✖


Jump to content

Резистивная оперативная память

(Перенаправлено с RRAM )
См. Также: Электрохимическая оперативная память.
памяти компьютера и хранения данных компьютера Типы
Общий
Неустойчивый
БАРАН
Исторический
Энергонезависимый
ПЗУ
NVRAM
ранней стадии NVRAM
Аналоговая запись
Оптический
В разработке
Исторический

Резистивная память с произвольным доступом ( ReRAM или RRAM ) — это тип энергонезависимой (NV) компьютерной памяти с произвольным доступом (RAM), которая работает путем изменения сопротивления диэлектрического твердотельного материала, часто называемого мемристором . Одним из основных преимуществ ReRAM перед другими технологиями NVRAM является возможность масштабирования менее 10 нм.

ReRAM имеет некоторое сходство с RAM с проводящим мостом (CBRAM) и памятью с фазовым изменением (PCM) в том, что они изменяют свойства диэлектрического материала. CBRAM включает в себя один электрод, обеспечивающий ионы, которые легко растворяются в материале электролита, тогда как PCM включает в себя генерацию достаточного джоулевого нагрева, чтобы вызвать фазовые изменения из аморфного в кристаллическое или из кристаллического в аморфное. Напротив, ReRAM предполагает создание дефектов в тонком оксидном слое, известных как кислородные вакансии (места оксидных связей, из которых был удален кислород), которые впоследствии могут заряжаться и дрейфовать под действием электрического поля. Движение ионов кислорода и вакансий в оксиде было бы аналогично движению электронов и дырок в полупроводнике.

Хотя ReRAM изначально рассматривалась как технология замены флэш-памяти , преимущества ReRAM по стоимости и производительности оказались недостаточными для того, чтобы компании приступили к замене. Судя по всему, для ReRAM можно использовать широкий спектр материалов. Однако открытие [1] Тот факт, что популярный с высоким κ диэлектрик затвора HfO 2 может использоваться в качестве низковольтной памяти ReRAM, побудил исследователей исследовать больше возможностей.

RRAM — зарегистрированная торговая марка Sharp Corporation , японского производителя электронных компонентов, в некоторых странах, включая страны-члены Европейского Союза . [2]

Энергоэффективный чип под названием NeuRRAM исправляет старый недостаток конструкции, позволяющий запускать крупномасштабные алгоритмы искусственного интеллекта на небольших устройствах, достигая той же точности, что и цифровые компьютеры, по крайней мере, для приложений, требующих всего лишь несколько миллионов бит состояния нейронов. Поскольку NeuRRAM является аналоговой технологией, она страдает от тех же проблем с аналоговым шумом, что и другие аналоговые полупроводники. Хотя это является недостатком, многим нейронным процессорам не требуется побитовое хранилище состояний для выполнения полезной работы. [3]

История

[ редактировать ]

В начале 2000-х годов ReRAM разрабатывались рядом компаний, некоторые из которых подали патентные заявки, заявляя о различных реализациях этой технологии. [4] [5] [6] ReRAM поступила в продажу с изначально ограниченной емкостью в КБ. [ нужна ссылка ]

В феврале 2012 года Rambus купила компанию ReRAM под названием Unity Semiconductor за 35 миллионов долларов. [7] В мае 2012 года компания Panasonic выпустила оценочный комплект ReRAM, основанный на архитектуре ячеек памяти на основе оксида тантала 1T1R (1 транзистор – 1 резистор). [8]

В 2013 году компания Crossbar представила прототип ReRAM в виде чипа размером с почтовую марку, который мог хранить 1 ТБ данных. В августе 2013 года компания заявила, что крупномасштабное производство ее чипов ReRAM запланировано на 2015 год. [9] Структура памяти (Ag/a-Si/Si) очень напоминает CBRAM на основе серебра.

ReRAM на основе мемристора Также в 2013 году Hewlett-Packard продемонстрировала пластину и предсказала, что твердотельные накопители емкостью 100 ТБ на основе этой технологии могут быть доступны в 2018 году с емкостью 1,5 ПБ, доступной в 2020 году, как раз вовремя для остановки роста емкости флэш-памяти NAND. . [10]

Были раскрыты различные формы ReRAM, основанные на различных диэлектрических материалах, от перовскитов до оксидов переходных металлов и халькогенидов . диоксид кремния демонстрирует резистивное переключение. Еще в мае 1966 года было показано, что [11] и недавно был пересмотрен. [12] [13]

впервые предложили тонкопленочную резистивную матрицу памяти В 1963 и 1964 годах члены Университета Небраски-Линкольн . [14] [15] О дальнейшей работе над этой новой тонкопленочной резистивной памятью сообщил Дж. Г. Симмонс в 1967 году. [16] [17] В 1970 году сотрудники Научно-исследовательского института атомной энергии и Университета Лидса попытались объяснить этот механизм теоретически. [18] : 1180  В мае 1997 года исследовательская группа из Университета Флориды и компании Honeywell сообщила о методе производства «магниторезистивной оперативной памяти» с использованием плазменного травления с использованием электронного циклотронного резонанса. [19]

Леон Чуа утверждал, что все двухполюсные устройства энергонезависимой памяти, включая ReRAM, следует считать мемристорами . [20] Стэн Уильямс из HP Labs также утверждал, что ReRAM является мемристором . [21] Однако другие бросили вызов этой терминологии, и применимость мемристорной теории к любому физически реализуемому устройству остается под вопросом. [22] [23] [24] Вопрос о том, охватываются ли окислительно-восстановительные резистивные переключающие элементы (ReRAM) современной теорией мемристора, остается спорным. [25]

Оксид кремния представляет собой интересный случай переключения сопротивления. [26] Сообщалось о двух различных режимах внутреннего переключения - поверхностном, при котором проводящие кремниевые нити генерируются на открытых краях (которые могут быть внутренними - внутри пор - или внешними - на поверхности меза-структур), и объемным переключением, при котором нити кислородных вакансий генерируются в объеме оксида. Первый режим страдает от окисления нитей на воздухе, поэтому для обеспечения переключения требуется герметизация. Последний не требует герметизации. В 2014 году исследователи из Университета Райса анонсировали устройство на основе кремниевых нитей, в котором использовался пористый диэлектрик из оксида кремния без внешней краевой структуры — скорее, нити формировались на внутренних краях внутри пор. Устройства могут изготавливаться при комнатной температуре и иметь формирующее напряжение менее 2 В, высокий коэффициент включения-выключения, низкое энергопотребление, девятибитную емкость на ячейку, высокую скорость переключения и хорошую долговечность. Проблемы с их неработоспособностью на воздухе можно решить путем герметизации устройств. [27] Массовое переключение в оксиде кремния, впервые разработанное исследователями UCL ( Университетский колледж Лондона ) с 2012 года. [13] предлагает низкое напряжение гальванопластики (2,5 В), напряжение переключения около 1 В, время переключения в режиме наносекунд и более 10 000 000 циклов без отказа устройства - и все это в условиях окружающей среды. [28]

Формирование

[ редактировать ]
Формирование нитей: ячейка ReRAM размером 50 × 50 нм от Crossbar показана [ объяснить ] [ мертвая ссылка ] случай образования нити накала, когда ток резко возрастает выше определенного напряжения. Транзистор часто используется для ограничения тока и предотвращения неконтролируемого пробоя после образования нити накала.

