Количество транзисторов

— Количество транзисторов это количество транзисторов в электронном устройстве (обычно на одной подложке или кремниевом кристалле ). Это наиболее распространенный показатель сложности интегральных схем (хотя большинство транзисторов в современных микропроцессорах содержатся в кэш-памяти , которые состоят в основном из одних и тех же схем ячеек памяти, повторяющихся много раз). Скорость МОП- увеличения количества транзисторов обычно соответствует закону Мура , согласно которому количество транзисторов удваивается примерно каждые два года. ^[1] Однако, поскольку количество транзисторов прямо пропорционально площади кристалла, оно не отражает того, насколько развита соответствующая технология производства. Лучшим показателем этого является плотность транзисторов, которая представляет собой отношение количества транзисторов в полупроводнике к площади его кристалла.

По состоянию на 2023 год ^[update]Наибольшее количество транзисторов во флэш-памяти имеет памяти Micron емкостью 2 терабайта ( 3D-стек ) с 16 кристаллами и 232 слоями V-NAND флэш- чип с 5,3 триллионами МОП-транзисторов с плавающим затвором ( 3 бита на транзистор ).

Самое большое количество транзисторов в однокристальном процессоре по состоянию на 2020 год. ^[update] Это глубокого обучения процессор Wafer Scale Engine 2 от Cerebras . Он содержит 2,6 техпроцесса FinFET TSMC триллиона МОП-транзисторов в 84 открытых полях (матрицах) на пластине, изготовленных с использованием 7-нм . ^[2]^[3]^[4]^[5]^[6]

As of 2024^[update]Графическим процессором с наибольшим количеством транзисторов является Nvidia от Blackwell ускоритель B100 на базе . , построенный на специальном технологическом узле TSMC 4NP и насчитывающий в общей сложности 208 миллиардов МОП-транзисторов

The highest transistor count in a consumer microprocessor as of June 2023^[update] is 134 billion transistors, in Apple's ARM-based dual-die M2 Ultra SoC, which is fabricated using TSMC's 5 nm semiconductor manufacturing process.^[7]

Year	Component	Name	Number of MOSFETs (in trillions)	Remarks
2022	Flash memory	Micron's V-NAND module	5.3	stacked package of sixteen 232-layer 3D NAND dies
2020	any processor	Wafer Scale Engine 2	2.6	wafer-scale design of 84 exposed fields (dies)
2024	GPU	Nvidia B100	0.208	Uses two reticle limit dies, with 104 billion transistors each, joined together and acting as a single large monolithic piece of silicon
2023	microprocessor (commercial)	M2 Ultra	0.134	SoC using two dies joined together with a high-speed bridge
2020	DLP	Colossus Mk2 GC200	0.059	An IPU in contrast to CPU and GPU

In terms of computer systems that consist of numerous integrated circuits, the supercomputer with the highest transistor count as of 2016^[update] was the Chinese-designed Sunway TaihuLight, which has for all CPUs/nodes combined "about 400 trillion transistors in the processing part of the hardware" and "the DRAM includes about 12 quadrillion transistors, and that's about 97 percent of all the transistors."^[8] To compare, the smallest computer, as of 2018^[update] dwarfed by a grain of rice, had on the order of 100,000 transistors. Early experimental solid-state computers had as few as 130 transistors but used large amounts of diode logic. The first carbon nanotube computer had 178 transistors and was a 1-bit one-instruction set computer, while a later one is 16-bit (its instruction set is 32-bit RISC-V though).

Ionic transistor chips ("water-based" analog limited processor), have up to hundreds of such transistors.^[9]

Estimates of the total numbers of transistors manufactured:

Up to 2014: 2.9×10²¹
Up to 2018: 1.3×10²²^[10]^[11]

Transistor count[edit]

Microprocessors[edit]

A microprocessor incorporates the functions of a computer's central processing unit on a single integrated circuit. It is a multi-purpose, programmable device that accepts digital data as input, processes it according to instructions stored in its memory, and provides results as output.

The development of MOS integrated circuit technology in the 1960s led to the development of the first microprocessors.^[12] The 20-bit MP944, developed by Garrett AiResearch for the U.S. Navy's F-14 Tomcat fighter in 1970, is considered by its designer Ray Holt to be the first microprocessor.^[13] It was a multi-chip microprocessor, fabricated on six MOS chips. However, it was classified by the Navy until 1998. The 4-bit Intel 4004, released in 1971, was the first single-chip microprocessor.

Modern microprocessors typically include on-chip cache memories. The number of transistors used for these cache memories typically far exceeds the number of transistors used to implement the logic of the microprocessor (that is, excluding the cache). For example, the last DEC Alpha chip uses 90% of its transistors for cache.^[14]

Processor	Transistor count	Year	Designer	Process (nm)	Area (mm²)	Transistor density (tr./mm²)
MP944 (20-bit, 6-chip, 28 chips total)	74,442 (5,360 excl. ROM & RAM)^[15]^[16]	1970^[13]^[a]	Garrett AiResearch	?	?	?
Intel 4004 (4-bit, 16-pin)	2,250	1971	Intel	10,000 nm	12 mm²	188
TMX 1795 (8-bit, 24-pin)	3,078^[17]	1971	Texas Instruments	?	30.64 mm²	100.5
Intel 8008 (8-bit, 18-pin)	3,500	1972	Intel	10,000 nm	14 mm²	250
NEC μCOM-4 (4-bit, 42-pin)	2,500^[18]^[19]	1973	NEC	7,500 nm^[20]	?	?
Toshiba TLCS-12 (12-bit)	11,000+^[21]	1973	Toshiba	6,000 nm	32 mm²	340+
Intel 4040 (4-bit, 16-pin)	3,000	1974	Intel	10,000 nm	12 mm²	250
Motorola 6800 (8-bit, 40-pin)	4,100	1974	Motorola	6,000 nm	16 mm²	256
Intel 8080 (8-bit, 40-pin)	6,000	1974	Intel	6,000 nm	20 mm²	300
TMS 1000 (4-bit, 28-pin)	8,000^[b]	1974^[22]	Texas Instruments	8,000 nm	11 mm²	730
MOS Technology 6502 (8-bit, 40-pin)	4,528^[c]^[23]	1975	MOS Technology	8,000 nm	21 mm²	216
Intersil IM6100 (12-bit, 40-pin; clone of PDP-8)	4,000	1975	Intersil	?	?	?
CDP 1801 (8-bit, 2-chip, 40-pin)	5,000	1975	RCA	?	?	?
RCA 1802 (8-bit, 40-pin)	5,000	1976	RCA	5,000 nm	27 mm²	185
Zilog Z80 (8-bit, 4-bit ALU, 40-pin)	8,500^[d]	1976	Zilog	4,000 nm	18 mm²	470
Intel 8085 (8-bit, 40-pin)	6,500	1976	Intel	3,000 nm	20 mm²	325
TMS9900 (16-bit)	8,000	1976	Texas Instruments	?	?	?
Bellmac-8 (8-bit)	7,000	1977	Bell Labs	5,000 nm	?	?
Motorola 6809 (8-bit with some 16-bit features, 40-pin)	9,000	1978	Motorola	5,000 nm	21 mm²	430
Intel 8086 (16-bit, 40-pin)	29,000^[24]	1978	Intel	3,000 nm	33 mm²	880
Zilog Z8000 (16-bit)	17,500^[25]	1979	Zilog	?	?	?
Intel 8088 (16-bit, 8-bit data bus)	29,000	1979	Intel	3,000 nm	33 mm²	880
Motorola 68000 (16/32-bit, 32-bit registers, 16-bit ALU)	68,000^[26]	1979	Motorola	3,500 nm	44 mm²	1,550
Intel 8051 (8-bit, 40-pin)	50,000	1980	Intel	?	?	?
WDC 65C02	11,500^[27]	1981	WDC	3,000 nm	6 mm²	1,920
ROMP (32-bit)	45,000	1981	IBM	2,000 nm	58.52 mm²	770
Intel 80186 (16-bit, 68-pin)	55,000	1982	Intel	3,000 nm	60 mm²	920
Intel 80286 (16-bit, 68-pin)	134,000	1982	Intel	1,500 nm	49 mm²	2,730
WDC 65C816 (8/16-bit)	22,000^[28]	1983	WDC	3,000 nm^[29]	9 mm²	2,400
NEC V20	63,000	1984	NEC	?	?	?
Motorola 68020 (32-bit; 114 pins used)	190,000^[30]	1984	Motorola	2,000 nm	85 mm²	2,200
Intel 80386 (32-bit, 132-pin; no cache)	275,000	1985	Intel	1,500 nm	104 mm²	2,640
ARM 1 (32-bit; no cache)	25,000^[30]	1985	Acorn	3,000 nm	50 mm²	500
Novix NC4016 (16-bit)	16,000^[31]	1985^[32]	Harris Corporation	3,000 nm^[33]	?	?
SPARC MB86900 (32-bit; no cache)	110,000^[34]	1986	Fujitsu	1,200 nm	?	?
NEC V60^[35] (32-bit; no cache)	375,000	1986	NEC	1,500 nm	?	?
ARM 2 (32-bit, 84-pin; no cache)	27,000^[36]^[30]	1986	Acorn	2,000 nm	30.25 mm²	890
Z80000 (32-bit; very small cache)	91,000	1986	Zilog	?	?	?
NEC V70^[35] (32-bit; no cache)	385,000	1987	NEC	1,500 nm	?	?
Hitachi Gmicro/200^[37]	730,000	1987	Hitachi	1,000 nm	?	?
Motorola 68030 (32-bit, very small caches)	273,000	1987	Motorola	800 nm	102 mm²	2,680
TI Explorer's 32-bit Lisp machine chip	553,000^[38]	1987	Texas Instruments	2,000 nm^[39]	?	?
DEC WRL MultiTitan	180,000^[40]	1988	DEC WRL	1,500 nm	61 mm²	2,950
Intel i960 (32-bit, 33-bit memory subsystem, no cache)	250,000^[41]	1988	Intel	1,500 nm^[42]	?	?
Intel i960CA (32-bit, cache)	600,000^[42]	1989	Intel	800 nm	143 mm²	4,200
Intel i860 (32/64-bit, 128-bit SIMD, cache, VLIW)	1,000,000^[43]	1989	Intel	?	?	?
Intel 80486 (32-bit, 8 KB cache)	1,180,235	1989	Intel	1,000 nm	173 mm²	6,822
ARM 3 (32-bit, 4 KB cache)	310,000	1989	Acorn	1,500 nm	87 mm²	3,600
POWER1 (9-chip module, 72 kB of cache)	6,900,000^[44]	1990	IBM	1,000 nm	1,283.61 mm²	5,375
Motorola 68040 (32-bit, 8 KB caches)	1,200,000	1990	Motorola	650 nm	152 mm²	7,900
R4000 (64-bit, 16 KB of caches)	1,350,000	1991	MIPS	1,000 nm	213 mm²	6,340
ARM 6 (32-bit, no cache for this 60 variant)	35,000	1991	ARM	800 nm	?	?
Hitachi SH-1 (32-bit, no cache)	600,000^[45]	1992^[46]	Hitachi	800 nm	100 mm²	6,000
Intel i960CF (32-bit, cache)	900,000^[42]	1992	Intel	?	125 mm²	7,200
Alpha 21064 (64-bit, 290-pin; 16 KB of caches)	1,680,000	1992	DEC	750 nm	233.52 mm²	7,190
Hitachi HARP-1 (32-bit, cache)	2,800,000^[47]	1993	Hitachi	500 nm	267 mm²	10,500
Pentium (32-bit, 16 KB of caches)	3,100,000	1993	Intel	800 nm	294 mm²	10,500
POWER2 (8-chip module, 288 kB of cache)	23,037,000^[48]	1993	IBM	720 nm	1,217.39 mm²	18,923
ARM700 (32-bit; 8 KB cache)	578,977^[49]	1994	ARM	700 nm	68.51 mm²	8,451
MuP21 (21-bit,^[50] 40-pin; includes video)	7,000^[51]	1994	Offete Enterprises	1,200 nm	?	?
Motorola 68060 (32-bit, 16 KB of caches)	2,500,000	1994	Motorola	600 nm	218 mm²	11,500
PowerPC 601 (32-bit, 32 KB of caches)	2,800,000^[52]	1994	Apple, IBM, Motorola	600 nm	121 mm²	23,000
PowerPC 603 (32-bit, 16 KB of caches)	1,600,000^[53]	1994	Apple, IBM, Motorola	500 nm	84.76 mm²	18,900
PowerPC 603e (32-bit, 32 KB of caches)	2,600,000^[54]	1995	Apple, IBM, Motorola	500 nm	98 mm²	26,500
Alpha 21164 EV5 (64-bit, 112 kB cache)	9,300,000^[55]	1995	DEC	500 nm	298.65 mm²	31,140
SA-110 (32-bit, 32 KB of caches)	2,500,000^[30]	1995	Acorn, DEC, Apple	350 nm	50 mm²	50,000
Pentium Pro (32-bit, 16 KB of caches;^[56] L2 cache on-package, but on separate die)	5,500,000^[57]	1995	Intel	500 nm	307 mm²	18,000
PA-8000 64-bit, no cache	3,800,000^[58]	1995	HP	500 nm	337.69 mm²	11,300
Alpha 21164A EV56 (64-bit, 112 kB cache)	9,660,000^[59]	1996	DEC	350 nm	208.8 mm²	46,260
AMD K5 (32-bit, caches)	4,300,000	1996	AMD	500 nm	251 mm²	17,000
Pentium II Klamath (32-bit, 64-bit SIMD, caches)	7,500,000	1997	Intel	350 nm	195 mm²	39,000
AMD K6 (32-bit, caches)	8,800,000	1997	AMD	350 nm	162 mm²	54,000
F21 (21-bit; includes e.g. video)	15,000	1997^[51]	Offete Enterprises	?	?	?
AVR (8-bit, 40-pin; w/memory)	140,000 (48,000 excl. memory^[60])	1997	Nordic VLSI/Atmel	?	?	?
Pentium II Deschutes (32-bit, large cache)	7,500,000	1998	Intel	250 nm	113 mm²	66,000
Alpha 21264 EV6 (64-bit)	15,200,000^[61]	1998	DEC	350 nm	313.96 mm²	48,400
Alpha 21164PC PCA57 (64-bit, 48 kB cache)	5,700,000	1998	Samsung	280 nm	100.5 mm²	56,700
Hitachi SH-4 (32-bit, caches)^[62]	3,200,000^[63]	1998	Hitachi	250 nm	57.76 mm²	55,400
ARM 9TDMI (32-bit, no cache)	111,000^[30]	1999	Acorn	350 nm	4.8 mm²	23,100
Pentium III Katmai (32-bit, 128-bit SIMD, caches)	9,500,000	1999	Intel	250 nm	128 mm²	74,000
Emotion Engine (64-bit, 128-bit SIMD, cache)	10,500,000^[64] – 13,500,000^[65]	1999	Sony, Toshiba	250 nm	239.7 mm²^[64]	43,800 56,300
Pentium II Mobile Dixon (32-bit, caches)	27,400,000	1999	Intel	180 nm	180 mm²	152,000
AMD K6-III (32-bit, caches)	21,300,000	1999	AMD	250 nm	118 mm²	181,000
AMD K7 (32-bit, caches)	22,000,000	1999	AMD	250 nm	184 mm²	120,000
Gekko (32-bit, large cache)	21,000,000^[66]	2000	IBM, Nintendo	180 nm	43 mm²	490,000 (check)
Pentium III Coppermine (32-bit, large cache)	21,000,000	2000	Intel	180 nm	80 mm²	263,000
Pentium 4 Willamette (32-bit, large cache)	42,000,000	2000	Intel	180 nm	217 mm²	194,000
SPARC64 V (64-bit, large cache)	191,000,000^[67]	2001	Fujitsu	130 nm^[68]	290 mm²	659,000
Pentium III Tualatin (32-bit, large cache)	45,000,000	2001	Intel	130 nm	81 mm²	556,000
Pentium 4 Northwood (32-bit, large cache)	55,000,000	2002	Intel	130 nm	145 mm²	379,000
Itanium 2 McKinley (64-bit, large cache)	220,000,000	2002	Intel	180 nm	421 mm²	523,000
Alpha 21364 (64-bit, 946-pin, SIMD, very large caches)	152,000,000^[14]	2003	DEC	180 nm	397 mm²	383,000
AMD K7 Barton (32-bit, large cache)	54,300,000	2003	AMD	130 nm	101 mm²	538,000
AMD K8 (64-bit, large cache)	105,900,000	2003	AMD	130 nm	193 mm²	548,700
Pentium M Banias (32-bit)	77,000,000^[69]	2003	Intel	130 nm	83 mm²	928,000
Itanium 2 Madison 6M (64-bit)	410,000,000	2003	Intel	130 nm	374 mm²	1,096,000
PlayStation 2 single chip (CPU + GPU)	53,500,000^[70]	2003^[71]	Sony, Toshiba	90 nm^[72] 130 nm^[73]^[74]	86 mm²	622,100
Pentium 4 Prescott (32-bit, large cache)	112,000,000	2004	Intel	90 nm	110 mm²	1,018,000
Pentium M Dothan (32-bit)	144,000,000^[75]	2004	Intel	90 nm	87 mm²	1,655,000
SPARC64 V+ (64-bit, large cache)	400,000,000^[76]	2004	Fujitsu	90 nm	294 mm²	1,360,000
Itanium 2 (64-bit;9 MB cache)	592,000,000	2004	Intel	130 nm	432 mm²	1,370,000
Pentium 4 Prescott-2M (32-bit, large cache)	169,000,000	2005	Intel	90 nm	143 mm²	1,182,000
Pentium D Smithfield (64-bit, large cache)	228,000,000	2005	Intel	90 nm	206 mm²	1,107,000
Xenon (64-bit, 128-bit SIMD, large cache)	165,000,000	2005	IBM	90 nm	?	?
Cell (32-bit, cache)	250,000,000^[77]	2005	Sony, IBM, Toshiba	90 nm	221 mm²	1,131,000
Pentium 4 Cedar Mill (32-bit, large cache)	184,000,000	2006	Intel	65 nm	90 mm²	2,044,000
Pentium D Presler (64-bit, large cache)	362,000,000 ^[78]	2006	Intel	65 nm	162 mm²	2,235,000
Core 2 Duo Conroe (dual-core 64-bit, large caches)	291,000,000	2006	Intel	65 nm	143 mm²	2,035,000
Dual-core Itanium 2 (64-bit, SIMD, large caches)	1,700,000,000^[79]	2006	Intel	90 nm	596 mm²	2,852,000
AMD K10 quad-core 2M L3 (64-bit, large caches)	463,000,000^[80]	2007	AMD	65 nm	283 mm²	1,636,000
ARM Cortex-A9 (32-bit, (optional) SIMD, caches)	26,000,000^[81]	2007	ARM	45 nm	31 mm²	839,000
Core 2 Duo Wolfdale (dual-core 64-bit, SIMD, caches)	411,000,000	2007	Intel	45 nm	107 mm²	3,841,000
POWER6 (64-bit, large caches)	789,000,000	2007	IBM	65 nm	341 mm²	2,314,000
Core 2 Duo Allendale (dual-core 64-bit, SIMD, large caches)	169,000,000	2007	Intel	65 nm	111 mm²	1,523,000
Uniphier	250,000,000^[82]	2007	Matsushita	45 nm	?	?
SPARC64 VI (64-bit, SIMD, large caches)	540,000,000	2007^[83]	Fujitsu	90 nm	421 mm²	1,283,000
Core 2 Duo Wolfdale 3M (dual-core 64-bit, SIMD, large caches)	230,000,000	2008	Intel	45 nm	83 mm²	2,771,000
Core i7 (quad-core 64-bit, SIMD, large caches)	731,000,000	2008	Intel	45 nm	263 mm²	2,779,000
AMD K10 quad-core 6M L3 (64-bit, SIMD, large caches)	758,000,000^[80]	2008	AMD	45 nm	258 mm²	2,938,000
Atom (32-bit, large cache)	47,000,000	2008	Intel	45 nm	24 mm²	1,958,000
SPARC64 VII (64-bit, SIMD, large caches)	600,000,000	2008^[84]	Fujitsu	65 nm	445 mm²	1,348,000
Six-core Xeon 7400 (64-bit, SIMD, large caches)	1,900,000,000	2008	Intel	45 nm	503 mm²	3,777,000
Six-core Opteron 2400 (64-bit, SIMD, large caches)	904,000,000	2009	AMD	45 nm	346 mm²	2,613,000
SPARC64 VIIIfx (64-bit, SIMD, large caches)	760,000,000^[85]	2009	Fujitsu	45 nm	513 mm²	1,481,000
Atom (Pineview) 64-bit, 1-core, 512 kB L2 cache	123,000,000^[86]	2010	Intel	45 nm	66 mm²	1,864,000
Atom (Pineview) 64-bit, 2-core, 1 MB L2 cache	176,000,000^[87]	2010	Intel	45 nm	87 mm²	2,023,000
SPARC T3 (16-core 64-bit, SIMD, large caches)	1,000,000,000^[88]	2010	Sun/Oracle	40 nm	377 mm²	2,653,000
Six-core Core i7 (Gulftown)	1,170,000,000	2010	Intel	32 nm	240 mm²	4,875,000
POWER7 32M L3 (8-core 64-bit, SIMD, large caches)	1,200,000,000	2010	IBM	45 nm	567 mm²	2,116,000
Quad-core z196^[89] (64-bit, very large caches)	1,400,000,000	2010	IBM	45 nm	512 mm²	2,734,000
Quad-core Itanium Tukwila (64-bit, SIMD, large caches)	2,000,000,000^[90]	2010	Intel	65 nm	699 mm²	2,861,000
Xeon Nehalem-EX (8-core 64-bit, SIMD, large caches)	2,300,000,000^[91]	2010	Intel	45 nm	684 mm²	3,363,000
SPARC64 IXfx (64-bit, SIMD, large caches)	1,870,000,000^[92]	2011	Fujitsu	40 nm	484 mm²	3,864,000
Quad-core + GPU Core i7 (64-bit, SIMD, large caches)	1,160,000,000	2011	Intel	32 nm	216 mm²	5,370,000
Six-core Core i7/8-core Xeon E5 (Sandy Bridge-E/EP) (64-bit, SIMD, large caches)	2,270,000,000^[93]	2011	Intel	32 nm	434 mm²	5,230,000
Xeon Westmere-EX (10-core 64-bit, SIMD, large caches)	2,600,000,000	2011	Intel	32 nm	512 mm²	5,078,000
Atom "Medfield" (64-bit)	432,000,000^[94]	2012	Intel	32 nm	64 mm²	6,750,000
SPARC64 X (64-bit, SIMD, caches)	2,990,000,000^[95]	2012	Fujitsu	28 nm	600 mm²	4,983,000
AMD Bulldozer (8-core 64-bit, SIMD, caches)	1,200,000,000^[96]	2012	AMD	32 nm	315 mm²	3,810,000
Quad-core + GPU AMD Trinity (64-bit, SIMD, caches)	1,303,000,000	2012	AMD	32 nm	246 mm²	5,297,000
Quad-core + GPU Core i7 Ivy Bridge (64-bit, SIMD, caches)	1,400,000,000	2012	Intel	22 nm	160 mm²	8,750,000
POWER7+ (8-core 64-bit, SIMD, 80 MB L3 cache)	2,100,000,000	2012	IBM	32 nm	567 mm²	3,704,000
Six-core zEC12 (64-bit, SIMD, large caches)	2,750,000,000	2012	IBM	32 nm	597 mm²	4,606,000
Itanium Poulson (8-core 64-bit, SIMD, caches)	3,100,000,000	2012	Intel	32 nm	544 mm²	5,699,000
Xeon Phi (61-core 32-bit, 512-bit SIMD, caches)	5,000,000,000^[97]	2012	Intel	22 nm	720 mm²	6,944,000
Apple A7 (dual-core 64/32-bit ARM64, "mobile SoC", SIMD, caches)	1,000,000,000	2013	Apple	28 nm	102 mm²	9,804,000
Six-core Core i7 Ivy Bridge E (64-bit, SIMD, caches)	1,860,000,000	2013	Intel	22 nm	256 mm²	7,266,000
POWER8 (12-core 64-bit, SIMD, caches)	4,200,000,000	2013	IBM	22 nm	650 mm²	6,462,000
Xbox One main SoC (64-bit, SIMD, caches)	5,000,000,000	2013	Microsoft, AMD	28 nm	363 mm²	13,770,000
Quad-core + GPU Core i7 Haswell (64-bit, SIMD, caches)	1,400,000,000^[98]	2014	Intel	22 nm	177 mm²	7,910,000
Apple A8 (dual-core 64/32-bit ARM64 "mobile SoC", SIMD, caches)	2,000,000,000	2014	Apple	20 nm	89 mm²	22,470,000
Core i7 Haswell-E (8-core 64-bit, SIMD, caches)	2,600,000,000^[99]	2014	Intel	22 nm	355 mm²	7,324,000
Apple A8X (tri-core 64/32-bit ARM64 "mobile SoC", SIMD, caches)	3,000,000,000^[100]	2014	Apple	20 nm	128 mm²	23,440,000
Xeon Ivy Bridge-EX (15-core 64-bit, SIMD, caches)	4,310,000,000^[101]	2014	Intel	22 nm	541 mm²	7,967,000
Xeon Haswell-E5 (18-core 64-bit, SIMD, caches)	5,560,000,000^[102]	2014	Intel	22 nm	661 mm²	8,411,000
Quad-core + GPU GT2 Core i7 Skylake K (64-bit, SIMD, caches)	1,750,000,000	2015	Intel	14 nm	122 mm²	14,340,000
Dual-core + GPU Iris Core i7 Broadwell-U (64-bit, SIMD, caches)	1,900,000,000^[103]	2015	Intel	14 nm	133 mm²	14,290,000
Apple A9 (dual-core 64/32-bit ARM64 "mobile SoC", SIMD, caches)	2,000,000,000+	2015	Apple	14 nm (Samsung)	96 mm² (Samsung)	20,800,000+
	2,000,000,000+	2015	Apple	16 nm (TSMC)	104.5 mm² (TSMC)	19,100,000+
Apple A9X (dual core 64/32-bit ARM64 "mobile SoC", SIMD, caches)	3,000,000,000+	2015	Apple	16 nm	143.9 mm²	20,800,000+
IBM z13 (64-bit, caches)	3,990,000,000	2015	IBM	22 nm	678 mm²	5,885,000
IBM z13 Storage Controller	7,100,000,000	2015	IBM	22 nm	678 mm²	10,472,000
SPARC M7 (32-core 64-bit, SIMD, caches)	10,000,000,000^[104]	2015	Oracle	20 nm	?	?
Core i7 Broadwell-E (10-core 64-bit, SIMD, caches)	3,200,000,000^[105]	2016	Intel	14 nm	246 mm²^[106]	13,010,000
Apple A10 Fusion (quad-core 64/32-bit ARM64 "mobile SoC", SIMD, caches)	3,300,000,000	2016	Apple	16 nm	125 mm²	26,400,000
HiSilicon Kirin 960 (octa-core 64/32-bit ARM64 "mobile SoC", SIMD, caches)	4,000,000,000^[107]	2016	Huawei	16 nm	110.00 mm²	36,360,000
Xeon Broadwell-E5 (22-core 64-bit, SIMD, caches)	7,200,000,000^[108]	2016	Intel	14 nm	456 mm²	15,790,000
Xeon Phi (72-core 64-bit, 512-bit SIMD, caches)	8,000,000,000	2016	Intel	14 nm	683 mm²	11,710,000
Zip CPU (32-bit, for FPGAs)	1,286 6-LUTs^[109]	2016	Gisselquist Technology	?	?	?
Qualcomm Snapdragon 835 (octa-core 64/32-bit ARM64 "mobile SoC", SIMD, caches)	3,000,000,000^[110]^[111]	2016	Qualcomm	10 nm	72.3 mm²	41,490,000
Apple A11 Bionic (hexa-core 64/32-bit ARM64 "mobile SoC", SIMD, caches)	4,300,000,000	2017	Apple	10 nm	89.23 mm²	48,190,000
AMD Zen CCX (core complex unit: 4 cores, 8 MB L3 cache)	1,400,000,000^[112]	2017	AMD	14 nm (GF 14LPP)	44 mm²	31,800,000
AMD Zeppelin SoC Ryzen (64-bit, SIMD, caches)	4,800,000,000^[113]	2017	AMD	14 nm	192 mm²	25,000,000
AMD Ryzen 5 1600 Ryzen (64-bit, SIMD, caches)	4,800,000,000^[114]	2017	AMD	14 nm	213 mm²	22,530,000
IBM z14 (64-bit, SIMD, caches)	6,100,000,000	2017	IBM	14 nm	696 mm²	8,764,000
IBM z14 Storage Controller (64-bit)	9,700,000,000	2017	IBM	14 nm	696 mm²	13,940,000
HiSilicon Kirin 970 (octa-core 64/32-bit ARM64 "mobile SoC", SIMD, caches)	5,500,000,000^[115]	2017	Huawei	10 nm	96.72 mm²	56,900,000
Xbox One X (Project Scorpio) main SoC (64-bit, SIMD, caches)	7,000,000,000^[116]	2017	Microsoft, AMD	16 nm	360 mm²^[116]	19,440,000
Xeon Platinum 8180 (28-core 64-bit, SIMD, caches)	8,000,000,000^[117]	2017	Intel	14 nm	?	?
Xeon (unspecified)	7,100,000,000^[118]	2017	Intel	14 nm	672 mm²	10,570,000
POWER9 (64-bit, SIMD, caches)	8,000,000,000	2017	IBM	14 nm	695 mm²	11,500,000
Freedom U500 Base Platform Chip (E51, 4×U54) RISC-V (64-bit, caches)	250,000,000^[119]	2017	SiFive	28 nm	~30 mm²	8,330,000
SPARC64 XII (12-core 64-bit, SIMD, caches)	5,450,000,000^[120]	2017	Fujitsu	20 nm	795 mm²	6,850,000
Apple A10X Fusion (hexa-core 64/32-bit ARM64 "mobile SoC", SIMD, caches)	4,300,000,000^[121]	2017	Apple	10 nm	96.40 mm²	44,600,000
Centriq 2400 (64/32-bit, SIMD, caches)	18,000,000,000^[122]	2017	Qualcomm	10 nm	398 mm²	45,200,000
AMD Epyc (32-core 64-bit, SIMD, caches)	19,200,000,000	2017	AMD	14 nm	768 mm²	25,000,000
Qualcomm Snapdragon 845 (octa-core 64/32-bit ARM64 "mobile SoC", SIMD, caches)	5,300,000,000^[123]	2017	Qualcomm	10 nm	94 mm²	56,400,000
Qualcomm Snapdragon 850 (octa-core 64/32-bit ARM64 "mobile SoC", SIMD, caches)	5,300,000,000^[124]	2017	Qualcomm	10 nm	94 mm²	56,400,000
HiSilicon Kirin 710 (octa-core ARM64 "mobile SoC", SIMD, caches)	5,500,000,000^[125]	2018	Huawei	12 nm	?	?
Apple A12 Bionic (hexa-core ARM64 "mobile SoC", SIMD, caches)	6,900,000,000 ^[126]^[127]	2018	Apple	7 nm	83.27 mm²	82,900,000
HiSilicon Kirin 980 (octa-core ARM64 "mobile SoC", SIMD, caches)	6,900,000,000^[128]	2018	Huawei	7 nm	74.13 mm²	93,100,000
Qualcomm Snapdragon 8cx / SCX8180 (octa-core ARM64 "mobile SoC", SIMD, caches)	8,500,000,000^[129]	2018	Qualcomm	7 nm	112 mm²	75,900,000
Apple A12X Bionic (octa-core 64/32-bit ARM64 "mobile SoC", SIMD, caches)	10,000,000,000^[130]	2018	Apple	7 nm	122 mm²	82,000,000
Fujitsu A64FX (64/32-bit, SIMD, caches)	8,786,000,000^[131]	2018^[132]	Fujitsu	7 nm	?	?
Tegra Xavier SoC (64/32-bit)	9,000,000,000^[133]	2018	Nvidia	12 nm	350 mm²	25,700,000
Qualcomm Snapdragon 855 (octa-core 64/32-bit ARM64 "mobile SoC", SIMD, caches)	6,700,000,000^[134]	2018	Qualcomm	7 nm	73 mm²	91,800,000
AMD Zen 2 core (0.5 MB L2 + 4 MB L3 cache)	475,000,000^[135]	2019	AMD	7 nm	7.83 mm²	60,664,000
AMD Zen 2 CCX (core complex: 4 cores, 16 MB L3 cache)	1,900,000,000^[135]	2019	AMD	7 nm	31.32 mm²	60,664,000
AMD Zen 2 CCD (core complex die: 8 cores, 32 MB L3 cache)	3,800,000,000^[135]	2019	AMD	7 nm	74 mm²	51,350,000
AMD Zen 2 client I/O die	2,090,000,000^[135]	2019	AMD	12 nm	125 mm²	16,720,000
AMD Zen 2 server I/O die	8,340,000,000^[135]	2019	AMD	12 nm	416 mm²	20,050,000
AMD Zen 2 Renoir die	9,800,000,000^[135]	2019	AMD	7 nm	156 mm²	62,820,000
AMD Ryzen 7 3700X (64-bit, SIMD, caches, I/O die)	5,990,000,000^[136]^[e]	2019	AMD	7 & 12 nm (TSMC)	199 (74+125) mm²	30,100,000
HiSilicon Kirin 990 4G	8,000,000,000^[137]	2019	Huawei	7 nm	90.00 mm²	89,000,000
Apple A13 (hexa-core 64-bit ARM64 "mobile SoC", SIMD, caches)	8,500,000,000 ^[138]^[139]	2019	Apple	7 nm	98.48 mm²	86,300,000
IBM z15 CP chip (12 cores, 256 MB L3 cache)	9,200,000,000^[140]	2019	IBM	14 nm	696 mm²	13,220,000
IBM z15 SC chip (960 MB L4 cache)	12,200,000,000	2019	IBM	14 nm	696 mm²	17,530,000
AMD Ryzen 9 3900X (64-bit, SIMD, caches, I/O die)	9,890,000,000 ^[141]^[142]	2019	AMD	7 & 12 nm (TSMC)	273 mm²	36,230,000
HiSilicon Kirin 990 5G	10,300,000,000^[143]	2019	Huawei	7 nm	113.31 mm²	90,900,000
AWS Graviton2 (64-bit, 64-core ARM-based, SIMD, caches)^[144]^[145]	30,000,000,000	2019	Amazon	7 nm	?	?
AMD Epyc Rome (64-bit, SIMD, caches)	39,540,000,000 ^[141]^[142]	2019	AMD	7 & 12 nm (TSMC)	1,008 mm²	39,226,000
Qualcomm Snapdragon 865 (octa-core 64/32-bit ARM64 "mobile SoC", SIMD, caches)	10,300,000,000^[146]	2019	Qualcomm	7 nm	83.54 mm²^[147]	123,300,000
TI Jacinto TDA4VM (ARM A72, DSP, SRAM)	3,500,000,000^[148]	2020	Texas Instruments	16 nm	?	?
Apple A14 Bionic (hexa-core 64-bit ARM64 "mobile SoC", SIMD, caches)	11,800,000,000^[149]	2020	Apple	5 nm	88 mm²	134,100,000
Apple M1 (octa-core 64-bit ARM64 SoC, SIMD, caches)	16,000,000,000^[150]	2020	Apple	5 nm	119 mm²	134,500,000
HiSilicon Kirin 9000	15,300,000,000 ^[151]^[152]	2020	Huawei	5 nm	114 mm²	134,200,000
AMD Zen 3 CCX (core complex unit: 8 cores, 32 MB L3 cache)	4,080,000,000^[153]	2020	AMD	7 nm	68 mm²	60,000,000
AMD Zen 3 CCD (core complex die)	4,150,000,000^[153]	2020	AMD	7 nm	81 mm²	51,230,000
Core 11th gen Rocket Lake (8-core 64-bit, SIMD, large caches)	6,000,000,000+ ^[154]	2021	Intel	14 nm +++ 14 nm	276 mm²^[155]	37,500,000 or 21,800,000+ ^[156]
AMD Ryzen 7 5800H (64-bit, SIMD, caches, I/O and GPU)	10,700,000,000^[157]	2021	AMD	7 nm	180 mm²	59,440,000
AMD Epyc 7763 (Milan) (64-core, 64-bit)	?	2021	AMD	7 & 12 nm (TSMC)	1,064 mm² (8×81+416)^[158]	?
Apple A15	15,000,000,000 ^[159]^[160]	2021	Apple	5 nm	107.68 mm²	139,300,000
Apple M1 Pro (10-core, 64-bit)	33,700,000,000^[161]	2021	Apple	5 nm	245 mm²^[162]	137,600,000
Apple M1 Max (10-core, 64-bit)	57,000,000,000 ^[163]^[161]	2021	Apple	5 nm	420.2 mm²^[164]	135,600,000
Power10 dual-chip module (30 SMT8 cores or 60 SMT4 cores)	36,000,000,000^[165]	2021	IBM	7 nm	1,204 mm²	29,900,000
Dimensity 9000 (ARM64 SoC)	15,300,000,000 ^[166]^[167]	2021	Mediatek	4 nm (TSMC N4)	?	?
Apple A16 (ARM64 SoC)	16,000,000,000 ^[168]^[169]^[170]	2022	Apple	4 nm	?	?
Apple M1 Ultra (dual-chip module, 2×10 cores)	114,000,000,000 ^[171]^[172]	2022	Apple	5 nm	840.5 mm²^[164]	135,600,000
AMD Epyc 7773X (Milan-X) (multi-chip module, 64 cores, 768 MB L3 cache)	26,000,000,000 + Milan^[173]	2022	AMD	7 & 12 nm (TSMC)	1,352 mm² (Milan + 8×36)^[173]	?
IBM Telum dual-chip module (2×8 cores, 2×256 MB cache)	45,000,000,000 ^[174]^[175]	2022	IBM	7 nm (Samsung)	1,060 mm²	42,450,000
Apple M2 (deca-core 64-bit ARM64 SoC, SIMD, caches)	20,000,000,000^[176]	2022	Apple	5 nm	?	?
Dimensity 9200 (ARM64 SoC)	17,000,000,000 ^[177]^[178]^[179]	2022	Mediatek	4 nm (TSMC N4P)	?	?
Qualcomm Snapdragon 8 Gen 2 (octa-core ARM64 "mobile SoC", SIMD, caches)	16,000,000,000	2022	Qualcomm	4 nm	268 mm²	59,701,492
AMD EPYC Genoa (4th gen/9004 series) 13-chip module (up to 96 cores and 384 MB (L3) + 96 MB (L2) cache)^[180]	90,000,000,000 ^[181]^[182]	2022	AMD	5 nm (CCD) 6 nm (IOD)	1,263.34 mm² 12×72.225 (CCD) 396.64 (IOD) ^[183]^[184]	71,240,000
HiSilicon Kirin 9000s	9,510,000,000^[185]	2023	Huawei	7 nm	107 mm²	107,690,000
Apple M4 (deca-core 64-bit ARM64 SoC, SIMD, caches)	28,000,000,000^[186]	2024	Apple	3 nm	?	?
Apple M3 (octa-core 64-bit ARM64 SoC, SIMD, caches)	25,000,000,000^[187]	2023	Apple	3 nm	?	?
Apple M3 Pro (dodeca-core 64-bit ARM64 SoC, SIMD, caches)	37,000,000,000^[187]	2023	Apple	3 nm	?	?
Apple M3 Max (hexadeca-core 64-bit ARM64 SoC, SIMD, caches)	92,000,000,000^[187]	2023	Apple	3 nm	?	?
Apple A17	19,000,000,000 ^[188]	2023	Apple	3 nm	103.8 mm²	183,044,315
Sapphire Rapids quad-chip module (up to 60 cores and 112.5 MB of cache)^[189]	44,000,000,000– 48,000,000,000^[190]	2023	Intel	10 nm ESF (Intel 7)	1,600 mm²	27,500,000– 30,000,000
Apple M2 Pro (12-core 64-bit ARM64 SoC, SIMD, caches)	40,000,000,000^[191]	2023	Apple	5 nm	?	?
Apple M2 Max (12-core 64-bit ARM64 SoC, SIMD, caches)	67,000,000,000^[191]	2023	Apple	5 nm	?	?
Apple M2 Ultra (two M2 Max dies)	134,000,000,000^[7]	2023	Apple	5 nm	?	?
AMD Epyc Bergamo (4th gen/97X4 series) 9-chip module (up to 128 cores and 256 MB (L3) + 128 MB (L2) cache)	82,000,000,000^[192]	2023	AMD	5 nm (CCD) 6 nm (IOD)	?	?
AMD Instinct MI300A (multi-chip module, 24 cores, 128 GB GPU memory + 256 MB (LLC/L3) cache)	146,000,000,000^[193]^[194]	2023	AMD	5 nm (CCD, GCD) 6 nm (IOD)	1,017 mm²	144,000,000
Processor	Transistor count	Year	Designer	Process (nm)	Area (mm²)	Transistor density (tr./mm²)

