «1966: Полупроводниковые ОЗУ удовлетворяют потребности в высокоскоростных запоминающих устройствах» . Музей истории компьютеров .

[21] «Роберт Деннард» . Британская энциклопедия . Проверено 8 июля 2019 г.

[Intel2003-22] «Intel: 35 лет инноваций (1968–2003)» (PDF) . Интел. 2003. Архивировано из оригинала (PDF) 4 ноября 2021 года . Проверено 26 июня 2019 г.

[HC-23] Jump up to: ^а ^б Память DRAM Роберта Деннарда History-Computer.com

[Lojek-1103-24] Лоек, Бо (2007). История полупроводниковой техники . Springer Science & Business Media . стр. 362–363. ISBN 9783540342588 . i1103 был изготовлен по 6-масковой технологии P-MOS с кремниевым затвором и минимальной толщиной 8 мкм. Полученный продукт имел размер 2400 мкм, 2 ячейки памяти, размер кристалла чуть менее 10 мм² и продавался примерно за 21 доллар.

[25] «Технический паспорт KM48SL2000-7» . Samsung . Август 1992 года . Проверено 19 июня 2019 г.

[electronic-design-26] «Электронный дизайн» . Электронный дизайн . 41 (15–21). Издательская компания Хайден. 1993. Первая коммерческая синхронная DRAM, 16-Мбитная память Samsung KM48SL2000, использует однобанковую архитектуру, которая позволяет разработчикам систем легко переходить от асинхронных к синхронным системам.

[Huang2008-27] Хан-Вэй Хуан (5 декабря 2008 г.). Проектирование встроенной системы с C805 . Cengage Обучение. п. 22. ISBN 978-1-111-81079-5 . Архивировано из оригинала 27 апреля 2018 года.

[AufaureZimányi2013-28] Мари-Од Офор; Эстебан Зиманьи (17 января 2013 г.). Бизнес-аналитика: Вторая европейская летняя школа, eBISS 2012, Брюссель, Бельгия, 15-21 июля 2012 г., Учебные лекции . Спрингер. п. 136. ИСБН 978-3-642-36318-4 . Архивировано из оригинала 27 апреля 2018 года.

[computerhistory1971-29] «1971: Представлено многоразовое полупроводниковое ПЗУ» . Музей истории компьютеров . Проверено 19 июня 2019 г.

[30] Таруи, Ю.; Хаяши, Ю.; Нагай, К. (1972). «Электрически перепрограммируемая энергонезависимая полупроводниковая память». Журнал IEEE твердотельных схем . 7 (5): 369–375. Бибкод : 1972IJSSC...7..369T . дои : 10.1109/JSSC.1972.1052895 . ISSN 0018-9200 .

[31] Фулфорд, Бенджамин (24 июня 2002 г.). «Невоспетый герой» . Форбс . Архивировано из оригинала 3 марта 2008 года . Проверено 18 марта 2008 г.

[32] США 4531203 Фудзио Масуока

[33] «Toshiba: изобретатель флэш-памяти» . Тошиба . Проверено 20 июня 2019 г.

[34] Масуока, Ф.; Момодоми, М.; Ивата, Ю.; Широта, Р. (1987). «Международная встреча по электронным устройствам 1987 года». Встреча электронных устройств, Международная конференция 1987 г. IEDM 1987. IEEE . стр. 552–555. дои : 10.1109/IEDM.1987.191485 .

[:0-35] «1987: Toshiba выпускает флэш-память NAND» . электронная неделя . 11 апреля 2012 года . Проверено 20 июня 2019 г.

[36] «1971: Представлено многоразовое полупроводниковое ПЗУ» . Музей истории компьютеров . Проверено 19 июня 2019 г.

[:2-37] Jump up to: ^а ^б ^с ^д ^и Станек, Уильям Р. (2009). Windows Server 2008 наизнанку . О'Рейли Медиа, Инк. с. 1520. ИСБН 978-0-7356-3806-8 . Архивировано из оригинала 27 января 2013 г. Проверено 20 августа 2012 г. [...] Windows Server Enterprise поддерживает кластеризацию с числом кластеров до восьми узлов и конфигурации очень большого объема памяти (VLM) до 32 ГБ в 32-битных системах и 2 ТБ в 64-битных системах.

[39] Монтьерт, Бриггс, Кейтли. «Полузависимая флэш-память NAND» . Проверено 20 мая 2018 г. {{cite web}}: CS1 maint: несколько имен: список авторов ( ссылка )

[40] Кеппель, Наими, Насрулла. «Способ и устройство управления спин-переносной моментной памятью» . Гугл Патенты . Проверено 20 мая 2018 г. {{cite web}}: CS1 maint: несколько имен: список авторов ( ссылка )

[1]

[2]

[3]

[4]

[5]

[6]

[7]

[8]

[9]

[10]

[11]

[12]

[13]

[14]

[15]

[16]

[17]

[18]

[19]

[20]

[21]

[22]

[23]

[24]

[25]

[26]

[27]

[28]

[29]

[30]

[31]

[32]

[33]

[34]

[35]

[36]

[37]

[а]

[38]

[39]