Основная идея заключается в том, что диэлектрик , который обычно является изолирующим, может образовывать путь проводимости после приложения достаточно высокого напряжения. [29] Путь проводимости может возникать в результате различных механизмов, включая миграцию вакансий или дефектов металла. Как только путь проводимости сформирован, он может быть сброшен (разорван, что приводит к высокому сопротивлению) или установлен (переформирован, что приводит к более низкому сопротивлению) другим более низким напряжением. Возможно, задействовано множество путей тока, а не одна нить. [30] Наличие этих путей тока в диэлектрике можно продемонстрировать in situ с помощью кондуктивной атомно-силовой микроскопии . [29] [31] [32] [33]

Путь низкого сопротивления может быть как локализованным (нитевидным), так и гомогенным. Оба эффекта могут возникать либо на всем расстоянии между электродами, либо только вблизи одного из электродов. Эффекты переключения нитевидных и гомогенных путей проводимости можно различить путем измерения зависимости площади состояния с низким сопротивлением. [34]

При определенных условиях операцию формования можно пропустить. [35] Ожидается, что в этих условиях начальный ток уже достаточно высок по сравнению с изолирующими оксидными слоями. Ячейки ReRAM обычно не требуют формирования высокого напряжения, если ионы Cu уже присутствуют в диэлектрике, уже введенные в результате разработанного процесса фотодиффузии или отжига; такие клетки также могут легко вернуться в исходное состояние. [36] В отсутствие такой меди, изначально находящейся в диэлектрике, существует большая вероятность образования напряжения, приложенного непосредственно к электролиту. [37]

Стили работы

[ редактировать ]

Для памяти с произвольным доступом предпочтительна архитектура 1T1R (один транзистор, один резистор), поскольку транзистор изолирует ток к ячейкам, которые выбраны из ячеек, которые не являются таковыми. С другой стороны, перекрестная архитектура более компактна и может обеспечивать вертикальное наложение слоев памяти, что идеально подходит для устройств хранения данных. Однако при отсутствии каких-либо транзисторов изоляция должна обеспечиваться «селекторным» устройством, например диодом , включенным последовательно с элементом памяти или самим элементом памяти. Такие возможности изоляции уступают использованию транзисторов, если коэффициент включения/выключения селектора недостаточен, что ограничивает возможность работы с очень большими массивами в этой архитектуре. Пороговый переключатель на основе тонкой пленки может работать как селектор биполярного и униполярного ReRAM. Селектор на основе порогового переключателя был продемонстрирован для массива 64 Мб. [38] Архитектура перекрестной точки требует наличия двух селекторов клемм, совместимых с BEOL, таких как сквозной диод для биполярного ReRAM. [39] или PIN-диод для униполярного ReRAM. [40]

Полярность может быть как бинарной, так и одинарной. Биполярные эффекты приводят к изменению полярности при переключении с низкого сопротивления на высокое (операция сброса) по сравнению с переключением с высокого на низкое (операция установки). Униполярное переключение не меняет полярность, но использует другое напряжение.

Системы материалов для резистивных ячеек памяти

[ редактировать ]

Множество систем неорганических и органических материалов демонстрируют эффекты термического или ионного резистивного переключения. Их можно сгруппировать в следующие категории: [34]

  • халькогениды с фазовым переходом, такие как Ge
    2     сбн
    2     Чай
    5     или AgInSbTe
  • бинарные оксиды переходных металлов, такие как NiO, Ta 2 O 5 или TiO.
    2
  • перовскиты, такие как Sr(Zr) TiO
    3     [41] или ПКМО
  • твердотельные электролиты, такие как GeS, GeSe, SiO
    х     или медь
    2     С
  • органические комплексы с переносом заряда, такие как CuTCNQ
  • органические донорно-акцепторные системы, такие как Al AIDCN
  • двумерные (слоистые) изоляционные материалы, такие как гексагональный нитрид бора [42] [43]

RRAM на основе перовскита

[ редактировать ]

Неорганические перовскитные материалы типа ABO3, такие как BaTiO3, SrRuO3, SrZrO3 и SrTiO3, привлекли широкий исследовательский интерес в качестве носителей информации в мемристорах из-за их замечательных эффектов переключения сопротивления и различных функциональных возможностей, таких как сегнетоэлектрические, диэлектрические и полупроводниковые физические характеристики. [44] Однако хрупкая природа и высокая стоимость процесса изготовления ограничивают широкое применение этих неорганических перовскитных материалов типа АВО3 для мемристоров. В последнее время перовскиты тригалогенида свинца типа ABX3 вызвали широкий исследовательский интерес для использования в оптоэлектронных устройствах, таких как фотоэлектрические устройства, фотодетекторы и светоизлучающие диоды (LED). [45] В этих структурах A – одновалентный органический или неорганический (MA:CH3NH3+, FA: CH(NH2)2+, Cs+, Rb+), B – катион двухвалентного металла (Pb2+, Sn2+), X – галогенид-анион (Cl , Бр, я). Катион A находится в восьми углах кубической единицы, а катион B располагается в центре октаэдрического кластера [BX6]4, образуя трехмерную структуру перовскита. В зависимости от различных катионов А-позиции эти структуры можно разделить на органо-неорганические гибридные перовскиты и полностью неорганические перовскиты. [46] Более того, этот тип перовскита можно легко получить методами обработки в растворе по низкой цене. Тем не менее, из-за включения органических катионов обычно обнаруживалось, что собственная термическая нестабильность тригалогенидных перовскитов свинца метиламмония (MA) и формамидиния (FA) действительно была узким местом для разработки гибридных электронных устройств на основе перовскита. [47] Следовательно, чтобы решить эту проблему, органические катионы должны быть заменены другими ионами, такими как катионы цезия (Cs). Интересно, что есть некоторые сообщения о солнечных элементах гибридизации цезия/цезия, которые дают нам много новых ключей к повышению стабильности полностью неорганических электронных устройств на основе перовскита. Все больше и больше публикаций показывают, что неорганические неорганические перовскиты на основе катионов Cs могут быть как структурно, так и термически стабильными при температуре выше 100 ° C, в то время как гибридные перовскиты термически разлагаются до йодида свинца при температуре выше 85 ° C. [48] Таким образом, предполагалось, что полностью неорганические перовскиты могут быть отличными кандидатами для изготовления стабильных и высокоэффективных резистивных переключающих устройств памяти с использованием недорогого процесса. Поскольку перовскиты CsPbX3 обычно получают растворным методом, в кристаллах возможны точечные дефекты, такие как вакансии, междоузлия и антисайты. Эти дефекты существенны для резистивной коммутационной памяти с преобладанием дрейфа. Таким образом, эти перовскиты CsPbX3 имеют большой потенциал для применения в устройствах памяти. [49] Учитывая тот факт, что переключение сопротивления в RRAM на основе галогенид-перовскита обусловлено миграцией атомов галогенидов через вакансии, миграционные характеристики вакансии внутри RRAM являются одним из важнейших свойств материала RRAM, определяющих его ключевые особенности. Однако, несмотря на свою важность, энергия активации галогенидной вакансии в RRAM вообще не является серьезной темой исследования. Очевидно, что небольшой активационный барьер галогенидной вакансии, ожидаемый в RRAM на основе галогенид-перовскита, играет центральную роль в том, чтобы позволить этому RRAM работать при низких напряжениях и, следовательно, в режиме низкого энергопотребления. [50]