GPUs[edit]

A graphics processing unit (GPU) is a specialized electronic circuit designed to rapidly manipulate and alter memory to accelerate the building of images in a frame buffer intended for output to a display.

The designer refers to the technology company that designs the logic of the integrated circuit chip (such as Nvidia and AMD). The manufacturer ("Fab.") refers to the semiconductor company that fabricates the chip using its semiconductor manufacturing process at a foundry (such as TSMC and Samsung Semiconductor). The transistor count in a chip is dependent on a manufacturer's fabrication process, with smaller semiconductor nodes typically enabling higher transistor density and thus higher transistor counts.

The random-access memory (RAM) that comes with GPUs (such as VRAM, SGRAM or HBM) greatly increases the total transistor count, with the memory typically accounting for the majority of transistors in a graphics card. For example, Nvidia's Tesla P100 has 15 billion FinFETs (16 nm) in the GPU in addition to 16 GB of HBM2 memory, totaling about 150 billion MOSFETs on the graphics card.^[195] The following table does not include the memory. For memory transistor counts, see the Memory section below.

Processor	Transistor count	Year	Designer(s)	Fab(s)	Process	Area	Transistor density (tr./mm²)	Ref
μPD7220 GDC	40,000	1982	NEC	NEC	5,000 nm	?	?	^[196]
ARTC HD63484	60,000	1984	Hitachi	Hitachi	?	?	?	^[197]
CBM Agnus	21,000	1985	Commodore	CSG	5,000 nm	?	?	^[198]^[199]
YM7101 VDP	100,000	1988	Yamaha, Sega	Yamaha	?	?	?	^[200]
Tom & Jerry	750,000	1993	Flare	IBM	?	?	?	^[200]
VDP1	1,000,000	1994	Sega	Hitachi	500 nm	?	?	^[201]
Sony GPU	1,000,000	1994	Toshiba	LSI	500 nm	?	?	^[202]^[203]^[204]
NV1	1,000,000	1995	Nvidia, Sega	SGS	500 nm	90 mm²	11,000
Reality Coprocessor	2,600,000	1996	SGI	NEC	350 nm	81 mm²	32,100	^[205]
PowerVR	1,200,000	1996	VideoLogic	NEC	350 nm	?	?	^[206]
Voodoo Graphics	1,000,000	1996	3dfx	TSMC	500 nm	?	?	^[207]^[208]
Voodoo Rush	1,000,000	1997	3dfx	TSMC	500 nm	?	?	^[207]^[208]
NV3	3,500,000	1997	Nvidia	SGS, TSMC	350 nm	90 mm²	38,900	^[209]^[210]
i740	3,500,000	1998	Intel, Real3D	Real3D	350 nm	?	?	^[207]^[208]
Voodoo 2	4,000,000	1998	3dfx	TSMC	350 nm	?	?
Voodoo Rush	4,000,000	1998	3dfx	TSMC	350 nm	?	?
NV4	7,000,000	1998	Nvidia	TSMC	350 nm	90 mm²	78,000	^[207]^[210]
PowerVR2 CLX2	10,000,000	1998	VideoLogic	NEC	250 nm	116 mm²	86,200	^[211]^[212]^[213]^[214]
PowerVR2 PMX1	6,000,000	1999	VideoLogic	NEC	250 nm	?	?	^[215]
Rage 128	8,000,000	1999	ATI	TSMC, UMC	250 nm	70 mm²	114,000	^[208]
Voodoo 3	8,100,000	1999	3dfx	TSMC	250 nm	?	?	^[216]
Graphics Synthesizer	43,000,000	1999	Sony, Toshiba	Sony, Toshiba	180 nm	279 mm²	154,000	^[66]^[217]^[65]^[64]
NV5	15,000,000	1999	Nvidia	TSMC	250 nm	90 mm²	167,000	^[208]
NV10	17,000,000	1999	Nvidia	TSMC	220 nm	111 mm²	153,000	^[218]^[210]
NV11	20,000,000	2000	Nvidia	TSMC	180 nm	65 mm²	308,000	^[208]
NV15	25,000,000	2000	Nvidia	TSMC	180 nm	81 mm²	309,000	^[208]
Voodoo 4	14,000,000	2000	3dfx	TSMC	220 nm	?	?	^[207]^[208]
Voodoo 5	28,000,000	2000	3dfx	TSMC	220 nm	?	?	^[207]^[208]
R100	30,000,000	2000	ATI	TSMC	180 nm	97 mm²	309,000	^[208]
Flipper	51,000,000	2000	ArtX	NEC	180 nm	106 mm²	481,000	^[66]^[219]
PowerVR3 KYRO	14,000,000	2001	Imagination	ST	250 nm	?	?	^[207]^[208]
PowerVR3 KYRO II	15,000,000	2001	Imagination	ST	180 nm	?	?	^[207]^[208]
NV2A	60,000,000	2001	Nvidia	TSMC	150 nm	?	?	^[207]^[220]
NV20	57,000,000	2001	Nvidia	TSMC	150 nm	128 mm²	445,000	^[208]
NV25	63,000,000	2002	Nvidia	TSMC	150 nm	142 mm²	444,000
NV28	36,000,000	2002	Nvidia	TSMC	150 nm	101 mm²	356,000
NV17/18	29,000,000	2002	Nvidia	TSMC	150 nm	65 mm²	446,000
R200	60,000,000	2001	ATI	TSMC	150 nm	68 mm²	882,000
R300	107,000,000	2002	ATI	TSMC	150 nm	218 mm²	490,800
R360	117,000,000	2003	ATI	TSMC	150 nm	218 mm²	536,700
NV34	45,000,000	2003	Nvidia	TSMC	150 nm	124 mm²	363,000
NV34b	45,000,000	2004	Nvidia	TSMC	140 nm	91 mm²	495,000
NV30	125,000,000	2003	Nvidia	TSMC	130 nm	199 mm²	628,000
NV31	80,000,000	2003	Nvidia	TSMC	130 nm	121 mm²	661,000
NV35/38	135,000,000	2003	Nvidia	TSMC	130 nm	207 mm²	652,000
NV36	82,000,000	2003	Nvidia	IBM	130 nm	133 mm²	617,000
R480	160,000,000	2004	ATI	TSMC	130 nm	297 mm²	538,700
NV40	222,000,000	2004	Nvidia	IBM	130 nm	305 mm²	727,900
NV44	75,000,000	2004	Nvidia	IBM	130 nm	110 mm²	681,800
NV41	222,000,000	2005	Nvidia	TSMC	110 nm	225 mm²	986,700	^[208]
NV42	198,000,000	2005	Nvidia	TSMC	110 nm	222 mm²	891,900
NV43	146,000,000	2005	Nvidia	TSMC	110 nm	154 mm²	948,100
G70	303,000,000	2005	Nvidia	TSMC, Chartered	110 nm	333 mm²	909,900
Xenos	232,000,000	2005	ATI	TSMC	90 nm	182 mm²	1,275,000	^[221]^[222]
RSX Reality Synthesizer	300,000,000	2005	Nvidia, Sony	Sony	90 nm	186 mm²	1,613,000	^[223]^[224]
R520	321,000,000	2005	ATI	TSMC	90 nm	288 mm²	1,115,000	^[208]
RV530	157,000,000	2005	ATI	TSMC	90 nm	150 mm²	1,047,000
RV515	107,000,000	2005	ATI	TSMC	90 nm	100 mm²	1,070,000
R580	384,000,000	2006	ATI	TSMC	90 nm	352 mm²	1,091,000
G71	278,000,000	2006	Nvidia	TSMC	90 nm	196 mm²	1,418,000
G72	112,000,000	2006	Nvidia	TSMC	90 nm	81 mm²	1,383,000
G73	177,000,000	2006	Nvidia	TSMC	90 nm	125 mm²	1,416,000
G80	681,000,000	2006	Nvidia	TSMC	90 nm	480 mm²	1,419,000
G86 Tesla	210,000,000	2007	Nvidia	TSMC	80 nm	127 mm²	1,654,000
G84 Tesla	289,000,000	2007	Nvidia	TSMC	80 nm	169 mm²	1,710,000
RV560	330,000,000	2006	ATI	TSMC	80 nm	230 mm²	1,435,000
R600	700,000,000	2007	ATI	TSMC	80 nm	420 mm²	1,667,000
RV610	180,000,000	2007	ATI	TSMC	65 nm	85 mm²	2,118,000	^[208]
RV630	390,000,000	2007	ATI	TSMC	65 nm	153 mm²	2,549,000
G92	754,000,000	2007	Nvidia	TSMC, UMC	65 nm	324 mm²	2,327,000
G94 Tesla	505,000,000	2008	Nvidia	TSMC	65 nm	240 mm²	2,104,000
G96 Tesla	314,000,000	2008	Nvidia	TSMC	65 nm	144 mm²	2,181,000
G98 Tesla	210,000,000	2008	Nvidia	TSMC	65 nm	86 mm²	2,442,000
GT200^[225]	1,400,000,000	2008	Nvidia	TSMC	65 nm	576 mm²	2,431,000
RV620	181,000,000	2008	ATI	TSMC	55 nm	67 mm²	2,701,000	^[208]
RV635	378,000,000	2008	ATI	TSMC	55 nm	135 mm²	2,800,000
RV710	242,000,000	2008	ATI	TSMC	55 nm	73 mm²	3,315,000
RV730	514,000,000	2008	ATI	TSMC	55 nm	146 mm²	3,521,000
RV670	666,000,000	2008	ATI	TSMC	55 nm	192 mm²	3,469,000
RV770	956,000,000	2008	ATI	TSMC	55 nm	256 mm²	3,734,000
RV790	959,000,000	2008	ATI	TSMC	55 nm	282 mm²	3,401,000	^[226]^[208]
G92b Tesla	754,000,000	2008	Nvidia	TSMC, UMC	55 nm	260 mm²	2,900,000	^[208]
G94b Tesla	505,000,000	2008	Nvidia	TSMC, UMC	55 nm	196 mm²	2,577,000
G96b Tesla	314,000,000	2008	Nvidia	TSMC, UMC	55 nm	121 mm²	2,595,000
GT200b Tesla	1,400,000,000	2008	Nvidia	TSMC, UMC	55 nm	470 mm²	2,979,000
GT218 Tesla	260,000,000	2009	Nvidia	TSMC	40 nm	57 mm²	4,561,000	^[208]
GT216 Tesla	486,000,000	2009	Nvidia	TSMC	40 nm	100 mm²	4,860,000
GT215 Tesla	727,000,000	2009	Nvidia	TSMC	40 nm	144 mm²	5,049,000
RV740	826,000,000	2009	ATI	TSMC	40 nm	137 mm²	6,029,000
Cypress RV870	2,154,000,000	2009	ATI	TSMC	40 nm	334 mm²	6,449,000
Juniper RV840	1,040,000,000	2009	ATI	TSMC	40 nm	166 mm²	6,265,000
Redwood RV830	627,000,000	2010	AMD (ATI)	TSMC	40 nm	104 mm²	6,029,000	^[208]
Cedar RV810	292,000,000	2010	AMD	TSMC	40 nm	59 mm²	4,949,000
Cayman RV970	2,640,000,000	2010	AMD	TSMC	40 nm	389 mm²	6,789,000
Barts RV940	1,700,000,000	2010	AMD	TSMC	40 nm	255 mm²	6,667,000
Turks RV930	716,000,000	2011	AMD	TSMC	40 nm	118 mm²	6,068,000
Caicos RV910	370,000,000	2011	AMD	TSMC	40 nm	67 mm²	5,522,000
GF100 Fermi	3,200,000,000	2010	Nvidia	TSMC	40 nm	526 mm²	6,084,000	^[227]
GF110 Fermi	3,000,000,000	2010	Nvidia	TSMC	40 nm	520 mm²	5,769,000	^[227]
GF104 Fermi	1,950,000,000	2011	Nvidia	TSMC	40 nm	332 mm²	5,873,000	^[208]
GF106 Fermi	1,170,000,000	2010	Nvidia	TSMC	40 nm	238 mm²	4,916,000	^[208]
GF108 Fermi	585,000,000	2011	Nvidia	TSMC	40 nm	116 mm²	5,043,000	^[208]
GF119 Fermi	292,000,000	2011	Nvidia	TSMC	40 nm	79 mm²	3,696,000	^[208]
Tahiti GCN1	4,312,711,873	2011	AMD	TSMC	28 nm	365 mm²	11,820,000	^[228]
Cape Verde GCN1	1,500,000,000	2012	AMD	TSMC	28 nm	123 mm²	12,200,000	^[208]
Pitcairn GCN1	2,800,000,000	2012	AMD	TSMC	28 nm	212 mm²	13,210,000	^[208]
GK110 Kepler	7,080,000,000	2012	Nvidia	TSMC	28 nm	561 mm²	12,620,000	^[229]^[230]
GK104 Kepler	3,540,000,000	2012	Nvidia	TSMC	28 nm	294 mm²	12,040,000	^[231]
GK106 Kepler	2,540,000,000	2012	Nvidia	TSMC	28 nm	221 mm²	11,490,000	^[208]
GK107 Kepler	1,270,000,000	2012	Nvidia	TSMC	28 nm	118 mm²	10,760,000	^[208]
GK208 Kepler	1,020,000,000	2013	Nvidia	TSMC	28 nm	79 mm²	12,910,000	^[208]
Oland GCN1	1,040,000,000	2013	AMD	TSMC	28 nm	90 mm²	11,560,000	^[208]
Bonaire GCN2	2,080,000,000	2013	AMD	TSMC	28 nm	160 mm²	13,000,000	^[208]
Durango (Xbox One)	4,800,000,000	2013	AMD	TSMC	28 nm	375 mm²	12,800,000	^[232]^[233]
Liverpool (PlayStation 4)	?	2013	AMD	TSMC	28 nm	348 mm²	?	^[234]
Hawaii GCN2	6,300,000,000	2013	AMD	TSMC	28 nm	438 mm²	14,380,000	^[208]
GM200 Maxwell	8,000,000,000	2015	Nvidia	TSMC	28 nm	601 mm²	13,310,000
GM204 Maxwell	5,200,000,000	2014	Nvidia	TSMC	28 nm	398 mm²	13,070,000
GM206 Maxwell	2,940,000,000	2014	Nvidia	TSMC	28 nm	228 mm²	12,890,000
GM107 Maxwell	1,870,000,000	2014	Nvidia	TSMC	28 nm	148 mm²	12,640,000
Tonga GCN3	5,000,000,000	2014	AMD	TSMC, GlobalFoundries	28 nm	366 mm²	13,660,000
Fiji GCN3	8,900,000,000	2015	AMD	TSMC	28 nm	596 mm²	14,930,000
Durango 2 (Xbox One S)	5,000,000,000	2016	AMD	TSMC	16 nm	240 mm²	20,830,000	^[235]
Neo (PlayStation 4 Pro)	5,700,000,000	2016	AMD	TSMC	16 nm	325 mm²	17,540,000	^[236]
Ellesmere/Polaris 10 GCN4	5,700,000,000	2016	AMD	Samsung, GlobalFoundries	14 nm	232 mm²	24,570,000	^[237]
Baffin/Polaris 11 GCN4	3,000,000,000	2016	AMD	Samsung, GlobalFoundries	14 nm	123 mm²	24,390,000	^[208]^[238]
Lexa/Polaris 12 GCN4	2,200,000,000	2017	AMD	Samsung, GlobalFoundries	14 nm	101 mm²	21,780,000	^[208]^[238]
GP100 Pascal	15,300,000,000	2016	Nvidia	TSMC, Samsung	16 nm	610 mm²	25,080,000	^[239]^[240]
GP102 Pascal	11,800,000,000	2016	Nvidia	TSMC, Samsung	16 nm	471 mm²	25,050,000	^[208]^[240]
GP104 Pascal	7,200,000,000	2016	Nvidia	TSMC	16 nm	314 mm²	22,930,000	^[208]^[240]
GP106 Pascal	4,400,000,000	2016	Nvidia	TSMC	16 nm	200 mm²	22,000,000	^[208]^[240]
GP107 Pascal	3,300,000,000	2016	Nvidia	Samsung	14 nm	132 mm²	25,000,000	^[208]^[240]
GP108 Pascal	1,850,000,000	2017	Nvidia	Samsung	14 nm	74 mm²	25,000,000	^[208]^[240]
Scorpio (Xbox One X)	6,600,000,000	2017	AMD	TSMC	16 nm	367 mm²	17,980,000	^[232]^[241]
Vega 10 GCN5	12,500,000,000	2017	AMD	Samsung, GlobalFoundries	14 nm	484 mm²	25,830,000	^[242]
GV100 Volta	21,100,000,000	2017	Nvidia	TSMC	12 nm	815 mm²	25,890,000	^[243]
TU102 Turing	18,600,000,000	2018	Nvidia	TSMC	12 nm	754 mm²	24,670,000	^[244]
TU104 Turing	13,600,000,000	2018	Nvidia	TSMC	12 nm	545 mm²	24,950,000
TU106 Turing	10,800,000,000	2018	Nvidia	TSMC	12 nm	445 mm²	24,270,000
TU116 Turing	6,600,000,000	2019	Nvidia	TSMC	12 nm	284 mm²	23,240,000	^[245]
TU117 Turing	4,700,000,000	2019	Nvidia	TSMC	12 nm	200 mm²	23,500,000	^[246]
Vega 20 GCN5	13,230,000,000	2018	AMD	TSMC	7 nm	331 mm²	39,970,000	^[208]
Navi 10 RDNA	10,300,000,000	2019	AMD	TSMC	7 nm	251 mm²	41,040,000	^[247]
Navi 12 RDNA	?	2020	AMD	TSMC	7 nm	?	?
Navi 14 RDNA	6,400,000,000	2019	AMD	TSMC	7 nm	158 mm²	40,510,000	^[248]
Arcturus CDNA	25,600,000,000	2020	AMD	TSMC	7 nm	750 mm²	34,100,000	^[249]
GA100 Ampere	54,200,000,000	2020	Nvidia	TSMC	7 nm	826 mm²	65,620,000	^[250]^[251]
GA102 Ampere	28,300,000,000	2020	Nvidia	Samsung	8 nm	628 mm²	45,035,000	^[252]^[253]
GA103 Ampere	22,000,000,000	2022	Nvidia	Samsung	8 nm	496 mm²	44,400,000	^[254]
GA104 Ampere	17,400,000,000	2020	Nvidia	Samsung	8 nm	392 mm²	44,390,000	^[255]
GA106 Ampere	12,000,000,000	2021	Nvidia	Samsung	8 nm	276 mm²	43,480,000	^[256]
GA107 Ampere	8,700,000,000	2021	Nvidia	Samsung	8 nm	200 mm²	43,500,000	^[257]
Navi 21 RDNA2	26,800,000,000	2020	AMD	TSMC	7 nm	520 mm²	51,540,000
Navi 22 RDNA2	17,200,000,000	2021	AMD	TSMC	7 nm	335 mm²	51,340,000
Navi 23 RDNA2	11,060,000,000	2021	AMD	TSMC	7 nm	237 mm²	46,670,000
Navi 24 RDNA2	5,400,000,000	2022	AMD	TSMC	6 nm	107 mm²	50,470,000
Aldebaran CDNA2	58,200,000,000 (MCM)	2021	AMD	TSMC	6 nm	1448–1474 mm²^[258] 1480 mm²^[259] 1490–1580 mm²^[260]	39,500,000–40,200,000 39,200,000 36,800,000–39,100,000	^[261]
GH100 Hopper	80,000,000,000	2022	Nvidia	TSMC	4 nm	814 mm²	98,280,000	^[262]
AD102 Ada Lovelace	76,300,000,000	2022	Nvidia	TSMC	4 nm	608.4 mm²	125,411,000	^[263]
AD103 Ada Lovelace	45,900,000,000	2022	Nvidia	TSMC	4 nm	378.6 mm²	121,240,000	^[264]
AD104 Ada Lovelace	35,800,000,000	2022	Nvidia	TSMC	4 nm	294.5 mm²	121,560,000	^[264]
AD106 Ada Lovelace	?	2023	Nvidia	TSMC	4 nm	190 mm²	?	^[265]^[266]
AD107 Ada Lovelace	?	2023	Nvidia	TSMC	4 nm	146 mm²	?	^[265]^[267]
Navi 31 RDNA3	57,700,000,000 (MCM) 45,400,000,000 (GCD) 6×2,050,000,000 (MCD)	2022	AMD	TSMC	5 nm (GCD) 6 nm (MCD)	531 mm² (MCM) 306 mm² (GCD) 6×37.5 mm² (MCD)	109,200,000 (MCM) 132,400,000 (GCD) 54,640,000 (MCD)	^[268]^[269]^[270]
Navi 32 RDNA3	28,100,000,000 (MCM)	2023	AMD	TSMC	5 nm (GCD) 6 nm (MCD)	350 mm² (MCM) 200 mm² (GCD) 4×37.5 mm² (MCD)	80,200,000 (MCM)	^[271]
Navi 33 RDNA3	13,300,000,000	2023	AMD	TSMC	6 nm	204 mm²	65,200,000	^[272]
Aqua Vanjaram CDNA3	153,000,000,000 (MCM)	2023	AMD	TSMC	5 nm (GCD) 6 nm (MCD)	?	?	^[273]^[274]
GB200 Grace Blackwell	208,000,000,000	2024	Nvidia	TSMC	4 nm	?	?	^[275]
Processor	Transistor count	Year	Designer(s)	Fab(s)	MOS process	Area	Transistor density (tr./mm²)	Ref

FPGA[edit]

A field-programmable gate array (FPGA) is an integrated circuit designed to be configured by a customer or a designer after manufacturing.

FPGA	Transistor count	Date of introduction	Designer	Manufacturer	Process	Area	Transistor density, tr./mm²	Ref
Virtex	70,000,000	1997	Xilinx
Virtex-E	200,000,000	1998	Xilinx
Virtex-II	350,000,000	2000	Xilinx		130 nm
Virtex-II PRO	430,000,000	2002	Xilinx
Virtex-4	1,000,000,000	2004	Xilinx		90 nm
Virtex-5	1,100,000,000	2006	Xilinx	TSMC	65 nm			^[276]
Stratix IV	2,500,000,000	2008	Altera	TSMC	40 nm			^[277]
Stratix V	3,800,000,000	2011	Altera	TSMC	28 nm			^{[citation needed]}
Arria 10	5,300,000,000	2014	Altera	TSMC	20 nm			^[278]
Virtex-7 2000T	6,800,000,000	2011	Xilinx	TSMC	28 nm			^[279]
Stratix 10 SX 2800	17,000,000,000	TBD	Intel	Intel	14 nm	560 mm²	30,400,000	^[280]^[281]
Virtex-Ultrascale VU440	20,000,000,000	Q1 2015	Xilinx	TSMC	20 nm			^[282]^[283]
Virtex-Ultrascale+ VU19P	35,000,000,000	2020	Xilinx	TSMC	16 nm	900 mm² ^[f]	38,900,000	^[284]^[285]^[286]
Versal VC1902	37,000,000,000	2H 2019	Xilinx	TSMC	7 nm			^[287]^[288]^[289]
Stratix 10 GX 10M	43,300,000,000	Q4 2019	Intel	Intel	14 nm	1,400 mm² ^[f]	30,930,000	^[290]^[291]
Versal VP1802	92,000,000,000	2021 ?^[g]	Xilinx	TSMC	7 nm			^[292]^[293]

Memory[edit]

Semiconductor memory is an electronic data storage device, often used as computer memory, implemented on integrated circuits. Nearly all semiconductor memories since the 1970s have used MOSFETs (MOS transistors), replacing earlier bipolar junction transistors. There are two major types of semiconductor memory: random-access memory (RAM) and non-volatile memory (NVM). In turn, there are two major RAM types: dynamic random-access memory (DRAM) and static random-access memory (SRAM), as well as two major NVM types: flash memory and read-only memory (ROM).

