Альфред Ю. Чо

В этом имени фамилия — Чо . китайском

Альфред Ю. Чо
Чжо Ихэ
Рожденный	( 1937-07-10 ) 10 июля 1937 г. Пекин , Китай
Национальность	Американский
Альма-матер	Университет Иллинойса, Урбана-Шампейн
Награды	Почетная медаль IEEE (1994 г.) Национальная медаль науки (1993 г.) Медаль Эллиота Крессона (1995) Национальная медаль технологий (2007 г.) Национальный зал славы изобретателей
Научная карьера
Поля	Электротехника Оптическая инженерия

Альфред И Чо ( китайский : 张伟和 ; пиньинь : Чжуо Юхэ ; родился 10 июля 1937 г.) ) — китайско-американский инженер-электрик, изобретатель и инженер-оптик. Он является адъюнкт-вице-президентом по исследованиям полупроводников в лаборатории Bell Labs компании Alcatel-Lucent . Он известен как «отец молекулярно-лучевой эпитаксии »; метод, который он разработал на этом объекте в конце 1960-х годов. он также является соавтором Вместе с Федерико Капассо квантовых каскадных лазеров в Bell Labs в 1994 году.

Чо был избран членом Национальной инженерной академии в (1985 г.) за новаторскую разработку метода молекулярно-лучевой эпитаксии, приведшую к созданию уникальных структур устройств с полупроводниковым слоем.

Биография

Чо родился в Бэйпине . В 1949 году он поехал в Гонконг и получил там среднее образование в средней школе Пуй Чинг . Чо имеет степень бакалавра, магистра и доктора философии. степень в области электротехники Университета Иллинойса . Он присоединился к Bell Labs в 1968 году. Он является членом Национальной академии наук. и Национальной инженерной академии, а также член Американского физического общества, Института инженеров по электротехнике и электронике, Американского философского общества , и Американская академия искусств и наук .

В июне 2007 года он был удостоен Национальной медали США в области технологий — высшей награды, присуждаемой президентом США за технологические инновации.

Чо получил награду за вклад в изобретение молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) и работу по коммерциализации этого процесса.

На его счету уже множество наград, в том числе: Международная премия Американского физического общества за новые материалы в 1982 году, Медаль в области науки и техники твердого тела Электрохимического общества в 1987 году, Премия Всемирного конгресса материалов ASM International в 1988 году, Премия Геде. - Премия Ленгмюра Американского вакуумного общества в 1988 году, Премия IRI за достижения Института промышленных исследований в 1988 году, Научная премия Томаса Альвы Эдисона губернатора Нью-Джерси в 1990 году, Международная премия за рост кристаллов Американской ассоциации по выращиванию кристаллов в 1990 году, Национальная медаль науки в 1993 году, Премия фон Хиппеля Общества исследования материалов в 1994 году, медаль Эллиотта Крессона Института Франклина в 1995 году, Почетная медаль IEEE в 1994 году и премия в области компьютеров и коммуникаций Фонда C&C, Япония, в 1995 году. В 2009 году он был занесен в Национальный зал славы изобретателей .

В 1985 году Bell Labs стала первой организацией, удостоенной Медали США в области технологий, присуждаемой за «десятилетний вклад в развитие современных систем связи». Честь Чо означает восьмой раз, когда Bell Labs и ее ученые получают эту награду.

Чо женат, имеет сына и трех дочерей.

Лекции

• 1991 - Молекулярно-лучевая эпитаксия: от фундаментальных исследований до изготовления устройств. Лекция, спонсируемая кафедрой электротехники и вычислительной техники Калифорнийского университета, Сан-Диего. Выдающаяся серия лекций по электротехнике и вычислительной технике. Цифровой объект, предоставленный специальными коллекциями и архивами Калифорнийского университета в Сан-Диего.

Внешние ссылки

• Центр истории IEEE
• Зал славы изобретателей Нью-Джерси, призывники 1997 г.
• Ученые демонстрируют мощный многоканальный полупроводниковый лазер
• Исследователи Bell Labs создали первый в мире высокопроизводительный сверхширокополосный полупроводниковый лазер