Демонстрации

[ редактировать ]

В документах на конференции IEDM в 2007 году впервые было предложено, что ReRAM демонстрирует меньшие токи программирования, чем PRAM или MRAM, без ущерба для производительности программирования, сохранения или долговечности. [51] Некоторые часто упоминаемые системы ReRAM описаны ниже.

ReRAM объемом ГБ

[ редактировать ]

ReRAM объемом 32 ГБ, 24 нм, была опубликована SanDisk в 2013 году без особых подробностей, кроме нетранзисторного устройства доступа и состава RRAM из металлооксида. [52]

ReRAM объемом 16 ГБ, 27 нм (на самом деле CBRAM) была опубликована компаниями Micron и Sony в 2014 году. Вместо структуры 1T1R для одного бита два бита были разделены между двумя транзисторами и нижними электродами, при этом верхние части (электролит, медный резервуар и верхний электрод). [53]

HfO 2 ReRAM на основе

[ редактировать ]

продемонстрировала первую высокопроизводительную технологию ReRAM На выставке IEDM 2008 ITRI с использованием HfO 2 с буферным слоем Ti, показав время переключения менее 10 нс и токи менее 30 мкА. На IEDM 2010 компания ITRI снова побила рекорд скорости, показав время переключения <0,3 нс, а также продемонстрировав улучшения процесса и работы, позволяющие достичь выхода до 100% и долговечности до 10 миллиардов циклов. [54] IMEC представила обновления своей программы ReRAM на симпозиуме по технологиям и схемам СБИС 2012 года, включая решение с рабочим током 500 нА. [55]

ITRI ​​сосредоточила свое внимание на системе Ti/HfO 2 с момента ее первой публикации в 2008 году. Патент ITRI 8362454 с тех пор был продан TSMC; [56] количество предыдущих лицензиатов неизвестно. С другой стороны, IMEC сосредоточил свое внимание главным образом на Hf/HfO 2 . [57] Winbond проделал недавнюю работу по продвижению и коммерциализации ReRAM на основе HfO 2 . [58]

Китайская группа представила самую большую на сегодняшний день 1T1R RRAM — чип емкостью 64 МБ, изготовленный по 130-нм техпроцессу. [59] Было достигнуто 10 миллионов циклов, а также экстраполированное сохранение 10 лет при 75 C.

Панасоник

[ редактировать ]

Panasonic представила свою ReRAM на базе TaO x на выставке IEDM 2008. [60] Ключевым требованием была необходимость в металле с высокой работой выхода, таком как Pt или Ir, для взаимодействия со слоем TaO x . Изменение содержания O приводит к изменению сопротивления, а также к изменению барьера Шоттки. Совсем недавно был реализован слой Ta 2 O 5 /TaO x , который по-прежнему требует металла с высокой работой выхода для взаимодействия с Ta 2 O 5 . [61] Эта система была связана с демонстрацией высокой выносливости (триллионы циклов), [62] но продукты указаны на 100 тыс. циклов. [63] Наблюдались диаметры нитей до ~ 100 нм. [64] Panasonic выпустила 4-мегабайтную часть вместе с Fujitsu, [65] и совместно с UMC разрабатывает встроенную память по 40-нм техпроцессу. [66]

Мемристоры HP

[ редактировать ]

30 апреля 2008 года HP объявила, что они обнаружили мемристор, который первоначально предполагался Чуа в 1971 году как недостающий 4-й фундаментальный элемент схемы. 8 июля они объявили, что начнут создавать прототипы ReRAM с использованием своих мемристоров. [67] HP впервые продемонстрировала свой мемристор с использованием TiOx . [68] но позже перешёл на TaO x , [69] возможно из-за улучшения стабильности. [70] Устройство на базе TaO x имеет некоторое материальное сходство с ReRAM от Panasonic, однако характеристики работы отличаются. Аналогично исследовалась система Hf/HfOx. [71]

Современные технологии

[ редактировать ]

CBRAM Adesto Technologies основана на нитях, генерируемых из металла электрода, а не из кислородных вакансий. Исходной материальной системой была Ag/GeS 2. [72] но в конечном итоге перешел на ZrTe/Al 2 O 3 . [73] Теллуровая нить имела лучшую стабильность по сравнению с серебряной. Adesto выбрала память со сверхнизким энергопотреблением для приложений Интернета вещей (IoT). Adesto выпустила продукцию, произведенную на литейном заводе Altis [74] и заключил литейное соглашение по 45-нм техпроцессу с TowerJazz / Panasonic . [74]

Уибит Нано

[ редактировать ]

Weebit Nano сотрудничает с CEA-Leti , одним из крупнейших научно-исследовательских институтов нанотехнологий в Европе, над развитием технологии ReRAM. Начиная с ноября 2017 года компания продемонстрировала технологичность 40-нм ячеек SiOx ReRAM. [75] с последующими демонстрациями рабочих массивов в 2018 году [76] и дискретные компоненты в 2020 году. [77] В июле 2021 года компания выпустила свои первые встроенные модули ReRAM. [78] В сентябре 2021 года Weebit вместе с Leti произвела, протестировала и охарактеризовала массив ReRAM емкостью 1 МБ с использованием 28-нм техпроцесса FDSOI на пластинах диаметром 300 мм. [79]

Перекладина

[ редактировать ]

Crossbar использует нить Ag в аморфном кремнии вместе с системой порогового переключения для достижения диода + ReRAM. [80] [81] Их система включает использование транзистора в архитектуре 1T1R или 1TNR. Crossbar начала производство образцов в SMIC по 40-нм техпроцессу в 2017 году. [82] Диаметр нити Ag был визуализирован в масштабе десятков нанометров. [83]

Внутренний

[ редактировать ]

Британская компания планирует создавать элементы с использованием обычного оксида кремния. [84] [85]

Программируемая ячейка металлизации

[ редактировать ]
Основная статья: Программируемая ячейка металлизации

Infineon Technologies называет это ОЗУ с проводящим мостом (CBRAM), у NEC есть вариант под названием «Nanobridge», а Sony называет свою версию «электролитической памятью». Новое исследование предполагает, что CBRAM можно напечатать на 3D-принтере . [86] [87]