Typical CMOS SRAM consists of six transistors per cell. For DRAM, 1T1C, which means one transistor and one capacitor structure, is common. Capacitor charged or not^{[clarification needed]} is used to store 1 or 0. In flash memory, the data is stored in floating gates, and the resistance of the transistor is sensed^{[clarification needed]} to interpret the data stored. Depending on how fine scale the resistance could be separated^{[clarification needed]}, one transistor could store up to three bits, meaning eight distinctive levels of resistance possible per transistor. However, a finer scale comes with the cost of repeatability issues, and hence reliability. Typically, low grade 2-bits MLC flash is used for flash drives, so a 16 GB flash drive contains roughly 64 billion transistors.

For SRAM chips, six-transistor cells (six transistors per bit) was the standard.^[294] DRAM chips during the early 1970s had three-transistor cells (three transistors per bit), before single-transistor cells (one transistor per bit) became standard since the era of 4 Kb DRAM in the mid-1970s.^[295]^[296] In single-level flash memory, each cell contains one floating-gate MOSFET (one transistor per bit),^[297] whereas multi-level flash contains 2, 3 or 4 bits per transistor.

Flash memory chips are commonly stacked up in layers, up to 128-layer in production,^[298] and 136-layer managed,^[299] and available in end-user devices up to 69-layer from manufacturers.

Random-access memory (RAM)
Chip name	Capacity (bits)	RAM type	Transistor count	Date of introduction	Manufacturer(s)	Process	Area	Transistor density (tr./mm²)	Ref
—	1-bit	SRAM (cell)	6	1963	Fairchild	—	—	?	^[300]
—	1-bit	DRAM (cell)	1	1965	Toshiba	—	—	?	^[301]^[302]
?	8-bit	SRAM (bipolar)	48	1965	SDS, Signetics	?	?	?	^[300]
SP95	16-bit	SRAM (bipolar)	80	1965	IBM	?	?	?	^[303]
TMC3162	16-bit	SRAM (TTL)	96	1966	Transitron	—	?	?	^[296]
?	?	SRAM (MOS)	?	1966	NEC	?	?	?	^[295]
	256-bit	DRAM (IC)	256	1968	Fairchild	?	?	?	^[296]
	64-bit	SRAM (PMOS)	384	1968	Fairchild	?	?	?	^[295]
	144-bit	SRAM (NMOS)	864	1968	NEC	?	?	?	^[295]
1101	256-bit	SRAM (PMOS)	1,536	1969	Intel	12,000 nm	?	?	^[304]^[305]^[306]
1102	1 Kb	DRAM (PMOS)	3,072	1970	Intel, Honeywell	?	?	?	^[295]
1103	1 Kb	DRAM (PMOS)	3,072	1970	Intel	8,000 nm	10 mm²	307	^[307]^[294]^[308]^[296]
μPD403	1 Kb	DRAM (NMOS)	3,072	1971	NEC	?	?	?	^[309]
?	2 Kb	DRAM (PMOS)	6,144	1971	General Instrument	?	12.7 mm²	484	^[310]
2102	1 Kb	SRAM (NMOS)	6,144	1972	Intel	?	?	?	^[304]^[311]
?	8 Kb	DRAM (PMOS)	8,192	1973	IBM	?	18.8 mm²	436	^[310]
5101	1 Kb	SRAM (CMOS)	6,144	1974	Intel	?	?	?	^[304]
2116	16 Kb	DRAM (NMOS)	16,384	1975	Intel	?	?	?	^[312]^[296]
2114	4 Kb	SRAM (NMOS)	24,576	1976	Intel	?	?	?	^[304]^[313]
?	4 Kb	SRAM (CMOS)	24,576	1977	Toshiba	?	?	?	^[305]
	64 Kb	DRAM (NMOS)	65,536	1977	NTT	?	35.4 mm²	1851	^[310]
	64 Kb	DRAM (VMOS)	65,536	1979	Siemens	?	25.2 mm²	2601	^[310]
	16 Kb	SRAM (CMOS)	98,304	1980	Hitachi, Toshiba	?	?	?	^[314]
	256 Kb	DRAM (NMOS)	262,144	1980	NEC	1,500 nm	41.6 mm²	6302	^[310]
	256 Kb	DRAM (NMOS)	262,144	1980	NTT	1,000 nm	34.4 mm²	7620	^[310]
	64 Kb	SRAM (CMOS)	393,216	1980	Matsushita	?	?	?	^[314]
	288 Kb	DRAM	294,912	1981	IBM	?	25 mm²	11,800	^[315]
	64 Kb	SRAM (NMOS)	393,216	1982	Intel	1,500 nm	?	?	^[314]
	256 Kb	SRAM (CMOS)	1,572,864	1984	Toshiba	1,200 nm	?	?	^[314]^[306]
	8 Mb	DRAM	8,388,608	January 5, 1984	Hitachi	?	?	?	^[316]^[317]
	16 Mb	DRAM (CMOS)	16,777,216	1987	NTT	700 nm	148 mm²	113,400	^[310]
	4 Mb	SRAM (CMOS)	25,165,824	1990	NEC, Toshiba, Hitachi, Mitsubishi	?	?	?	^[314]
	64 Mb	DRAM (CMOS)	67,108,864	1991	Matsushita, Mitsubishi, Fujitsu, Toshiba	400 nm	?	?	^[314]
KM48SL2000	16 Mb	SDRAM	16,777,216	1992	Samsung	?	?	?	^[318]^[319]
?	16 Mb	SRAM (CMOS)	100,663,296	1992	Fujitsu, NEC	400 nm	?	?	^[314]
	256 Mb	DRAM (CMOS)	268,435,456	1993	Hitachi, NEC	250 nm	?	?	^[314]
	1 Gb	DRAM	1,073,741,824	January 9, 1995	NEC	250 nm	?	?	^[320]^[321]
		DRAM	1,073,741,824	January 9, 1995	Hitachi	160 nm	?	?	^[320]^[321]
		SDRAM	1,073,741,824	1996	Mitsubishi	150 nm	?	?	^[314]
		SDRAM (SOI)	1,073,741,824	1997	Hyundai	?	?	?	^[322]
	4 Gb	DRAM (4-bit)	1,073,741,824	1997	NEC	150 nm	?	?	^[314]
	4 Gb	DRAM	4,294,967,296	1998	Hyundai	?	?	?	^[322]
	8 Gb	SDRAM (DDR3)	8,589,934,592	April 2008	Samsung	50 nm	?	?	^[323]
	16 Gb	SDRAM (DDR3)	17,179,869,184	2008	Samsung	50 nm	?	?	^[323]
	32 Gb	SDRAM (HBM2)	34,359,738,368	2016	Samsung	20 nm	?	?	^[324]
	64 Gb	SDRAM (HBM2)	68,719,476,736	2017	Samsung	20 nm	?	?	^[324]
	128 Gb	SDRAM (DDR4)	137,438,953,472	2018	Samsung	10 nm	?	?	^[325]
	?	RRAM^[326] (3DSoC)^[327]	?	2019	SkyWater Technology^[328]	90 nm	?	?

Flash memory
Chip name	Capacity (bits)	Flash type	FGMOS transistor count	Date of introduction	Manufacturer(s)	Process	Area	Transistor density (tr./mm²)	Ref
?	256 Kb	NOR	262,144	1985	Toshiba	2,000 nm	?	?	^[314]
	1 Mb	NOR	1,048,576	1989	Seeq, Intel	?
	4 Mb	NAND	4,194,304	1989	Toshiba	1,000 nm
	16 Mb	NOR	16,777,216	1991	Mitsubishi	600 nm
DD28F032SA	32 Mb	NOR	33,554,432	1993	Intel	?	280 mm²	120,000	^[304]^[329]
?	64 Mb	NOR	67,108,864	1994	NEC	400 nm	?	?	^[314]
	64 Mb	NAND	67,108,864	1996	Hitachi	400 nm
	128 Mb	NAND	134,217,728	1996	Samsung, Hitachi	?
	256 Mb	NAND	268,435,456	1999	Hitachi, Toshiba	250 nm
	512 Mb	NAND	536,870,912	2000	Toshiba	?	?	?	^[330]
	1 Gb	2-bit NAND	536,870,912	2001	Samsung	?	?	?	^[314]
	1 Gb	2-bit NAND	536,870,912	2001	Toshiba, SanDisk	160 nm	?	?	^[331]
	2 Gb	NAND	2,147,483,648	2002	Samsung, Toshiba	?	?	?	^[332]^[333]
	8 Gb	NAND	8,589,934,592	2004	Samsung	60 nm	?	?	^[332]
	16 Gb	NAND	17,179,869,184	2005	Samsung	50 nm	?	?	^[334]
	32 Gb	NAND	34,359,738,368	2006	Samsung	40 nm	?	?	^[334]
THGAM	128 Gb	Stacked NAND	128,000,000,000	April 2007	Toshiba	56 nm	252 mm²	507,900,000	^[335]
THGBM	256 Gb	Stacked NAND	256,000,000,000	2008	Toshiba	43 nm	353 mm²	725,200,000	^[336]
THGBM2	1 Tb	Stacked 4-bit NAND	256,000,000,000	2010	Toshiba	32 nm	374 mm²	684,500,000	^[337]
KLMCG8GE4A	512 Gb	Stacked 2-bit NAND	256,000,000,000	2011	Samsung	?	192 mm²	1,333,000,000	^[338]
KLUFG8R1EM	4 Tb	Stacked 3-bit V-NAND	1,365,333,333,504	2017	Samsung	?	150 mm²	9,102,000,000	^[339]
eUFS (1 TB)	8 Tb	Stacked 4-bit V-NAND	2,048,000,000,000	2019	Samsung	?	150 mm²	13,650,000,000	^[340]^[341]
?	1 Tb	232L TLC NAND die	333,333,333,333	2022	Micron	?	68.5 mm² (memory array)	4,870,000,000 (14.6 Gbit/mm²)	^[342]^[343]^[344]^[345]
?	16 Tb	232L package	5,333,333,333,333	2022	Micron	?	68.5 mm² (memory array)	77,900,000,000 (16×14.6 Gbit/mm²)

Read-only memory (ROM)
Chip name	Capacity (bits)	ROM type	Transistor count	Date of introduction	Manufacturer(s)	Process	Area	Ref
?	?	PROM	?	1956	Arma	—	?	^[346]^[347]
?	1 Kb	ROM (MOS)	1,024	1965	General Microelectronics	?	?	^[348]
3301	1 Kb	ROM (bipolar)	1,024	1969	Intel	—	?	^[348]
1702	2 Kb	EPROM (MOS)	2,048	1971	Intel	?	15 mm²	^[349]
?	4 Kb	ROM (MOS)	4,096	1974	AMD, General Instrument	?	?	^[348]
2708	8 Kb	EPROM (MOS)	8,192	1975	Intel	?	?	^[304]
?	2 Kb	EEPROM (MOS)	2,048	1976	Toshiba	?	?	^[350]
μCOM-43 ROM	16 Kb	PROM (PMOS)	16,000	1977	NEC	?	?	^[351]
2716	16 Kb	EPROM (TTL)	16,384	1977	Intel	—	?	^[307]^[352]
EA8316F	16 Kb	ROM (NMOS)	16,384	1978	Electronic Arrays	?	436 mm²	^[348]^[353]
2732	32 Kb	EPROM	32,768	1978	Intel	?	?	^[304]
2364	64 Kb	ROM	65,536	1978	Intel	?	?	^[354]
2764	64 Kb	EPROM	65,536	1981	Intel	3,500 nm	?	^[304]^[314]
27128	128 Kb	EPROM	131,072	1982	Intel	?	?	^[304]^[314]
27256	256 Kb	EPROM (HMOS)	262,144	1983	Intel	?	?	^[304]^[355]
?	256 Kb	EPROM (CMOS)	262,144	1983	Fujitsu	?	?	^[356]
?	512 Kb	EPROM (NMOS)	524,288	1984	AMD	1,700 nm	?	^[314]
27512	512 Kb	EPROM (HMOS)	524,288	1984	Intel	?	?	^[304]^[357]
?	1 Mb	EPROM (CMOS)	1,048,576	1984	NEC	1,200 nm	?	^[314]
	4 Mb	EPROM (CMOS)	4,194,304	1987	Toshiba	800 nm
	16 Mb	EPROM (CMOS)	16,777,216	1990	NEC	600 nm
	16 Mb	MROM	16,777,216	1995	AKM, Hitachi	?	?	^[321]

Transistor computers[edit]

Before transistors were invented, relays were used in commercial tabulating machines and experimental early computers. The world's first working programmable, fully automatic digital computer,^[358] the 1941 Z3 22-bit word length computer, had 2,600 relays, and operated at a clock frequency of about 4–5 Hz. The 1940 Complex Number Computer had fewer than 500 relays,^[359] but it was not fully programmable. The earliest practical computers used vacuum tubes and solid-state diode logic. ENIAC had 18,000 vacuum tubes, 7,200 crystal diodes, and 1,500 relays, with many of the vacuum tubes containing two triode elements.

The second generation of computers were transistor computers that featured boards filled with discrete transistors, solid-state diodes and magnetic memory cores. The experimental 1953 48-bit Transistor Computer, developed at the University of Manchester, is widely believed to be the first transistor computer to come into operation anywhere in the world (the prototype had 92 point-contact transistors and 550 diodes).^[360] A later version the 1955 machine had a total of 250 junction transistors and 1,300 point-contact diodes. The Computer also used a small number of tubes in its clock generator, so it was not the first fully transistorized. The ETL Mark III, developed at the Electrotechnical Laboratory in 1956, may have been the first transistor-based electronic computer using the stored program method. It had about "130 point-contact transistors and about 1,800 germanium diodes were used for logic elements, and these were housed on 300 plug-in packages which could be slipped in and out."^[361] The 1958 decimal architecture IBM 7070 was the first transistor computer to be fully programmable. It had about 30,000 alloy-junction germanium transistors and 22,000 germanium diodes, on approximately 14,000 Standard Modular System (SMS) cards. The 1959 MOBIDIC, short for "MOBIle DIgital Computer", at 12,000 pounds (6.0 short tons) mounted in the trailer of a semi-trailer truck, was a transistorized computer for battlefield data.

The third generation of computers used integrated circuits (ICs).^[362] The 1962 15-bit Apollo Guidance Computer used "about 4,000 "Type-G" (3-input NOR gate) circuits" for about 12,000 transistors plus 32,000 resistors.^[363]The IBM System/360, introduced 1964, used discrete transistors in hybrid circuit packs.^[362] The 1965 12-bit PDP-8 CPU had 1409 discrete transistors and over 10,000 diodes, on many cards. Later versions, starting with the 1968 PDP-8/I, used integrated circuits. The PDP-8 was later reimplemented as a microprocessor as the Intersil 6100, see below.^[364]

The next generation of computers were the microcomputers, starting with the 1971 Intel 4004, which used MOS transistors. These were used in home computers or personal computers (PCs).

This list includes early transistorized computers (second generation) and IC-based computers (third generation) from the 1950s and 1960s.

Computer	Transistor count	Year	Manufacturer	Notes	Ref
Transistor Computer	92	1953	University of Manchester	Point-contact transistors, 550 diodes. Lacked stored program capability.	^[360]
TRADIC	700	1954	Bell Labs	Point-contact transistors	^[360]
Transistor Computer (full size)	250	1955	University of Manchester	Discrete point-contact transistors, 1,300 diodes	^[360]
IBM 608	3,000	1955	IBM	Germanium transistors	^[365]
ETL Mark III	130	1956	Electrotechnical Laboratory	Point-contact transistors, 1,800 diodes, stored program capability	^[360]^[361]
Metrovick 950	200	1956	Metropolitan-Vickers	Discrete junction transistors
NEC NEAC-2201	600	1958	NEC	Germanium transistors	^[366]
Hitachi MARS-1	1,000	1958	Hitachi		^[367]
IBM 7070	30,000	1958	IBM	Alloy-junction germanium transistors, 22,000 diodes	^[368]
Matsushita MADIC-I	400	1959	Matsushita	Bipolar transistors	^[369]
NEC NEAC-2203	2,579	1959	NEC		^[370]
Toshiba TOSBAC-2100	5,000	1959	Toshiba		^[371]
IBM 7090	50,000	1959	IBM	Discrete germanium transistors	^[372]
PDP-1	2,700	1959	Digital Equipment Corporation	Discrete transistors
Olivetti Elea 9003	?	1959	Olivetti	300,000 (?) discrete transistors and diodes	^[373]
Mitsubishi MELCOM 1101	3,500	1960	Mitsubishi	Germanium transistors	^[374]
M18 FADAC	1,600	1960	Autonetics	Discrete transistors
CPU of IBM 7030 Stretch	169,100	1961	IBM	World's fastest computer from 1961 to 1964	^[375]
D-17B	1,521	1962	Autonetics	Discrete transistors
NEC NEAC-L2	16,000	1964	NEC	Ge transistors	^[376]
CDC 6600 (entire computer)	400,000	1964	Control Data Corporation	World's fastest computer from 1964 to 1969	^[377]
IBM System/360	?	1964	IBM	Hybrid circuits
PDP-8 "Straight-8"	1,409^[364]	1965	Digital Equipment Corporation	discrete transistors, 10,000 diodes
PDP-8/S	1,001^[378]^[379]^[380]	1966	Digital Equipment Corporation	discrete transistors, diodes
PDP-8/I	1,409^{[citation needed]}	1968^[381]	Digital Equipment Corporation	74 series TTL circuits^[382]
Apollo Guidance Computer Block I	12,300	1966	Raytheon / MIT Instrumentation Laboratory	4,100 ICs, each containing a 3-transistor, 3-input NOR gate. (Block II had 2,800 dual 3-input NOR gates ICs.)

Logic functions[edit]

Transistor count for generic logic functions is based on static CMOS implementation.^[383]

Function	Transistor count	Ref
NOT	2
Buffer	4
NAND 2-input	4
NOR 2-input	4
AND 2-input	6
OR 2-input	6
NAND 3-input	6
NOR 3-input	6
XOR 2-input	6
XNOR 2-input	8
MUX 2-input with TG	6
MUX 4-input with TG	18
NOT MUX 2-input	8
MUX 4-input	24
1-bit full adder	24
1-bit adder–subtractor	48
AND-OR-INVERT	6	^[384]
Latch, D gated	8
Flip-flop, edge triggered dynamic D with reset	12
8-bit multiplier	3,000
16-bit multiplier	9,000
32-bit multiplier	21,000	^{[citation needed]}
small-scale integration	2–100	^[385]
medium-scale integration	100–500	^[385]
large-scale integration	500–20,000	^[385]
very-large-scale integration	20,000–1,000,000	^[385]
ultra-large scale integration	>1,000,000

Parallel systems[edit]

Historically, each processing element in earlier parallel systems—like all CPUs of that time—was a serial computer built out of multiple chips. As transistor counts per chip increases, each processing element could be built out of fewer chips, and then later each multi-core processor chip could contain more processing elements.^[386]

Goodyear MPP: (1983?) 8 pixel processors per chip, 3,000 to 8,000 transistors per chip.^[386]

Brunel University Scape (single-chip array-processing element): (1983) 256 pixel processors per chip, 120,000 to 140,000 transistors per chip.^[386]

Cell Broadband Engine: (2006) with 9 cores per chip, had 234 million transistors per chip.^[387]

Other devices[edit]

Device type	Device name	Transistor count	Date of introduction	Designer(s)	Manufacturer(s)	MOS process	Area	Transistor density, tr./mm²	Ref
Deep learning engine / IPU^[h]	Colossus GC2	23,600,000,000	2018	Graphcore	TSMC	16 nm	~800 mm²	29,500,000	^[388]^[389]^[390]^{[better source needed]}
Deep learning engine / IPU	Wafer Scale Engine	1,200,000,000,000	2019	Cerebras	TSMC	16 nm	46,225 mm²	25,960,000	^[2]^[3]^[4]^[5]
Deep learning engine / IPU	Wafer Scale Engine 2	2,600,000,000,000	2020	Cerebras	TSMC	7 nm	46,225 mm²	56,250,000	^[6]^[391]^[392]
Network switch	NVLink4 NVSwitch	25,100,000,000	2022	Nvidia	TSMC	N4 (4 nm)	294 mm²	85,370,000	^[393]

Transistor density[edit]

The transistor density is the number of transistors that are fabricated per unit area, typically measured in terms of the number of transistors per square millimeter (mm²). The transistor density usually correlates with the gate length of a semiconductor node (also known as a semiconductor manufacturing process), typically measured in nanometers (nm). As of 2019^[update], the semiconductor node with the highest transistor density is TSMC's 5 nanometer node, with 171.3 million transistors per square millimeter (note this corresponds to a transistor-transistor spacing of 76.4 nm, far greater than the relative meaningless "5nm")^[394]

MOSFET nodes[edit]

Semiconductor nodes
Node name	Transistor density (transistors/mm²)	Production year	Process	MOSFET	Manufacturer(s)	Ref
?	?	1960	20,000 nm	PMOS	Bell Labs	^[395]^[396]
?	?	1960	20,000 nm	NMOS	Bell Labs	^[395]^[396]
?	?	1963	?	CMOS	Fairchild	^[397]
?	?	1964	?	PMOS	General Microelectronics	^[398]
?	?	1968	20,000 nm	CMOS	RCA	^[399]
?	?	1969	12,000 nm	PMOS	Intel	^[314]^[306]
?	?	1970	10,000 nm	CMOS	RCA	^[399]
?	300	1970	8,000 nm	PMOS	Intel	^[308]^[296]
?	?	1971	10,000 nm	PMOS	Intel	^[400]
?	480	1971	?	PMOS	General Instrument	^[310]
?	?	1973	?	NMOS	Texas Instruments	^[310]
?	220	1973	?	NMOS	Mostek	^[310]
?	?	1973	7,500 nm	NMOS	NEC	^[20]^[19]
?	?	1973	6,000 nm	PMOS	Toshiba	^[21]^[401]
?	?	1976	5,000 nm	NMOS	Hitachi, Intel	^[310]
?	?	1976	5,000 nm	CMOS	RCA
?	?	1976	4,000 nm	NMOS	Zilog
?	?	1976	3,000 nm	NMOS	Intel	^[402]
?	1,850	1977	?	NMOS	NTT	^[310]
?	?	1978	3,000 nm	CMOS	Hitachi	^[403]
?	?	1978	2,500 nm	NMOS	Texas Instruments	^[310]
?	?	1978	2,000 nm	NMOS	NEC, NTT
?	2,600	1979	?	VMOS	Siemens
?	7,280	1979	1,000 nm	NMOS	NTT
?	7,620	1980	1,000 nm	NMOS	NTT
?	?	1983	2,000 nm	CMOS	Toshiba	^[314]
?	?	1983	1,500 nm	CMOS	Intel	^[310]
?	?	1983	1,200 nm	CMOS	Intel
?	?	1984	800 nm	CMOS	NTT
?	?	1987	700 nm	CMOS	Fujitsu
?	?	1989	600 nm	CMOS	Mitsubishi, NEC, Toshiba	^[314]
?	?	1989	500 nm	CMOS	Hitachi, Mitsubishi, NEC, Toshiba
?	?	1991	400 nm	CMOS	Matsushita, Mitsubishi, Fujitsu, Toshiba
?	?	1993	350 nm	CMOS	Sony
?	?	1993	250 nm	CMOS	Hitachi, NEC
3LM	32,000	1994	350 nm	CMOS	NEC	^[205]
?	?	1995	160 nm	CMOS	Hitachi	^[314]
?	?	1996	150 nm	CMOS	Mitsubishi	^[314]
TSMC 180 nm	?	1998	180 nm	CMOS	TSMC	^[404]
CS80	?	1999	180 nm	CMOS	Fujitsu	^[405]
?	?	1999	180 nm	CMOS	Intel, Sony, Toshiba	^[304]^[217]
CS85	?	1999	170 nm	CMOS	Fujitsu	^[406]
Samsung 140 nm	?	1999	140 nm	CMOS	Samsung	^[314]
?	?	2001	130 nm	CMOS	Fujitsu, Intel	^[405]^[304]
Samsung 100 nm	?	2001	100 nm	CMOS	Samsung	^[314]
?	?	2002	90 nm	CMOS	Sony, Toshiba, Samsung	^[217]^[332]
CS100	?	2003	90 nm	CMOS	Fujitsu	^[405]
Intel 90 nm	1,450,000	2004	90 nm	CMOS	Intel	^[407]^[304]
Samsung 80 nm	?	2004	80 nm	CMOS	Samsung	^[408]
?	?	2004	65 nm	CMOS	Fujitsu, Toshiba	^[409]
Samsung 60 nm	?	2004	60 nm	CMOS	Samsung	^[332]
TSMC 45 nm	?	2004	45 nm	CMOS	TSMC
Elpida 90 nm	?	2005	90 nm	CMOS	Elpida Memory	^[410]
CS200	?	2005	65 nm	CMOS	Fujitsu	^[411]^[405]
Samsung 50 nm	?	2005	50 nm	CMOS	Samsung	^[334]
Intel 65 nm	2,080,000	2006	65 nm	CMOS	Intel	^[407]
Samsung 40 nm	?	2006	40 nm	CMOS	Samsung	^[334]
Toshiba 56 nm	?	2007	56 nm	CMOS	Toshiba	^[335]
Matsushita 45 nm	?	2007	45 nm	CMOS	Matsushita	^[82]
Intel 45 nm	3,300,000	2008	45 nm	CMOS	Intel	^[412]
Toshiba 43 nm	?	2008	43 nm	CMOS	Toshiba	^[336]
TSMC 40 nm	?	2008	40 nm	CMOS	TSMC	^[413]
Toshiba 32 nm	?	2009	32 nm	CMOS	Toshiba	^[414]
Intel 32 nm	7,500,000	2010	32 nm	CMOS	Intel	^[412]
?	?	2010	20 nm	CMOS	Hynix, Samsung	^[415]^[334]
Intel 22 nm	15,300,000	2012	22 nm	CMOS	Intel	^[412]
IMFT 20 nm	?	2012	20 nm	CMOS	IMFT	^[416]
Toshiba 19 nm	?	2012	19 nm	CMOS	Toshiba	^[416]
Hynix 16 nm	?	2013	16 nm	FinFET	SK Hynix	^[415]
TSMC 16 nm	28,880,000	2013	16 nm	FinFET	TSMC	^[417]^[418]
Samsung 10 nm	51,820,000	2013	10 nm	FinFET	Samsung	^[419]^[420]
Intel 14 nm	37,500,000	2014	14 nm	FinFET	Intel	^[412]
14LP	32,940,000	2015	14 nm	FinFET	Samsung	^[419]
TSMC 10 nm	52,510,000	2016	10 nm	FinFET	TSMC	^[417]^[421]
12LP	36,710,000	2017	12 nm	FinFET	GlobalFoundries, Samsung	^[238]
N7FF	96,500,000 101,850,000^[422]	2017	7 nm	FinFET	TSMC	^[423]^[424]^[425]
8LPP	61,180,000	2018	8 nm	FinFET	Samsung	^[419]
7LPE	95,300,000	2018	7 nm	FinFET	Samsung	^[424]
Intel 10 nm	100,760,000 106,100,000^[422]	2018	10 nm	FinFET	Intel	^[426]
5LPE	126,530,000 133,560,000^[422] 134,900,000^[427]	2018	5 nm	FinFET	Samsung	^[428]^[429]
N7FF+	113,900,000	2019	7 nm	FinFET	TSMC	^[423]^[424]
CLN5FF	171,300,000 185,460,000^[422]	2019	5 nm	FinFET	TSMC	^[394]
Intel 7	100,760,000 106,100,000^[422]	2021	7 nm	FinFET	Intel
4LPE	145,700,000^[427]	2021	4 nm	FinFET	Samsung	^[430]^[431]^[432]
N4	196,600,000^[422]^[433]	2021	4 nm	FinFET	TSMC	^[434]
N4P	196,600,000^[422]^[433]	2022	4 nm	FinFET	TSMC	^[435]
3GAE	202,850,000^[422]	2022	3 nm	MBCFET	Samsung	^[436]^[430]^[437]
N3	314,730,000^[422]	2022	3 nm	FinFET	TSMC	^[438]^[439]
N4X	?	2023	4 nm	FinFET	TSMC	^[440]^[441]^[442]
N3E	?	2023	3 nm	FinFET	TSMC	^[439]^[443]
3GAP	?	2023	3 nm	MBCFET	Samsung	^[430]
Intel 4	160,000,000^[444]	2023	4 nm	FinFET	Intel	^[445]^[446]^[447]
Intel 3	?	2023	3 nm	FinFET	Intel	^[446]^[447]
Intel 20A	?	2024	2 nm	RibbonFET	Intel	^[446]^[447]
Intel 18A	?	2025	sub-2 nm	RibbonFET	Intel	^[446]
2GAP	?	2025	2 nm	MBCFET	Samsung	^[430]
N2	?	2025	2 nm	GAAFET	TSMC	^[439]^[443]
Samsung 1.4 nm	?	2027	1.4 nm	?	Samsung	^[448]

Notes[edit]

^ Declassified 1998
^ The TMS1000 is a microcontroller, the transistor count includes memory and input/output controllers, not just the CPU.
^ 3,510 without depletion mode pull-up transistors
^ 6,813 without depletion mode pull-up transistors
^ 3,900,000,000 core chiplet die, 2,090,000,000 I/O die
^ Jump up to: Jump up to: ^a ^b Estimate
^ Versal Premium are confirmed to be shipping in 1H 2021 but nothing was mentioned about the VP1802 in particular. Usually Xilinx makes separate news for the release of its biggest devices so the VP1802 is likely to be released later.
^ "Intelligence Processing Unit"

References[edit]

^ Khosla, Robin (2017). Alternate high-k dielectrics for next-generation CMOS logic and memory technology (PhD). IIT Mandi.
^ Jump up to: Jump up to: ^a ^b Hruska, Joel (August 2019). "Cerebras Systems Unveils 1.2 Trillion Transistor Wafer-Scale Processor for AI". extremetech.com. Retrieved September 6, 2019.
^ Jump up to: Jump up to: ^a ^b Feldman, Michael (August 2019). "Machine Learning chip breaks new ground with waferscale integration". nextplatform.com. Retrieved September 6, 2019.
^ Jump up to: Jump up to: ^a ^b Cutress, Ian (August 2019). "Hot Chips 31 Live Blogs: Cerebras' 1.2 Trillion Transistor Deep Learning Processor". anandtech.com. Retrieved September 6, 2019.
^ Jump up to: Jump up to: ^a ^b "A Look at Cerebras Wafer-Scale Engine: Half Square Foot Silicon Chip". WikiChip Fuse. November 16, 2019. Retrieved December 2, 2019.
^ Jump up to: Jump up to: ^a ^b Everett, Joseph (August 26, 2020). "World's largest CPU has 850,000 7 nm cores that are optimized for AI and 2.6 trillion transistors". TechReportArticles.
^ Jump up to: Jump up to: ^a ^b "Apple introduces M2 Ultra" (Press release). Apple. June 5, 2023.
^ "John Gustafson's answer to How many individual transistors are in the world's most powerful supercomputer?". Quora. Retrieved August 22, 2019.
^ Pires, Francisco (October 5, 2022). "Water-Based Chips Could be Breakthrough for Neural Networking, AI: Wetware has gained an entirely new meaning". Tom's Hardware. Retrieved October 5, 2022.
^ Laws, David (April 2, 2018). "13 Sextillion & Counting: The Long & Winding Road to the Most Frequently Manufactured Human Artifact in History". Computer History Museum.
^ Handy, Jim (May 26, 2014). "How Many Transistors Have Ever Shipped?". Forbes.
^ "1971: Microprocessor Integrates CPU Function onto a Single Chip". The Silicon Engine. Computer History Museum. Retrieved September 4, 2019.
^ Jump up to: Jump up to: ^a ^b Holt, Ray. "World's First Microprocessor". Retrieved March 5, 2016. 1st fully integrated chip set microprocessor
^ Jump up to: Jump up to: ^a ^b "Alpha 21364 - Microarchitectures - Compaq - WikiChip". en.wikichip.org. Retrieved September 8, 2019.
^ Holt, Ray M. (1998). The F14A Central Air Data Computer and the LSI Technology State-of-the-Art in 1968. p. 8.
^ Holt, Ray M. (2013). "F14 TomCat MOS-LSI Chip Set". First Microprocessor. Archived from the original on November 6, 2020. Retrieved November 6, 2020.
^ Ken Shirriff. "The Texas Instruments TMX 1795: the (almost) first, forgotten microprocessor". 2015.
^ Ryoichi Mori; Hiroaki Tajima; Morihiko Tajima; Yoshikuni Okada (October 1977). "Microprocessors in Japan". Euromicro Newsletter. 3 (4): 50–7. doi:10.1016/0303-1268(77)90111-0.
^ Jump up to: Jump up to: ^a ^b "NEC 751 (uCOM-4)". The Antique Chip Collector's Page. Archived from the original on May 25, 2011. Retrieved June 11, 2010.
^ Jump up to: Jump up to: ^a ^b "1970s: Development and evolution of microprocessors" (PDF). Semiconductor History Museum of Japan. Archived from the original (PDF) on June 27, 2019. Retrieved June 27, 2019.
^ Jump up to: Jump up to: ^a ^b "1973: 12-bit engine-control microprocessor (Toshiba)" (PDF). Semiconductor History Museum of Japan. Archived from the original (PDF) on June 27, 2019. Retrieved June 27, 2019.
^ "Low Bandwidth Timeline – Semiconductor". Texas Instruments. Retrieved June 22, 2016.
^ "The MOS 6502 and the Best Layout Guy in the World". research.swtch.com. January 3, 2011. Retrieved September 3, 2019.
^ Ширрифф, Кен (январь 2023 г.). «Подсчитать транзисторы в процессоре 8086: это сложнее, чем вы думаете» .
^ «Цифровая история: ZILOG Z8000 (АПрель 1979 г.)» . OLD-COMPUTERS.COM: Музей . Проверено 19 июня 2019 г.
^ «Зал славы чипов: микропроцессор Motorola MC68000» . IEEE-спектр . Институт инженеров электротехники и электроники . 30 июня 2017 г. Проверено 19 июня 2019 г.
↑ Микропроцессоры: 1971–1976 гг. Архивировано 3 декабря 2013 г., в Wayback Machine Christiansen.
^ «Микропроцессоры с 1976 по 1981 годы» . вебер.edu. Архивировано из оригинала 3 декабря 2013 года . Проверено 9 августа 2014 г.
^ «W65C816S 16-битное ядро» . www.westerndesigncenter.com . Проверено 12 сентября 2017 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д ^и Демон, Пол (9 ноября 2000 г.). «Гонка ARM за мировое господство» . технологии реального мира . Проверено 20 июля 2015 г.
^ Рука, Том. «Микроконтроллер Harris RTX 2000» (PDF) . mpeforth.com . Проверено 9 августа 2014 г.
^ «Четвертый список фишек» . Ультратехнологии. 15 марта 2001 года . Проверено 9 августа 2014 г.
^ Купман, Филип Дж. (1989). «4.4 Архитектура Novix NC4016» . Stack Computers: новая волна . Серия Эллиса Хорвуда «Компьютеры и их приложения». Университет Карнеги-Меллон. ISBN 978-0745804187 . Проверено 9 августа 2014 г.
^ «Фуджитсу СПАРК» . cpu-collection.de . Проверено 30 июня 2019 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б Кимура С., Комото Ю., Яно Ю. (1988). «Реализация V60/V70 и его функции FRM». IEEE микро . 8 (2): 22–36. дои : 10.1109/40.527 . S2CID 9507994 .
^ «VL2333 — VTI — WikiChip» . ru.wikichip.org . Проверено 31 августа 2019 г.
^ Инаёси Х., Кавасаки И., Нисимукай Т., Сакамура К. (1988). «Реализация Gmicro/200». IEEE микро . 8 (2): 12–21. дои : 10.1109/40.526 . S2CID 36938046 .
^ Босхарт, П.; Хьюс, К.; Ми-Чанг Чанг; Квок-Кит Чау; Хоак, К.; Хьюстон, Т.; Калян, В.; Луски, С.; Махант-Шетти, С.; Мацке, Д.; Рупарель, К.; Чинг-Хао Шоу; Шридхар, Т.; Старк, Д. (октябрь 1987 г.). «Чип LISP-процессора на транзисторе 553К». Журнал IEEE твердотельных схем . 22 (5): 202–3. дои : 10.1109/ISSCC.1987.1157084 . S2CID 195841103 .
^ Фален, Леннарт Э.; Стокгольмский международный институт исследования проблем мира (1987). «3. Аппаратные требования для искусственного интеллекта § Lisp Machines: TI Explorer» . Оружие и искусственный интеллект: применение передовых вычислений в области оружия и контроля над вооружениями . Серия монографий СИПРИ. Издательство Оксфордского университета. п. 57. ИСБН 978-0-19-829122-0 .
^ Джуппи, Норман П .; Тан, Джеффри Ю.Ф. (июль 1989 г.). «32-битный КМОП-микропроцессор с устойчивой производительностью 20 MIPS и высоким соотношением устойчивой и пиковой производительности». Журнал IEEE твердотельных схем . 24 (5): i. Бибкод : 1989IJSSC..24.1348J . CiteSeerX 10.1.1.85.988 . дои : 10.1109/JSSC.1989.572612 . Отчет об исследовании WRL 89/11.
^ «Музей процессорной хижины» . CPUshack.com. 15 мая 2005 года . Проверено 9 августа 2014 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с «Встроенный микропроцессор Intel i960» . Национальная лаборатория сильных магнитных полей . Университет штата Флорида . 3 марта 2003 года. Архивировано из оригинала 3 марта 2003 года . Проверено 29 июня 2019 г.
^ Венкатасавми, Рама (2013). Оцифровка кинематографических визуальных эффектов: взросление Голливуда . Роуман и Литтлфилд . п. 198. ИСБН 9780739176214 .
^ Бакоглу, Грохоски и Монтойе. «Процессор IBM RISC System/6000: обзор аппаратного обеспечения». IBM J. Исследования и разработки. Том. 34 № 1, январь 1990 г., стр. 12–22.
^ «Микропроцессор SH, возглавляющий эпоху кочевников» (PDF) . Музей истории полупроводников Японии . Архивировано из оригинала (PDF) 27 июня 2019 года . Проверено 27 июня 2019 г.
^ «SH2: RISC-микросхема с низким энергопотреблением для потребительских приложений» (PDF) . Хитачи . Архивировано из оригинала (PDF) 10 мая 2019 года . Проверено 27 июня 2019 г.
^ «HARP-1: Суперскалярный процессор PA-RISC с частотой 120 МГц» (PDF) . Хитачи . Архивировано из оригинала (PDF) 23 апреля 2016 года . Проверено 19 июня 2019 г.
^ Уайт и Дхаван. «POWER2: следующее поколение семейства RISC System/6000» IBM J. Research and Development. Том. 38 № 5, сентябрь 1994 г., стр. 493–502.
^ «Статистика ARM7» . Poppyfields.net. 27 мая 1994 года . Проверено 9 августа 2014 г.
^ «Четвертый мультипроцессорный чип MuP21» . www.ultratechnology.com . Проверено 6 сентября 2019 г. MuP21 имеет 21-битное ядро ЦП, сопроцессор памяти и видеосопроцессор.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «Процессор F21» . www.ultratechnology.com . Проверено 6 сентября 2019 г. F21 предлагает видеовход/выход, аналоговый ввод/вывод, последовательный сетевой ввод/вывод и параллельный порт ввода/вывода на кристалле. F21 имеет количество транзисторов около 15 000 против примерно 7 000 у MuP21.
^ «Ars Technica: PowerPC на Apple: история архитектуры, часть I — страница 2 — (8/2004)» . archive.arstechnica.com . Проверено 11 августа 2020 г.
^ Гэри и др. (1994). «Микропроцессор PowerPC 603: конструкция с низким энергопотреблением для портативных приложений». Материалы КОМПКОН 94. DOI: 10.1109/CMPCON.1994.282894.
^ Слэтон и др. (1995). «Микропроцессор PowerPC 603e: улучшенный суперскалярный микропроцессор с низким энергопотреблением». Материалы Международной конференции ICCD '95 по компьютерному дизайну. DOI: 10.1109/ICCD.1995.528810.
^ Боухилл, Уильям Дж. и др. (1995). «Схема реализации 64-битного процессора CMOS Alpha второго поколения с частотой 300 МГц». Цифровой технический журнал , том 7, номер 1, стр. 100–118.
^ «Интел Пентиум Про 180» . hw-museum.cz . Проверено 8 сентября 2019 г.
^ «Руководство для ПК Intel Pentium Pro («P6»)» . PCGuide.com. 17 апреля 2001 года. Архивировано из оригинала 14 апреля 2001 года . Проверено 9 августа 2014 г.
^ Гэддис, Н.; Лотц, Дж. (ноябрь 1996 г.). «64-битный четырехъядерный CMOS RISC-микропроцессор». Журнал IEEE твердотельных схем 31 (11): стр. 1697–1702.
^ Бушар, Грегг. «Цели разработки микропроцессора Alpha 21164 0,35 мкм» . Симпозиум IEEE Hot Chips, август 1996 г., Компьютерное общество IEEE.
^ Ульф Самуэльссон. «Количество транзисторов в обычных UC?» . www.embeddedrelated.com . Проверено 8 сентября 2019 г. IIRC, Ядро AVR — 12 000 вентилей, а ядро megaAVR — 20 000 вентилей. Каждый затвор представляет собой 4 транзистора. Чип значительно больше, поскольку памяти используется довольно много.
^ Гроновски, Пол Э. и др. (май 1998 г.). «Проектирование высокопроизводительного микропроцессора». Журнал IEEE твердотельных схем 33 (5): стр. 676–686.
^ Накагава, Норио; Аракава, Фумио (апрель 1999 г.). «Развлекательные системы и высокопроизводительный процессор SH-4» (PDF) . Обзор Хитачи . 48 (2): 58–63 . Проверено 18 марта 2023 г.
^ Нишии, О.; Аракава, Ф.; Ишибаси, К.; Накано, С.; Шимура, Т.; Сузуки, К.; Тачибана, М.; Тоцука, Ю.; Цунода, Т.; Утияма, К.; Ямада, Т.; Хаттори, Т.; Маэдзима, Х.; Накагава, Н.; Нарита, С.; Секи, М.; Симадзаки, Ю.; Сатомура, Р.; Такасуга, Т.; Хасэгава, А. (1998). «Микропроцессор 200 МГц, 1,2 Вт, 1,4 гигафлопс с графическим операционным блоком» . 1998 Международная конференция IEEE по твердотельным схемам. Сборник технических документов, ISSCC. Первое издание (Кат. номер 98CH36156) . ИИЭЭ . стр. 18.1-1 - 18.1-11. дои : 10.1109/ISSCC.1998.672469 . ISBN 0-7803-4344-1 . S2CID 45392734 . Проверено 17 марта 2023 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с Дифендорф, Кейт (19 апреля 1999 г.). «Эмоционально заряженный чип Sony: убийственный «движок эмоций» с плавающей запятой для питания PlayStation 2000» (PDF) . Отчет микропроцессора . 13 (5). S2CID 29649747 . Архивировано из оригинала (PDF) 28 февраля 2019 года . Проверено 19 июня 2019 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б Хеннесси, Джон Л .; Паттерсон, Дэвид А. (29 мая 2002 г.). Компьютерная архитектура: количественный подход (3-е изд.). Морган Кауфманн. п. 491. ИСБН 978-0-08-050252-6 . Проверено 9 апреля 2013 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с «Обзор графического процессора NVIDIA GeForce 7800 GTX» . Перспектива ПК . 22 июня 2005 года . Проверено 18 июня 2019 г.
^ Андо, Х.; Ёсида, Ю.; Иноуэ, А.; Сугияма, И.; Асакава, Т.; Морита, К.; Мута, Т.; Отокурумада, Т.; Окада, С.; Ямасита, Х.; Сацукава, Ю.; Конмото, А.; Ямасита, Р.; Сугияма, Х. (2003). «Микропроцессор SPARC64 пятого поколения с тактовой частотой 1,3 ГГц». Материалы 40-й ежегодной конференции по автоматизации проектирования . Конференция по автоматизации проектирования. стр. 702–705. дои : 10.1145/775832.776010 . ISBN 1-58113-688-9 .
↑ Кревелл, Кевин (21 октября 2002 г.). «Fujitsu SPARC64 V — это реально». Отчет микропроцессора .
^ «Процессор Intel Pentium M, 1,60 ГГц, кэш-память 1 МБ, системная шина 400 МГц, технические характеристики» .
^ «ЭЭ+ГС» . Вики для разработчиков PS2 .
^ «Sony MARKETING (ЯПОНИЯ) ОБЪЯВЛЯЕТ О ВЫПУСКЕ PSX DESR-5000 и DESR-7000 БЛИЖЕ К КОНЦУ 2003 ГОДА» (Пресс-релиз). Сони. 27 ноября 2003 г.
^ «EMOTION ENGINE И ГРАФИЧЕСКИЙ СИНТЕЗАТОР, ИСПОЛЬЗУЕМЫЙ В ЯДРЕ PLAYSTATION, СТАНОВЯТСЯ ОДНИМ ЧИПОМ» (PDF) . Сони . 21 апреля 2003 года . Проверено 19 марта 2023 г.
^ «90-нм процессор Sony PSX — это «не 90-нм» » . Регистр . 30 января 2004 г.
^ «Semi Insights придерживается мнения, что чип PSX не соответствует 90-нм техпроцессу» . ЭЭ Таймс . 5 февраля 2004 г.
^ «Процессор Intel Pentium M 760 (кэш 2 МБ, 2,00 А ГГц, системная шина 533 МГц) Технические характеристики» .
^ Fujitsu Limited (август 2004 г.). Процессор SPARC64 V для сервера UNIX .
^ «Взгляд внутрь клеточного процессора» . Гамасутра . 13 июля 2006 года . Проверено 19 июня 2019 г.
^ «Процессор Intel Pentium D 920» . Интел . Проверено 5 января 2023 г.
^ «ПРЕСС-КИТ — Двухъядерный процессор Intel Itanium» . Интел . Проверено 9 августа 2014 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б Топелт, Берт (8 января 2009 г.). «AMD Phenom II X4: 45-нанометровый тест — Phenom II и платформа AMD Dragon» . TomsHardware.com . Проверено 9 августа 2014 г.
^ «Процессоры ARM (Advanced RISC Machines)» . EngineersGarage.com . Проверено 9 августа 2014 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «Panasonic начинает продавать системы UniPhier LSI нового поколения» . Панасоник . 10 октября 2007 года . Проверено 2 июля 2019 г.
^ «Расширения SPARC64 VI», стр. 56, Fujitsu Limited, версия 1.3, 27 марта 2007 г.
↑ Морган, Тимоти Прикетт (17 июля 2008 г.). «Fujitsu и Sun расширяют свои четырехъядерные процессоры с помощью новой линейки серверов Sparc» . The Unix Guardian , Том. 8, № 27.
^ Такуми Маруяма (2009). SPARC64 VIIIfx: восьмиядерный процессор нового поколения Fujitsu для вычислений в масштабе PETA (PDF) . Труды Hot Chips 21. Компьютерное общество IEEE. Архивировано из оригинала (PDF) 8 октября 2010 года . Проверено 30 июня 2019 г.
^ «Технические характеристики Intel Atom N450» . Интел . Проверено 8 июня 2023 г.
^ «Технические характеристики Intel Atom D510» . Интел . Проверено 8 июня 2023 г.
^ Стоукс, Джон (10 февраля 2010 г.). «16-ядерный процессор Sun Niagara 3 с 1 миллиардом транзисторов» . ArsTechnica.com . Проверено 9 августа 2014 г.
^ «IBM выпустит самый быстрый в мире микропроцессор» . ИБМ. 1 сентября 2010 года . Проверено 9 августа 2014 г.
^ «Intel выпустит первый компьютерный чип с двумя миллиардами транзисторов» . АФП. 5 февраля 2008. Архивировано из оригинала 20 мая 2011 года . Проверено 5 февраля 2008 г.
^ « Intel анонсирует процессор Intel Xeon Nehalem-EX ». 26 мая 2009 г. Проверено 28 мая 2009 г.
^ Морган, Тимоти Прикетт (21 ноября 2011 г.), «Fujitsu демонстрирует 16-ядерный супер-потрясающий процессор Sparc64» , The Register , получено 8 декабря 2011 г.
^ Анджелини, Крис (14 ноября 2011 г.). «Обзор Intel Core i7-3960X: Sandy Bridge-E и X79 Express» . TomsHardware.com . Проверено 9 августа 2014 г.
^ «IDF2012 Марк Бор, старший научный сотрудник Intel» (PDF) .
^ «Изображения SPARC64» (PDF) . fujitsu.com . Проверено 29 августа 2017 г.
^ «Атомная архитектура Intel: путешествие начинается» . АнандТех . Проверено 4 апреля 2010 г.
^ «Интел Ксеон Фи SE10X» . TechPowerUp . Проверено 20 июля 2015 г.
^ Шимпи, Лал. «Обзор Haswell: протестированы Intel Core i7-4770K и i5-4670K» . анандтек . Проверено 20 ноября 2014 г.
^ " Диммик, Фрэнк (29 августа 2014 г.). «Обзор Intel Core i7 5960X Extreme Edition» . Клуб оверклокеров . Проверено 29 августа 2014 г.
^ «Эппл А8Х» . НоутбукПроверка . Проверено 20 июля 2015 г.
^ «Intel готовит 15-ядерный процессор Xeon E7 v2» . АнандТех . Проверено 9 августа 2014 г.
^ «Обзор процессора Intel Xeon E5-2600 v3: Haswell-EP до 18 ядер» . ПКПЕР . 8 сентября 2014 года . Проверено 29 января 2015 г.
^ «Intel Broadwell-U поставляется на базе мобильных процессоров мощностью 15 Вт и 28 Вт» . ТехРепорт. 5 января 2015 г. Проверено 5 января 2015 г.
^ «Oracle увеличивает количество ядер до 32 с помощью чипа Sparc M7» . 13 августа 2014 г.
^ «Broadwell-E: обзор Intel Core i7-6950X, 6900K, 6850K и 6800K» . Аппаратное обеспечение Тома . 30 мая 2016 года . Проверено 12 апреля 2017 г.
^ «Обзор Broadwell-E» . ПК-геймер . 8 июля 2016 г. Проверено 12 апреля 2017 г.
^ «HUAWEI ПРЕДСТАВИТ НА IFA 2017 SOC KIRIN 970 С AI UNIT, 5,5 МИЛЛИАРДА ТРАНЗИСТОРОВ И СКОРОСТЬЮ LTE 1,2 ГБ/С» . firstpost.com . 1 сентября 2017 года . Проверено 18 ноября 2018 г.
^ «Архитектура Broadwell-EP — обзор Intel Xeon E5-2600 v4 Broadwell-EP» . Аппаратное обеспечение Тома . 31 марта 2016 года . Проверено 4 апреля 2016 г.
^ «О ZipCPU» . zipcpu.com . Проверено 10 сентября 2019 г. По данным ORCONF, 2016 г., ZipCPU использовал от 1286 до 4926 6-LUT, в зависимости от его конфигурации.
^ «Квалкомм Snapdragon 835 (8998)» . НоутбукПроверка . Проверено 23 сентября 2017 г.
^ Такахаси, декан (3 января 2017 г.). «Qualcomm Snapdragon 835 дебютирует с 3 миллиардами транзисторов и 10-нм производственным процессом» . ВенчурБит .
^ Сингх, Теджа (2017). «3.2 Zen: высокопроизводительное ядро x86 нового поколения». Учеб. Международная конференция IEEE по твердотельным схемам . стр. 52–54.
^ Катресс, Ян (22 февраля 2017 г.). «AMD запускает Zen» . Anandtech.com . Проверено 22 февраля 2017 г.
^ «Ryzen 5 1600 — AMD» . Wikichip.org . 20 апреля 2018 года . Проверено 9 декабря 2018 г.
^ «Кирин 970 – HiSilicon» . Викичип . 1 марта 2018 года . Проверено 8 ноября 2018 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б Ледбеттер, Ричард (6 апреля 2017 г.). «Внутри следующего Xbox: раскрыта технология Project Scorpio» . Еврогеймер . Проверено 3 мая 2017 г.
^ «Интел Ксеон Платинум 8180» . TechPowerUp . 1 декабря 2018 года . Проверено 2 декабря 2018 г.
^ Пеллерано, Стефано (2 марта 2022 г.). «Проектирование схем для использования возможностей масштабирования и интеграции (ISSCC 2022)» . Ютуб .
^ Ли, Ю. «СнК SiFive Freedom: первые в отрасли чипы RISC V с открытым исходным кодом» (PDF) . HotChips 29 Интернет вещей/встроенные устройства . Архивировано из оригинала (PDF) 9 августа 2020 г. Проверено 19 июня 2019 г.
^ «Документы Fujitsu» (PDF) . fujitsu.com . Проверено 29 августа 2017 г.
^ Шмерер, Кай (5 ноября 2018 г.). «iPad Pro 2018: процессор A12X обеспечивает значительно большую производительность» . ZDNet.de (на немецком языке).
^ «Qualcomm Datacenter Technologies объявляет о коммерческой поставке Qualcomm Centriq 2400 — первого в мире 10-нм серверного процессора и самого высокопроизводительного семейства серверных процессоров на базе Arm из когда-либо созданных» . Квалкомм . Проверено 9 ноября 2017 г.
^ «Qualcomm Snapdragon 1000 для ноутбуков может содержать 8,5 миллиардов транзисторов» . техрадар . Проверено 23 сентября 2017 г.
^ «Обнаружено: Qualcomm Snapdragon 8cx Wafer на 7-нм техпроцессе» . АнандТех . Проверено 6 декабря 2018 г.
^ «ПриветСиликон Кирин 710» . Проверка ноутбука . 19 сентября 2018 года . Проверено 24 ноября 2018 г.
^ Ян, Дэниел; Вегнер, Стейси (21 сентября 2018 г.). «Разборка Apple iPhone Xs Max» . ТехИнсайтс . Проверено 21 сентября 2018 г.
^ «Apple A12 Bionic — это первый 7-нанометровый чип для смартфонов» . Engadget . Проверено 26 сентября 2018 г.
^ «Кирин 980 – HiSilicon» . Викичип . 8 ноября 2018 г. . Проверено 8 ноября 2018 г.
^ «Qualcomm Snapdragon 8180: 7-нм SoC SDM1000 с 8,5 миллиардами транзисторов бросит вызов чипсету Apple A12 Bionic» . ежедневная охота . Проверено 21 сентября 2018 г.
^ Зафар, Рамиш (30 октября 2018 г.). «Apple A12X имеет 10 миллиардов транзисторов, 90% прирост производительности и 7-ядерный графический процессор» . Wccftech .
^ «Fujitsu начала производить в Японии миллиарды супервычислений с помощью самого мощного ARM-процессора A64FX» . firstxw.com . 16 апреля 2019 года. Архивировано из оригинала 20 июня 2019 года . Проверено 19 июня 2019 г.
^ «Fujitsu успешно утроила выходную мощность транзисторов из нитрида галлия» . Фуджицу . 22 августа 2018 года . Проверено 19 июня 2019 г.
^ «Горячие чипы 30: SoC Nvidia Xavier» . www.fuse.wikichip.org . 18 сентября 2018 г. Проверено 6 декабря 2018 г.
^ Фрумусану, Андрей. «Обзор Samsung Galaxy S10+ Snapdragon и Exynos: почти идеален, но с такими недостатками» . www.anandtech.com . Проверено 19 февраля 2021 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д ^и ^ж «Микроархитектура Дзен 2» . ВикиЧип . Проверено 21 февраля 2023 г.
^ «Обзор AMD Ryzen 9 3900X и Ryzen 7 3700X: раскрытие Zen 2 и 7-нм техпроцесса» . Аппаратное обеспечение Тома . 7 июля 2019 г. Проверено 19 октября 2019 г.
^ Фрумусану, Андрей. «Обзор Huawei Mate 30 Pro: лучшее оборудование без Google?» . АнандТех . Проверено 2 января 2020 г.
^ Зафар, Рамиш (10 сентября 2019 г.). «Apple A13 для iPhone 11 имеет 8,5 миллиардов транзисторов и четырехъядерный графический процессор» . Wccftech . Проверено 11 сентября 2019 г.
^ Представляем iPhone 11 Pro — видео Apple Youtube , получено 11 сентября 2019 г. ^{[ мертвая ссылка на YouTube ]}
^ «Живой блог Hot Chips 2020: IBM z15» . АнандТех . 17 августа 2020 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б Броехейсен, Нильс (23 октября 2019 г.). «Разобраны 64-ядерные процессоры AMD EPYC и Ryzen: подробный взгляд изнутри» . Проверено 24 октября 2019 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б Муджтаба, Хасан (22 октября 2019 г.). «Процессоры AMD EPYC Rome 2-го поколения содержат гигантские 39,54 миллиарда транзисторов, детальное изображение кристалла ввода-вывода» . Проверено 24 октября 2019 г.
^ Фридман, Алан (14 декабря 2019 г.). «5-нм процессор Kirin 1020 появится в линейке Huawei Mate 40 в следующем году» . Телефонная арена . Проверено 23 декабря 2019 г.
^ Верхейде, Арне (5 декабря 2019 г.). «Amazon сравнивает 64-ядерный процессор ARM Graviton2 с процессором Intel Xeon» . Аппаратное обеспечение Тома . Проверено 6 декабря 2019 г.
^ Морган, Тимоти Прикетт (3 декабря 2019 г.). «Наконец: AWS дает серверам реальный шанс» . Следующая платформа . Проверено 6 декабря 2019 г.
^ Фридман, Алан (10 октября 2019 г.). «Сообщается, что Qualcomm представит процессор Snapdragon 865 уже в следующем месяце» . Телефонная арена . Проверено 19 февраля 2021 г.
^ «Анализ разборки Xiaomi Mi 10 | TechInsights» . www.techinsights.com . Проверено 19 февраля 2021 г.
^ «The Linley Group — TI Jacinto ускоряет ADAS уровня 3» . www.linleygroup.com . Проверено 12 февраля 2021 г.
^ «Apple представляет процессор A14 Bionic с на 40% более быстрым процессором и 11,8 миллиардами транзисторов» . Венчурбит . 10 ноября 2020 г. . Проверено 24 ноября 2020 г.
^ «Apple заявляет, что новый чип M1 на базе Arm обеспечивает «самое длительное время автономной работы в Mac» » . Грань . 10 ноября 2020 г. . Проверено 11 ноября 2020 г.
^ Икоба, Джед Джон (23 октября 2020 г.). «Множественные тесты производительности оценивают Kirin 9000 как один из самых мощных чипсетов на данный момент» . Штуковина . Проверено 14 ноября 2020 г.
^ Фрумусану, Андрей. «Huawei анонсирует серию Mate 40: на базе 15,3 млрд транзисторов 5-нм Kirin 9000» . www.anandtech.com . Проверено 14 ноября 2020 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б Берд, Томас (2022). «2.7 Zen3: 7-нм микропроцессорное ядро AMD x86-64 2-го поколения» . Учеб. Международная конференция IEEE по твердотельным схемам . стр. 54–56.
^ «В течение длительного времени Intel в очередной раз называла количество транзисторов в чипе. У Rocket Lake-S их должно быть около 6 миллиардов. У Coffee Lake-S должно быть около 4 миллиардов. Чип с восемью ядрами примерно на 30 % больше, чем у предшественника с десятью ядрами» . твиттер . Проверено 16 марта 2021 г.
^ «Intel Core i7-11700K 'Rocket Lake' исключен: раскрыта большая кость» . томсаппаратное обеспечение . 12 марта 2021 г. Проверено 16 марта 2021 г.
^ «Плотность Intel 14 нм» . www.techcenturion.com . Проверено 26 ноября 2019 г.
^ «Характеристики AMD Ryzen 7 5800H» . TechPowerUp . Проверено 20 сентября 2021 г.
^ «Спецификации AMD Epyc 7763» . Август 2023.
^ Шенкленд, Стивен. «Чип Apple A15 Bionic обеспечивает iPhone 13 15 миллиардами транзисторов, новой графикой и искусственным интеллектом» . CNET . Проверено 20 сентября 2021 г.
^ «Разборка Apple iPhone 13 Pro | TechInsights» . www.techinsights.com . Проверено 29 сентября 2021 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «Apple представляет чипы M1 Pro и M1 Max для новейших ноутбуков MacBook Pro» . ВенчурБит . 18 октября 2021 г.
^ «Apple анонсирует M1 Pro и M1 Max: гигантские новые процессоры Arm с высочайшей производительностью» . АнанадТех . Проверено 2 декабря 2021 г.
^ «Apple представляет новые компьютерные чипы в условиях дефицита» . Новости Би-би-си . 19 октября 2021 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «Apple присоединяется к портфелю 3D-тканей с M1 Ultra?» . ТехИнсайтс . Проверено 8 июля 2022 г.
^ «Живой блог Hot Chips 2020» . АнандТех . 17 августа 2020 г.
^ «Phantom X2 Series 5G на базе MediaTek Dimensity 9000» . Медиатек . 12 декабря 2022 г.
^ «МедиаТек Дименсити 9000» . Медиатек . 21 января 2023 г.
^ «Apple A16 Bionic анонсирован для iPhone 14 Pro и iPhone 14 Pro Max» . НоутбукПроверка . 7 сентября 2022 г.
^ «Только модели iPhone 14 Pro и Pro Max получат новый чип A16» . CNET . 7 сентября 2022 г.
^ «Прямой блог о осеннем мероприятии Apple iPhone 2022» . АнандТех . 7 сентября 2022 г.
^ «Apple представляет M1 Ultra, самый мощный в мире чип для персонального компьютера» . Отдел новостей Apple . Проверено 9 марта 2022 г.
^ Шенкленд, Стивен. «Познакомьтесь с огромным 20-ядерным процессором Apple M1 Ultra — мозгом нового компьютера Mac Studio» . CNET . Проверено 9 марта 2022 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «AMD выпускает процессоры Milan-X» . АнандТех . 21 марта 2022 г.
^ «Слайд IBM Telum Hot Chips» (PDF) . 23 августа 2021 г.
^ «Анонс IBM z16» . 5 апреля 2022 г.
^ «Apple представляет M2, еще больше развивая революционную производительность и возможности M1» . Яблоко . 6 июня 2022 г.
^ «MediaTek Dimensity 9200: дебютирует новый флагманский чипсет с процессором ARM Cortex-X3 и графическими ядрами Immortalis-G715, построенными на базе узла TSMC N4P» . НоутбукПроверка . 8 ноября 2022 г.
^ «Размерность 9200 спецификаций» . Медиатек . 8 ноября 2022 г.
^ «Презентация Dimensity 9200» . Медиатек . 8 ноября 2022 г.
^ «AMD EPYC Genoa превосходит Intel Xeon в потрясающем стиле» . Сервис TheHome . 10 ноября 2022 г.
^ «AMD стремится преодолеть барьер ZettaFLOP к 2035 году и разрабатывает планы следующего поколения для решения проблем эффективности» . Апелляции . 21 февраля 2023 г.
^ «AMD прокладывает путь к Zettascale-вычислениям: рассказывает о производительности ЦП и графического процессора, а также тенденциях эффективности, корпусе микросхем нового поколения и многом другом» . WCCFtech . 20 февраля 2023 г.
^ «Утечка платформы AMD EPYC Genoa и SP5 — 5-нм ПЗС-матрица Zen 4, размер примерно 72 мм, корпус с 12 ПЗС-матрицами площадью 5428 мм2, пиковая мощность на разъеме до 700 Вт» . WCCFtech . 17 августа 2021 г.
^ «Утечка документов AMD Epyc Genoa раскрывает 96 ядер, максимальную TDP 700 Вт и размеры чиплета Zen 4» . Аппаратное время . 17 августа 2021 г.
^ «В Kirin 9000S примерно на 6 миллиардов транзисторов меньше, чем в Kirin 9000, но производительность у него выше! Как вам это удалось?» . iNews . 13 сентября 2023 г. . Проверено 24 сентября 2023 г.
^ «Apple объявляет о выпуске SoC M4: новейшие и лучшие запуски iPad Pro 2024 года» . Анандтех . 7 мая 2024 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с «Apple представляет новую линейку чипов M3, начиная с M3, M3 Pro и M3 Max» . Арстехника . 31 октября 2023 г.
^ Голдман, Джошуа. «Чип Apple A17 Pro: новый мозг внутри iPhone 15 Pro, Pro Max» . CNET . Проверено 12 сентября 2023 г.
^ «Масштабируемые процессоры Intel Xeon Sapphire Rapids 4-го поколения делают скачок вперед» . Сервис TheHome . 10 января 2023 г.
^ «Как четыре штампа становятся «монолитными» Сапфировыми Рапидами» . оборудованиеLUXX . 21 февраля 2022 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «Apple представляет M2 Pro и M2 Max: чипы нового поколения для рабочих процессов нового уровня» . Apple (пресс-релиз). 17 января 2023 г.
^ «AMD EPYC Bergamo представила 128 ядер на сокет и 1024 потока на 1U» . Сервис TheHome . 13 июня 2023 г.
^ «Ускорители AMD Instinct MI300A» . АМД . Проверено 14 января 2024 г.
^ Алкорн, Пол (6 декабря 2023 г.). «AMD представляет графический процессор Instinct MI300X и APU MI300A, заявляя, что они в 1,6 раза опережают конкурирующие графические процессоры Nvidia» . Аппаратное обеспечение Тома . Проверено 14 января 2024 г.
^ Уильямс, Крис. «Tesla P100 от NVIDIA имеет 15 миллиардов транзисторов, 21 терафлопс» . www.theregister.co.uk . Проверено 12 августа 2019 г.
^ «Известные графические чипы: контроллер графического дисплея NEC μPD7220» . Компьютерное общество IEEE . Институт инженеров электротехники и электроники . 22 августа 2018 года . Проверено 21 июня 2019 г.
^ «История графического процессора: Hitachi ARTC HD63484. Второй графический процессор» . Компьютерное общество IEEE . Институт инженеров электротехники и электроники . 7 октября 2018 г. Проверено 21 июня 2019 г.
^ «Большая книга аппаратного обеспечения Amiga» .
^ МОП-технология Агнус . ISBN 5511916846 .
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «30 лет консольных игр» . Клингерская фотография . 20 августа 2017 г. Проверено 19 июня 2019 г.
^ «Сега Сатурн» . МАМЕ . Проверено 18 июля 2019 г.
^ «ЧИПЫ ASIC — ПОБЕДИТЕЛИ В ОТРАСЛИ» . Вашингтон Пост . 18 сентября 1995 года . Проверено 19 июня 2019 г.
^ «Пришло ли время переименовать графический процессор?» . Исследования Джона Педди . Компьютерное общество IEEE . 9 июля 2018 года . Проверено 19 июня 2019 г.
^ «FastForward Sony использует логику LSI для процессорного чипа видеоигр PlayStation» . ФастФорвард . Проверено 29 января 2014 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «Сопроцессор реальности — сила Nintendo64» (PDF) . Кремниевая графика . 26 августа 1997 г. Архивировано из оригинала (PDF) 19 мая 2020 г. . Проверено 18 июня 2019 г.
^ «Графический процессор Imagination PowerVR PCX2» . VideoCardz.net . Проверено 19 июня 2019 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д ^и ^ж ^г ^час Лилли, Пол (19 мая 2009 г.). «От Voodoo до GeForce: потрясающая история 3D-графики» . ПК-геймер . Проверено 19 июня 2019 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д ^и ^ж ^г ^час ^я ^дж ^к ^л ^м ^н ^тот ^п ^д ^р ^с ^т ^в ^v ^В ^х ^и ^С ^аа ^аб ^и ^{объявление} ^но ^из ^в ^ах ^есть ^также ^и ^аль ^{являюсь} «База данных 3D-ускорителя» . Винтажное 3D . Проверено 21 июля 2019 г.
^ «Технический паспорт RIVA128» . СЖС Томсон Микроэлектроника . Проверено 21 июля 2019 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с Певец, Грэм (3 апреля 2013 г.). «История современного графического процессора, часть 2» . ТехСпот . Проверено 21 июля 2019 г.
^ «Вспоминая Sega Dreamcast» . Бит-Тех . 29 сентября 2009 года . Проверено 18 июня 2019 г.
^ Вайнберг, Нил (7 сентября 1998 г.). «Возвращение, малыш» . Форбс . Проверено 19 июня 2019 г.
^ Чарльз, Берти (1998). «Новое измерение Sega» . Форбс . 162 (5–9). Forbes Incorporated: 206. Чип, выгравированный с точностью до 0,25 микрона — самый современный для графических процессоров — вмещает 10 миллионов транзисторов.
^ Хагивара, Сиро; Оливер, Ян (ноябрь – декабрь 1999 г.). «Sega Dreamcast: Создание единого мира развлечений» . IEEE микро . 19 (6). Компьютерное общество IEEE : 29–35. дои : 10.1109/40.809375 . Архивировано из оригинала 23 августа 2000 года . Проверено 27 июня 2019 г.
^ «VideoLogic Neon 250 4MB» . VideoCardz.net . Проверено 19 июня 2019 г.
^ Шимпи, Ананд Лал (21 ноября 1998 г.). «Осеннее освещение Comdex '98» . АнандТех . Проверено 19 июня 2019 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с «EMOTION ENGINE И ГРАФИЧЕСКИЙ СИНТЕЗАТОР, ИСПОЛЬЗУЕМЫЙ В ЯДРЕ PLAYSTATION, СТАНОВЯТСЯ ОДНИМ ЧИПОМ» (PDF) . Сони . 21 апреля 2003 года . Проверено 26 июня 2019 г.
^ «Характеристики графического процессора NVIDIA NV10 A3» . TechPowerUp . Проверено 19 июня 2019 г.
^ Сотрудники IGN (4 ноября 2000 г.). «Gamecube против PlayStation 2» . ИГН . Проверено 22 ноября 2015 г.
^ «Характеристики графического процессора NVIDIA NV2A» . TechPowerUp . Проверено 21 июля 2019 г.
^ «Спецификации графического процессора ATI Xenos» . TechPowerUp . Проверено 21 июня 2019 г.
^ International, GamesIndustry (14 июля 2005 г.). «TSMC будет производить графический процессор X360» . Еврогеймер . Проверено 22 августа 2006 г.