Устройство резистивной памяти на квантовых точках

квантовых точек Устройство энергонезависимой резистивной памяти на основе со скоростью переключения 10 нс и коэффициентом включения/выключения 10 000. Устройство показало отличные характеристики выносливости в течение 100 000 циклов переключения. Тесты на удержание показали хорошую стабильность, а устройства воспроизводимы. Предложен механизм работы памяти, основанный на захвате заряда в квантовых точках, где барьером является AlOx. Этот механизм поддерживается заметным изменением значения емкости в состояниях ВКЛ и ВЫКЛ. [88]

Тестовые платы ReRam

[ редактировать ]
  • Panasonic AM13L-STK2: MN101LR05D 8-битный микроконтроллер со встроенной ReRAM для оценки, USB 2.0 разъем

Будущие приложения

[ редактировать ]

По сравнению с PRAM, ReRAM работает в более быстром масштабе (время переключения может составлять менее 10 нс), а по сравнению с MRAM имеет более простую и меньшую структуру ячеек (стек MIM менее 8F²). Вертикальная интеграция 1D1R (один диод, одно резистивное переключающее устройство) может использоваться для перекрестной структуры памяти, чтобы уменьшить размер элементарной ячейки до 4F² (F — размер элемента). [89] По сравнению с флэш-памятью и беговой памятью достаточно более низкого напряжения, и, следовательно, ее можно использовать в приложениях с низким энергопотреблением.

ITRI ​​показал, что ReRAM масштабируется ниже 30 нм. [90] Движение атомов кислорода является ключевым явлением для ReRAM на основе оксидов; [91] одно исследование показало, что движение кислорода может происходить в областях размером всего 2 нм. [92] Считается, что если за это ответственна нить, она не будет напрямую зависеть от размера клетки. [93] Вместо этого предел соответствия току (устанавливаемый, например, внешним резистором) может определять допустимую токовую нагрузку нити накала. [94]

Существенным препятствием на пути реализации потенциала ReRAM является проблема скрытого пути, возникающая в более крупных пассивных массивах. В 2010 году комплементарное резистивное переключение (CRS) было представлено как возможное решение проблемы паразитных токов. [95] В подходе CRS состояния хранения информации представляют собой пары состояний с высоким и низким сопротивлением (HRS/LRS и LRS/HRS), так что общее сопротивление всегда велико, что позволяет использовать более крупные пассивные перемычки.

Недостатком первоначального решения CRS является требование устойчивости к переключению, вызванное традиционным деструктивным считыванием, основанным на измерениях тока. Новый подход к неразрушающему считыванию, основанный на измерении емкости, потенциально снижает требования как к износостойкости материала, так и к энергопотреблению. [96] Двухслойная структура используется для создания нелинейности в LRS, чтобы избежать проблемы скрытого пути. [97] Сообщалось об однослойном устройстве, демонстрирующем сильную нелинейную проводимость в LRS. [98] Для биполярного ReRAM была введена еще одна двухслойная структура для улучшения HRS и стабильности. [99]

Другое решение проблемы скрытого текущего значения — параллельное выполнение операций чтения и сброса для всей строки ячеек с использованием set для выбранных ячеек. [100] В этом случае для массива 3D-ReRAM 1TNR со столбцом из N ячеек ReRAM, расположенных над выбранным транзистором, только внутренняя нелинейность HRS должна быть достаточно большой, поскольку количество вертикальных уровней N ограничено (например, , N = 8–32), и это было показано возможным для слаботочной системы ReRAM. [101]

Моделирование 2D- и 3D-кэшей, разработанных с использованием ReRAM и других энергонезависимых запоминающих устройств с произвольным доступом, таких как MRAM и PCM, можно выполнить с помощью DESTINY. [102] инструмент.

Предлагаемая роль в приложениях искусственного интеллекта

[ редактировать ]

Растущие вычислительные потребности, необходимые для многих улучшений в области искусственного интеллекта, заставили многих предположить, что реализации ReRAM могут быть чрезвычайно полезным оборудованием для запуска приложений искусственного интеллекта и машинного обучения . [103]

Исследователи Гавела из Инженерной школы Стэнфордского университета создали RRAM, которая «выполняет обработку ИИ внутри самой памяти, тем самым устраняя разделение между вычислительными блоками и блоками памяти». Он в два раза энергоэффективнее современных. [104]