^ «Характеристики NVIDIA Playstation 3 RSX 65 нм» . TechPowerUp . Проверено 21 июня 2019 г.
^ «Графический чип PS3 осенью перейдет на 65 нм» . Край онлайн. 26 июня 2008 г. Архивировано из оригинала 25 июля 2008 г.
^ «1,4 миллиарда транзисторных графических процессоров NVIDIA: GT200 появится как GeForce GTX 280 и 260» . AnandTech.com . Проверено 9 августа 2014 г.
^ «Radeon HD 4850 и 4870: AMD выигрывает по цене 199 и 299 долларов» . AnandTech.com . Проверено 9 августа 2014 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б Гласковский, Питер. «ATI и Nvidia стоят друг против друга» . CNET. Архивировано из оригинала 27 января 2012 года . Проверено 9 августа 2014 г.
^ Волигроски, Дон (22 декабря 2011 г.). «AMD Радеон HD 7970» . TomsHardware.com . Проверено 9 августа 2014 г.
^ «Архитектура NVIDIA Kepler GK110» (PDF) . NVIDIA . 2012 . Проверено 9 января 2024 г.
^ Смит, Райан (12 ноября 2012 г.). «NVIDIA запускает Tesla K20 и K20X: наконец-то появился GK110» . АнандТех .
^ «Информационный документ: NVIDIA GeForce GTX 680» (PDF) . NVIDIA. 2012. Архивировано из оригинала (PDF) 17 апреля 2012 года.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б Кан, Майкл (18 августа 2020 г.). «Xbox Series X может подвергнуть ваш кошелек тренировке из-за высоких затрат на производство чипов» . PCMag . Проверено 5 сентября 2020 г.
^ «Графический процессор AMD Xbox One» . www.techpowerup.com . Проверено 5 февраля 2020 г.
^ «Графический процессор AMD PlayStation 4» . www.techpowerup.com . Проверено 5 февраля 2020 г.
^ «Графический процессор AMD Xbox One S» . www.techpowerup.com . Проверено 5 февраля 2020 г.
^ «Графический процессор AMD PlayStation 4 Pro» . www.techpowerup.com . Проверено 5 февраля 2020 г.
^ Смит, Райан (29 июня 2016 г.). «Предварительный просмотр AMD RX 480» . Anandtech.com . Проверено 22 февраля 2017 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с Шор, Дэвид (22 июля 2018 г.). «СБИС 2018: лучшие показатели производительности 12-нанометрового технологического процесса GlobalFoundries, 12LP» . Викичип-предохранитель . Проверено 31 мая 2019 г.
^ Харрис, Марк (5 апреля 2016 г.). «Внутри Паскаля: новейшая вычислительная платформа NVIDIA» . Блог разработчиков NVIDIA .
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д ^и ^ж «База данных графического процессора: Паскаль» . TechPowerUp . 26 июля 2023 г.
^ «Графический процессор AMD Xbox One X» . www.techpowerup.com . Проверено 5 февраля 2020 г.
^ «Архитектура Vega нового поколения от Radeon» (PDF) .
^ Дюрант, Люк; Жиру, Оливье; Харрис, Марк; Стэм, Ник (10 мая 2017 г.). «Внутри Volta: самый продвинутый в мире графический процессор для центров обработки данных» . Блог разработчиков NVIDIA .
^ «АРХИТЕКТУРА ГП NVIDIA TURING: новое изобретение графики» (PDF) . Нвидиа . 2018 . Проверено 28 июня 2019 г.
^ «НВИДИА GeForce GTX 1650» . www.techpowerup.com . Проверено 5 февраля 2020 г.
^ «НВИДИА GeForce GTX 1660 Ti» . www.techpowerup.com . Проверено 5 февраля 2020 г.
^ «AMD Radeon RX 5700 XT» . www.techpowerup.com . Проверено 5 февраля 2020 г.
^ «AMD Radeon RX 5500 XT» . www.techpowerup.com . Проверено 5 февраля 2020 г.
^ «Спецификации графического процессора AMD Arcturus» . TechPowerUp . Проверено 10 ноября 2022 г.
^ Уолтон, Джаред (14 мая 2020 г.). «Nvidia представляет 7-нм графический процессор Ampere A100 следующего поколения для центров обработки данных, и он просто огромен» . Аппаратное обеспечение Тома .
^ «Архитектура NVIDIA Ampere» . www.nvidia.com . Проверено 15 мая 2020 г.
^ «Характеристики графического процессора NVIDIA GA102» . Techpowerup . Проверено 5 сентября 2020 г.
^ « Гигантский шаг в будущее»: генеральный директор NVIDIA представляет графические процессоры серии GeForce RTX 30» . www.nvidia.com . Сентябрь 2020 года . Проверено 5 сентября 2020 г.
^ «Характеристики графического процессора NVIDIA GA103» . TechPowerUp . Проверено 21 марта 2023 г.
^ «Характеристики NVIDIA GeForce RTX 3070» . TechPowerUp . Проверено 20 сентября 2021 г.
^ «Характеристики NVIDIA GA106» . TechPowerUp . Проверено 22 марта 2023 г.
^ «Характеристики графического процессора NVIDIA GA107» . TechPowerUp . Проверено 21 марта 2023 г.
^ «Оценочные размеры кристалла MI250X» . Твиттер . 17 ноября 2021 г.
^ «Профессиональная видеокарта AMD Instinct MI250» . ВидеоКардз . 2 ноября 2022 г.
^ «На фото карта AMD Instinct MI250X OAM: раскрыт огромный кристалл Альдебарана» . Аппаратное обеспечение Тома . 17 ноября 2021 г.
^ «AMD MI250X и топлоги, объясненные на HC34» . Сервис TheHome . 22 августа 2022 г.
^ «Nvidia выпускает графический процессор Hopper H100, новые процессоры DGX и суперчипы Grace» . HPCWire . 22 марта 2022 г. . Проверено 23 марта 2022 г.
^ «NVIDIA подробно описывает графический процессор AD102, до 18432 ядер CUDA, 76,3B транзисторов и 608 мм ². . VideoCardz 20 сентября 2022 года.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «NVIDIA подтверждает характеристики графического процессора Ada 102/103/104, AD104 имеет больше транзисторов, чем GA102» . ВидеоКардз . 23 сентября 2022 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «Обнародованы фотографии, характеристики и размеры предполагаемых графических процессоров Nvidia AD106 и AD107» . Аппаратное обеспечение Тома . 3 февраля 2023 г.
^ «На фото графический процессор NVIDIA GeForce RTX 4060 Ti AD106-350, в котором используются кристаллы Samsung GDDR6» . WCCFtech . 28 апреля 2023 г.
^ «На фото самый маленький графический процессор Ada от NVIDIA, AD107-400, для графических процессоров GeForce RTX 4060» . WCCFtech . 21 мая 2023 г.
^ «AMD представляет самые передовые в мире игровые видеокарты, созданные на основе революционной архитектуры AMD RDNA 3 с чипсетной конструкцией» . AMD (пресс-релиз). 3 ноября 2022 г.
^ «AMD анонсирует Radeon RX 7900 XTX за 999 долларов… (сноска RX-819)» . TechPowerUp . 4 ноября 2022 г.
^ «Характеристики графического процессора AMD Navi 31» . TechPowerUp . Проверено 7 ноября 2023 г.
^ «Характеристики графического процессора AMD Navi 32» . TechPowerUp . Проверено 7 ноября 2023 г.
^ «Характеристики графического процессора AMD Navi 33» . TechPowerUp . Проверено 21 марта 2023 г.
^ «У AMD есть графический процессор, конкурирующий с H100 от Nvidia» . HPCWire . 13 июня 2023 г. . Проверено 14 июня 2023 г.
^ «Спецификации AMD Aqua Vanjaram» . TechPowerUp . Проверено 14 января 2024 г.
^ «Платформа NVIDIA Blackwell открывает новую эру вычислений» (пресс-релиз). 18 марта 2024 г.
^ « Тайваньская компания UMC поставляет 65-нм FPGA для Xilinx ». SDA-ASIA Четверг, 9 ноября 2006 г.
^ " «Новые 40-нм FPGA Altera — 2,5 миллиарда транзисторов!» . pldesignline.com . Архивировано из оригинала 19 июня 2010 года . Проверено 22 января 2009 г.
^ «Проектирование SoC FPGA высокой плотности по 20-нм техпроцессу» (PDF) . 2014. Архивировано из оригинала (PDF) 23 апреля 2016 года . Проверено 16 июля 2017 г.
^ Максфилд, Клайв (октябрь 2011 г.). «Новая FPGA Xilinx Virtex-7 2000T обеспечивает эквивалент 20 миллионов вентилей ASIC» . ЭТаймс . АспенКор . Проверено 4 сентября 2019 г.
^ Гринхилл, Д.; Хо, Р.; Льюис, Д.; Шмит, Х.; Чан, К.Х.; Тонг, А.; Атсатт, С.; Как, Д.; МакЭлэни, П. (февраль 2017 г.). «3.3 14-нм FPGA, 1 ГГц с интеграцией 2.5D-трансивера». Международная конференция IEEE по твердотельным схемам (ISSCC) , 2017 г. стр. 54–55. дои : 10.1109/ISSCC.2017.7870257 . ISBN 978-1-5090-3758-2 . S2CID 2135354 .
^ «3.3 14-нм FPGA, 1 ГГц с интеграцией 2.5D-трансивера | DeepDyve» . 17 мая 2017 года. Архивировано из оригинала 17 мая 2017 года . Проверено 19 сентября 2019 г.
^ Сантарини, Майк (май 2014 г.). «Xilinx поставляет первые в отрасли 20-нм полностью программируемые устройства» (PDF) . Журнал Xcell . № 86. Ксилинкс . п. 14 . Проверено 3 июня 2014 г.
^ Джанелли, Сильвия (январь 2015 г.). «Xilinx поставляет первое в отрасли устройство с логическими ячейками размером 4 МБ, предлагающее более 50 МБ эквивалентных вентилей ASIC и в 4 раза большую емкость, чем конкурентные альтернативы» . www.xilinx.com . Проверено 22 августа 2019 г.
^ Симс, Тара (август 2019 г.). «Xilinx представляет самую большую в мире FPGA с 9 миллионами системных логических ячеек» . www.xilinx.com . Проверено 22 августа 2019 г.
^ Верхейде, Арне (август 2019 г.). «Xilinx представляет крупнейшую в мире FPGA с 35 миллиардами транзисторов» . www.tomshardware.com . Проверено 23 августа 2019 г.
^ Катресс, Ян (август 2019 г.). «Xilinx объявляет о выпуске крупнейшей в мире FPGA: Virtex Ultrascale+ VU19P с 9-метровыми ячейками» . www.anandtech.com . Проверено 25 сентября 2019 г.
^ Абазович, Фуад (май 2019 г.). «Xilinx 7nm Versal снят с производства в прошлом году» . Проверено 30 сентября 2019 г.
^ Катресс, Ян (август 2019 г.). «Hot Chips 31 Live Blogs: Xilinx Versal AI Engine» . Проверено 30 сентября 2019 г.
^ Кревелл, Кевин (август 2019 г.). «Hot Chips 2019 освещает новые стратегии искусственного интеллекта» . Проверено 30 сентября 2019 г.
^ Лейбсон, Стивен (6 ноября 2019 г.). «Intel анонсирует Intel Stratix 10 GX 10M FPGA, самую высокую в мире емкость с 10,2 миллионами логических элементов» . Проверено 7 ноября 2019 г.
^ Верхейде, Арне (6 ноября 2019 г.). «Intel представляет крупнейшую в мире ПЛИС с 43,3 миллиарда транзисторов» . Проверено 7 ноября 2019 г.
^ Катресс, Ян (август 2020 г.). «Живой блог Hot Chips 2020: ACAP Xilinx Versal» . Проверено 9 сентября 2020 г.
^ «Xilinx объявляет о полных поставках 7-нм устройств Versal AI Core и устройств серии Versal Prime» . 27 апреля 2021 г. Проверено 8 мая 2021 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б Память DRAM Роберта Деннарда History-Computer.com
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д «Конец 1960-х: Начало МОП-памяти» (PDF) . Музей истории полупроводников Японии . 23 января 2019 года . Проверено 27 июня 2019 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д ^и ^ж «1970: Полупроводники конкурируют с магнитными сердечниками» . Музей истории компьютеров . Проверено 19 июня 2019 г.
^ «2.1.1 Флэш-память» . ТУ Вена . Проверено 20 июня 2019 г.
^ Шилов, Антон. «SK Hynix начинает производство 128-слойной памяти 4D NAND, 176-слойная находится в стадии разработки» . www.anandtech.com . Проверено 16 сентября 2019 г.
^ «Samsung начинает производство 100-слойной флэш-памяти V-NAND шестого поколения» . Перспектива ПК . 11 августа 2019 года . Проверено 16 сентября 2019 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «1966: Полупроводниковые ОЗУ удовлетворяют потребности в высокоскоростных запоминающих устройствах» . Музей истории компьютеров . Проверено 19 июня 2019 г.
^ «Технические характеристики Toshiba «TOSCAL» BC-1411» . Веб-музей старого калькулятора . Архивировано из оригинала 3 июля 2017 года . Проверено 8 мая 2018 г.
^ «Настольный калькулятор Toshiba «Toscal» BC-1411» . Веб-музей старого калькулятора . Архивировано из оригинала 20 мая 2007 года.
^ Каструччи, Пол (10 мая 1966 г.). «IBM первая в области памяти IC» (PDF) . Новости IBM . Том. 3, нет. 9. Корпорация IBM . Проверено 19 июня 2019 г. - из Музея компьютерной истории .
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д ^и ^ж ^г ^час ^я ^дж ^к ^л ^м «Хронологический список продуктов Intel. Продукты отсортированы по дате» (PDF) . Музей Интел . Корпорация Интел. Июль 2005 г. Архивировано из оригинала (PDF) 9 августа 2007 г. Проверено 31 июля 2007 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «1970-е: эволюция SRAM» (PDF) . Музей истории полупроводников Японии . Проверено 27 июня 2019 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с Пимбли, Дж. (2012). Передовая технология КМОП-процесса . Эльзевир . п. 7. ISBN 9780323156806 .
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «Intel: 35 лет инноваций (1968–2003)» (PDF) . Интел. 2003. Архивировано из оригинала (PDF) 4 ноября 2021 года . Проверено 26 июня 2019 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б Лоек, Бо (2007). История полупроводниковой техники . Springer Science & Business Media . стр. 362–363. ISBN 9783540342588 . i1103 был изготовлен по 6-масковой технологии P-MOS с кремниевым затвором и минимальной толщиной 8 мкм. Полученный продукт имел толщину 2400 мкм. ² размер ячейки памяти, размер кристалла чуть менее 10 мм ²и продавались примерно за 21 доллар.
^ «Производители из Японии выходят на рынок DRAM, и плотность интеграции повышается» (PDF) . Музей истории полупроводников Японии . Проверено 27 июня 2019 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д ^и ^ж ^г ^час ^я ^дж ^к ^л ^м ^н Гелоу, Джеффри Карл (10 августа 1990 г.). «Влияние технологии обработки на конструкцию усилителя DRAM Sense» (PDF) . Массачусетский технологический институт . стр. 149–166 . Получено 25 июня 2019 г. - через CORE .
^ «Кремниевые ворота МОП 2102А» . Интел . Проверено 27 июня 2019 г.
^ «Одна из самых успешных динамических ОЗУ 16 КБ: 4116» . Национальный музей американской истории . Смитсоновский институт . Проверено 20 июня 2019 г.
^ Каталог данных компонентов (PDF) . Интел . 1978. стр. 3–94 . Проверено 27 июня 2019 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д ^и ^ж ^г ^час ^я ^дж ^к ^л ^м ^н ^тот ^п ^д ^р ^с ^т «Память» . STOL (Полупроводниковые технологии онлайн) . Архивировано из оригинала 2 ноября 2023 года . Проверено 25 июня 2019 г.
^ «Передовые технологии интегральных схем: первая динамическая оперативная память емкостью 294 912 бит (288 КБ)» . Национальный музей американской истории . Смитсоновский институт . Проверено 20 июня 2019 г.
^ «История компьютера за 1984 год» . Компьютерная надежда . Проверено 25 июня 2019 г.
^ «Японские технические рефераты» . Японские технические рефераты . 2 (3–4). Университетские микрофильмы: 161. 1987. Анонс 1M DRAM в 1984 году положил начало эпохе мегабайт.
^ «Технический паспорт KM48SL2000-7» . Samsung . Август 1992 года . Проверено 19 июня 2019 г.
^ «Электронный дизайн» . Электронный дизайн . 41 (15–21). Издательская компания Хайден. 1993. Первая коммерческая синхронная память DRAM, 16-Мбит KM48SL2000 от Samsung, использует однобанковую архитектуру, которая позволяет разработчикам систем легко переходить от асинхронных к синхронным системам.
^ Преодолевая гигабитный барьер, DRAM в ISSCC предвещают серьезное влияние на проектирование систем. (динамическая оперативная память; Международная конференция по твердотельным схемам; исследования и разработки Hitachi Ltd. и NEC Corp.) , 9 января 1995 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «Профили японских компаний» (PDF) . Смитсоновский институт . 1996 год . Проверено 27 июня 2019 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «История: 1990-е годы» . СК Хайникс . Архивировано из оригинала 5 февраля 2021 года . Проверено 6 июля 2019 г.
^ «Чипы Samsung DDR3 емкостью 2 ГБ, изготовленные по 50-нм техпроцессу, являются самыми маленькими в отрасли» . СлэшГир . 29 сентября 2008 года . Проверено 25 июня 2019 г.
^ Шилов Антон (19 июля 2017 г.). «Samsung увеличивает объемы производства чипов HBM2 емкостью 8 ГБ из-за растущего спроса» . АнандТех . Проверено 29 июня 2019 г.
^ «Samsung представляет вместительную оперативную память DDR4 объемом 256 ГБ» . Аппаратное обеспечение Тома . 6 сентября 2018 года. Архивировано из оригинала 21 июня 2019 года . Проверено 21 июня 2019 г.
^ «Первые 3D-нанотрубки и микросхемы RRAM выходят из литейного производства» . IEEE Spectrum: Новости технологий, техники и науки . 19 июля 2019 г. . Проверено 16 сентября 2019 г. Эта пластина была изготовлена буквально в прошлую пятницу... и это первая монолитная 3D-ИС, когда-либо изготовленная на литейном заводе.
^ «Трёхмерная монолитная система-на-чипе» . www.darpa.mil . Проверено 16 сентября 2019 г.
^ «Инициатива DARPA 3DSoC завершает первый год, на саммите ERI представлена обновленная информация о ключевых шагах, достигнутых для передачи технологии на литейный завод SkyWater толщиной 200 мм в США» . Skywater Technology Foundry (Пресс-релиз). 25 июля 2019 г. Проверено 16 сентября 2019 г.
^ «Технический паспорт DD28F032SA» . Интел . Проверено 27 июня 2019 г.
^ «TOSHIBA ОБЪЯВЛЯЕТ 0,13 МИКРОННЫЙ МОНОЛИТНЫЙ NAND NAND 1 ГБ С БОЛЬШИМ РАЗМЕРОМ БЛОКА ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ СКОРОСТИ ЗАПИСИ/СТИРАНИЯ» . Тошиба . 9 сентября 2002 года. Архивировано из оригинала 11 марта 2006 года . Проверено 11 марта 2006 г.
^ «TOSHIBA И SANDISK ПРЕДСТАВЛЯЮТ ОДНОГИГАБИТНЫЙ ЧИП ФЛЭШ-ПАМЯТИ NAND, УВЕЛИЧИВАЮЩУЮ ЕМКОСТЬ БУДУЩИХ ФЛЕШ-ПАМЯТИ В ДВУХ РАЗ» . Тошиба . 12 ноября 2001 года . Проверено 20 июня 2019 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д «Наше гордое наследие с 2000 по 2009 год» . Самсунг Полупроводник . Samsung . Проверено 25 июня 2019 г.
^ «TOSHIBA ОБЪЯВЛЯЕТ ОБЪЕМ 1 ГИГАБАЙТА COMPACTFLASH-КАРТЫ» . Тошиба . 9 сентября 2002 года. Архивировано из оригинала 11 марта 2006 года . Проверено 11 марта 2006 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д «История» . Самсунг Электроникс . Samsung . Проверено 19 июня 2019 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «TOSHIBA ВЫВОДИТ НА коммерцию ВСТРАИВАЕМУЮ ФЛЭШ-ПАМЯТЬ NAND ВЫСОКОЙ ЕМКОСТИ ДЛЯ МОБИЛЬНЫХ ПОТРЕБИТЕЛЬСКИХ ТОВАРОВ» . Тошиба . 17 апреля 2007. Архивировано из оригинала 23 ноября 2010 года . Проверено 23 ноября 2010 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «Toshiba выпускает устройства встроенной флэш-памяти NAND самой большой плотности» . Тошиба . 7 августа 2008 года . Проверено 21 июня 2019 г.
^ «Toshiba выпускает крупнейшие в отрасли встраиваемые модули флэш-памяти NAND» . Тошиба . 17 июня 2010 года . Проверено 21 июня 2019 г.
^ «Семейство продуктов Samsung e·MMC» (PDF) . Самсунг Электроникс . Декабрь 2011 г. Архивировано из оригинала (PDF) 8 ноября 2019 г. . Проверено 15 июля 2019 г.
^ Шилов, Антон (5 декабря 2017 г.). «Samsung начинает производство флэш-памяти UFS NAND объемом 512 ГБ: 64-слойная V-NAND, скорость чтения 860 МБ/с» . АнандТех . Проверено 23 июня 2019 г.
^ Маннерс, Дэвид (30 января 2019 г.). «Samsung производит флэш-модуль eUFS емкостью 1 ТБ» . Еженедельник электроники . Проверено 23 июня 2019 г.
^ Таллис, Билли (17 октября 2018 г.). «Samsung делится планами развития твердотельных накопителей для QLC NAND и 96-слойной 3D NAND» . АнандТех . Проверено 27 июня 2019 г.
^ «232-слойная NAND от Micron уже в продаже» . АнандТех . 26 июля 2022 г.
^ «232-слойная NAND» . Микрон . Проверено 17 октября 2022 г.
^ «Первый на рынке, не имеющий аналогов: первая в мире 232-слойная NAND» . Микрон . 26 июля 2022 г.
^ «Сравнение: новейшие продукты 3D NAND от YMTC, Samsung, SK hynix и Micron» . ТехИнсайтс . 11 января 2023 г.
^ Хан-Вэй Хуан (5 декабря 2008 г.). Проектирование встроенной системы с C805 . Cengage Обучение. п. 22. ISBN 978-1-111-81079-5 . Архивировано из оригинала 27 апреля 2018 года.
^ Мари-Од Офор; Эстебан Зиманьи (17 января 2013 г.). Бизнес-аналитика: Вторая европейская летняя школа, eBISS 2012, Брюссель, Бельгия, 15–21 июля 2012 г., учебные лекции . Спрингер. п. 136. ИСБН 978-3-642-36318-4 . Архивировано из оригинала 27 апреля 2018 года.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д «1965: Появление полупроводниковых микросхем памяти только для чтения» . Музей истории компьютеров . Проверено 20 июня 2019 г.
^ «1971: Представлено многоразовое полупроводниковое ПЗУ» . Механизм хранения . Музей истории компьютеров . Проверено 19 июня 2019 г.
^ Иидзука, Х.; Масуока, Ф.; Сато, Тай; Исикава, М. (1976). «Электрически изменяемая МОП-память лавинного типа, доступная только для чтения, со структурой многоуровневых затворов». Транзакции IEEE на электронных устройствах . 23 (4): 379–387. Бибкод : 1976ITED...23..379I . дои : 10.1109/T-ED.1976.18415 . ISSN 0018-9383 . S2CID 30491074 .
^ ОДНОЧИПОВЫЙ МИКРОКОМПЬЮТЕР μCOM-43: РУКОВОДСТВО ПОЛЬЗОВАТЕЛЯ (PDF) . Микрокомпьютеры NEC . Январь 1978 года . Проверено 27 июня 2019 г.
^ «2716: 16K (2K x 8) ПРОМЫШЛЕННЫЙ УФ-Стираемый» (PDF) . Интел. Архивировано из оригинала (PDF) 13 сентября 2020 г. Проверено 27 июня 2019 г.
^ «КАТАЛОГ 1982 ГОДА» (PDF) . НЭК Электроникс . Проверено 20 июня 2019 г.
^ Каталог данных компонентов (PDF) . Интел . 1978. стр. 1–3 . Проверено 27 июня 2019 г.
^ «Техническое описание 27256» (PDF) . Интел . Проверено 2 июля 2019 г.
^ «История полупроводникового бизнеса Fujitsu» . Фуджицу . Проверено 2 июля 2019 г.
^ «Техническое описание D27512-30» (PDF) . Интел . Проверено 2 июля 2019 г.
^ «Пионер компьютеров, заново открытый, 50 лет спустя» . Нью-Йорк Таймс . 20 апреля 1994 г. Архивировано из оригинала 4 ноября 2016 г.
^ «История компьютеров и вычислительной техники, Рождение современного компьютера, Релейный компьютер, Джордж Стибиц» . история-компьютер.com . Проверено 22 августа 2019 г. Первоначально «Компьютер комплексных чисел» выполнял только комплексное умножение и деление, но позже простая модификация позволила ему также складывать и вычитать. В нем использовалось около 400–450 двоичных реле, 6–8 панелей и десять многопозиционных многополюсных реле, называемых «перекладинами», для временного хранения чисел.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д ^и «1953: Появление транзисторных компьютеров» . Музей истории компьютеров . Проверено 19 июня 2019 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «Компьютер на транзисторах ETL Mark III» . Компьютерный музей IPSJ . Общество обработки информации Японии . Проверено 19 июня 2019 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «Краткая история» . Компьютерный музей IPSJ . Общество обработки информации Японии . Проверено 19 июня 2019 г.
^ «1962: Аэрокосмические системы — первые приложения для микросхем в компьютерах | Кремниевый двигатель | Музей истории компьютеров» . www.computerhistory.org . Проверено 2 сентября 2019 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «Восстановление работоспособности компьютера PDP-8 (Straight 8)» . www.pdp8.net . Проверено 22 августа 2019 г. Объединительные платы содержат 230 плат, примерно 10 148 диодов, 1 409 транзисторов, 5 615 резисторов и 1 674 конденсатора.
^ «Калькулятор IBM 608» . ИБМ . 23 января 2003 года . Проверено 8 марта 2021 г.
^ «【NEC】 NEAC-2201» . Компьютерный музей IPSJ . Общество обработки информации Японии . Проверено 19 июня 2019 г.
^ «【Hitachi и Японские национальные железные дороги】 МАРС-1» . Компьютерный музей IPSJ . Общество обработки информации Японии . Проверено 19 июня 2019 г.
^ Система обработки данных IBM 7070. Эйвери и др. (стр. 167)
^ «【Matsushita Electric Industrial】 Компьютер на базе транзисторов MADIC-I» . Компьютерный музей IPSJ . Общество обработки информации Японии . Проверено 19 июня 2019 г.
^ «【NEC】 NEAC-2203» . Компьютерный музей IPSJ . Общество обработки информации Японии . Проверено 19 июня 2019 г.
^ «【Toshiba】 TOSBAC-2100» . Компьютерный музей IPSJ . Общество обработки информации Японии . Проверено 19 июня 2019 г.
^ 7090 Система обработки данных
^ Луиджи Логриппо. «Мои первые два компьютера: Elea 9003 и Elea 6001: Воспоминания «голого» программиста» .
^ «【Mitsubishi Electric】 MELCOM 1101» . Компьютерный музей IPSJ . Общество обработки информации Японии . Проверено 19 июня 2019 г.
^ Эрих Блох (1959). Инженерный проект Stretch Computer (PDF) . Восточная объединенная компьютерная конференция.
^ «【NEC】NEAC-L2» . Компьютерный музей IPSJ . Общество обработки информации Японии . Проверено 19 июня 2019 г.
^ Торнтон, Джеймс (1970). Проектирование компьютера: управляющие данные 6600 . п. 20.
^ «Цифровое оборудование PDP-8/S» .
^ «PDP-8/S — попытка снижения затрат»
^ "ПДП-8/С"
^ «Корпорация цифрового оборудования PDP-8: Модели и опции: PDP-8/I» .
^ Джеймс Ф. О'Локлин. «PDP-8/I: больше внутри, но меньше снаружи» .
^ Ян М. Рабай, Цифровые интегральные схемы, осень 2001 г.: Конспекты курса, Глава 6: Проектирование комбинаторных логических элементов в КМОП , получено 27 октября 2012 г.
^ Ричард Ф. Тиндер (январь 2000 г.). Инженерный цифровой дизайн . Академическая пресса. ISBN 978-0-12-691295-1 .
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д Инженеры Института электроэлектроники (2000). 100-2000 (7-е изд.). дои : 10.1109/IEESTD.2000.322230 . ISBN 978-0-7381-2601-2 . Стандарт IEEE 100-2000.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с Смит, Кевин (11 августа 1983 г.). «Процессор изображений обрабатывает 256 пикселей одновременно». Электроника .
^ Канеллос, Майкл (9 февраля 2005 г.). «Сотовый чип: хит или хайп?» . Новости CNET . Архивировано из оригинала 25 октября 2012 года.
^ Кеннеди, Патрик (июнь 2019 г.). «Практическое знакомство с картой Graphcore C2 IPU PCIe на выставке Dell Tech World» . www.servethehome.com . Проверено 29 декабря 2019 г.
^ «Колосс – Графкор» . ru.wikichip.org . Проверено 29 декабря 2019 г.
^ Графкор. «Технологии ИПУ» . www.graphcore.ai .
^ «Cerebras представляет процессор второго поколения в форме пластины: 850 000 ядер, 2,6 триллиона транзисторов — ExtremeTech» . www.extremetech.com . Проверено 22 апреля 2021 г.
^ «Двигатель Cerebras Wafer Scale WSE-2 и CS-2 на Hot Chips 34» . Сервис TheHome . 23 августа 2022 г.
^ «NVIDIA NVLink4 NVSwitch и Hot Chips 34» . Сервис TheHome . 22 августа 2022 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б Шор, Дэвид (6 апреля 2019 г.). «TSMC начинает 5-нанометровое рисковое производство» . Викичип-предохранитель . Проверено 7 апреля 2019 г.
^ «1960: Демонстрация металлооксидно-полупроводникового (МОП) транзистора» . Музей истории компьютеров . Проверено 17 июля 2019 г.
^ Лоек, Бо (2007). История полупроводниковой техники . Springer Science & Business Media . стр. 321–3. ISBN 9783540342588 .
^ «1963: Изобретена дополнительная конфигурация МОП-схемы» . Музей истории компьютеров . Проверено 6 июля 2019 г.
^ «1964: Представлена первая коммерческая МОП-ИС» . Музей истории компьютеров . Проверено 17 июля 2019 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б Лоек, Бо (2007). История полупроводниковой техники . Springer Science & Business Media . п. 330. ИСБН 9783540342588 .
^ Ламбрехтс, Винанд; Синха, Саураб; Абдалла, Джассем Ахмед; Принслу, Жако (2018). Расширение закона Мура с помощью передовых методов проектирования и обработки полупроводников . ЦРК Пресс . п. 59. ИСБН 9781351248655 .
^ Белзер, Джек; Хольцман, Альберт Г.; Кент, Аллен (1978). Энциклопедия компьютерных наук и технологий: Том 10 - Линейная и матричная алгебра микроорганизмов: компьютерная идентификация . ЦРК Пресс . п. 402. ИСБН 9780824722609 .
^ «Краткое справочное руководство по микропроцессорам Intel» . Интел . Проверено 27 июня 2019 г.
^ «1978: Быстрая CMOS SRAM с двумя лунками (Hitachi)» (PDF) . Музей истории полупроводников Японии . Проверено 5 июля 2019 г.
^ «Технология 0,18 микрон» . ТСМС . Проверено 30 июня 2019 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д 65-нм техпроцесс КМОП
↑ Дифендорф, Кейт (15 ноября 1999 г.). «Хэл заставляет искры летать». Отчет о микропроцессоре , Том 13, Номер 5.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б Катресс, Ян. «Глубокий обзор Intel Cannon Lake и Core i3-8121U по техпроцессу 10 нм» . АнандТех . Проверено 19 июня 2019 г.
^ «Samsung представляет первую в отрасли 2-гигабитную память DDR2 SDRAM» . Самсунг Полупроводник . Samsung . 20 сентября 2004 года . Проверено 25 июня 2019 г.
^ Уильямс, Мартин (12 июля 2004 г.). «Fujitsu и Toshiba начинают пробное производство 65-нм чипов» . Инфомир . Проверено 26 июня 2019 г.
^ Презентация Elpida на Via Technology Forum 2005 и Годовой отчет Elpida за 2005 год.
^ «Fujitsu представляет 65-нанометровую технологическую технологию мирового класса для передовых серверных и мобильных приложений» . Архивировано из оригинала 27 сентября 2011 года . Проверено 20 июня 2019 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д «Intel теперь упаковывает 100 миллионов транзисторов на каждый квадратный миллиметр» . IEEE Spectrum: Новости технологий, техники и науки . 30 марта 2017 г. Проверено 14 ноября 2018 г.
^ «Технология 40 нм» . ТСМС . Проверено 30 июня 2019 г.
^ «Toshiba добивается значительных успехов в области флэш-памяти NAND с технологией 3 бита на ячейку, изготовленной по 32-нм технологии, и с технологией 4 бита на ячейку, изготовленной по 43-нм технологии» . Тошиба . 11 февраля 2009 года . Проверено 21 июня 2019 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «История: 2010-е» . СК Хайникс . Архивировано из оригинала 29 апреля 2021 года . Проверено 8 июля 2019 г.
^ Шимпи, Ананд Лал (8 июня 2012 г.). «Демоверсии SandForce 19-нм Toshiba и 20-нм флэш-памяти IMFT NAND» . АнандТех . Проверено 19 июня 2019 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б Шор, Дэвид (16 апреля 2019 г.). «TSMC объявляет о выпуске 6-нанометрового процесса» . Викичип-предохранитель . Проверено 31 мая 2019 г.
^ «Технология 16/12 нм» . ТСМС . Проверено 30 июня 2019 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с «СБИС 2018: 8-нм 8LPP от Samsung, расширение 10-нм» . Викичип-предохранитель . 1 июля 2018 года . Проверено 31 мая 2019 г.
^ «Samsung массово производит 3-битную флэш-память MLC NAND емкостью 128 ГБ» . Аппаратное обеспечение Тома . 11 апреля 2013 года. Архивировано из оригинала 21 июня 2019 года . Проверено 21 июня 2019 г.
^ «Технология 10 нм» . ТСМС . Проверено 30 июня 2019 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д ^и ^ж ^г ^час ^я «Сможет ли TSMC сохранить лидерство в области технологических процессов» . Поливики . 29 апреля 2020 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б Джонс, Скоттен (3 мая 2019 г.). «Сравнение 5-нм TSMC и Samsung» . Семивики . Проверено 30 июля 2019 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с Нэнни, Дэниел (2 января 2019 г.). «Samsung против 7-нм обновления TSMC» . Семивики . Проверено 6 июля 2019 г.
^ «Технология 7 нм» . ТСМС . Проверено 30 июня 2019 г.
^ Шор, Дэвид (15 июня 2018 г.). «Взгляд на 10-нм стандартный элемент Intel в отчете TechInsights о i3-8121U обнаруживает рутений» . Викичип-предохранитель . Проверено 31 мая 2019 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «Обновление Samsung Foundry 2019» . Поливики . 6 августа 2019 г.
^ Джонс, Скоттен, 7-нм, 5-нм и 3-нм логика, текущие и прогнозируемые процессы
^ Шилов, Антон. «Samsung завершает разработку 5-нм техпроцесса EUV» . АнандТех . Проверено 31 мая 2019 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д «Инновации Samsung Foundry создают будущее больших данных, искусственного интеллекта и машинного обучения и интеллектуальных подключенных устройств» . 7 октября 2021 г.
^ «Qualcomm подтверждает, что Snapdragon 8 Gen 1 изготовлен с использованием 4-нм техпроцесса Samsung» . 2 декабря 2021 г.
^ «Список смартфонов Snapdragon 8 Gen 1, доступных с декабря 2021 года» . 14 января 2022 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «TSMC расширяет свое 5-нм семейство новым узлом N4P повышенной производительности» . ВикиЧип . 26 октября 2021 г.
^ «MediaTek запускает Dimensity 9000, построенный на базе процесса TSMC N4» . 16 декабря 2021 г.
^ «TSMC расширяет лидерство в области передовых технологий с помощью процесса N4P (пресс-релиз)» . ТСМС . 26 октября 2021 г.
^ Армасу, Люсьен (11 января 2019 г.), «Samsung планирует массовое производство 3-нм чипов GAAFET в 2021 году» , www.tomshardware.com
^ «Samsung начинает 3-нм производство: начинается эра универсальных технологий (GAAFET)» . АнандТех . 30 июня 2022 г.
^ «TSMC планирует новую фабрику на 3 нм» . ЭЭ Таймс . 12 декабря 2016 года . Проверено 26 сентября 2019 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с «Обновление дорожной карты TSMC: 3 нм в первом квартале 2023 г., расширение 3 нм в 2024 г., 2 нм в 2025 г.» . www.anandtech.com . 18 октября 2021 г.
^ «TSMC представляет процесс N4X (пресс-релиз)» . ТСМС . 16 декабря 2021 г.
^ «Будущее уже сейчас (сообщение в блоге)» . ТСМС . 16 декабря 2021 г.
^ «TSMC представляет узел N4X» . АнандТех . 17 декабря 2021 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «Обновление дорожной карты TSMC» . АнандТех . 22 апреля 2022 г.
^ Смит, Райан (13 июня 2022 г.). «Подробное описание узла процесса Intel 4: двукратное масштабирование плотности, повышение производительности на 20 %» . АнандТех .
^ Алкорн, Пол (24 марта 2021 г.). «Intel исправляет 7-нм техпроцесс, Метеоритное озеро и Гранитные пороги, которые появятся в 2023 году» . Аппаратное обеспечение Тома . Проверено 1 июня 2021 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д Катресс, доктор Ян. «Дорожная карта Intel до 2025 года: с 4 нм, 3 нм, 20 А и 18 А?!» . www.anandtech.com . Проверено 27 июля 2021 г.
↑ Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с Катресс, доктор Ян (17 февраля 2022 г.). «Intel раскрывает план развития масштабируемых процессоров Xeon нескольких поколений: новые Xeon только с E-Core в 2024 году» . www.anandtech.com .
^ «Samsung Electronics раскрывает планы по 1,4-нм техпроцессу и инвестициям в производственные мощности на Samsung Foundry Forum 2022» . Глобальный отдел новостей Samsung . 4 октября 2022 г.