Ссылки

[ редактировать ]
  1. ^ Ли, Хай; Чен, PS; Ву, Тай; Чен, Ю.С.; Ван, CC; Ценг, П.Дж.; Лин, CH; Чен, Ф.; Лиен, Швейцария; Цай, MJ (2008). «Маломощное и высокоскоростное биполярное переключение с тонким реактивным буферным слоем Ti в надежной RRAM на основе HfO2». 2008 Международная конференция IEEE по электронным устройствам . стр. 1–4. дои : 10.1109/IEDM.2008.4796677 . ISBN  978-1-4244-2377-4 . S2CID   26927991 .
  2. ^ «RRAM: Товарный знак 003062791» . euipo.europa.eu . ВИСПО.
  3. ^ «НейРАМ» . www.quantamagazine.org . Фонд Саймона.
  4. ^ Патент США 6 531 371.
  5. ^ Патент США 7 292 469.
  6. ^ Патент США 6 867 996.
  7. ^ Меллор, Крис (7 февраля 2012 г.), Rambus теряет 35 миллионов долларов за Unity Semiconductor
  8. ^ «Новые микроконтроллеры со встроенной энергонезависимой памятью ReRAM» (Пресс-релиз). Панасоник. 15 мая 2012 года . Проверено 16 мая 2012 г.
  9. ^ «Войны систем хранения данных нового поколения: в битве RRAM против флэш-памяти 3D NAND мы все — победители» (пресс-релиз). Мир ПК. 9 августа 2013. Архивировано из оригинала 2 февраля 2014 года . Проверено 28 января 2014 г.
  10. ^ Меллор, Крис. «Мемристорные накопители HP емкостью 100 ТБ появятся к 2018 году – если повезет, признает технический титан» . www.theregister.com .
  11. ^ Лэмб, ДР; Рандл, ПК (1967). «Ненитевое переключение в термически выращенных пленках диоксида кремния». Британский журнал прикладной физики . 18 (1): 29–32. Бибкод : 1967BJAP...18...29L . дои : 10.1088/0508-3443/18/1/306 .
  12. ^ Пак, Ин-Сон; Ким, Кьонг-Рэ; Ли, Сангсул; Ан, Джинхо (2007). «Характеристики переключения сопротивления для работы энергонезависимой памяти бинарных оксидов металлов». Японский журнал прикладной физики . 46 (4B): 2172. Бибкод : 2007JaJAP..46.2172P . дои : 10.1143/JJAP.46.2172 . S2CID   122024553 .
  13. ^ Jump up to: а б Мехонич, А.; Куэфф, С.Б.; Войдак, М.; Худзяк, С.; Жамбуа, О.; Лаббе, К.; Гарридо, Б.; Ризк, Р.; Кеньон, Эй Джей (2012). «Резистивное переключение в пленках субоксида кремния» . Журнал прикладной физики . 111 (7): 074507–074507–9. Бибкод : 2012JAP...111g4507M . дои : 10.1063/1.3701581 .
  14. ^ Башара, Нью-Мексико; Нильсен, PH (1963). «Эффекты памяти в тонкопленочных структурах с отрицательным сопротивлением». Годовой отчет Конференции по электроизоляции за 1963 год . стр. 29–32. дои : 10.1109/EIC.1963.7466544 . ISBN  978-1-5090-3119-1 .
  15. ^ Нильсен, PH; Башара, Нью-Мексико (1964). «Обратимое начальное сопротивление, индуцированное напряжением, в сэндвич-структуре с отрицательным сопротивлением». Транзакции IEEE на электронных устройствах . 11 (5): 243–244. Бибкод : 1964ITED...11..243N . дои : 10.1109/T-ED.1964.15319 . ISSN   0018-9383 .
  16. ^ Симмонс, Дж. Г.; Вердербер, Р.Р. (август 1967 г.). «Новая тонкопленочная резистивная память» . Инженер-радиоэлектроник . 34 (2): 81–89. дои : 10.1049/ree.1967.0069 . ISSN   0033-7722 . [ мертвая ссылка ]
  17. ^ Ломакс, RW; Симмонс, Дж. Г. (1968). «Тонкая пленка, холодный катод, буквенно-цифровая панель дисплея» . Инженер-радиоэлектроник . 35 (5): 265–272. дои : 10.1049/ree.1968.0039 . ISSN   0033-7722 . Архивировано из оригинала 20 марта 2018 года.
  18. ^ Дирнали, Г.; Стоунхэм, AM; Морган, Д.В. (1970). «Электрические явления в пленках аморфного оксида» (PDF) . Отчеты о прогрессе в физике . 33 (3): 1129–1191. Бибкод : 1970РПФ...33.1129Д . дои : 10.1088/0034-4885/33/3/306 . ISSN   0034-4885 . S2CID   14500522 . Архивировано из оригинала (PDF) 20 марта 2018 г. [стр. 1180] Тонкопленочная резистивная матрица памяти, основанная на управляемом напряжением отрицательном сопротивлении в SiO, была впервые предложена Нильсеном и Башарой (1964), и такое устройство было описано Симмонсом и Вердербером (1968).
  19. ^ Юнг, КБ; Ли, Дж.В.; Парк, Ю.Д.; Чилдресс, младший; Пиртон, С.Дж.; Дженсон, М.; Херст, AT (1 ноября 1997 г.). «Электронно-циклотронно-резонансное плазменное травление материалов для магниторезистивных запоминающих устройств с произвольным доступом». Журнал электронных материалов . 26 (11): 1310–1313. Бибкод : 1997JEMat..26.1310J . дои : 10.1007/s11664-997-0076-x . ISSN   0361-5235 . S2CID   93702602 .
  20. ^ Чуа, Ло (2011), «Память с переключением сопротивления - это мемристоры», Applied Physics A , 102 (4): 765–783, Bibcode : 2011ApPhA.102..765C , doi : 10.1007/s00339-011-6264-9
  21. ^ Меллор, Крис (10 октября 2011 г.), «HP и Hynix будут производить мемристорные товары к 2013 году» , The Register , получено 7 марта 2012 г.
  22. ^ Мёфельс, П.; Сони, Р. (2012), «Фундаментальные вопросы и проблемы реализации мемристоров», arXiv : 1207.7319 [ cond-mat.mes-hall ]
  23. ^ Ди Вентра, Массимилиано; Першин, Юрий В. (2013). «О физических свойствах мемристивных, мемемкостных и меминдуктивных систем». Нанотехнологии . 24 (25): 255201. arXiv : 1302.7063 . Бибкод : 2013Nanot..24y5201D . CiteSeerX   10.1.1.745.8657 . дои : 10.1088/0957-4484/24/25/255201 . ПМИД   23708238 . S2CID   14892809 .
  24. ^ Ким, Дж.; Першин Ю.В.; Инь, М.; Датта, Т.; Ди Вентра, М. (июль 2020 г.). «Экспериментальное доказательство того, что память с переключением сопротивления не является мемристором». Передовые электронные материалы . 6 (7). arXiv : 1909.07238 . дои : 10.1002/aelm.202000010 . S2CID   202577242 .
  25. ^ Валов И.; Линн, Э.; Таппертцхофен, С.; Шмельцер, С.; ван ден Хурк, Дж.; Ленц, Ф.; Васер, Р. (2013). «Нанобатареи в резистивных переключателях на основе окислительно-восстановительного потенциала требуют расширения теории мемристора» . Природные коммуникации . 4 : 1771. arXiv : 1303.2589 . Бибкод : 2013NatCo...4.1771V . дои : 10.1038/ncomms2784 . ПМЦ   3644102 . ПМИД   23612312 .