Внешние ссылки [ править ]

[17] Declassified 1998

[23] The TMS1000 is a microcontroller, the transistor count includes memory and input/output controllers, not just the CPU.

[25] 3,510 without depletion mode pull-up transistors

[27] 6,813 without depletion mode pull-up transistors

[141] 3,900,000,000 core chiplet die, 2,090,000,000 I/O die

[estimate_fn-289] Jump up to: Jump up to: ^a ^b Estimate

[298] Versal Premium are confirmed to be shipping in 1H 2021 but nothing was mentioned about the VP1802 in particular. Usually Xilinx makes separate news for the release of its biggest devices so the VP1802 is likely to be released later.

[395] "Intelligence Processing Unit"

[1] Khosla, Robin (2017). Alternate high-k dielectrics for next-generation CMOS logic and memory technology (PhD). IIT Mandi.

[ExtremeTech-WSE-2] Jump up to: Jump up to: ^a ^b Hruska, Joel (August 2019). "Cerebras Systems Unveils 1.2 Trillion Transistor Wafer-Scale Processor for AI". extremetech.com. Retrieved September 6, 2019.

[NextPlatform-WSE-3] Jump up to: Jump up to: ^a ^b Feldman, Michael (August 2019). "Machine Learning chip breaks new ground with waferscale integration". nextplatform.com. Retrieved September 6, 2019.

[AnandTech-WSE-4] Jump up to: Jump up to: ^a ^b Cutress, Ian (August 2019). "Hot Chips 31 Live Blogs: Cerebras' 1.2 Trillion Transistor Deep Learning Processor". anandtech.com. Retrieved September 6, 2019.

[WikichipFuse-WSE-5] Jump up to: Jump up to: ^a ^b "A Look at Cerebras Wafer-Scale Engine: Half Square Foot Silicon Chip". WikiChip Fuse. November 16, 2019. Retrieved December 2, 2019.

[:1-6] Jump up to: Jump up to: ^a ^b Everett, Joseph (August 26, 2020). "World's largest CPU has 850,000 7 nm cores that are optimized for AI and 2.6 trillion transistors". TechReportArticles.

[m2ultra-7] Jump up to: Jump up to: ^a ^b "Apple introduces M2 Ultra" (Press release). Apple. June 5, 2023.

[Quora-Gustafson-8] "John Gustafson's answer to How many individual transistors are in the world's most powerful supercomputer?". Quora. Retrieved August 22, 2019.

[9] Pires, Francisco (October 5, 2022). "Water-Based Chips Could be Breakthrough for Neural Networking, AI: Wetware has gained an entirely new meaning". Tom's Hardware. Retrieved October 5, 2022.

[10] Laws, David (April 2, 2018). "13 Sextillion & Counting: The Long & Winding Road to the Most Frequently Manufactured Human Artifact in History". Computer History Museum.

[11] Handy, Jim (May 26, 2014). "How Many Transistors Have Ever Shipped?". Forbes.

[computerhistory1971-12] "1971: Microprocessor Integrates CPU Function onto a Single Chip". The Silicon Engine. Computer History Museum. Retrieved September 4, 2019.

[F-14-13] Jump up to: Jump up to: ^a ^b Holt, Ray. "World's First Microprocessor". Retrieved March 5, 2016. 1st fully integrated chip set microprocessor

[DEC_Alpha-14] Jump up to: Jump up to: ^a ^b "Alpha 21364 - Microarchitectures - Compaq - WikiChip". en.wikichip.org. Retrieved September 8, 2019.

[15] Holt, Ray M. (1998). The F14A Central Air Data Computer and the LSI Technology State-of-the-Art in 1968. p. 8.

[16] Holt, Ray M. (2013). "F14 TomCat MOS-LSI Chip Set". First Microprocessor. Archived from the original on November 6, 2020. Retrieved November 6, 2020.

[tmx_shirriff-18] Ken Shirriff. "The Texas Instruments TMX 1795: the (almost) first, forgotten microprocessor". 2015.

[19] Ryoichi Mori; Hiroaki Tajima; Morihiko Tajima; Yoshikuni Okada (October 1977). "Microprocessors in Japan". Euromicro Newsletter. 3 (4): 50–7. doi:10.1016/0303-1268(77)90111-0.

[ucom-4-20] Jump up to: Jump up to: ^a ^b "NEC 751 (uCOM-4)". The Antique Chip Collector's Page. Archived from the original on May 25, 2011. Retrieved June 11, 2010.

[shmj70s-21] Jump up to: Jump up to: ^a ^b "1970s: Development and evolution of microprocessors" (PDF). Semiconductor History Museum of Japan. Archived from the original (PDF) on June 27, 2019. Retrieved June 27, 2019.

[shmj-1973-toshiba-22] Jump up to: Jump up to: ^a ^b "1973: 12-bit engine-control microprocessor (Toshiba)" (PDF). Semiconductor History Museum of Japan. Archived from the original (PDF) on June 27, 2019. Retrieved June 27, 2019.

[24] "Low Bandwidth Timeline – Semiconductor". Texas Instruments. Retrieved June 22, 2016.

[26] "The MOS 6502 and the Best Layout Guy in the World". research.swtch.com. January 3, 2011. Retrieved September 3, 2019.

[28] Ширрифф, Кен (январь 2023 г.). «Подсчитать транзисторы в процессоре 8086: это сложнее, чем вы думаете» .

[29] «Цифровая история: ZILOG Z8000 (АПрель 1979 г.)» . OLD-COMPUTERS.COM: Музей . Проверено 19 июня 2019 г.

[30] «Зал славы чипов: микропроцессор Motorola MC68000» . IEEE-спектр . Институт инженеров электротехники и электроники . 30 июня 2017 г. Проверено 19 июня 2019 г.

[Christiansen-31] Микропроцессоры: 1971–1976 гг. Архивировано 3 декабря 2013 г., в Wayback Machine Christiansen.

[32] «Микропроцессоры с 1976 по 1981 годы» . вебер.edu. Архивировано из оригинала 3 декабря 2013 года . Проверено 9 августа 2014 г.

[33] «W65C816S 16-битное ядро» . www.westerndesigncenter.com . Проверено 12 сентября 2017 г.

[DeMone-34] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д ^и Демон, Пол (9 ноября 2000 г.). «Гонка ARM за мировое господство» . технологии реального мира . Проверено 20 июля 2015 г.

[35] Рука, Том. «Микроконтроллер Harris RTX 2000» (PDF) . mpeforth.com . Проверено 9 августа 2014 г.

[36] «Четвертый список фишек» . Ультратехнологии. 15 марта 2001 года . Проверено 9 августа 2014 г.

[37] Купман, Филип Дж. (1989). «4.4 Архитектура Novix NC4016» . Stack Computers: новая волна . Серия Эллиса Хорвуда «Компьютеры и их приложения». Университет Карнеги-Меллон. ISBN 978-0745804187 . Проверено 9 августа 2014 г.

[38] «Фуджитсу СПАРК» . cpu-collection.de . Проверено 30 июня 2019 г.

[NEC-39] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б Кимура С., Комото Ю., Яно Ю. (1988). «Реализация V60/V70 и его функции FRM». IEEE микро . 8 (2): 22–36. дои : 10.1109/40.527 . S2CID 9507994 .

[40] «VL2333 — VTI — WikiChip» . ru.wikichip.org . Проверено 31 августа 2019 г.

[41] Инаёси Х., Кавасаки И., Нисимукай Т., Сакамура К. (1988). «Реализация Gmicro/200». IEEE микро . 8 (2): 12–21. дои : 10.1109/40.526 . S2CID 36938046 .

[MegaChip-42] Босхарт, П.; Хьюс, К.; Ми-Чанг Чанг; Квок-Кит Чау; Хоак, К.; Хьюстон, Т.; Калян, В.; Луски, С.; Махант-Шетти, С.; Мацке, Д.; Рупарель, К.; Чинг-Хао Шоу; Шридхар, Т.; Старк, Д. (октябрь 1987 г.). «Чип LISP-процессора на транзисторе 553К». Журнал IEEE твердотельных схем . 22 (5): 202–3. дои : 10.1109/ISSCC.1987.1157084 . S2CID 195841103 .

[43] Фален, Леннарт Э.; Стокгольмский международный институт исследования проблем мира (1987). «3. Аппаратные требования для искусственного интеллекта § Lisp Machines: TI Explorer» . Оружие и искусственный интеллект: применение передовых вычислений в области оружия и контроля над вооружениями . Серия монографий СИПРИ. Издательство Оксфордского университета. п. 57. ИСБН 978-0-19-829122-0 .

[44] Джуппи, Норман П .; Тан, Джеффри Ю.Ф. (июль 1989 г.). «32-битный КМОП-микропроцессор с устойчивой производительностью 20 MIPS и высоким соотношением устойчивой и пиковой производительности». Журнал IEEE твердотельных схем . 24 (5): i. Бибкод : 1989IJSSC..24.1348J . CiteSeerX 10.1.1.85.988 . дои : 10.1109/JSSC.1989.572612 . Отчет об исследовании WRL 89/11.

[45] «Музей процессорной хижины» . CPUshack.com. 15 мая 2005 года . Проверено 9 августа 2014 г.

[i960-46] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с «Встроенный микропроцессор Intel i960» . Национальная лаборатория сильных магнитных полей . Университет штата Флорида . 3 марта 2003 года. Архивировано из оригинала 3 марта 2003 года . Проверено 29 июня 2019 г.

[47] Венкатасавми, Рама (2013). Оцифровка кинематографических визуальных эффектов: взросление Голливуда . Роуман и Литтлфилд . п. 198. ИСБН 9780739176214 .

[48] Бакоглу, Грохоски и Монтойе. «Процессор IBM RISC System/6000: обзор аппаратного обеспечения». IBM J. Исследования и разработки. Том. 34 № 1, январь 1990 г., стр. 12–22.

[49] «Микропроцессор SH, возглавляющий эпоху кочевников» (PDF) . Музей истории полупроводников Японии . Архивировано из оригинала (PDF) 27 июня 2019 года . Проверено 27 июня 2019 г.

[50] «SH2: RISC-микросхема с низким энергопотреблением для потребительских приложений» (PDF) . Хитачи . Архивировано из оригинала (PDF) 10 мая 2019 года . Проверено 27 июня 2019 г.

[51] «HARP-1: Суперскалярный процессор PA-RISC с частотой 120 МГц» (PDF) . Хитачи . Архивировано из оригинала (PDF) 23 апреля 2016 года . Проверено 19 июня 2019 г.

[52] Уайт и Дхаван. «POWER2: следующее поколение семейства RISC System/6000» IBM J. Research and Development. Том. 38 № 5, сентябрь 1994 г., стр. 493–502.

[53] «Статистика ARM7» . Poppyfields.net. 27 мая 1994 года . Проверено 9 августа 2014 г.

[54] «Четвертый мультипроцессорный чип MuP21» . www.ultratechnology.com . Проверено 6 сентября 2019 г. MuP21 имеет 21-битное ядро ЦП, сопроцессор памяти и видеосопроцессор.

[F21-55] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «Процессор F21» . www.ultratechnology.com . Проверено 6 сентября 2019 г. F21 предлагает видеовход/выход, аналоговый ввод/вывод, последовательный сетевой ввод/вывод и параллельный порт ввода/вывода на кристалле. F21 имеет количество транзисторов около 15 000 против примерно 7 000 у MuP21.

[56] «Ars Technica: PowerPC на Apple: история архитектуры, часть I — страница 2 — (8/2004)» . archive.arstechnica.com . Проверено 11 августа 2020 г.

[57] Гэри и др. (1994). «Микропроцессор PowerPC 603: конструкция с низким энергопотреблением для портативных приложений». Материалы КОМПКОН 94. DOI: 10.1109/CMPCON.1994.282894.

[58] Слэтон и др. (1995). «Микропроцессор PowerPC 603e: улучшенный суперскалярный микропроцессор с низким энергопотреблением». Материалы Международной конференции ICCD '95 по компьютерному дизайну. DOI: 10.1109/ICCD.1995.528810.

[59] Боухилл, Уильям Дж. и др. (1995). «Схема реализации 64-битного процессора CMOS Alpha второго поколения с частотой 300 МГц». Цифровой технический журнал , том 7, номер 1, стр. 100–118.

[60] «Интел Пентиум Про 180» . hw-museum.cz . Проверено 8 сентября 2019 г.

[61] «Руководство для ПК Intel Pentium Pro («P6»)» . PCGuide.com. 17 апреля 2001 года. Архивировано из оригинала 14 апреля 2001 года . Проверено 9 августа 2014 г.

[62] Гэддис, Н.; Лотц, Дж. (ноябрь 1996 г.). «64-битный четырехъядерный CMOS RISC-микропроцессор». Журнал IEEE твердотельных схем 31 (11): стр. 1697–1702.

[63] Бушар, Грегг. «Цели разработки микропроцессора Alpha 21164 0,35 мкм» . Симпозиум IEEE Hot Chips, август 1996 г., Компьютерное общество IEEE.

[64] Ульф Самуэльссон. «Количество транзисторов в обычных UC?» . www.embeddedrelated.com . Проверено 8 сентября 2019 г. IIRC, Ядро AVR — 12 000 вентилей, а ядро megaAVR — 20 000 вентилей. Каждый затвор представляет собой 4 транзистора. Чип значительно больше, поскольку памяти используется довольно много.

[65] Гроновски, Пол Э. и др. (май 1998 г.). «Проектирование высокопроизводительного микропроцессора». Журнал IEEE твердотельных схем 33 (5): стр. 676–686.

[66] Накагава, Норио; Аракава, Фумио (апрель 1999 г.). «Развлекательные системы и высокопроизводительный процессор SH-4» (PDF) . Обзор Хитачи . 48 (2): 58–63 . Проверено 18 марта 2023 г.

[67] Нишии, О.; Аракава, Ф.; Ишибаси, К.; Накано, С.; Шимура, Т.; Сузуки, К.; Тачибана, М.; Тоцука, Ю.; Цунода, Т.; Утияма, К.; Ямада, Т.; Хаттори, Т.; Маэдзима, Х.; Накагава, Н.; Нарита, С.; Секи, М.; Симадзаки, Ю.; Сатомура, Р.; Такасуга, Т.; Хасэгава, А. (1998). «Микропроцессор 200 МГц, 1,2 Вт, 1,4 гигафлопс с графическим операционным блоком» . 1998 Международная конференция IEEE по твердотельным схемам. Сборник технических документов, ISSCC. Первое издание (Кат. номер 98CH36156) . ИИЭЭ . стр. 18.1-1 - 18.1-11. дои : 10.1109/ISSCC.1998.672469 . ISBN 0-7803-4344-1 . S2CID 45392734 . Проверено 17 марта 2023 г.

[Diefendorff-68] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с Дифендорф, Кейт (19 апреля 1999 г.). «Эмоционально заряженный чип Sony: убийственный «движок эмоций» с плавающей запятой для питания PlayStation 2000» (PDF) . Отчет микропроцессора . 13 (5). S2CID 29649747 . Архивировано из оригинала (PDF) 28 февраля 2019 года . Проверено 19 июня 2019 г.

[hennessy-69] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б Хеннесси, Джон Л .; Паттерсон, Дэвид А. (29 мая 2002 г.). Компьютерная архитектура: количественный подход (3-е изд.). Морган Кауфманн. п. 491. ИСБН 978-0-08-050252-6 . Проверено 9 апреля 2013 г.

[pcper2005-70] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с «Обзор графического процессора NVIDIA GeForce 7800 GTX» . Перспектива ПК . 22 июня 2005 года . Проверено 18 июня 2019 г.

[71] Андо, Х.; Ёсида, Ю.; Иноуэ, А.; Сугияма, И.; Асакава, Т.; Морита, К.; Мута, Т.; Отокурумада, Т.; Окада, С.; Ямасита, Х.; Сацукава, Ю.; Конмото, А.; Ямасита, Р.; Сугияма, Х. (2003). «Микропроцессор SPARC64 пятого поколения с тактовой частотой 1,3 ГГц». Материалы 40-й ежегодной конференции по автоматизации проектирования . Конференция по автоматизации проектирования. стр. 702–705. дои : 10.1145/775832.776010 . ISBN 1-58113-688-9 .

[72] Кревелл, Кевин (21 октября 2002 г.). «Fujitsu SPARC64 V — это реально». Отчет микропроцессора .

[73] «Процессор Intel Pentium M, 1,60 ГГц, кэш-память 1 МБ, системная шина 400 МГц, технические характеристики» .

[74] «ЭЭ+ГС» . Вики для разработчиков PS2 .

[75] «Sony MARKETING (ЯПОНИЯ) ОБЪЯВЛЯЕТ О ВЫПУСКЕ PSX DESR-5000 и DESR-7000 БЛИЖЕ К КОНЦУ 2003 ГОДА» (Пресс-релиз). Сони. 27 ноября 2003 г.

[76] «EMOTION ENGINE И ГРАФИЧЕСКИЙ СИНТЕЗАТОР, ИСПОЛЬЗУЕМЫЙ В ЯДРЕ PLAYSTATION, СТАНОВЯТСЯ ОДНИМ ЧИПОМ» (PDF) . Сони . 21 апреля 2003 года . Проверено 19 марта 2023 г.

[77] «90-нм процессор Sony PSX — это «не 90-нм» » . Регистр . 30 января 2004 г.

[78] «Semi Insights придерживается мнения, что чип PSX не соответствует 90-нм техпроцессу» . ЭЭ Таймс . 5 февраля 2004 г.

[79] «Процессор Intel Pentium M 760 (кэш 2 МБ, 2,00 А ГГц, системная шина 533 МГц) Технические характеристики» .

[80] Fujitsu Limited (август 2004 г.). Процессор SPARC64 V для сервера UNIX .

[81] «Взгляд внутрь клеточного процессора» . Гамасутра . 13 июля 2006 года . Проверено 19 июня 2019 г.

[82] «Процессор Intel Pentium D 920» . Интел . Проверено 5 января 2023 г.

[83] «ПРЕСС-КИТ — Двухъядерный процессор Intel Itanium» . Интел . Проверено 9 августа 2014 г.

[tomshardware.com-84] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б Топелт, Берт (8 января 2009 г.). «AMD Phenom II X4: 45-нанометровый тест — Phenom II и платформа AMD Dragon» . TomsHardware.com . Проверено 9 августа 2014 г.

[85] «Процессоры ARM (Advanced RISC Machines)» . EngineersGarage.com . Проверено 9 августа 2014 г.

[panasonic2007-86] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «Panasonic начинает продавать системы UniPhier LSI нового поколения» . Панасоник . 10 октября 2007 года . Проверено 2 июля 2019 г.

[87] «Расширения SPARC64 VI», стр. 56, Fujitsu Limited, версия 1.3, 27 марта 2007 г.

[88] Морган, Тимоти Прикетт (17 июля 2008 г.). «Fujitsu и Sun расширяют свои четырехъядерные процессоры с помощью новой линейки серверов Sparc» . The Unix Guardian , Том. 8, № 27.

[89] Такуми Маруяма (2009). SPARC64 VIIIfx: восьмиядерный процессор нового поколения Fujitsu для вычислений в масштабе PETA (PDF) . Труды Hot Chips 21. Компьютерное общество IEEE. Архивировано из оригинала (PDF) 8 октября 2010 года . Проверено 30 июня 2019 г.

[90] «Технические характеристики Intel Atom N450» . Интел . Проверено 8 июня 2023 г.

[91] «Технические характеристики Intel Atom D510» . Интел . Проверено 8 июня 2023 г.

[92] Стоукс, Джон (10 февраля 2010 г.). «16-ядерный процессор Sun Niagara 3 с 1 миллиардом транзисторов» . ArsTechnica.com . Проверено 9 августа 2014 г.

[93] «IBM выпустит самый быстрый в мире микропроцессор» . ИБМ. 1 сентября 2010 года . Проверено 9 августа 2014 г.

[94] «Intel выпустит первый компьютерный чип с двумя миллиардами транзисторов» . АФП. 5 февраля 2008. Архивировано из оригинала 20 мая 2011 года . Проверено 5 февраля 2008 г.

[95] « Intel анонсирует процессор Intel Xeon Nehalem-EX ». 26 мая 2009 г. Проверено 28 мая 2009 г.

[fujitsu-s64ixfx-96] Морган, Тимоти Прикетт (21 ноября 2011 г.), «Fujitsu демонстрирует 16-ядерный супер-потрясающий процессор Sparc64» , The Register , получено 8 декабря 2011 г.

[97] Анджелини, Крис (14 ноября 2011 г.). «Обзор Intel Core i7-3960X: Sandy Bridge-E и X79 Express» . TomsHardware.com . Проверено 9 августа 2014 г.

[98] «IDF2012 Марк Бор, старший научный сотрудник Intel» (PDF) .