  26. ^ «Внутренние решения искусственного интеллекта» . Внутренние решения искусственного интеллекта . Проверено 2 ноября 2023 г.
  27. ^ «Институт Форсайта» Архив блога » Память следующего поколения на основе нанотехнологий приближается к массовому производству» . Форсайт.орг. 10 августа 2014 г. Проверено 13 августа 2014 г.
  28. ^ Мехонич, А.; Мунде, Миссисипи; Нг, WH; Баквелл, М.; Монтези, Л.; Босман, М.; Шлюгер, Ал.; Кеньон, Эй Джей (2017). «Внутреннее сопротивление переключения в аморфном оксиде кремния для высокопроизводительных устройств SiOx ReRAM» . Микроэлектронная инженерия . 178 : 98–103. дои : 10.1016/j.mee.2017.04.033 .
  29. ^ Jump up to: а б Ланца, Марио (2014). «Обзор резистивного переключения в диэлектриках High-k: наномасштабная точка зрения с использованием проводящего атомно-силового микроскопа» . Материалы . 7 (3): 2155–2182. Бибкод : 2014Mate....7.2155L . дои : 10.3390/ma7032155 . ПМЦ   5453275 . ПМИД   28788561 .
  30. ^ Ли, Д.; Сон, диджей; Джо, И.; Сян, Ф.; Донг, Р.; Ох, С.; Хван, Х. (2007). «Переключение сопротивления пленок MoO [sub x], легированных медью, для энергонезависимой памяти». Письма по прикладной физике . 90 (12): 122104. Бибкод : 2007ApPhL..90l2104L . дои : 10.1063/1.2715002 .
  31. ^ Ланца, М.; Берсукер, Г.; Порти, М.; Миранда, Э.; Нафриа, М.; Аймерих, X. (5 ноября 2012 г.). «Резистивное переключение в слоях диоксида гафния: локальное явление на границах зерен» . Письма по прикладной физике . 101 (19): 193502. Бибкод : 2012ApPhL.101s3502L . дои : 10.1063/1.4765342 . ISSN   0003-6951 .
  32. ^ Ши, Юаньюань; Цзи, Яньфэн; Хуэй, Фэй; Нафрия, Монтсеррат; Порти, Марк; Берсукер, Геннадий; Ланца, Марио (01 апреля 2015 г.). «Демонстрация на месте связи между механической прочностью и резистивным переключением в резистивных запоминающих устройствах с произвольным доступом». Передовые электронные материалы . 1 (4): н/д. дои : 10.1002/aelm.201400058 . ISSN   2199-160X . S2CID   110305072 .
  33. ^ Ланца, Марио (2017). Кондуктивная атомно-силовая микроскопия: применение в наноматериалах . Берлин, Германия: Wiley-VCH. стр. 10–30. ISBN  978-3-527-34091-0 .
  34. ^ Jump up to: а б «Передовые инженерные материалы - Интернет-библиотека Wiley» . Aem-journal.com. дои : 10.1002/(ISSN) 1527-2648 . Архивировано из оригинала 30 апреля 2013 г. Проверено 13 августа 2014 г.
  35. ^ Чен, Юй-Шэн; У, Тай-Юань; Цзенг, Пей-Джер; Чен, Пан-Шиу; Ли, Хай; Линь, Ча-Синь; Чен, Ф.; Цай, Минг-Джинн (2009). «Безформующее биполярное устройство RRAM HfO 2 с повышенной износостойкостью и высокой скоростью работы». Международный симпозиум 2009 г. по технологиям, системам и приложениям СБИС . стр. 37–38. дои : 10.1109/VTSA.2009.5159281 . ISBN  978-1-4244-2784-0 . S2CID   7590725 .
  36. ^ Балакришнан, М.; Термадам, SCP; Миткова М.; Козицки, Миннесота (2006). «Энергонезависимый элемент памяти малой мощности на основе меди в нанесенном оксиде кремния». 2006 г. 7-й ежегодный симпозиум по технологиям энергонезависимой памяти . стр. 104–110. дои : 10.1109/NVMT.2006.378887 . ISBN  978-0-7803-9738-5 . S2CID   27573769 .
  37. ^ Силлс, С.; Ясуда, С.; Стрэнд, Дж.; Кальдерони, А.; Аратани, К.; Джонсон, А.; Рамасвами, Н. (2014). «Медная ячейка ReRAM для приложений памяти класса хранения». Симпозиум по технологии СБИС 2014 (СБИС-технология): Сборник технических статей . стр. 1–2. дои : 10.1109/VLSIT.2014.6894368 . ISBN  978-1-4799-3332-7 . S2CID   9690870 .
  38. ^ И. В. Карпов, Д. Кенке, Д. Кау, С. Тан и Г. Спадини, MRS Proceedings, Том 1250, 2010 г.
  39. ^ VSS Шринивасан и др., Биполярный селектор RRAM на основе сквозного диода от Si Epitaxy», Electron Device Letters, IEEE, том 33, № 10, стр. 1396,1398, октябрь 2012 г. doi: 10.1109/LED.2012.2209394 [1]
  40. ^ Мандапати, Р.; Шривастава, С.; Дас, Б.; Сушама; Остваль, В.; Шульце, Дж.; Гангули, У. (2014). «Высокопроизводительный эпитаксиальный кремниевый переключатель PIN для температуры ниже 430 ° C для 3D RRAM». 72-я конференция по исследованию устройств . стр. 241–242. дои : 10.1109/DRC.2014.6872387 . ISBN  978-1-4799-5406-3 . S2CID   31770873 .
  41. ^ Васер, Райнер; Аоно, Масакадзу (2007). «Резистивная переключающая память на основе наноионики». Природные материалы . 6 (11): 833–840. Бибкод : 2007NatMa...6..833W . дои : 10.1038/nmat2023 . ISSN   1476-4660 . ПМИД   17972938 .
  42. ^ Пан, Чэнбин; Цзи, Яньфэн; Сяо, На; Хуэй, Фэй; Тан, Кечао; Го, Ючжэн; Се, Сяомин; Пуглиси, Франческо М.; Ларчер, Лука (01 января 2017 г.). «Сосуществование биполярного и порогового резистивного переключения с помощью границ зерен в многослойном гексагональном нитриде бора». Передовые функциональные материалы . 27 (10): н/д. дои : 10.1002/adfm.201604811 . hdl : 11380/1129421 . ISSN   1616-3028 . S2CID   100500198 .
  43. ^ Пуглиси, FM; Ларчер, Л.; Пан, К.; Сяо, Н.; Ши, Ю.; Хуэй, Ф.; Ланца, М. (01 декабря 2016 г.). «Устройства RRAM на основе 2D h-BN». Международная конференция IEEE по электронным устройствам (IEDM) , 2016 г. стр. 34.8.1–34.8.4. дои : 10.1109/IEDM.2016.7838544 . ISBN  978-1-5090-3902-9 . S2CID   28059875 .
  44. ^ SC Lee, Q. Hu, Y.-J. Пэк, Ю. Дж. Чой, Си Джей Канг, Х. Х. Ли, Т.-С. Юн, Аналоговое и биполярное резистивное переключение в pn-переходе нанопроволок ZnO n-типа на подложке Si p-типа, J. ​​Appl. Физ. 114 (2013) 1–5.
  45. ^ Д.В. Талапин, Ж.-С. Ли, М.В. Коваленко, Е.В. Шевченко, Перспективы коллоидных нанокристаллов для электронных и оптоэлектронных приложений, Хим. Ред. 110 (2009) 389–458.
  46. ^ Ли, Б., Хуэй, В., Ран, X., Ся, Ю., Ся, Ф., Чао, Л., ... и Хуан, В. (2019). Металлогалогенидные перовскиты для резистивных переключаемых устройств памяти и искусственных синапсов. Журнал химии материалов C, 7 (25), 7476-7493.
  47. ^ Кодзима, А.; Тешима, К.; Шираи, Ю.; Миясака, Т. Металлогалогенидные перовскиты как сенсибилизаторы видимого света для фотоэлектрических элементов. Дж. Ам. хим. Соц. 2009, 131, 6050–6051.
  48. ^ Гратцель, М. Свет и тень перовскитных солнечных элементов. ̈ Нат. Матер. 2014, 13, 838−842.
  49. ^ Лю, Д., Линь, К., Занг, З., Ван, М., Ванъян, П., Тан, X., ... и Ху, В. (2017). Гибкое полностью неорганическое перовскитовое энергонезависимое запоминающее устройство CsPbBr3. Прикладные материалы и интерфейсы ACS, 9 (7), 6171-6176.
  50. ^ Хур, Дж. Х. (2020). Первые принципы исследования энергетического барьера активации кислородной вакансии в резистивной памяти на основе диоксида циркония. Научные отчеты, 10(1), 1-8.
  51. ^ Цунода, К.; Киношита, К.; Ноширо, Х.; Ямадзаки, Ю.; Иизука, Т.; Ито, Ю.; Такахаши, А.; Окано, А.; Сато, Ю.; Фукано, Т.; Аоки, М.; Сугияма, Ю. (2007). «Малая мощность и высокая скорость переключения NiO ReRAM, легированного Ti, под действием униполярного источника напряжения менее 3 В». 2007 Международная конференция IEEE по электронным устройствам . стр. 100-1 767–770. дои : 10.1109/IEDM.2007.4419060 . ISBN  978-1-4244-1507-6 . S2CID   40684267 .
  52. ^ Т. Лю и др., ISSCC 2013.
  53. ^ Дж. Захурак и др., IEDM 2014.
  54. ^ ХИ. Ли и др., IEDM 2010.
  55. ^ Л. Гу и др. , 2012 симп. по технологии СБИС. Копать. Техн. Статьи, 159 (2012).
  56. ^ «Ведомство США по патентам и товарным знакам» .
  57. ^ YY Чен и др. , ИЭДМ 2013.
  58. ^ Ч. Хо и др. , 2016 Симпозиум по технологии СБИС.
  59. ^ X. Хан и др., CICC 2017.
  60. ^ Вэй, З.; Канзава, Ю.; Арита, К.; Като, Ю.; Каваи, К.; Мураока, С.; Митани, С.; Фуджи, С.; Катаяма, К.; Иидзима, М.; Мика, Т.; Ниномия, Т.; Миянага, Р.; Кавасима, Ю.; Цудзи, К.; Химено, А.; Окада, Т.; Азума, Р.; Симакава, К.; Сугая, Х.; Такаги, Т.; Ясухара, Р.; Хориба, К.; Кумигашира, Х.; Осима, М. (2008). «Высоконадежная TaOx ReRAM и прямое доказательство механизма окислительно-восстановительной реакции». 2008 Международная конференция IEEE по электронным устройствам . стр. 1–4. дои : 10.1109/IEDM.2008.4796676 . ISBN  978-1-4244-2377-4 . S2CID   30862029 .
  61. ^ Ю. Хаякава и др. , 2015 Симпозиум по технологии СБИС.
  62. ^ МДж. Ли и др. , Нат. Мачта. 10, 625 (2011).
  63. ^ Описание продукта на базе Panasonic ReRAM.
  64. ^ З. Вэй, IMW 2013.
  65. ^ «Fujitsu Semiconductor выпускает самый большой в мире продукт ReRAM емкостью 4 Мбит для массового производства: Fujitsu SEMICONDUCTOR» . www.fujitsu.com .
  66. ^ «Panasonic и Объединенная корпорация микроэлектроники договорились разработать процесс массового производства ReRAM следующего поколения» . www.businesswire.com . 6 февраля 2017 г.
  67. ^ EETimes.com - Мемристоры готовы к прайм-тайму
  68. ^ D. B. Strukov, Nature 453, 80 (2008).
  69. ^ JP Strachan et al. , IEEE Транс. Электр. Дев. 60, 2194 (2013).
  70. ^ «Сравнение Pt/TiOx/Pt и Pt/TaOx/TaOy/Pt» . Архивировано из оригинала 13 февраля 2017 г. Проверено 13 февраля 2017 г.
  71. ^ С. Кумар и др. , АСУ Нано 10, 11205 (2016).
  72. ^ Дж. Р. Джеймсон и др. , ИЭДМ 2013.
  73. ^ Д. Кантер, «Adesto нацелена на Интернет вещей с использованием CBRAM», Отчет Linley Group Microprocessor, февраль 2016 г.
  74. ^ Jump up to: а б «Dialog Semiconductor: Продвижение подключенного мира с помощью технологий | Диалог» . www.dialog-semiconductor.com .
  75. ^ «Weebit анонсировала рабочие образцы ячеек SiOx RRAM, изготовленные по 40-нм техпроцессу | RRAM-Info» . www.rram-info.com .
  76. ^ «SiOx ReRAM достигла рубежа в 1 Мбит» . eeNews Европа . 4 июля 2018 г.
  77. ^ «Weebit Nano впервые упаковала свои чипы RRAM | RRAM-Info» . www.rram-info.com .
  78. ^ «Weebit Nano завершила разработку и вывод на ленту своего первого встроенного модуля RRAM | RRAM-Info» . www.rram-info.com .
  79. ^ «Weebit Nano ReRAM масштабирован до 28 нм» . www.electronicsweekly.com Октябрь 2021.
  80. ^ Ю. Донг и др. , Левый. Летт. 8, 386 (2008).
  81. ^ SH Джо и др. , АСПДАК 2015.
  82. ^ Перекрестная выборка 40 нм в SMIC
  83. ^ «ТЭМ Ag нити» (PDF) .
  84. ^ «Внутренние решения искусственного интеллекта» . Внутренние решения искусственного интеллекта . Проверено 3 ноября 2023 г.
  85. ^ Меллор, Крис (16 марта 2023 г.). «Глядя на состояние дел с ReRAM» . Блоки и файлы . Проверено 3 ноября 2023 г.
  86. ^ Гибкая резистивная память, полностью напечатанная на струйной печати - AIP Scitation
  87. ^ Массовое производство печатной электроники - Engineering.com
  88. ^ Каннан, В.; Ри Дж.К. (6 октября 2011 г.). «Сверхбыстрое переключение в энергонезависимой резистивной памяти на основе квантовых точек, обработанной в растворе» . Письма по прикладной физике . 99 (14): 143504. Бибкод : 2011ApPhL..99n3504K . doi : 10.1063/1.3647629 – через AIP.
  89. ^ Чжан, Ян; Дуань, Цзицин; Ли, Руи; Ку, Чие-Джен; Рейес, Пол I; Ашрафи, Альмамун; Чжун, Цзянь; Лу, Ичэн (2013). «Вертикально интегрированная структура 1D1R на основе ZnO для резистивного переключения». Журнал физики D: Прикладная физика . 46 (14): 145101. Бибкод : 2013JPhD...46n5101Z . дои : 10.1088/0022-3727/46/14/145101 . S2CID   121110610 .
  90. ^ Чен, Ю.С.; Ли, Хай; Чен, PS; Гу, ПЯ; Чен, CW; Лин, В.П.; Лю, WH; Сюй, ГГ; Шеу, СС; Чан, ПК; Чен, WS; Чен, FT; Лиен, Швейцария; Цай, MJ (2009). «Широко масштабируемая память на основе оксида гафния с улучшениями резистивного распределения и иммунитета к нарушениям чтения». 2009 Международная конференция IEEE по электронным устройствам (IEDM) . стр. 1–4. дои : 10.1109/IEDM.2009.5424411 . ISBN  978-1-4244-5639-0 . S2CID   36391893 .