[99] «Изображения SPARC64» (PDF) . fujitsu.com . Проверено 29 августа 2017 г.

[anandtech.com-100] «Атомная архитектура Intel: путешествие начинается» . АнандТех . Проверено 4 апреля 2010 г.

[101] «Интел Ксеон Фи SE10X» . TechPowerUp . Проверено 20 июля 2015 г.

[anandtech-102] Шимпи, Лал. «Обзор Haswell: протестированы Intel Core i7-4770K и i5-4670K» . анандтек . Проверено 20 ноября 2014 г.

[103] " Диммик, Фрэнк (29 августа 2014 г.). «Обзор Intel Core i7 5960X Extreme Edition» . Клуб оверклокеров . Проверено 29 августа 2014 г.

[104] «Эппл А8Х» . НоутбукПроверка . Проверено 20 июля 2015 г.

[105] «Intel готовит 15-ядерный процессор Xeon E7 v2» . АнандТех . Проверено 9 августа 2014 г.

[pcper-106] «Обзор процессора Intel Xeon E5-2600 v3: Haswell-EP до 18 ядер» . ПКПЕР . 8 сентября 2014 года . Проверено 29 января 2015 г.

[techreport-107] «Intel Broadwell-U поставляется на базе мобильных процессоров мощностью 15 Вт и 28 Вт» . ТехРепорт. 5 января 2015 г. Проверено 5 января 2015 г.

[108] «Oracle увеличивает количество ядер до 32 с помощью чипа Sparc M7» . 13 августа 2014 г.

[109] «Broadwell-E: обзор Intel Core i7-6950X, 6900K, 6850K и 6800K» . Аппаратное обеспечение Тома . 30 мая 2016 года . Проверено 12 апреля 2017 г.

[110] «Обзор Broadwell-E» . ПК-геймер . 8 июля 2016 г. Проверено 12 апреля 2017 г.

[111] «HUAWEI ПРЕДСТАВИТ НА IFA 2017 SOC KIRIN 970 С AI UNIT, 5,5 МИЛЛИАРДА ТРАНЗИСТОРОВ И СКОРОСТЬЮ LTE 1,2 ГБ/С» . firstpost.com . 1 сентября 2017 года . Проверено 18 ноября 2018 г.

[112] «Архитектура Broadwell-EP — обзор Intel Xeon E5-2600 v4 Broadwell-EP» . Аппаратное обеспечение Тома . 31 марта 2016 года . Проверено 4 апреля 2016 г.

[113] «О ZipCPU» . zipcpu.com . Проверено 10 сентября 2019 г. По данным ORCONF, 2016 г., ZipCPU использовал от 1286 до 4926 6-LUT, в зависимости от его конфигурации.

[114] «Квалкомм Snapdragon 835 (8998)» . НоутбукПроверка . Проверено 23 сентября 2017 г.

[115] Такахаси, декан (3 января 2017 г.). «Qualcomm Snapdragon 835 дебютирует с 3 миллиардами транзисторов и 10-нм производственным процессом» . ВенчурБит .

[116] Сингх, Теджа (2017). «3.2 Zen: высокопроизводительное ядро x86 нового поколения». Учеб. Международная конференция IEEE по твердотельным схемам . стр. 52–54.

[Anand_zen_announcement-117] Катресс, Ян (22 февраля 2017 г.). «AMD запускает Zen» . Anandtech.com . Проверено 22 февраля 2017 г.

[118] «Ryzen 5 1600 — AMD» . Wikichip.org . 20 апреля 2018 года . Проверено 9 декабря 2018 г.

[119] «Кирин 970 – HiSilicon» . Викичип . 1 марта 2018 года . Проверено 8 ноября 2018 г.

[:0-120] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б Ледбеттер, Ричард (6 апреля 2017 г.). «Внутри следующего Xbox: раскрыта технология Project Scorpio» . Еврогеймер . Проверено 3 мая 2017 г.

[121] «Интел Ксеон Платинум 8180» . TechPowerUp . 1 декабря 2018 года . Проверено 2 декабря 2018 г.

[122] Пеллерано, Стефано (2 марта 2022 г.). «Проектирование схем для использования возможностей масштабирования и интеграции (ISSCC 2022)» . Ютуб .

[123] Ли, Ю. «СнК SiFive Freedom: первые в отрасли чипы RISC V с открытым исходным кодом» (PDF) . HotChips 29 Интернет вещей/встроенные устройства . Архивировано из оригинала (PDF) 9 августа 2020 г. Проверено 19 июня 2019 г.

[124] «Документы Fujitsu» (PDF) . fujitsu.com . Проверено 29 августа 2017 г.

[125] Шмерер, Кай (5 ноября 2018 г.). «iPad Pro 2018: процессор A12X обеспечивает значительно большую производительность» . ZDNet.de (на немецком языке).

[126] «Qualcomm Datacenter Technologies объявляет о коммерческой поставке Qualcomm Centriq 2400 — первого в мире 10-нм серверного процессора и самого высокопроизводительного семейства серверных процессоров на базе Arm из когда-либо созданных» . Квалкомм . Проверено 9 ноября 2017 г.

[127] «Qualcomm Snapdragon 1000 для ноутбуков может содержать 8,5 миллиардов транзисторов» . техрадар . Проверено 23 сентября 2017 г.

[128] «Обнаружено: Qualcomm Snapdragon 8cx Wafer на 7-нм техпроцессе» . АнандТех . Проверено 6 декабря 2018 г.

[129] «ПриветСиликон Кирин 710» . Проверка ноутбука . 19 сентября 2018 года . Проверено 24 ноября 2018 г.

[TechInsights-iPhoneXSmax-130] Ян, Дэниел; Вегнер, Стейси (21 сентября 2018 г.). «Разборка Apple iPhone Xs Max» . ТехИнсайтс . Проверено 21 сентября 2018 г.

[131] «Apple A12 Bionic — это первый 7-нанометровый чип для смартфонов» . Engadget . Проверено 26 сентября 2018 г.

[132] «Кирин 980 – HiSilicon» . Викичип . 8 ноября 2018 г. . Проверено 8 ноября 2018 г.

[133] «Qualcomm Snapdragon 8180: 7-нм SoC SDM1000 с 8,5 миллиардами транзисторов бросит вызов чипсету Apple A12 Bionic» . ежедневная охота . Проверено 21 сентября 2018 г.

[134] Зафар, Рамиш (30 октября 2018 г.). «Apple A12X имеет 10 миллиардов транзисторов, 90% прирост производительности и 7-ядерный графический процессор» . Wccftech .

[135] «Fujitsu начала производить в Японии миллиарды супервычислений с помощью самого мощного ARM-процессора A64FX» . firstxw.com . 16 апреля 2019 года. Архивировано из оригинала 20 июня 2019 года . Проверено 19 июня 2019 г.

[136] «Fujitsu успешно утроила выходную мощность транзисторов из нитрида галлия» . Фуджицу . 22 августа 2018 года . Проверено 19 июня 2019 г.

[137] «Горячие чипы 30: SoC Nvidia Xavier» . www.fuse.wikichip.org . 18 сентября 2018 г. Проверено 6 декабря 2018 г.

[138] Фрумусану, Андрей. «Обзор Samsung Galaxy S10+ Snapdragon и Exynos: почти идеален, но с такими недостатками» . www.anandtech.com . Проверено 19 февраля 2021 г.

[zen2-139] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д ^и ^ж «Микроархитектура Дзен 2» . ВикиЧип . Проверено 21 февраля 2023 г.

[140] «Обзор AMD Ryzen 9 3900X и Ryzen 7 3700X: раскрытие Zen 2 и 7-нм техпроцесса» . Аппаратное обеспечение Тома . 7 июля 2019 г. Проверено 19 октября 2019 г.

[142] Фрумусану, Андрей. «Обзор Huawei Mate 30 Pro: лучшее оборудование без Google?» . АнандТех . Проверено 2 января 2020 г.

[143] Зафар, Рамиш (10 сентября 2019 г.). «Apple A13 для iPhone 11 имеет 8,5 миллиардов транзисторов и четырехъядерный графический процессор» . Wccftech . Проверено 11 сентября 2019 г.

[144] Представляем iPhone 11 Pro — видео Apple Youtube , получено 11 сентября 2019 г. ^{[ мертвая ссылка на YouTube ]}

[145] «Живой блог Hot Chips 2020: IBM z15» . АнандТех . 17 августа 2020 г.

[Zen2_THW-146] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б Броехейсен, Нильс (23 октября 2019 г.). «Разобраны 64-ядерные процессоры AMD EPYC и Ryzen: подробный взгляд изнутри» . Проверено 24 октября 2019 г.

[Zen2_wcftech-147] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б Муджтаба, Хасан (22 октября 2019 г.). «Процессоры AMD EPYC Rome 2-го поколения содержат гигантские 39,54 миллиарда транзисторов, детальное изображение кристалла ввода-вывода» . Проверено 24 октября 2019 г.

[148] Фридман, Алан (14 декабря 2019 г.). «5-нм процессор Kirin 1020 появится в линейке Huawei Mate 40 в следующем году» . Телефонная арена . Проверено 23 декабря 2019 г.

[149] Верхейде, Арне (5 декабря 2019 г.). «Amazon сравнивает 64-ядерный процессор ARM Graviton2 с процессором Intel Xeon» . Аппаратное обеспечение Тома . Проверено 6 декабря 2019 г.

[150] Морган, Тимоти Прикетт (3 декабря 2019 г.). «Наконец: AWS дает серверам реальный шанс» . Следующая платформа . Проверено 6 декабря 2019 г.

[151] Фридман, Алан (10 октября 2019 г.). «Сообщается, что Qualcomm представит процессор Snapdragon 865 уже в следующем месяце» . Телефонная арена . Проверено 19 февраля 2021 г.

[152] «Анализ разборки Xiaomi Mi 10 | TechInsights» . www.techinsights.com . Проверено 19 февраля 2021 г.

[153] «The Linley Group — TI Jacinto ускоряет ADAS уровня 3» . www.linleygroup.com . Проверено 12 февраля 2021 г.

[154] «Apple представляет процессор A14 Bionic с на 40% более быстрым процессором и 11,8 миллиардами транзисторов» . Венчурбит . 10 ноября 2020 г. . Проверено 24 ноября 2020 г.

[155] «Apple заявляет, что новый чип M1 на базе Arm обеспечивает «самое длительное время автономной работы в Mac» » . Грань . 10 ноября 2020 г. . Проверено 11 ноября 2020 г.

[156] Икоба, Джед Джон (23 октября 2020 г.). «Множественные тесты производительности оценивают Kirin 9000 как один из самых мощных чипсетов на данный момент» . Штуковина . Проверено 14 ноября 2020 г.

[157] Фрумусану, Андрей. «Huawei анонсирует серию Mate 40: на базе 15,3 млрд транзисторов 5-нм Kirin 9000» . www.anandtech.com . Проверено 14 ноября 2020 г.

[zen3-158] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б Берд, Томас (2022). «2.7 Zen3: 7-нм микропроцессорное ядро AMD x86-64 2-го поколения» . Учеб. Международная конференция IEEE по твердотельным схемам . стр. 54–56.

[159] «В течение длительного времени Intel в очередной раз называла количество транзисторов в чипе. У Rocket Lake-S их должно быть около 6 миллиардов. У Coffee Lake-S должно быть около 4 миллиардов. Чип с восемью ядрами примерно на 30 % больше, чем у предшественника с десятью ядрами» . твиттер . Проверено 16 марта 2021 г.

[160] «Intel Core i7-11700K 'Rocket Lake' исключен: раскрыта большая кость» . томсаппаратное обеспечение . 12 марта 2021 г. Проверено 16 марта 2021 г.

[161] «Плотность Intel 14 нм» . www.techcenturion.com . Проверено 26 ноября 2019 г.

[162] «Характеристики AMD Ryzen 7 5800H» . TechPowerUp . Проверено 20 сентября 2021 г.

[163] «Спецификации AMD Epyc 7763» . Август 2023.

[164] Шенкленд, Стивен. «Чип Apple A15 Bionic обеспечивает iPhone 13 15 миллиардами транзисторов, новой графикой и искусственным интеллектом» . CNET . Проверено 20 сентября 2021 г.

[165] «Разборка Apple iPhone 13 Pro | TechInsights» . www.techinsights.com . Проверено 29 сентября 2021 г.

[VentureBeat_M1_Pro_and_Max-166] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «Apple представляет чипы M1 Pro и M1 Max для новейших ноутбуков MacBook Pro» . ВенчурБит . 18 октября 2021 г.

[AnandTech_M1_Pro_and_Max-167] «Apple анонсирует M1 Pro и M1 Max: гигантские новые процессоры Arm с высочайшей производительностью» . АнанадТех . Проверено 2 декабря 2021 г.

[BBC_M1_Pro_and_Max-168] «Apple представляет новые компьютерные чипы в условиях дефицита» . Новости Би-би-си . 19 октября 2021 г.

[m1_max_die_TI-169] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «Apple присоединяется к портфелю 3D-тканей с M1 Ultra?» . ТехИнсайтс . Проверено 8 июля 2022 г.

[170] «Живой блог Hot Chips 2020» . АнандТех . 17 августа 2020 г.

[171] «Phantom X2 Series 5G на базе MediaTek Dimensity 9000» . Медиатек . 12 декабря 2022 г.

[172] «МедиаТек Дименсити 9000» . Медиатек . 21 января 2023 г.

[173] «Apple A16 Bionic анонсирован для iPhone 14 Pro и iPhone 14 Pro Max» . НоутбукПроверка . 7 сентября 2022 г.

[174] «Только модели iPhone 14 Pro и Pro Max получат новый чип A16» . CNET . 7 сентября 2022 г.

[175] «Прямой блог о осеннем мероприятии Apple iPhone 2022» . АнандТех . 7 сентября 2022 г.

[Apple_M1_Ultra-176] «Apple представляет M1 Ultra, самый мощный в мире чип для персонального компьютера» . Отдел новостей Apple . Проверено 9 марта 2022 г.

[CNET_M1_Ultra-177] Шенкленд, Стивен. «Познакомьтесь с огромным 20-ядерным процессором Apple M1 Ultra — мозгом нового компьютера Mac Studio» . CNET . Проверено 9 марта 2022 г.

[milanx_at-178] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «AMD выпускает процессоры Milan-X» . АнандТех . 21 марта 2022 г.

[179] «Слайд IBM Telum Hot Chips» (PDF) . 23 августа 2021 г.

[180] «Анонс IBM z16» . 5 апреля 2022 г.

[181] «Apple представляет M2, еще больше развивая революционную производительность и возможности M1» . Яблоко . 6 июня 2022 г.

[182] «MediaTek Dimensity 9200: дебютирует новый флагманский чипсет с процессором ARM Cortex-X3 и графическими ядрами Immortalis-G715, построенными на базе узла TSMC N4P» . НоутбукПроверка . 8 ноября 2022 г.

[183] «Размерность 9200 спецификаций» . Медиатек . 8 ноября 2022 г.

[184] «Презентация Dimensity 9200» . Медиатек . 8 ноября 2022 г.

[185] «AMD EPYC Genoa превосходит Intel Xeon в потрясающем стиле» . Сервис TheHome . 10 ноября 2022 г.

[186] «AMD стремится преодолеть барьер ZettaFLOP к 2035 году и разрабатывает планы следующего поколения для решения проблем эффективности» . Апелляции . 21 февраля 2023 г.

[187] «AMD прокладывает путь к Zettascale-вычислениям: рассказывает о производительности ЦП и графического процессора, а также тенденциях эффективности, корпусе микросхем нового поколения и многом другом» . WCCFtech . 20 февраля 2023 г.

[188] «Утечка платформы AMD EPYC Genoa и SP5 — 5-нм ПЗС-матрица Zen 4, размер примерно 72 мм, корпус с 12 ПЗС-матрицами площадью 5428 мм2, пиковая мощность на разъеме до 700 Вт» . WCCFtech . 17 августа 2021 г.

[189] «Утечка документов AMD Epyc Genoa раскрывает 96 ядер, максимальную TDP 700 Вт и размеры чиплета Zen 4» . Аппаратное время . 17 августа 2021 г.

[190] «В Kirin 9000S примерно на 6 миллиардов транзисторов меньше, чем в Kirin 9000, но производительность у него выше! Как вам это удалось?» . iNews . 13 сентября 2023 г. . Проверено 24 сентября 2023 г.

[anandtech.com2024-191] «Apple объявляет о выпуске SoC M4: новейшие и лучшие запуски iPad Pro 2024 года» . Анандтех . 7 мая 2024 г.

[arstechnica.com-192] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с «Apple представляет новую линейку чипов M3, начиная с M3, M3 Pro и M3 Max» . Арстехника . 31 октября 2023 г.

[193] Голдман, Джошуа. «Чип Apple A17 Pro: новый мозг внутри iPhone 15 Pro, Pro Max» . CNET . Проверено 12 сентября 2023 г.

[194] «Масштабируемые процессоры Intel Xeon Sapphire Rapids 4-го поколения делают скачок вперед» . Сервис TheHome . 10 января 2023 г.

[195] «Как четыре штампа становятся «монолитными» Сапфировыми Рапидами» . оборудованиеLUXX . 21 февраля 2022 г.

[m2promax-196] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «Apple представляет M2 Pro и M2 Max: чипы нового поколения для рабочих процессов нового уровня» . Apple (пресс-релиз). 17 января 2023 г.

[197] «AMD EPYC Bergamo представила 128 ядер на сокет и 1024 потока на 1U» . Сервис TheHome . 13 июня 2023 г.

[198] «Ускорители AMD Instinct MI300A» . АМД . Проверено 14 января 2024 г.

[199] Алкорн, Пол (6 декабря 2023 г.). «AMD представляет графический процессор Instinct MI300X и APU MI300A, заявляя, что они в 1,6 раза опережают конкурирующие графические процессоры Nvidia» . Аппаратное обеспечение Тома . Проверено 14 января 2024 г.

[200] Уильямс, Крис. «Tesla P100 от NVIDIA имеет 15 миллиардов транзисторов, 21 терафлопс» . www.theregister.co.uk . Проверено 12 августа 2019 г.

[201] «Известные графические чипы: контроллер графического дисплея NEC μPD7220» . Компьютерное общество IEEE . Институт инженеров электротехники и электроники . 22 августа 2018 года . Проверено 21 июня 2019 г.

[202] «История графического процессора: Hitachi ARTC HD63484. Второй графический процессор» . Компьютерное общество IEEE . Институт инженеров электротехники и электроники . 7 октября 2018 г. Проверено 21 июня 2019 г.

[203] «Большая книга аппаратного обеспечения Amiga» .

[204] МОП-технология Агнус . ISBN 5511916846 .

[klingerphotography-205] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «30 лет консольных игр» . Клингерская фотография . 20 августа 2017 г. Проверено 19 июня 2019 г.

[206] «Сега Сатурн» . МАМЕ . Проверено 18 июля 2019 г.

[207] «ЧИПЫ ASIC — ПОБЕДИТЕЛИ В ОТРАСЛИ» . Вашингтон Пост . 18 сентября 1995 года . Проверено 19 июня 2019 г.

[208] «Пришло ли время переименовать графический процессор?» . Исследования Джона Педди . Компьютерное общество IEEE . 9 июля 2018 года . Проверено 19 июня 2019 г.

[patpend-209] «FastForward Sony использует логику LSI для процессорного чипа видеоигр PlayStation» . ФастФорвард . Проверено 29 января 2014 г.

[rcp-210] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «Сопроцессор реальности — сила Nintendo64» (PDF) . Кремниевая графика . 26 августа 1997 г. Архивировано из оригинала (PDF) 19 мая 2020 г. . Проверено 18 июня 2019 г.

[211] «Графический процессор Imagination PowerVR PCX2» . VideoCardz.net . Проверено 19 июня 2019 г.

[pcgamer-212] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д ^и ^ж ^г ^час Лилли, Пол (19 мая 2009 г.). «От Voodoo до GeForce: потрясающая история 3D-графики» . ПК-геймер . Проверено 19 июня 2019 г.

[vintage3d-213] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д ^и ^ж ^г ^час ^я ^дж ^к ^л ^м ^н ^тот ^п ^д ^р ^с ^т ^в ^v ^В ^х ^и ^С ^аа ^аб ^и ^{объявление} ^но ^из ^в ^ах ^есть ^также ^и ^аль ^{являюсь} «База данных 3D-ускорителя» . Винтажное 3D . Проверено 21 июля 2019 г.

[214] «Технический паспорт RIVA128» . СЖС Томсон Микроэлектроника . Проверено 21 июля 2019 г.

[techspot-215] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с Певец, Грэм (3 апреля 2013 г.). «История современного графического процессора, часть 2» . ТехСпот . Проверено 21 июля 2019 г.

[bit-tech-216] «Вспоминая Sega Dreamcast» . Бит-Тех . 29 сентября 2009 года . Проверено 18 июня 2019 г.

[217] Вайнберг, Нил (7 сентября 1998 г.). «Возвращение, малыш» . Форбс . Проверено 19 июня 2019 г.

[218] Чарльз, Берти (1998). «Новое измерение Sega» . Форбс . 162 (5–9). Forbes Incorporated: 206. Чип, выгравированный с точностью до 0,25 микрона — самый современный для графических процессоров — вмещает 10 миллионов транзисторов.

[Unified-219] Хагивара, Сиро; Оливер, Ян (ноябрь – декабрь 1999 г.). «Sega Dreamcast: Создание единого мира развлечений» . IEEE микро . 19 (6). Компьютерное общество IEEE : 29–35. дои : 10.1109/40.809375 . Архивировано из оригинала 23 августа 2000 года . Проверено 27 июня 2019 г.

[220] «VideoLogic Neon 250 4MB» . VideoCardz.net . Проверено 19 июня 2019 г.

[221] Шимпи, Ананд Лал (21 ноября 1998 г.). «Осеннее освещение Comdex '98» . АнандТех . Проверено 19 июня 2019 г.

[sony2003-222] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с «EMOTION ENGINE И ГРАФИЧЕСКИЙ СИНТЕЗАТОР, ИСПОЛЬЗУЕМЫЙ В ЯДРЕ PLAYSTATION, СТАНОВЯТСЯ ОДНИМ ЧИПОМ» (PDF) . Сони . 21 апреля 2003 года . Проверено 26 июня 2019 г.

[223] «Характеристики графического процессора NVIDIA NV10 A3» . TechPowerUp . Проверено 19 июня 2019 г.

[224] Сотрудники IGN (4 ноября 2000 г.). «Gamecube против PlayStation 2» . ИГН . Проверено 22 ноября 2015 г.

[225] «Характеристики графического процессора NVIDIA NV2A» . TechPowerUp . Проверено 21 июля 2019 г.

[226] «Спецификации графического процессора ATI Xenos» . TechPowerUp . Проверено 21 июня 2019 г.

[227] International, GamesIndustry (14 июля 2005 г.). «TSMC будет производить графический процессор X360» . Еврогеймер . Проверено 22 августа 2006 г.

[228] «Характеристики NVIDIA Playstation 3 RSX 65 нм» . TechPowerUp . Проверено 21 июня 2019 г.

[shrink_plan-229] «Графический чип PS3 осенью перейдет на 65 нм» . Край онлайн. 26 июня 2008 г. Архивировано из оригинала 25 июля 2008 г.

[230] «1,4 миллиарда транзисторных графических процессоров NVIDIA: GT200 появится как GeForce GTX 280 и 260» . AnandTech.com . Проверено 9 августа 2014 г.

[231] «Radeon HD 4850 и 4870: AMD выигрывает по цене 199 и 299 долларов» . AnandTech.com . Проверено 9 августа 2014 г.

[autogenerated1-232] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б Гласковский, Питер. «ATI и Nvidia стоят друг против друга» . CNET. Архивировано из оригинала 27 января 2012 года . Проверено 9 августа 2014 г.

[233] Волигроски, Дон (22 декабря 2011 г.). «AMD Радеон HD 7970» . TomsHardware.com . Проверено 9 августа 2014 г.

[NK_1-234] «Архитектура NVIDIA Kepler GK110» (PDF) . NVIDIA . 2012 . Проверено 9 января 2024 г.

[235] Смит, Райан (12 ноября 2012 г.). «NVIDIA запускает Tesla K20 и K20X: наконец-то появился GK110» . АнандТех .

[236] «Информационный документ: NVIDIA GeForce GTX 680» (PDF) . NVIDIA. 2012. Архивировано из оригинала (PDF) 17 апреля 2012 года.

[Xbox-Transistors-237] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б Кан, Майкл (18 августа 2020 г.). «Xbox Series X может подвергнуть ваш кошелек тренировке из-за высоких затрат на производство чипов» . PCMag . Проверено 5 сентября 2020 г.

[238] «Графический процессор AMD Xbox One» . www.techpowerup.com . Проверено 5 февраля 2020 г.

[239] «Графический процессор AMD PlayStation 4» . www.techpowerup.com . Проверено 5 февраля 2020 г.

[240] «Графический процессор AMD Xbox One S» . www.techpowerup.com . Проверено 5 февраля 2020 г.

[241] «Графический процессор AMD PlayStation 4 Pro» . www.techpowerup.com . Проверено 5 февраля 2020 г.

[242] Смит, Райан (29 июня 2016 г.). «Предварительный просмотр AMD RX 480» . Anandtech.com . Проверено 22 февраля 2017 г.

[gf-samsung-243] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с Шор, Дэвид (22 июля 2018 г.). «СБИС 2018: лучшие показатели производительности 12-нанометрового технологического процесса GlobalFoundries, 12LP» . Викичип-предохранитель . Проверено 31 мая 2019 г.

[244] Харрис, Марк (5 апреля 2016 г.). «Внутри Паскаля: новейшая вычислительная платформа NVIDIA» . Блог разработчиков NVIDIA .

[pascal_tpu-245] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д ^и ^ж «База данных графического процессора: Паскаль» . TechPowerUp . 26 июля 2023 г.

[246] «Графический процессор AMD Xbox One X» . www.techpowerup.com . Проверено 5 февраля 2020 г.

[247] «Архитектура Vega нового поколения от Radeon» (PDF) .

[volta-248] Дюрант, Люк; Жиру, Оливье; Харрис, Марк; Стэм, Ник (10 мая 2017 г.). «Внутри Volta: самый продвинутый в мире графический процессор для центров обработки данных» . Блог разработчиков NVIDIA .

[249] «АРХИТЕКТУРА ГП NVIDIA TURING: новое изобретение графики» (PDF) . Нвидиа . 2018 . Проверено 28 июня 2019 г.

[250] «НВИДИА GeForce GTX 1650» . www.techpowerup.com . Проверено 5 февраля 2020 г.

[251] «НВИДИА GeForce GTX 1660 Ti» . www.techpowerup.com . Проверено 5 февраля 2020 г.

[252] «AMD Radeon RX 5700 XT» . www.techpowerup.com . Проверено 5 февраля 2020 г.

[253] «AMD Radeon RX 5500 XT» . www.techpowerup.com . Проверено 5 февраля 2020 г.

[254] «Спецификации графического процессора AMD Arcturus» . TechPowerUp . Проверено 10 ноября 2022 г.

[ga100-255] Уолтон, Джаред (14 мая 2020 г.). «Nvidia представляет 7-нм графический процессор Ampere A100 следующего поколения для центров обработки данных, и он просто огромен» . Аппаратное обеспечение Тома .

[256] «Архитектура NVIDIA Ampere» . www.nvidia.com . Проверено 15 мая 2020 г.

[257] «Характеристики графического процессора NVIDIA GA102» . Techpowerup . Проверено 5 сентября 2020 г.

[258] « Гигантский шаг в будущее»: генеральный директор NVIDIA представляет графические процессоры серии GeForce RTX 30» . www.nvidia.com . Сентябрь 2020 года . Проверено 5 сентября 2020 г.

[259] «Характеристики графического процессора NVIDIA GA103» . TechPowerUp . Проверено 21 марта 2023 г.

[260] «Характеристики NVIDIA GeForce RTX 3070» . TechPowerUp . Проверено 20 сентября 2021 г.

[261] «Характеристики NVIDIA GA106» . TechPowerUp . Проверено 22 марта 2023 г.

[262] «Характеристики графического процессора NVIDIA GA107» . TechPowerUp . Проверено 21 марта 2023 г.

[263] «Оценочные размеры кристалла MI250X» . Твиттер . 17 ноября 2021 г.

[264] «Профессиональная видеокарта AMD Instinct MI250» . ВидеоКардз . 2 ноября 2022 г.

[265] «На фото карта AMD Instinct MI250X OAM: раскрыт огромный кристалл Альдебарана» . Аппаратное обеспечение Тома . 17 ноября 2021 г.

[266] «AMD MI250X и топлоги, объясненные на HC34» . Сервис TheHome . 22 августа 2022 г.

[267] «Nvidia выпускает графический процессор Hopper H100, новые процессоры DGX и суперчипы Grace» . HPCWire . 22 марта 2022 г. . Проверено 23 марта 2022 г.

[268] «NVIDIA подробно описывает графический процессор AD102, до 18432 ядер CUDA, 76,3B транзисторов и 608 мм ². . VideoCardz 20 сентября 2022 года.

[ada103-269] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «NVIDIA подтверждает характеристики графического процессора Ada 102/103/104, AD104 имеет больше транзисторов, чем GA102» . ВидеоКардз . 23 сентября 2022 г.

[ad106-270] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «Обнародованы фотографии, характеристики и размеры предполагаемых графических процессоров Nvidia AD106 и AD107» . Аппаратное обеспечение Тома . 3 февраля 2023 г.

[271] «На фото графический процессор NVIDIA GeForce RTX 4060 Ti AD106-350, в котором используются кристаллы Samsung GDDR6» . WCCFtech . 28 апреля 2023 г.

[272] «На фото самый маленький графический процессор Ada от NVIDIA, AD107-400, для графических процессоров GeForce RTX 4060» . WCCFtech . 21 мая 2023 г.

[273] «AMD представляет самые передовые в мире игровые видеокарты, созданные на основе революционной архитектуры AMD RDNA 3 с чипсетной конструкцией» . AMD (пресс-релиз). 3 ноября 2022 г.

[274] «AMD анонсирует Radeon RX 7900 XTX за 999 долларов… (сноска RX-819)» . TechPowerUp . 4 ноября 2022 г.

[275] «Характеристики графического процессора AMD Navi 31» . TechPowerUp . Проверено 7 ноября 2023 г.

[276] «Характеристики графического процессора AMD Navi 32» . TechPowerUp . Проверено 7 ноября 2023 г.

[277] «Характеристики графического процессора AMD Navi 33» . TechPowerUp . Проверено 21 марта 2023 г.

[278] «У AMD есть графический процессор, конкурирующий с H100 от Nvidia» . HPCWire . 13 июня 2023 г. . Проверено 14 июня 2023 г.

[279] «Спецификации AMD Aqua Vanjaram» . TechPowerUp . Проверено 14 января 2024 г.

[280] «Платформа NVIDIA Blackwell открывает новую эру вычислений» (пресс-релиз). 18 марта 2024 г.

[281] « Тайваньская компания UMC поставляет 65-нм FPGA для Xilinx ». SDA-ASIA Четверг, 9 ноября 2006 г.

[282] " «Новые 40-нм FPGA Altera — 2,5 миллиарда транзисторов!» . pldesignline.com . Архивировано из оригинала 19 июня 2010 года . Проверено 22 января 2009 г.

[283] «Проектирование SoC FPGA высокой плотности по 20-нм техпроцессу» (PDF) . 2014. Архивировано из оригинала (PDF) 23 апреля 2016 года . Проверено 16 июля 2017 г.

[284] Максфилд, Клайв (октябрь 2011 г.). «Новая FPGA Xilinx Virtex-7 2000T обеспечивает эквивалент 20 миллионов вентилей ASIC» . ЭТаймс . АспенКор . Проверено 4 сентября 2019 г.

[285] Гринхилл, Д.; Хо, Р.; Льюис, Д.; Шмит, Х.; Чан, К.Х.; Тонг, А.; Атсатт, С.; Как, Д.; МакЭлэни, П. (февраль 2017 г.). «3.3 14-нм FPGA, 1 ГГц с интеграцией 2.5D-трансивера». Международная конференция IEEE по твердотельным схемам (ISSCC) , 2017 г. стр. 54–55. дои : 10.1109/ISSCC.2017.7870257 . ISBN 978-1-5090-3758-2 . S2CID 2135354 .

[286] «3.3 14-нм FPGA, 1 ГГц с интеграцией 2.5D-трансивера | DeepDyve» . 17 мая 2017 года. Архивировано из оригинала 17 мая 2017 года . Проверено 19 сентября 2019 г.

[287] Сантарини, Майк (май 2014 г.). «Xilinx поставляет первые в отрасли 20-нм полностью программируемые устройства» (PDF) . Журнал Xcell . № 86. Ксилинкс . п. 14 . Проверено 3 июня 2014 г.

[288] Джанелли, Сильвия (январь 2015 г.). «Xilinx поставляет первое в отрасли устройство с логическими ячейками размером 4 МБ, предлагающее более 50 МБ эквивалентных вентилей ASIC и в 4 раза большую емкость, чем конкурентные альтернативы» . www.xilinx.com . Проверено 22 августа 2019 г.

[290] Симс, Тара (август 2019 г.). «Xilinx представляет самую большую в мире FPGA с 9 миллионами системных логических ячеек» . www.xilinx.com . Проверено 22 августа 2019 г.

[291] Верхейде, Арне (август 2019 г.). «Xilinx представляет крупнейшую в мире FPGA с 35 миллиардами транзисторов» . www.tomshardware.com . Проверено 23 августа 2019 г.

[292] Катресс, Ян (август 2019 г.). «Xilinx объявляет о выпуске крупнейшей в мире FPGA: Virtex Ultrascale+ VU19P с 9-метровыми ячейками» . www.anandtech.com . Проверено 25 сентября 2019 г.

[293] Абазович, Фуад (май 2019 г.). «Xilinx 7nm Versal снят с производства в прошлом году» . Проверено 30 сентября 2019 г.

[294] Катресс, Ян (август 2019 г.). «Hot Chips 31 Live Blogs: Xilinx Versal AI Engine» . Проверено 30 сентября 2019 г.

[295] Кревелл, Кевин (август 2019 г.). «Hot Chips 2019 освещает новые стратегии искусственного интеллекта» . Проверено 30 сентября 2019 г.

[296] Лейбсон, Стивен (6 ноября 2019 г.). «Intel анонсирует Intel Stratix 10 GX 10M FPGA, самую высокую в мире емкость с 10,2 миллионами логических элементов» . Проверено 7 ноября 2019 г.

[297] Верхейде, Арне (6 ноября 2019 г.). «Intel представляет крупнейшую в мире ПЛИС с 43,3 миллиарда транзисторов» . Проверено 7 ноября 2019 г.

[299] Катресс, Ян (август 2020 г.). «Живой блог Hot Chips 2020: ACAP Xilinx Versal» . Проверено 9 сентября 2020 г.

[300] «Xilinx объявляет о полных поставках 7-нм устройств Versal AI Core и устройств серии Versal Prime» . 27 апреля 2021 г. Проверено 8 мая 2021 г.

[HC-301] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б Память DRAM Роберта Деннарда History-Computer.com

[shmj-mos-302] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д «Конец 1960-х: Начало МОП-памяти» (PDF) . Музей истории полупроводников Японии . 23 января 2019 года . Проверено 27 июня 2019 г.

[computerhistory1970-303] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д ^и ^ж «1970: Полупроводники конкурируют с магнитными сердечниками» . Музей истории компьютеров . Проверено 19 июня 2019 г.

[304] «2.1.1 Флэш-память» . ТУ Вена . Проверено 20 июня 2019 г.

[305] Шилов, Антон. «SK Hynix начинает производство 128-слойной памяти 4D NAND, 176-слойная находится в стадии разработки» . www.anandtech.com . Проверено 16 сентября 2019 г.

[306] «Samsung начинает производство 100-слойной флэш-памяти V-NAND шестого поколения» . Перспектива ПК . 11 августа 2019 года . Проверено 16 сентября 2019 г.

[computerhistory1966-307] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «1966: Полупроводниковые ОЗУ удовлетворяют потребности в высокоскоростных запоминающих устройствах» . Музей истории компьютеров . Проверено 19 июня 2019 г.

[308] «Технические характеристики Toshiba «TOSCAL» BC-1411» . Веб-музей старого калькулятора . Архивировано из оригинала 3 июля 2017 года . Проверено 8 мая 2018 г.

[309] «Настольный калькулятор Toshiba «Toscal» BC-1411» . Веб-музей старого калькулятора . Архивировано из оригинала 20 мая 2007 года.

[310] Каструччи, Пол (10 мая 1966 г.). «IBM первая в области памяти IC» (PDF) . Новости IBM . Том. 3, нет. 9. Корпорация IBM . Проверено 19 июня 2019 г. - из Музея компьютерной истории .

[Intel-Product-Timeline-311] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д ^и ^ж ^г ^час ^я ^дж ^к ^л ^м «Хронологический список продуктов Intel. Продукты отсортированы по дате» (PDF) . Музей Интел . Корпорация Интел. Июль 2005 г. Архивировано из оригинала (PDF) 9 августа 2007 г. Проверено 31 июля 2007 г.

[shmj-1970s-sram-312] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «1970-е: эволюция SRAM» (PDF) . Музей истории полупроводников Японии . Проверено 27 июня 2019 г.

[Pimbley-313] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с Пимбли, Дж. (2012). Передовая технология КМОП-процесса . Эльзевир . п. 7. ISBN 9780323156806 .

[Intel2003-314] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «Intel: 35 лет инноваций (1968–2003)» (PDF) . Интел. 2003. Архивировано из оригинала (PDF) 4 ноября 2021 года . Проверено 26 июня 2019 г.

[Lojek-1103-315] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б Лоек, Бо (2007). История полупроводниковой техники . Springer Science & Business Media . стр. 362–363. ISBN 9783540342588 . i1103 был изготовлен по 6-масковой технологии P-MOS с кремниевым затвором и минимальной толщиной 8 мкм. Полученный продукт имел толщину 2400 мкм. ² размер ячейки памяти, размер кристалла чуть менее 10 мм ²и продавались примерно за 21 доллар.

[316] «Производители из Японии выходят на рынок DRAM, и плотность интеграции повышается» (PDF) . Музей истории полупроводников Японии . Проверено 27 июня 2019 г.

[Gealow-317] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д ^и ^ж ^г ^час ^я ^дж ^к ^л ^м ^н Гелоу, Джеффри Карл (10 августа 1990 г.). «Влияние технологии обработки на конструкцию усилителя DRAM Sense» (PDF) . Массачусетский технологический институт . стр. 149–166 . Получено 25 июня 2019 г. - через CORE .

[318] «Кремниевые ворота МОП 2102А» . Интел . Проверено 27 июня 2019 г.

[319] «Одна из самых успешных динамических ОЗУ 16 КБ: 4116» . Национальный музей американской истории . Смитсоновский институт . Проверено 20 июня 2019 г.

[320] Каталог данных компонентов (PDF) . Интел . 1978. стр. 3–94 . Проверено 27 июня 2019 г.

[stol-321] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д ^и ^ж ^г ^час ^я ^дж ^к ^л ^м ^н ^тот ^п ^д ^р ^с ^т «Память» . STOL (Полупроводниковые технологии онлайн) . Архивировано из оригинала 2 ноября 2023 года . Проверено 25 июня 2019 г.

[322] «Передовые технологии интегральных схем: первая динамическая оперативная память емкостью 294 912 бит (288 КБ)» . Национальный музей американской истории . Смитсоновский институт . Проверено 20 июня 2019 г.

[323] «История компьютера за 1984 год» . Компьютерная надежда . Проверено 25 июня 2019 г.

[324] «Японские технические рефераты» . Японские технические рефераты . 2 (3–4). Университетские микрофильмы: 161. 1987. Анонс 1M DRAM в 1984 году положил начало эпохе мегабайт.

[325] «Технический паспорт KM48SL2000-7» . Samsung . Август 1992 года . Проверено 19 июня 2019 г.

[326] «Электронный дизайн» . Электронный дизайн . 41 (15–21). Издательская компания Хайден. 1993. Первая коммерческая синхронная память DRAM, 16-Мбит KM48SL2000 от Samsung, использует однобанковую архитектуру, которая позволяет разработчикам систем легко переходить от асинхронных к синхронным системам.

[HB19950109-327] Преодолевая гигабитный барьер, DRAM в ISSCC предвещают серьезное влияние на проектирование систем. (динамическая оперативная память; Международная конференция по твердотельным схемам; исследования и разработки Hitachi Ltd. и NEC Corp.) , 9 января 1995 г.

[smithsonian-japan-328] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «Профили японских компаний» (PDF) . Смитсоновский институт . 1996 год . Проверено 27 июня 2019 г.

[hynix90s-329] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «История: 1990-е годы» . СК Хайникс . Архивировано из оригинала 5 февраля 2021 года . Проверено 6 июля 2019 г.

[330] «Чипы Samsung DDR3 емкостью 2 ГБ, изготовленные по 50-нм техпроцессу, являются самыми маленькими в отрасли» . СлэшГир . 29 сентября 2008 года . Проверено 25 июня 2019 г.

[331] Шилов Антон (19 июля 2017 г.). «Samsung увеличивает объемы производства чипов HBM2 емкостью 8 ГБ из-за растущего спроса» . АнандТех . Проверено 29 июня 2019 г.

[332] «Samsung представляет вместительную оперативную память DDR4 объемом 256 ГБ» . Аппаратное обеспечение Тома . 6 сентября 2018 года. Архивировано из оригинала 21 июня 2019 года . Проверено 21 июня 2019 г.

[333] «Первые 3D-нанотрубки и микросхемы RRAM выходят из литейного производства» . IEEE Spectrum: Новости технологий, техники и науки . 19 июля 2019 г. . Проверено 16 сентября 2019 г. Эта пластина была изготовлена буквально в прошлую пятницу... и это первая монолитная 3D-ИС, когда-либо изготовленная на литейном заводе.

[334] «Трёхмерная монолитная система-на-чипе» . www.darpa.mil . Проверено 16 сентября 2019 г.

[335] «Инициатива DARPA 3DSoC завершает первый год, на саммите ERI представлена обновленная информация о ключевых шагах, достигнутых для передачи технологии на литейный завод SkyWater толщиной 200 мм в США» . Skywater Technology Foundry (Пресс-релиз). 25 июля 2019 г. Проверено 16 сентября 2019 г.

[336] «Технический паспорт DD28F032SA» . Интел . Проверено 27 июня 2019 г.

[337] «TOSHIBA ОБЪЯВЛЯЕТ 0,13 МИКРОННЫЙ МОНОЛИТНЫЙ NAND NAND 1 ГБ С БОЛЬШИМ РАЗМЕРОМ БЛОКА ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ СКОРОСТИ ЗАПИСИ/СТИРАНИЯ» . Тошиба . 9 сентября 2002 года. Архивировано из оригинала 11 марта 2006 года . Проверено 11 марта 2006 г.

[338] «TOSHIBA И SANDISK ПРЕДСТАВЛЯЮТ ОДНОГИГАБИТНЫЙ ЧИП ФЛЭШ-ПАМЯТИ NAND, УВЕЛИЧИВАЮЩУЮ ЕМКОСТЬ БУДУЩИХ ФЛЕШ-ПАМЯТИ В ДВУХ РАЗ» . Тошиба . 12 ноября 2001 года . Проверено 20 июня 2019 г.

[samsung2000s-339] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д «Наше гордое наследие с 2000 по 2009 год» . Самсунг Полупроводник . Samsung . Проверено 25 июня 2019 г.

[340] «TOSHIBA ОБЪЯВЛЯЕТ ОБЪЕМ 1 ГИГАБАЙТА COMPACTFLASH-КАРТЫ» . Тошиба . 9 сентября 2002 года. Архивировано из оригинала 11 марта 2006 года . Проверено 11 марта 2006 г.

[samsung-history-341] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д «История» . Самсунг Электроникс . Samsung . Проверено 19 июня 2019 г.

[Toshiba2007-342] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «TOSHIBA ВЫВОДИТ НА коммерцию ВСТРАИВАЕМУЮ ФЛЭШ-ПАМЯТЬ NAND ВЫСОКОЙ ЕМКОСТИ ДЛЯ МОБИЛЬНЫХ ПОТРЕБИТЕЛЬСКИХ ТОВАРОВ» . Тошиба . 17 апреля 2007. Архивировано из оригинала 23 ноября 2010 года . Проверено 23 ноября 2010 г.

[Toshiba2008-343] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «Toshiba выпускает устройства встроенной флэш-памяти NAND самой большой плотности» . Тошиба . 7 августа 2008 года . Проверено 21 июня 2019 г.

[toshiba2010-344] «Toshiba выпускает крупнейшие в отрасли встраиваемые модули флэш-памяти NAND» . Тошиба . 17 июня 2010 года . Проверено 21 июня 2019 г.

[345] «Семейство продуктов Samsung e·MMC» (PDF) . Самсунг Электроникс . Декабрь 2011 г. Архивировано из оригинала (PDF) 8 ноября 2019 г. . Проверено 15 июля 2019 г.

[anandtech-samsung-2017-346] Шилов, Антон (5 декабря 2017 г.). «Samsung начинает производство флэш-памяти UFS NAND объемом 512 ГБ: 64-слойная V-NAND, скорость чтения 860 МБ/с» . АнандТех . Проверено 23 июня 2019 г.

[electronicsweekly-samsung-347] Маннерс, Дэвид (30 января 2019 г.). «Samsung производит флэш-модуль eUFS емкостью 1 ТБ» . Еженедельник электроники . Проверено 23 июня 2019 г.

[anandtech-samsung-2018-348] Таллис, Билли (17 октября 2018 г.). «Samsung делится планами развития твердотельных накопителей для QLC NAND и 96-слойной 3D NAND» . АнандТех . Проверено 27 июня 2019 г.

[349] «232-слойная NAND от Micron уже в продаже» . АнандТех . 26 июля 2022 г.

[350] «232-слойная NAND» . Микрон . Проверено 17 октября 2022 г.

[351] «Первый на рынке, не имеющий аналогов: первая в мире 232-слойная NAND» . Микрон . 26 июля 2022 г.

[352] «Сравнение: новейшие продукты 3D NAND от YMTC, Samsung, SK hynix и Micron» . ТехИнсайтс . 11 января 2023 г.

[Huang2008-353] Хан-Вэй Хуан (5 декабря 2008 г.). Проектирование встроенной системы с C805 . Cengage Обучение. п. 22. ISBN 978-1-111-81079-5 . Архивировано из оригинала 27 апреля 2018 года.

[AufaureZimányi2013-354] Мари-Од Офор; Эстебан Зиманьи (17 января 2013 г.). Бизнес-аналитика: Вторая европейская летняя школа, eBISS 2012, Брюссель, Бельгия, 15–21 июля 2012 г., учебные лекции . Спрингер. п. 136. ИСБН 978-3-642-36318-4 . Архивировано из оригинала 27 апреля 2018 года.

[computerhistory1965-355] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д «1965: Появление полупроводниковых микросхем памяти только для чтения» . Музей истории компьютеров . Проверено 20 июня 2019 г.

[356] «1971: Представлено многоразовое полупроводниковое ПЗУ» . Механизм хранения . Музей истории компьютеров . Проверено 19 июня 2019 г.

[Iizuka-1976-357] Иидзука, Х.; Масуока, Ф.; Сато, Тай; Исикава, М. (1976). «Электрически изменяемая МОП-память лавинного типа, доступная только для чтения, со структурой многоуровневых затворов». Транзакции IEEE на электронных устройствах . 23 (4): 379–387. Бибкод : 1976ITED...23..379I . дои : 10.1109/T-ED.1976.18415 . ISSN 0018-9383 . S2CID 30491074 .

[358] ОДНОЧИПОВЫЙ МИКРОКОМПЬЮТЕР μCOM-43: РУКОВОДСТВО ПОЛЬЗОВАТЕЛЯ (PDF) . Микрокомпьютеры NEC . Январь 1978 года . Проверено 27 июня 2019 г.

[359] «2716: 16K (2K x 8) ПРОМЫШЛЕННЫЙ УФ-Стираемый» (PDF) . Интел. Архивировано из оригинала (PDF) 13 сентября 2020 г. Проверено 27 июня 2019 г.

[360] «КАТАЛОГ 1982 ГОДА» (PDF) . НЭК Электроникс . Проверено 20 июня 2019 г.

[361] Каталог данных компонентов (PDF) . Интел . 1978. стр. 1–3 . Проверено 27 июня 2019 г.

[362] «Техническое описание 27256» (PDF) . Интел . Проверено 2 июля 2019 г.

[363] «История полупроводникового бизнеса Fujitsu» . Фуджицу . Проверено 2 июля 2019 г.

[364] «Техническое описание D27512-30» (PDF) . Интел . Проверено 2 июля 2019 г.

[365] «Пионер компьютеров, заново открытый, 50 лет спустя» . Нью-Йорк Таймс . 20 апреля 1994 г. Архивировано из оригинала 4 ноября 2016 г.

[366] «История компьютеров и вычислительной техники, Рождение современного компьютера, Релейный компьютер, Джордж Стибиц» . история-компьютер.com . Проверено 22 августа 2019 г. Первоначально «Компьютер комплексных чисел» выполнял только комплексное умножение и деление, но позже простая модификация позволила ему также складывать и вычитать. В нем использовалось около 400–450 двоичных реле, 6–8 панелей и десять многопозиционных многополюсных реле, называемых «перекладинами», для временного хранения чисел.

[computerhistory-367] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д ^и «1953: Появление транзисторных компьютеров» . Музей истории компьютеров . Проверено 19 июня 2019 г.

[etl3-368] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «Компьютер на транзисторах ETL Mark III» . Компьютерный музей IPSJ . Общество обработки информации Японии . Проверено 19 июня 2019 г.

[ipsj-history-369] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «Краткая история» . Компьютерный музей IPSJ . Общество обработки информации Японии . Проверено 19 июня 2019 г.

[370] «1962: Аэрокосмические системы — первые приложения для микросхем в компьютерах | Кремниевый двигатель | Музей истории компьютеров» . www.computerhistory.org . Проверено 2 сентября 2019 г.

[straight_8-371] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «Восстановление работоспособности компьютера PDP-8 (Straight 8)» . www.pdp8.net . Проверено 22 августа 2019 г. Объединительные платы содержат 230 плат, примерно 10 148 диодов, 1 409 транзисторов, 5 615 резисторов и 1 674 конденсатора.

[372] «Калькулятор IBM 608» . ИБМ . 23 января 2003 года . Проверено 8 марта 2021 г.

[373] «【NEC】 NEAC-2201» . Компьютерный музей IPSJ . Общество обработки информации Японии . Проверено 19 июня 2019 г.

[374] «【Hitachi и Японские национальные железные дороги】 МАРС-1» . Компьютерный музей IPSJ . Общество обработки информации Японии . Проверено 19 июня 2019 г.

[DPS-375] Система обработки данных IBM 7070. Эйвери и др. (стр. 167)

[376] «【Matsushita Electric Industrial】 Компьютер на базе транзисторов MADIC-I» . Компьютерный музей IPSJ . Общество обработки информации Японии . Проверено 19 июня 2019 г.

[377] «【NEC】 NEAC-2203» . Компьютерный музей IPSJ . Общество обработки информации Японии . Проверено 19 июня 2019 г.

[378] «【Toshiba】 TOSBAC-2100» . Компьютерный музей IPSJ . Общество обработки информации Японии . Проверено 19 июня 2019 г.

[IBM-7090-379] 7090 Система обработки данных

[380] Луиджи Логриппо. «Мои первые два компьютера: Elea 9003 и Elea 6001: Воспоминания «голого» программиста» .

[381] «【Mitsubishi Electric】 MELCOM 1101» . Компьютерный музей IPSJ . Общество обработки информации Японии . Проверено 19 июня 2019 г.

[382] Эрих Блох (1959). Инженерный проект Stretch Computer (PDF) . Восточная объединенная компьютерная конференция.

[383] «【NEC】NEAC-L2» . Компьютерный музей IPSJ . Общество обработки информации Японии . Проверено 19 июня 2019 г.

[384] Торнтон, Джеймс (1970). Проектирование компьютера: управляющие данные 6600 . п. 20.

[385] «Цифровое оборудование PDP-8/S» .

[386] «PDP-8/S — попытка снижения затрат»

[387] "ПДП-8/С"

[388] «Корпорация цифрового оборудования PDP-8: Модели и опции: PDP-8/I» .

[389] Джеймс Ф. О'Локлин. «PDP-8/I: больше внутри, но меньше снаружи» .

[390] Ян М. Рабай, Цифровые интегральные схемы, осень 2001 г.: Конспекты курса, Глава 6: Проектирование комбинаторных логических элементов в КМОП , получено 27 октября 2012 г.

[Tinder2000-391] Ричард Ф. Тиндер (январь 2000 г.). Инженерный цифровой дизайн . Академическая пресса. ISBN 978-0-12-691295-1 .

[ieee_100-392] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д Инженеры Института электроэлектроники (2000). 100-2000 (7-е изд.). дои : 10.1109/IEESTD.2000.322230 . ISBN 978-0-7381-2601-2 . Стандарт IEEE 100-2000.

[kevin-393] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с Смит, Кевин (11 августа 1983 г.). «Процессор изображений обрабатывает 256 пикселей одновременно». Электроника .

[394] Канеллос, Майкл (9 февраля 2005 г.). «Сотовый чип: хит или хайп?» . Новости CNET . Архивировано из оригинала 25 октября 2012 года.

[396] Кеннеди, Патрик (июнь 2019 г.). «Практическое знакомство с картой Graphcore C2 IPU PCIe на выставке Dell Tech World» . www.servethehome.com . Проверено 29 декабря 2019 г.

[397] «Колосс – Графкор» . ru.wikichip.org . Проверено 29 декабря 2019 г.

[398] Графкор. «Технологии ИПУ» . www.graphcore.ai .

[399] «Cerebras представляет процессор второго поколения в форме пластины: 850 000 ядер, 2,6 триллиона транзисторов — ExtremeTech» . www.extremetech.com . Проверено 22 апреля 2021 г.

[400] «Двигатель Cerebras Wafer Scale WSE-2 и CS-2 на Hot Chips 34» . Сервис TheHome . 23 августа 2022 г.

[401] «NVIDIA NVLink4 NVSwitch и Hot Chips 34» . Сервис TheHome . 22 августа 2022 г.

[tmsc5nm-402] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б Шор, Дэвид (6 апреля 2019 г.). «TSMC начинает 5-нанометровое рисковое производство» . Викичип-предохранитель . Проверено 7 апреля 2019 г.

[403] «1960: Демонстрация металлооксидно-полупроводникового (МОП) транзистора» . Музей истории компьютеров . Проверено 17 июля 2019 г.

[Lojek-404] Лоек, Бо (2007). История полупроводниковой техники . Springer Science & Business Media . стр. 321–3. ISBN 9783540342588 .

[computerhistory1963-405] «1963: Изобретена дополнительная конфигурация МОП-схемы» . Музей истории компьютеров . Проверено 6 июля 2019 г.

[406] «1964: Представлена первая коммерческая МОП-ИС» . Музей истории компьютеров . Проверено 17 июля 2019 г.

[Lojek330-407] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б Лоек, Бо (2007). История полупроводниковой техники . Springer Science & Business Media . п. 330. ИСБН 9783540342588 .

[408] Ламбрехтс, Винанд; Синха, Саураб; Абдалла, Джассем Ахмед; Принслу, Жако (2018). Расширение закона Мура с помощью передовых методов проектирования и обработки полупроводников . ЦРК Пресс . п. 59. ИСБН 9781351248655 .

[409] Белзер, Джек; Хольцман, Альберт Г.; Кент, Аллен (1978). Энциклопедия компьютерных наук и технологий: Том 10 - Линейная и матричная алгебра микроорганизмов: компьютерная идентификация . ЦРК Пресс . п. 402. ИСБН 9780824722609 .

[410] «Краткое справочное руководство по микропроцессорам Intel» . Интел . Проверено 27 июня 2019 г.

[411] «1978: Быстрая CMOS SRAM с двумя лунками (Hitachi)» (PDF) . Музей истории полупроводников Японии . Проверено 5 июля 2019 г.

[412] «Технология 0,18 микрон» . ТСМС . Проверено 30 июня 2019 г.

[fujitsu-413] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д 65-нм техпроцесс КМОП

[414] Дифендорф, Кейт (15 ноября 1999 г.). «Хэл заставляет искры летать». Отчет о микропроцессоре , Том 13, Номер 5.

[intel-anandtech-415] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б Катресс, Ян. «Глубокий обзор Intel Cannon Lake и Core i3-8121U по техпроцессу 10 нм» . АнандТех . Проверено 19 июня 2019 г.

[samsung2004-416] «Samsung представляет первую в отрасли 2-гигабитную память DDR2 SDRAM» . Самсунг Полупроводник . Samsung . 20 сентября 2004 года . Проверено 25 июня 2019 г.

[417] Уильямс, Мартин (12 июля 2004 г.). «Fujitsu и Toshiba начинают пробное производство 65-нм чипов» . Инфомир . Проверено 26 июня 2019 г.

[418] Презентация Elpida на Via Technology Forum 2005 и Годовой отчет Elpida за 2005 год.

[419] «Fujitsu представляет 65-нанометровую технологическую технологию мирового класса для передовых серверных и мобильных приложений» . Архивировано из оригинала 27 сентября 2011 года . Проверено 20 июня 2019 г.

[intel-ieee-420] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д «Intel теперь упаковывает 100 миллионов транзисторов на каждый квадратный миллиметр» . IEEE Spectrum: Новости технологий, техники и науки . 30 марта 2017 г. Проверено 14 ноября 2018 г.

[421] «Технология 40 нм» . ТСМС . Проверено 30 июня 2019 г.

[toshiba2009-422] «Toshiba добивается значительных успехов в области флэш-памяти NAND с технологией 3 бита на ячейку, изготовленной по 32-нм технологии, и с технологией 4 бита на ячейку, изготовленной по 43-нм технологии» . Тошиба . 11 февраля 2009 года . Проверено 21 июня 2019 г.

[hynix2010s-423] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «История: 2010-е» . СК Хайникс . Архивировано из оригинала 29 апреля 2021 года . Проверено 8 июля 2019 г.

[424] Шимпи, Ананд Лал (8 июня 2012 г.). «Демоверсии SandForce 19-нм Toshiba и 20-нм флэш-памяти IMFT NAND» . АнандТех . Проверено 19 июня 2019 г.

[tsmc-6nm-425] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б Шор, Дэвид (16 апреля 2019 г.). «TSMC объявляет о выпуске 6-нанометрового процесса» . Викичип-предохранитель . Проверено 31 мая 2019 г.

[426] «Технология 16/12 нм» . ТСМС . Проверено 30 июня 2019 г.

[8lpp-427] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с «СБИС 2018: 8-нм 8LPP от Samsung, расширение 10-нм» . Викичип-предохранитель . 1 июля 2018 года . Проверено 31 мая 2019 г.

[tomshardware-428] «Samsung массово производит 3-битную флэш-память MLC NAND емкостью 128 ГБ» . Аппаратное обеспечение Тома . 11 апреля 2013 года. Архивировано из оригинала 21 июня 2019 года . Проверено 21 июня 2019 г.

[429] «Технология 10 нм» . ТСМС . Проверено 30 июня 2019 г.

[sw_jones2020-430] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д ^и ^ж ^г ^час ^я «Сможет ли TSMC сохранить лидерство в области технологических процессов» . Поливики . 29 апреля 2020 г.

[Jones-431] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б Джонс, Скоттен (3 мая 2019 г.). «Сравнение 5-нм TSMC и Samsung» . Семивики . Проверено 30 июля 2019 г.

[Nenni-432] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с Нэнни, Дэниел (2 января 2019 г.). «Samsung против 7-нм обновления TSMC» . Семивики . Проверено 6 июля 2019 г.

[433] «Технология 7 нм» . ТСМС . Проверено 30 июня 2019 г.

[434] Шор, Дэвид (15 июня 2018 г.). «Взгляд на 10-нм стандартный элемент Intel в отчете TechInsights о i3-8121U обнаруживает рутений» . Викичип-предохранитель . Проверено 31 мая 2019 г.

[sw_samsung2019-435] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «Обновление Samsung Foundry 2019» . Поливики . 6 августа 2019 г.

[436] Джонс, Скоттен, 7-нм, 5-нм и 3-нм логика, текущие и прогнозируемые процессы

[437] Шилов, Антон. «Samsung завершает разработку 5-нм техпроцесса EUV» . АнандТех . Проверено 31 мая 2019 г.

[samsung-438] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д «Инновации Samsung Foundry создают будущее больших данных, искусственного интеллекта и машинного обучения и интеллектуальных подключенных устройств» . 7 октября 2021 г.

[439] «Qualcomm подтверждает, что Snapdragon 8 Gen 1 изготовлен с использованием 4-нм техпроцесса Samsung» . 2 декабря 2021 г.

[440] «Список смартфонов Snapdragon 8 Gen 1, доступных с декабря 2021 года» . 14 января 2022 г.

[n4p_wikichip-441] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «TSMC расширяет свое 5-нм семейство новым узлом N4P повышенной производительности» . ВикиЧип . 26 октября 2021 г.

[442] «MediaTek запускает Dimensity 9000, построенный на базе процесса TSMC N4» . 16 декабря 2021 г.

[443] «TSMC расширяет лидерство в области передовых технологий с помощью процесса N4P (пресс-релиз)» . ТСМС . 26 октября 2021 г.

[444] Армасу, Люсьен (11 января 2019 г.), «Samsung планирует массовое производство 3-нм чипов GAAFET в 2021 году» , www.tomshardware.com

[445] «Samsung начинает 3-нм производство: начинается эра универсальных технологий (GAAFET)» . АнандТех . 30 июня 2022 г.

[446] «TSMC планирует новую фабрику на 3 нм» . ЭЭ Таймс . 12 декабря 2016 года . Проверено 26 сентября 2019 г.

[tsmc_rm_2021-447] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с «Обновление дорожной карты TSMC: 3 нм в первом квартале 2023 г., расширение 3 нм в 2024 г., 2 нм в 2025 г.» . www.anandtech.com . 18 октября 2021 г.

[n4x_pr-448] «TSMC представляет процесс N4X (пресс-релиз)» . ТСМС . 16 декабря 2021 г.

[n4x_blog-449] «Будущее уже сейчас (сообщение в блоге)» . ТСМС . 16 декабря 2021 г.

[n4x_at-450] «TSMC представляет узел N4X» . АнандТех . 17 декабря 2021 г.

[tsmc_rm_2022-451] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б «Обновление дорожной карты TSMC» . АнандТех . 22 апреля 2022 г.

[452] Смит, Райан (13 июня 2022 г.). «Подробное описание узла процесса Intel 4: двукратное масштабирование плотности, повышение производительности на 20 %» . АнандТех .

[453] Алкорн, Пол (24 марта 2021 г.). «Intel исправляет 7-нм техпроцесс, Метеоритное озеро и Гранитные пороги, которые появятся в 2023 году» . Аппаратное обеспечение Тома . Проверено 1 июня 2021 г.

[intelrm-454] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с ^д Катресс, доктор Ян. «Дорожная карта Intel до 2025 года: с 4 нм, 3 нм, 20 А и 18 А?!» . www.anandtech.com . Проверено 27 июля 2021 г.

[intelrm2-455] Перейти обратно: Перейти обратно: ^а ^б ^с Катресс, доктор Ян (17 февраля 2022 г.). «Intel раскрывает план развития масштабируемых процессоров Xeon нескольких поколений: новые Xeon только с E-Core в 2024 году» . www.anandtech.com .

[456] «Samsung Electronics раскрывает планы по 1,4-нм техпроцессу и инвестициям в производственные мощности на Samsung Foundry Forum 2022» . Глобальный отдел новостей Samsung . 4 октября 2022 г.

[1]

[2]

[3]

[4]

[5]

[6]

[7]

[8]

[9]

[10]

[11]

[12]

[13]

[14]

[15]

[16]

[a]

[17]

[18]

[19]

[20]

[21]

[b]

[22]

[c]

[23]

[d]

[24]

[25]

[26]

[27]

[28]

[29]

[30]

[31]

[32]

[33]

[34]

[35]

[36]

[37]

[38]

[39]

[40]

[41]

[42]

[43]

[44]

[45]

[46]

[47]

[48]

[49]

[50]

[51]

[52]

[53]

[54]

[55]

[56]

[57]

[58]

[59]

[60]

[61]

[62]

[63]

[64]

[65]

[66]

[67]

[68]

[69]

[70]

[71]

[72]

[73]

[74]

[75]

[76]

[77]

[78]

[79]

[80]

[81]

[82]

[83]

[84]

[85]

[86]

[87]

[88]

[89]

[90]

[91]

[92]

[93]

[94]

[95]

[96]