  91. ^ Семинар по новой энергонезависимой памяти, 2008 г., Синьчжу, Тайвань.
  92. ^ Цен, К.; Тиль, С.; Хаммерл, Г.; Шнайдер, CW; Андерсен, Кентукки; Хеллберг, CS; Маннхарт, Дж.; Леви, Дж. (2008). «Наномасштабный контроль межфазного перехода металл-изолятор при комнатной температуре» . Природные материалы . 7 (4): 298–302. Бибкод : 2008NatMa...7..298C . дои : 10.1038/nmat2136 . ПМИД   18311143 .
  93. ^ И.Г. Бэк и др., IEDM 2004.
  94. ^ Линь, Чи-Ян; Ву, Чэнь-Ю; Ву, Чунг-И; Ху, Ченмин; Ценг, Цеунг-Юэн (2007). «Бистабильное резистивное переключение в тонких пленках памяти Al2O3». Журнал Электрохимического общества . 154 (9): G189. Бибкод : 2007JElS..154G.189L . дои : 10.1149/1.2750450 .
  95. ^ Линн, Эйке; Розезин, Роланд; Кюгелер, Карстен; Васер, Райнер (2010). «Дополнительные резистивные переключатели для пассивных наноперекрестных запоминающих устройств». Природные материалы . 9 (5): 403–6. Бибкод : 2010NatMa...9..403L . дои : 10.1038/nmat2748 . ПМИД   20400954 .
  96. ^ Таппертцхофен, С; Линн, Э; Нилен, Л; Розезин Р.; Ленц, Ф; Бруххаус, Р; Валов, И; Беттгер, У; Васер, Р. (2011). «Неразрушающее считывание на основе емкости для дополнительных резистивных переключателей». Нанотехнологии . 22 (39): 395203. Бибкод : 2011Nanot..22M5203T . дои : 10.1088/0957-4484/22/39/395203 . ПМИД   21891857 . S2CID   12305490 .
  97. ^ Джошуа Янг, Дж.; Чжан, М.-Х.; Пикетт, Мэтью Д.; Мяо, Фэн; Пол Страчан, Джон; Ли, Вэнь-Ди; Йи, Вэй; Ольберг, Дуглас А.А.; Джун Чхве, Бён; Ву, Вэй; Никель, Дженис Х.; Медейрос-Рибейро, Жилберту; Стэнли Уильямс, Р. (2012). «Инженерия нелинейности в мемристорах для приложений с пассивными кроссбарами» . Письма по прикладной физике . 100 (11): 113501. Бибкод : 2012ApPhL.100k3501J . дои : 10.1063/1.3693392 .
  98. ^ Мехонич, Аднан; Куэфф, Себастьян; Войдак, Мацей; Худзяк, Стивен; Лаббе, Кристоф; Ризк, Ричард; Кеньон, Энтони Дж (2012). «Электрически настроенное переключение сопротивления в оксиде кремния». Нанотехнологии . 23 (45): 455201. Бибкод : 2012Nanot..23S5201M . дои : 10.1088/0957-4484/23/45/455201 . ПМИД   23064085 . S2CID   12528923 .
  99. ^ Чжан, Ян; Дуань, Цзицин; Ли, Руи; Ку, Чие-Джен; Рейес, Павел; Ашрафи, Альмамун; Лу, Ичэн (2012). «Резистивные коммутационные устройства на основе FeZnO». Журнал электронных материалов . 41 (10): 2880. Бибкод : 2012JEMat..41.2880Z . дои : 10.1007/s11664-012-2045-2 . S2CID   95921756 .
  100. ^ Юн, Хон Сик; Пэк, Ин-Гю; Чжао, Цзиньши; Сим, Хёнджун; Пак, Мин Ён; Ли, Хансин; О, Гю-Хван; Шин, Чон Чан; Йео, Ин-Сок; Чунг, У.-Ин (2009). «Память изменения сопротивления вертикального пересечения для приложений энергонезависимой памяти сверхвысокой плотности» . Симпозиум 2009 г. по технологии СБИС : 26–27.
  101. ^ Чен, FT; Чен, Ю.С.; Ву, Тай; Ку, ТК (2014). «Схема записи, позволяющая снизить требования к нелинейности LRS в массиве 3D-RRAM с архитектурой 1TNR без селектора». Письма об электронных устройствах IEEE . 35 (2): 223–225. Бибкод : 2014IEDL...35..223C . дои : 10.1109/LED.2013.2294809 . ISSN   0741-3106 . S2CID   1126533 .
  102. ^ Поремба и др., « DESTINY: инструмент для моделирования новых кэшей 3D NVM и eDRAM », ДАТА, 2015 г.
  103. ^ Прециозо, М.; и др. (2016). Тегерани, Ферехтех Х; Смотри, Дэвид С.; Роджерс, Дэвид Дж. (ред.). «Аппаратная реализация искусственных нейронных сетей на основе RRAM: последние достижения и предстоящие проблемы» (PDF) . Ежегодный обзор SPIE . Материалы и устройства на основе оксидов VII. 9749 : 974918. Бибкод : 2016SPIE.9749E..18P . дои : 10.1117/12.2235089 . S2CID   20633281 . Проверено 13 июня 2021 г.
  104. ^ «Инженеры Стэнфорда представляют новый чип, который повышает эффективность вычислений с использованием искусственного интеллекта» . 18 августа 2022 г.
Retrieved from "https://en.wikipedia.org/w/index.php?title=Resistive_random-access_memory&oldid=1237720593"
Arc.Ask3.Ru: конец переведенного документа.
Arc.Ask3.Ru
Номер скриншота №: 361e203a4ed1dfbcc2fe8ade8c354390__1722390480
URL1:https://arc.ask3.ru/arc/aa/36/90/361e203a4ed1dfbcc2fe8ade8c354390.html
Заголовок, (Title) документа по адресу, URL1:
Resistive random-access memory - Wikipedia
Данный printscreen веб страницы (снимок веб страницы, скриншот веб страницы), визуально-программная копия документа расположенного по адресу URL1 и сохраненная в файл, имеет: квалифицированную, усовершенствованную (подтверждены: метки времени, валидность сертификата), открепленную ЭЦП (приложена к данному файлу), что может быть использовано для подтверждения содержания и факта существования документа в этот момент времени. Права на данный скриншот принадлежат администрации Ask3.ru, использование в качестве доказательства только с письменного разрешения правообладателя скриншота. Администрация Ask3.ru не несет ответственности за информацию размещенную на данном скриншоте. Права на прочие зарегистрированные элементы любого права, изображенные на снимках принадлежат их владельцам. Качество перевода предоставляется как есть. Любые претензии, иски не могут быть предъявлены. Если вы не согласны с любым пунктом перечисленным выше, вы не можете использовать данный сайт и информация размещенную на нем (сайте/странице), немедленно покиньте данный сайт. В случае нарушения любого пункта перечисленного выше, штраф 55! (Пятьдесят пять факториал, Денежную единицу (имеющую самостоятельную стоимость) можете выбрать самостоятельно, выплаичвается товарами в течение 7 дней с момента нарушения.)